В. Н. Каразина Самофалов Владимир Николаевич удк 537. 622. 6(043) Сильные поля рассеяния в системах магнитов с гигантской магнитной анизотропией специальность 01. 04. 11- магнетизм автореферат

Вид материала

Автореферат

Подобный материал:

• Недзиев Сергей Николаевич адаптивное управление кадровой политикой предприятия специальность, 188.79kb.
• Лабораторная работа э-10 изучение зависимости магнитной проницаемости ферромагнетика, 76.57kb.
• Программа курса "Электричество и магнетизм" Эйхвальд А. И. Краткий исторический обзор, 89.83kb.
• Школьник Інна Олександрівна удк 336. 76(477)(043. 5) Стратегія розвитку фінансового, 641.21kb.
• Моделирование многократного малоуглового рассеяния нейтронов на полидисперсных системах, 32.44kb.
• Н. Н. Александрова удк 616. 62-006. 6: 615. 28: 537. 363 (476) Суконко Олег Григорьевич, 423.41kb.
• Шекалов Владимир Александрович Возрождение клавесина как культурно-исторический процесс, 633.62kb.
• План лекций по физике на 2 семестр 2008/09 уч г. для спец. 150101 и 270102 электричество, 42.5kb.
• М. П. Драгоманова москалик геннадій федорович удк 373 048 01: 1(043. 3) Філософські, 292.67kb.
• П. Н. Стеценко о деятельности Секции "Магнетизм" Научного Совета ран в 2004 году, представлен, 308.82kb.

б

В отличие от линейных и точечных полей для однородного сильного поля характерным является отсутствие на зависимости H_Z(х) сингулярных точек. Степень однородности поля рассеяния отражает зависимость поля H_Z на рис.9б (верхняя кривая), рассчитанная для системы на рис.9a.

Отличительной особенностью сильного поля является то, что оно обус­ловлено компонен­той поля рассеяния H_Z, нор­мальной к заряженной поверхности, а не танген­циальной, как это было в системах, описанных выше. Если принять угол  = 0, то зависимость компоненты поля рассеяния примет вид

H_Z » 4pM_S + 4pM_S cos(a)(1-cos(a)) (6)

C увеличением числа магнитов в системе на рис.9а поле в её зазоре будет воз­рас­ тать. Для системы, состоящей из большого числа магнитов, предельное поле рассеяния будет не выше, чем H_Z » 6pM_S.

В разделе 6 - «Сильные поля рассеяния в системах магнитов с неоднородным распределением намагниченности» - рассмотрены магниты в фор­ме цилинд­ра, у которых вектор намаг­ничен­ности направлен по радиусу. Пред­полага­лось, что ра­диаль­­ное распределе­ние на­маг­­ни­чен­ности дос­ти­гается бла­годаря ради­аль­ной кристалли­чес­кой текс­туре с осью лёгкого намаг­ничивания, направленной в каж­дой точ­ке по радиусу ци­лин­д­ра рис.10а. Поле ани­зот­­ропии Н_К ве­щест­ва магнитов предполагается нас­только большим, что возни­кающие поля рас­­сеяния прак­ти­­чес­ки не из­ме­няют ра­диаль­ное рас­пре­деление намаг­ни­ченности во всех точ­ках маг­нита. С целью полу­чения аналитических выражений для компо­нент поля рас­сеяния, удобных для анализа, цилиндр считали бесконечным.

При радиальном направ­ле­нии намаг­ни­ченности в цилиндрическом маг­ните с цилиндрической полостью радиуса r₀, кро­ме поверх­нос­тных маг­нит­ных зарядов с плот­­ностью s_S = ±M_S, воз­никают и объём­ные за­ряды с плот­ностью s_V = ±M_S/r. Заме­тим, что хотя плотность объем­ных зарядов и возрастает при при­бли­жении к оси ци­линд­ра, заряд в объеме dv = 2πrdr остается конечным в этой точке, а намаг­ниченность на оси не опре­делена.

При вы­числении пре­дель­ных полей не учиты­ва­лось влияние заря­дов на на­руж­ной поверх­ности маг­нита. Это можно достигнуть с помощью специальных магнитопроводов. Для точек, которые нахо­дятся на оси OZ, сум­марное значение ком­по­ненты поля H_{Z =} H_Zv+ H_Zs описывается формулой


H_Z = 2p M_S {ln[(R + (z² + R² )^0.5)/(r₀+ (r₀² + z²)^0.5)] + [r₀/(r₀² + z²)^0.5]}. (7)

Выражение под знаком логарифма характеризует вклад объёмных зарядов, а второе слагаемое - влияние поверхностных зарядов на внутренней полости. Предельное значение компоненты поля H_Z при r₀ ® 0 равняется Lim_r®0 H_Z = 2pM_S ln(2R/z). Таким образом, при вычислении поля H_Z из зависимости (7) мож­но огра­ничиться 1-м членом. Если над магнитом соосно располо­жить второй такой же маг­нит, но с другим направлением намани­ченности, то предельное поле увели­чится в 2 раза до значения H_Z  4pM_S ln(2R/z).

На рис.10б сопоставляются рассчитанные зави­симости поля H_Z(r) для точек на торцевой поверхности магнита (z = 0) при различ­ных значениях r₀. Отли­чительной особенностью поля рассеяния магнита с радиальной намаг­ничен­ностью, как видно из рис.10б, яв­ляется наличие большой области лока­лиза­ции силь­но­го поля Dr » R. Пред­став­ленные данные численных расчётов указывают на наличие силь­ных полей с сингулярными точ­ками на направляющих цилиндра.




Если изготовить систему из 2-х таких магнитов, распо­ложенных соосно, то в узком зазоре между ними радиус лока­ли­зации сильного поля будет равен диамет­ру ци­линд­ра Dr » 2(r/R). Для сравнения различных неодно­родных полей введен интегральный параметр - среднее поле Н. Величина среднего поля в зазоре объёмом V вычислялась по фор­муле Н = (H_ZdV)/V. Как видно из таблицы 2 поле Н_Z в зазоре между магнитами принимает большие значения.

Таблица 2. Значения среднего поля Н_Z при различной ширине зазора  между цилиндрическими магнитами с радиальной намагниченностью

Ř–радиус об-ти ус­­ред­не­ния поля Hz	R	R	R	R	0,5R	0,5R	0,5R
	0	0,01 R	0,1 R	0,2 R	0	0,01R	0,1 R
Поле НZ	22,5	22,4 MS	21 MS	20 MS	32 MS	31 MS	30 MS

Компонента поля рассеяния Н_Z в зазоре между двумя цилиндрическими магни­тами может быть увеличена, если вектор намаг­ни­ченности M_S в каждом цилинд­­рическом магните имеет в каждой точке, кроме радиальной компоненты M_r = M_Scosα, также и осевую компоненту M_Z = M_Ssinα, α – угол между век­тором M_S и радиус вектором r. В этом случае среднее поле будет наибольшим при α = π/6, когда Н_Z ≈ 26M_S ≈ 8πM_S. Итак, в узком зазоре между цилиндрическими маг­нитами с радиальной намагниченностью среднее поле превышает в два раза индук­цию насыщения вещества магнита.

Система, изображённая на рис.11, которая состоит из 8 магнитов в форме призм, одно­родно намаг­ниченных по биссектрисе двухгранного угла, является ква­зи­­­неод­­но­­родной. Сходство этой и вышеописанной cистемы на рис.10а не только внешнее, но прояв­ляется также и в одинаковой зави­симости их объемной плотности зарядов s_v ~ M_S/r от рас­стояния до центра цилиндра r и близких значениях пара­метров сильного поля.

В системе на рис.11 объ­ёмных зарядов нет. На соседних гранях между секто­рами воз­­ни­кают по­верх­ностные заряды с плот­ностью s_S = 2 M_S sin(p/8) и обра­зуют неко­торое поле зарядов. Так, для системы из 4-х магнитов среднее значе­ние ‹s› » 0,94M_S/r, а из 8-ми ‹s› » 0,97M_S/r мало отличается от s_V магнита с радиальной намагничен­ностью. Если число магнитов в системе велико, то s_V = ‹s› » M_S/r.

Подобие магнита с радиальной на­маг­ниченностью и системы магнитов на рис.11 про­яв­ляется так­­же в картине полей рассеяния в этих сис­те­мах. Обе системы соз­дают точечное поле и величина пре­дельного поля компоненты H_Z сис­те­мы с большим чис­лом маг­ни­тов в виде призм рав­няется H_Z(r) » 2pM_S ln(Н/r) (cм. (5)). В узком зазоре системы из 2-х та­ких магнитов, расположенных соосно, значение предельного поля харак­теризуется зависимостью), т.е. H_Z(r) » 4pM_Sln(Н/r).

Кроме этого, квазинеоднородные системы, как и магниты с радиальной намаг­ничен­ностью, имеют большую область локализации сильного поля. Это видно из рис.6в, где показаны линии равной напряжённости квазинеоднородной (точечной) системы из 4-х магнитов. На этом рисунке линии поля с Н = 5500Э в зазоре системы из 2-х таких магнитов будет соответствовать линия сильного поля с нап­ряжённостью Н = 11000Э. Среднее значение компоненты поля Н_Z в узком зазоре системы из пары таких магнитов составляет Н_Z » 20 M_S. Если каждый маг­нит па­ры состоит не из 4-х, а из 8 магнитов, то среднее поле в зазоре уве­личивается до Н_Z » 22 M_S.

Итак, основные характеристики сильных полей (r, H_max, Н_Z, ‹s›) цилиндра с радиальной намагниченностью и квазинеоднородной системы из большого числа магнитов практически совпадают.

Квазинеод­но­родная система, однако, по срав­нению с рас­смот­рен­ным вы­ше ци­­линдром с радиальной намагниченностью, имеет отличия в картине полей рассеяния внутри её полости. Если в цилин­дрической полости круг­лого сечения системы с ра­диаль­ной намаг­ниченностью ком­понента поля H_r(r) ≈ 0, то в полости квазинеод­нородной системы эта компонента поля рассеяния принимает высокие значения H_S(x,y) = (H_X² + H_Y²)^0.5 > 4pM_S вблизи её стенок. При поле рассеяния в полости обладает боль­шим гра­диен­­том |Н| ≈ 10⁶ Э/см.


В разделе 7 - «Особенности градиента сильных полей рассеяния» было показано, что сильное поле рассеяния в линейных и точечных системах является не только большим по вели­чине, но и весьма неоднородным, т.е. обладает боль­шим гра­диен­­том Н. Вычис­лены ком­поненты тензора градиента поля рас­сеяния для различных систем магнитов, ко­торые генерируют сильные поля. Сделаны оценки предельных зна­чений градиента поля для различных систем магнитов. Так, для системы А значение градиента поля на малом расстоянии r от сингу­лярных точек характеризуется зависимостью |Н| ≈ 4M_S(1/r). Для градиента поля сингулярными являются те же точки, что и для сильного поля. Они распо­ложены на краях системы А при х = а, z = 0 и на оси OY. Оценки по­казывают, что градиент поля в системах магнитов с боль­шой анизотропией может достигать значений Н = 10⁶ – 10⁸ Э/см. Также установлено, что в системах из постоянных маг­нитов с гигантской магнитной ани­зот­ропией достигаются высоко­градиентные поля, которые сравнимы с градиентом поля в сверхпроводящих магнитах с конически­ми наконечниками из материалов с высо­кой индукцией.

Гра­диент поля, наряду с напряжённостью, также яв­ляется важной физичес­кой харак­теристикой магнитного поля, поскольку он ока­зывает влияние на другие физические параметры. Так, в высокоградиентном поле в веществе магнита вблизи сингулярных точек воз­никают механические силы с большой плотностью ½f(x,z)½ » 4M_S²/r. Высокая плотность объёмных сил f(x,z) вблизи сингулярных точек является одной из важных отличительных особенностей сильных полей. Однако дополнительные меха­ничес­кие напряжения в системе А, связанные с градиен­том поля, как установлено, не могут быть выше, чем это следует из зави­симости




где r₀ – минимальное расстояние от сингулярной точки. Как видно из (8), допол­нительные напряжения не превышают значений σ ~ 1-2 кГ/мм².


В разделе 8 - «Перспективы практического использования сильных полей» рассматриваются физические основы применения сильных полей в различных областях науки и техники. До выполнения данной работы в практических целях исполь­зовались поля рассеяния, которые возникают в ци­линдре Халь­баха. Это связано с тем, что не был известен весь круг систем магнитов, которые генери­руют силь­ные поля рассеяния. Не были также известны основные параметры сильных полей в различных системах. В приведен­ных в разделе материалах, обсуж­даются физи­ческие основы исполь­зова­ния сильных полей в технике маг­нитной записи, при создании ЭПР мик­роскопа, биологии и в сепараторах для разделения слабо­магнитных веществ.

Отмечается, что главными проблемами в технике магнитной записи являют­ся увеличение плот­ности записанной на носителе информа­ции и повышение надёжности её хранения. Один из путей ре­шения этой проблемы видится в возможности исполь­­зования вы­сококоэр­ци­тивных но­сителей (Нс  5 кЭ). В настоящее время применение этих носителй невоз­можно из-за отсутствия голо­вок, способ­ных намагнитить высококоэрцитивный слой. При этом высококоэр­цитивные носители нужны как для горизонталь­ной запи­си, так и вертикальной. Их применение позволит на порядок уменьшить размер маг­нитного отпечатка. Кроме того, высоко­коэрци­тив­ные носи­тели будут нечувст­вительными или слабо чувстви­тельными к воздействию слу­чай­ных маг­нит­ных полей, т.е. повышается на­дёж­­ность сохранения записанной ин­фор­мации. Использование таких носителей осо­бен­но важно при создании различных ар­хив­ных доку­ментов.

На рис. 13а показана схема головки для горизонтальной записи с плёноч­ными постоянными магнитами.





Были получены формулы, при помощи ко­торых мож­но оценить размеры отпечатка на носителе в зависимости от коэрци­тивной силы носителя, его расстояния от головки и её геомет­рических размеров. На рис.13б показано как изменяется поле над носителем по мере удаления от него го­ловки. Описана конст­рук­ция магнито­провода для создания подмаг­ничи­вающего поля при записи информации на носителе. Приводится схема головки для вертикальной записи и обсуждается система магнитов для точечной головки

В работе изучается также использование разных источ­ни­ков сильного поля (линейных и точечных) для ЭПР-микроскопа. Поскольку сильные поля рассеяния локализованы в малом объёме, то их можно определить, если резонанс­ная ячейка ЭПР спектрометра имеет необходимую чувствитель­ность. Используемый в работе спектрометр позволял зарегистрировать резо­нансное поглощение 10⁷-10⁸ атомов, что позво­ляет разрешить области размером до 1-2 мкм. По линиям и поверх­ностям равной нап­ряжён­ности для этих источников был вычислен объём области, которая участвует в резонансном поглощении для заданной частоты. При вычис­лениях предполагалось, что резонансное погло­ще­ние происходит в атомарном слое.

Системы магнитов, которые генерируют сильные, высокоградиентные поля рассеяния могут быть также использованы в сепараторах для обогащения слабо­маг­нитных руд и биологии. Кроме того, системы магнитов, создающие поля рас­сеяния с большой областью локализации сильного поля, могут найти при­менение при разработке холодильных устройств на основе гигантского магнетока­лори­ческого эффекта.


Выводы

В диссертационной работе решена важная научная проблема физики магнит­ных явлений – установлена природа сильных полей рассеяния Н > 4pM_S, кото­рые возникают в системах магнитов с гигантской магнитной анизотропией.

В ходе проведения комплексных исследований различных систем маг­нитов с гигантской магнитной анизотропией были получены такие научные и практические результаты:

1. На примерах решения магнитостатических задач впервые обосно­вано существование сильных магнитных полей рассеяния в различных системах маг­нитов с гигантской анизотропией и определены условия их возник­но­вения. Показано, что для этого необходимо, чтобы поле одноосной анизотропии ве­щества магнита было су­щест­­венно больше его индук­ции насыщения: Н_К >> 4pM_S. Установлено, что зависимость танген­циальной компо­ненты поля рассеяния на малом расстоянии r от края магнита является логариф­мической: H ≈ AM_S ln(a/r), где А – некоторая постоянная для данной системы магнитов.

2. На основе анализа результатов проведенных комплексных иссле­дований структуры и магнитных свойств гранулированных пленок Ag-Co, Со-Сu и островковых пленок Со-Сu установлено, что гранулированные пленки Ag-Co обладают гигантским магниторезистивным эффектом (ГМР) до 30%. Показано, что ГМР-эфект пленок Ag-Co, Со-Сu и островковых пленок Со-Сu не связан с суперпарамагнетизмом гранул Со. На основе этих плёнок были изготовлены разные типы магниторезистивных датчиков для измерения сильных полей в интервале значений 1-25 кЭ.

3. Изучение размерных свойств доменной структуры пленок из сплавов Ni-Fe и Ni-Fe-Co толщиной h  0.1 мкм, изговленных в виде узких полосок, показало, что низкие значения коэрцитивной силы Н_С  0.01Э достигаются в слоях, кото­рые находятся в однодоменном состоянии. При этом слои имеют большие значения коэффициента магнитосопротивления R/R = 3-5 %. На основе пленок пермаллоя были изготовлены путем конденсации в вакууме датчики, предназ­наченные для измерения неоднород­ных магнитных полей в диапазоне значений 1-1000 Э.

4. Прямыми измерениями при помощи магниторезистивных датчиков и ЭПР спектрометра экспериментально доказано наличие сильных магнитных полей рассеяния. Наибольшее поле, которое было зарегистрировано GMR дат­чиком и ЭПР спектрометром на системе из 2-х магнитов, рав­нялись 17 и 19 кЭ соот­ветственно, что в 2 раза превосходит индукцию насыщения материала магнита из SmCo₅. _{Исследования на магнитооптической установке показали, что при ис­пользовании в качестве индикаторов феррит-гранатовых плёнок с большим по­лем одноосной анизотропии (НК = 8 кЭ) можно определить как конфи­гурацию сильных поле рассеяния, так и вычислить их напряжённость}

5. Впервые показано, что измеренные значения поля хорошо коррели­руют с рассчитанной логарифмической зависимостью Н  4M_Sln(r/a). ^{Про­веден­ные экс­перименты показывают, что при расчёте полей рассеяния в магнитах с гигантской магнитной анизотро­пией по методу магнитных зарядов Кителя достигается хорошее соответствие с экспериментом.}

6. Впервые проведена классификация сильных магнитных полей, которые мо­гут быть созданы различными системами из постоянных маг­нитов. В зави­симости от формы области локализации поля опре­делены три вида сильных полей: линейные, точечные и однородные сильные поля.

7. На основании решения вариа­цион­ной задачи установлено, что в маг­нитах с однородной намагниченностью наи­боль­шее линейное поле рассеяния дос­тигается у прямого края плоской заряженной поверхности и, как следствие, в системах маг­нитах, состоящих из параллелепипедов и призм. Оптимизация таких систем постоян­ных магнитов показывает, что предельное значение линейного поля не может быть выше, чем это следует из зависимости H = 4pM_Sln(R/r).

8. Изучены 2 типа источников точечного поля – это системы из од­нородно намагниченных магнитов, у которых точечное поле возникает вблизи ли­нии пересечения заряженных плоскостей, и конические магниты. Показано, что в точечном источнике, представляющем цилинд­рический магнит из n секторов, предельное значение точечного поля вблизи особой точки находится из зави­симости H = 2pM_Sln(R/r). В системе из 2-х таких магнитов с противоположным направлением намагниченности в секторах предельное поле будет не выше, чем следует из зависимости H = 4pM_Sln(R/r).

9. Оптимизация конических источников точечного поля показывает, что наи­боль­шее поле рассеяния достигается у вершины конуса, поверхность которого образована вращением вокруг его оси прямой линии. Проведен численный рас­чёт систем, состоящих из различного числа пар одно­родно намагниченных ко­нических магнитов, разделённых на сектора радиальными плоскостями. По­казано, что в таких комбинированных системах магнитов предельное значение точеч­ного поля можно характеризовать зависимостью H ≈ 6pM_Sln(R/r).

10. Впервые пока­зано, что сильные поля рассеяния возникают также в маг­нитах с неоднородной по направлению намагниченностью. Так, в цилиндри­ческом магни­те с радиальным распределением векторов намагниченности предельная зависи­мость имеет вид H_Z(z) » 2pM_Sln(2z/R). В системе из 2-х таких магнитов предельное поле ли­митируется зависимостью H_Z(z) » 4pM_Sln2(z/R). Установлено, что отли­­чи­­тель­ной особенностью сильных по­лей в изученных сис­темах является боль­шая об­ласть лока­лизации этого поля, сравнимая с диаметром цилиндри­чес­кого маг­нита Dr » 2R. Так, в зазоре меж­ду двумя магнитами среднее по объёму зазора значение компо­нен­ты поля H_Z рассеяния в 2 раза превышает индукцию насыщения материала магнита áН_Zñ » 2B_S.

11. Установлено, что в системах магнитов с гигантской магнитной анизот­ро­пией модуль градиента поля может достигать значений |ÑН| ≈ 10⁶ – 10⁸ Э/см. Это значение градиента сравнимо с высокоградиентным полем рассеяния, которое достигается в сверхпрово­дящих магнитах с коничес­кими наконечниками из материалов с высокой индукцией.

12. Обоснована возможность создания магнитных головок для записи инфор­мации на носителях с коэрцитивной силой Н_С = 5 – 10 кЭ. Показано, что это поз­волит увеличить плотность записанной информации на 1 – 2 порядка. Кроме того, исполь­зование подобных носителей одновременно решит проблему надёжности хранения запи­санной информации. В работе была также обоснована возможность создания ЭПР мик­роскопа для получения сведений о физических характе­рис­тиках различных веществ с его локаль­ных участков.

Список опубликованных работ по теме диссертации:

1. Dimensional effects domain structure in narrow stripes uniaxial magnetic films / Lukashenko L.I., Potapov S.V., Ravlik A.G., Roschenko S.T., Samofalov V.N., Shipkova I.G. // J. Magnetism and Magnetic Materials (JMMM). ­- 1992.- Vol. 116.- P. 70-72.

2. Измерение параметров тонких ферромагнитных пленок при помощи крутильного анизометра / Равлик А.Г., Самофалов В.Н., Потапов С.В., Костенко А.В. // Приборы и техника эксперимента (ПТЭ).- 1992.- Т.4. - С. 147-151.

3. Samofalov V.N. Features remagnetization processes in stripes multilayer films with crossed easy ахes magnetization and prospects their арplications V.N. Samofalov, L.I Lukashenko. // J. Magnetism and Magnetic Materials.- 1993.- Vol. 128. - P. 354-360.

4. Лукашенко Л.И. Доменная структура и магнитосопротив­ление многослойных пленочных полос со скрещенными осями легкого намаг­ничения / Л.И. Лукашенко, В.Н. Самофалов // Физика металлов и металловедение (ФММ). - 1993.- Т.75, № 5. - С.47-53.

5. Features Barkhausen jumps in multilayer ferromagnetic films with crossed easy ахes magnetization / V.N. Samofalov., L.Z. Lubyaniy, L.I. Lukashenko, N.Ye. Overko, A.V. Lukashenko // J. Magnetism and Magnetic Materials.- 1995.- Vol. 148. - P. 267-268.

6. Магниторезистивные ферромагнитные плёнки: новые конструкции чувствитель­ных элементов, технология изготовления и некоторые применения / Л.И. Лукашенко, А.Г. Равлик., С.Т. Рощенко, В.Н. Самофалов, И.Г. Шипкова // Труды Украинского вакуумного общества. – Харьков. 1996. - Т.2.- С. 97-111.

7. Шумы Баркгаузена в плёнках пермаллоя с доменными структурами различных типов / Л.З Лубяный, Н.Е. Оверко, А.Г. Равлик, В.Н. Самофалов // Труды Украин­ского вакуумного общества. – Харьков. 1997. - Т.3 - С. 54-58.

8. Стеценко А.Н. Гигантское магнитосоп­ротивление плёнок ванадия с поверхностной магнитной сверхрешёткой / А.Н. Стеценко, В.Н. Самофалов, В.В. Зорченко // Письма в ЖЭТФ. - Т.64, в.5. - С. 346 – 349.

9. Oscillating magnetoresistance Co/Cu (111) films / V.V. Zorchenko, V.N. Samofalov, A.N. Stetsenko, A.N. Chirkin // J. Magnetism and Magnetic Materials. – 1998. - Vol. 183. - Р. 25-34.

10. New magnetoresistive elemements based on W. Thomson effect / А.G. Ravlik, S.T. Roschenko, V.N. Samofalov, I.G. Shipkova // Functional Materials. - 1999.- Vol.6, №5. - Р.897-902

11. Millimeter waveband resonator сеll scanning ESP-spectrometer / S.I. Tarapov, V.N. Samofalov, A.G. Ravlik, D.P. Belozorov // International Journal Infrared Millimeter Waves. – 2003. - Vol. 24, №7. - P.1082-1089.

12. Сильные магнитные по­ля рассеяния в системах из высокоанизотропных магнетиков / В.Н. Самофалов, А.Г. Равлик, Д.П. Белозоров, Б.А. Авраменко // ФММ. - 2004. – Т. 97, №3. - С. 15-23.

13. Magnetic Heads for High Соеrcivity Recording Media / V.N. Samofalov, E. I. Ilyashenko, А. Ramstad, L. Z. Lubуаnuy, T. H. Johansen. // J. Optoelectronics and Anvanced Materials. - 2004. - Vol. 6, №3. - P. 911– 916.

14. Generation strong inhomogeneous stray fields high-anisotropy реrmanent magnets / V.N. Samofalov, A.G. Ravlik, D.P. Belozorov, B.A. Avramenko // J. Magnetism and Magnetic Materials. - 2004. - Vol. 281. - P. 326-335.

15. Magnetic anisotropy studies on FeNiCo/Ta/ FeNiCo three layers film sensitive ferromagnetic resonance technique / F. Yildiz, S. Kazan, B. Aktas, S. Tarapov, V. Samofalov and А. Ravlik // Phys. Stat. Sol. (c). - 2004. - Vol. 1, № 12. - P. 3694-3697.

16. Ильяшенко Е.И. Измерение и визуализация сильных магнитных полей с по­мощью индикаторов на основе феррит-гранатовых пленок / Е.И. Ильяшенко, Л.З. Лубяный, В.Н. Самофалов // Приборы и техника эксперимента. – 2005. - №4. - С. 1-6.

17. Самофалов В.Н. Оптимизация систем из постоянных магнитов / В.Н. Самофалов, Д.П. Белозоров, А.Г. Равлик // ФММ. - 2006. – Т. 102, №5. - С. 527-538.

18. New Scanning Millimeter Waveband ESR-Microscope with Localized Magnetic Field / D. Belozorov, V. Derkach ,  G. Ermak,  M. Nakhimovich, А. Ravlik, V. Samofalov, S. Tarapov,  А. Zamkovoy // International Journal Infrared Millimeter Waves. – 2006. - Vol. 27, №1. - Р. 107 – 116.

19. Belozorov D. New Systems Rare Earth Permanent Magnets for Generation Extrahigh magnetic Fields / D. Belozorov, А. Ravlik, V. Samofalov // J. Iron and Steel Research Internat. – 2006. - Vol.13, Suppl. - Р. 483- 488.

20. Samofalov V.N. Реrmanent Magnet Systems generating strong stray Fields with large localization region / V.N. Samofalov, D.P. Belozorov, A.G. Ravlik // J. Magnetism and Magnetic Materials. - 2008. - Vol. 320, №8. - P. 1490-1498.

21. Samofalov V.N. High-gradient fields in magnets with giant anisotropy / V.N. Samofalov, D.P. Belozorov, A.G. Ravlik // Functional Materials.- 2008.- Vol. 15, №3. - Р. 407-411.

22. Патент №4832485 Российская Федерация, М.Кл. G 01R 33/05.- Способ изго­товления магниточувствительного полоскового элемента на основе тонко­плё­ночного композитного материала / Самофалов В.Н.; заявители: Равлик А.Г., Рощенко С.Т, Шипкова И.Г., Абрамзон Г.В., Полякова Р.Н., Самофа­лов В.Н.

Яковлев Н.И; патентообладатель Самофа­лов В.Н. - заявл. 01.10.90; опубл. 18.03. 1993г.

23. А.с. №1649478 СССР, М.Кл. G01R 33/05. - Способ измерения напряжённости магнитного поля и датчик для его реализации / С.Т. Рощенко, В.Н. Самофалов, Л.И. Лукашенко; заявл. 16.12. 1988г; опубл. 15.01.1991г.

24. А.с. №943835 СССР, М. Кл.³ G 11 B 5/42. Способ изготовления сердечников магнитных головок / А.И. Ефремов, Л.З. Лубяный., Л.С. Палатник., С.Т. Рощенко., А.Г. Равлик, В.Н. Самофалов, Уксусов Н.Н.; заявл. 08. 1979г; опубл. 16.03.1982, Бюл. №26.

25. Strong and Inhomoheneous Magnetic Fields Sources Based on High Anisotropy Rare-Earth Permanent Magnets / V.N. Samofalov, A.G. Ravlik, B.A. Avramenko, D.P. Belozorov, A.M. Bovda, V.A. Bovda // China Magnet Symposium. – 2004 - Xian. - P. 198-205.

26. Гигантское магнитосопротивление в плёнках Co-Ag c гранулированной структурой / Б.А. Авраменко, С.В. Малыхин, А.Г. Равлик, В.Н. Самофалов // Cборник трудов 18-й международной школы-семинара “Новые магнитные материалы микроэлектроники”.- М., МГУ.- 2002. - С. 282-284.

27. Сильные маг­нитные поля рассеяния в системах из высокоанизотропных магнетиков / В.Н. Самофалов, А.Г. Равлик, Д.П. Белозоров, Б.А. Авраменко // Cборник трудов 18-й международной школы-семинара “Новые магнитные материалы микроэлектроники”. - М., МГУ.- 2002. - С. 366-368.

28. Новые возможности практического использования плёнок с анизотропным магнитосопротивлением / Н.И. Яковлев, В.А. Шеленшкевич, С.Х. Карпенков, А.Г. Равлик, С.Т. Рощенко, В.Н. Самофалов, И.Г. Шипкова, Л.И. Лукашенко // Cборник трудов 18-й международной школы-семинара “Новые магнитные материалы микро­электроники”.- М., МГУ.- 2002. - С. 251-253.

29. Nanostructured Film GMR Sensitive Elements and Their Applications for Strong Magnetic Field Measurement / B.A. Avramenko, D.P. Belozorov, S.V. Malyhin, A.G. Ravlik, E.N. Reshetniak, V.N. Samofalov, S.I. Tarapov // Proc. International Workshop on Nanostructured Magnetic Materials and their Applications NMMA. Istanbul, Turkey., 2003. - Р.63.

30. Магниторезис­тивные, магнитные и структурные характеристики гранули­рован­ных плёнок Со - Ag с гигантским магнитосопротивлением / Б.А. Авраменко, С.В. Малыхин, А.Г. Равлик, В.Н. Самофалов // Сб. докл. Междунар. симпоз. "Тонкие пленки в оптике и электронике". – ННЦ ХФТИ, ИПЦ "Контраст". Харьков., 2002. – Ч.2, - С. 57-60.

31. Магнитные головки для записи на высококоэрцитивных носителях / В.Н. Самофалов, Е.И. Ильяшенко, А. Рамстад, Л.З. Лубяный // Cборник трудов. 19-й международной школы-семинара “Новые магнитные материалы микроэлект­роники”.- М., МГУ, 2004. - С. 147-149.

32. Magnetic Heads for Нigh Соеrcivity Recording Media / V.N. Samofalov, E.I. Ilyashenko, А. Ramstad, L.Z. Lubуаnuy, T. H. Johansen // Proceedigs 4th international Workshop. - Bucharest, Romanija., 2004. - Р. 43-48.

33. High Performance Magnets as Sources Strong Magnetic Fields and Field Gradients / V.N. Samofalov, A.G. Ravlik, B.A. Avramenko, D.P. Belozorov, A.M. Bovda, V.A. Bovda // Proceedings 18th International Workshop on High Performance Magnets and Their Applications. - Annecy (France), 29 August – 2 September 2004, Р. 637- 638.

34. Сильные поля рассеяния в магнитах с неоднродным распределением намагниченности / В.Н. Самофалов, Д.П. Белозоров, Е.И. Ильяшенко, В.А. Глебов // Cборник трудов. 20-й международной школы-семинара “Новые магнит­ные материалы микроэлектроники”.- М., МГУ, 2006. - С.182-184.

35. Сканирующий ЭПР-спектрометр СВЧ диапазона с локальным намагни­чи­ванием объектов / Д.П. Белозоров, А.М. Бовда, В.Н. Деркач, Г.П. Ермак, М.И. Нахимович, А.Г. Равлик, В.Н. Самофалов, С.И. Тарапов, А.С. Замковой // Сб. трудов 20 междунар. школы-семинара «Новые магнитные материалы микроэлек­троники». - М., МГУ, 2006. - С. 671-673.

36. Самофалов В.Н. Предельные поля рассеяния в системах из высокоанизот­ропных постоянных магнитов и перспективы использования их в технике / В.Н. Самофалов, Д.П. Белозоров // Cборник трудов. 20-й международной школы-семинара “Новые маг­нит­ные материалы микроэлектроники”.- М., МГУ, 2006. -С. 185-187.

37. Размерные эффекты доменной структуры в узких пермаллоевых полосках / Потапов С.В., Равлик А.Г., Рощенко С.Т., Самофалов В.Н., Шипкова И.Г. // Тез. Докладов 12-й. Всесоюзной школы-семинара “Новые магнитные материалы микро­электроники”.- Новгород, 1990. - С.75-76.

38. Размерные эффекты доменной структуры в узких плёночных полосках с раз­личными значениями поля одноосной анизотропии / Л.И. Лукашенко, С.В. Потапов, С.Т. Рощенко, В.Н. Самофалов, И.Г. Шипкова // Тез. докладов 19-й Всесоюзной конференции по физике магнитных явлений. – Ташкент, 1991. - С.105.


39. Самофалов В.Н. Доменная структура и магнитные свойства плёночных магниторезистивных элементов со скрещёнными осями лёгкого намагничения / В.Н. Самофалов, Л.И. Лукашенко // Тез. докл. 13-й Всесоюзной школы-семинара “Новые магнитные материалы микроэлектроники”. – Астрахань, 1992. - С.132-133.

40. Самофалов В.Н., Стеценко А.Н., Зорченко В.В. Поверхностные магнитные сверхрешётки – новый класс ферромагнитных материалов // Тез. докл. 14-й международной школы-семинара “Новые магнитные материалы микроэлектро­ники”.- М., МГУ, 1994. - С.17-18.

41. Скачки Баркгаузена в многослойных плёнках со скрещёнными осями лёгкого намагничения / В.Н. Самофалов, Л.З. Лубяный, Л.И. Лукашенко, Н.Е. Оверко, А.В. Лукашенко // Тез. докл. 14-й международной школы-семинара “Новые магнитные материаы микроэлектроники”.- М., МГУ, 1994. - С. 29-30.

42. ESR – studies Ni-Fe-Co Magnetic Thin Films / F. Yldiz, B. Aktas, S.I. Tarapov, V.N. Samofalov, and Ravlik // Program and Abstracts Second Seeheim Conference on Magnetism. - June 27 – July 1. – 2004. - Seeheim, Germany, 2004. – P. 236.

43. Belozorov D.P. Stray- Field Singularity Near the Edge of High Anisotropic Mag­nets: Origin, Manifestation, Applications / D.P. Belozorov, A.G Ravlik, V.N. Samofalov // Abstracts of International Conference ”Functional Materials” IСFM – 2005, Ukraine, Crimea, Partenit, 2005.- P. 48.

44. Belozorov D.P. High Anisotropy Permanent Magnets as Sources of Strong and Inhomogeneous Magnetic Fields / Belozorov, A.G Ravlik, V.N. Samofalov // Abstracts of International Conference “Functional Materials”, ICFM – 2007, Ukraine, Crimea, Partenit, 2007. - Р. 55.

45. Белозоров Д.П. Системы постоянных магнитов, создающие сильные поля рассеяния с большой областью локализации / Д.П. Белозоров, А.Г. Равлик, В.Н. Самофалов // Матеріали 8-ої Міжнародної конференції «Фізичні явища в твер­дих тілах», Харків, ХНУ імені В.Н. Каразіна, 2007.– С.136.