Конкурсная документация по проведению открытого конкурса на право заключения государственных контрактов на выполнение научно-исследовательских работ в рамках
Вид материала | Конкурс |
- Конкурсная документация по проведению открытого конкурса на право заключения государственных, 1240.84kb.
- Конкурсная документация по проведению открытого конкурса на право заключения государственных, 1191.93kb.
- Конкурсная документация по проведению открытого конкурса на право заключения государственных, 1511.34kb.
- Конкурсная документация по проведению открытого конкурса на право заключения государственных, 1815.15kb.
- Конкурсная документация по проведению открытого конкурса на право заключения государственных, 1471.7kb.
- Конкурсная документация по проведению открытого конкурса на право заключения государственных, 1516kb.
- Конкурсная документация по проведению открытого конкурса на право заключения государственных, 2339.27kb.
- Конкурсная документация по проведению открытого конкурса на право заключения государственных, 1159.94kb.
- Конкурсная документация по проведению открытого конкурса для субъектов малого предпринимательства, 1984.32kb.
- Конкурсная документация по проведению открытого конкурса на право заключения государственных, 1048.38kb.
7. Перечень, содержание, сроки выполнения и стоимость этапов
Наименование этапов, содержание выполняемых работ, перечень документов, разрабатываемых на этапах выполнения работы, сроки исполнения и контрактная цена должны быть приведены в календарном плане государственного контракта на выполнение работы.
8. Порядок сдачи-приемки результатов НИР
8.1. Сдача и приемка выполненных работ (этапов работ) осуществляется в порядке, установленном актами Роснауки.
8.2. Порядок сдачи-приемки результатов работы должен соответствовать:
- при приемке этапа НИР – требованиям подраздела 5.7 ГОСТа 15.101-98;
- при приемке НИР в целом – требованиям пунктов 5.8.1 – 5.8.6 того же стандарта.
8.3. Перечень отчетной документации, подлежащей оформлению и сдаче Исполнителем Заказчику на этапах выполнения работ, определяется актами Роснауки.
8.4. Отчетная научно-техническая документация должна представлять собой промежуточные и заключительный научно-технические отчеты, оформленные в соответствии с ГОСТом 7.32-2001 «Система стандартов по информации, библиотечному и издательскому делу. Отчет о научно-исследовательской работе. Структура и правила оформления».
8.5. Отчетная документация представляется Заказчику или уполномоченной им организации на бумажном носителе в двух экземплярах и в электронном виде на оптическом носителе в одном экземпляре.
ПО ЛОТУ 14
Разделы Технического задания могут быть дополнены
по усмотрению участника конкурса
Высококачественные кристаллы и эпитаксиальные структуры
полупроводниковых соединений А2В6 с использованием контролируемых воздействий на примесно-дефектное состояние системы
Шифр «2008-3-1.3-25-03»
1. Основание для проведения научно-исследовательской работы (НИР)
Решение Конкурсной комиссии Роснауки № (протокол от «___» _____2008 г. № ___ ).
2. Головной исполнитель и соисполнители НИР:
Головной исполнитель | Выполняемые работы |
| |
Соисполнители | Выполняемые работы |
| |
| |
| |
3. Цель выполнения НИР
Разработка физико-химических основ процессов контролируемых воздействий на примесно-дефектное состояние монокристаллических композиций полупроводниковых соединений А2В6 и их твердых растворов и создание материалов с уникальными функциональными характеристиками.
4. Основные требования к выполнению НИР
4.1. Состав разрабатываемой научно-технической продукции
4.1.1. Методика выращивания кристаллов А2В6 с контролируемым отклонением от стехиометрии.
4.1.2. Разработка методов определения и идентификации наноразмерных структурных дефектов, в том числе собственных точечных дефектов, кластеров и преципитатов, в кристаллах и эпитаксиальных композициях.
4.1.3. Установление закономерностей образования и взаимодействия термодинамически равновесных наноразмерных структурных дефектов в кристаллах соединений А2В6. Разработка моделей, адекватно описывающих процессы дефектообразования в изучаемых материалах.
4.1.4. Установление закономерностей образования и взаимодействия неравновесных наноразмерных структурных дефектов при выращивания и термообработке кристаллов соединений А2В6. Изучение влияния этих процессов на электрические, оптические и механические свойства исследуемых объектов.
4.1.5. Установление закономерностей дефектообразования в эпитаксиальных гетероструктурах в процессе их выращивания и последующих отжигов. Выявление влияния дефектности материала подложки на параметры эпитаксиальных слоев. Установление связи реальной структуры гетерокомпозиций с их электрическими и оптическими свойствами.
4.1.6. Разработка рекомендаций по оптимизации режимов выращивания и постростовой термообработки исследуемых кристаллов и гетероэпитаксиальных композиций с целью улучшения их эксплуатационных характеристик.
4.1.7. Разработка методик получения кристаллов и гетерокомпозиций с параметрами по п. 4.2.
4.1.8. Разработка исходных требований для постановки последующих НИОКР по получению кристаллов и эпитаксиальных структур с улучшенными характеристиками, обеспечивающими создание на их основе новых поколений высокоэффективных приборов оптоэлектроники.
4.2. Требования по назначению научно-технической продукции
4.2.1. Разрабатываемые материалы предназначены для использования в ИК-фотоприемниках, детекторах и спектрометрах ионизирующих излучений, оптоэлектронных приборах, приборах ИК-спектрометрии.
Область применения — ИК-техника, оптоэлектроника, ядерная техника, мониторинг окружающей среды.
4.2.2. На основе проведенных исследований должны быть:
- установлены механизмы образования и взаимодействия наноразмерных структурных дефектов и влияние этих процессов на локальную динамику кристаллической решетки, структурные, оптические, электрофизические и механические свойства монокристаллов и эпитаксиальных композиций соединений А2В6;
- разработаны методики выращивания кристаллов А2В6 с контролируемым отклонением от стехиометрии, в том числе легированных различными примесями;
- изучено влияние легирования и посткристаллизационного отжига на структурное совершенство, электрофизические, оптические и механические свойства кристаллов и пластин-подложек на их основе;
- на основе проведенных исследований должны быть получены экспериментальные образцы кристаллов соединений А2В6 с параметрами:
нелегированные кристаллы CdTe, n-, и p-типов проводимости
- диаметр не менее 60 мм;
- удельное сопротивлением 107-108 Ом · см;
- плотность дислокаций < 1 · 105;
- пропускание в спектральном диапазоне 2,5-16 мкм не менее 55%.
нелегированные кристаллы Cd1–xZnxTe (x = 0,04-0,1)
- диаметр не менее 60 мм;
- удельное сопротивлением 5 · 107-5 · 108 Ом · см;
- плотность дислокаций < 1 · 105;
- пропускание в спектральном диапазоне 2,5-16 мкм не менее 55%.
эпитаксиальные слои CdxHg1–xTe p-типа проводимости
- концентрация дырок (0,5-3,0) · 1016 см–3;
- подвижностью от 300 до 600 см2/(В · с);
- время релаксации фотопроводимости более 30 нс;
эпитаксиальные слои CdxHg1–xTe n-типа проводимости
- концентрация электронов от 1,0 · 1014 до 1,0 · 1015 см–3;
- подвижность более 1,0 · 105 см2/(В · с);
- время релаксации фотопроводимости более 500 нс.
4.3. Требования к конструкторской и технологической документации
4.3.1. Технологическая документация должна соответствовать требованиям стандартов ЕСТД.
4.3.2. Номенклатура разрабатываемой технологической документации формируется на начальном этапе работ. По разработанным методикам должны быть составлены технологические инструкции.
4.4. Требования по технологичности
Требование по технологичности процессов получения кристаллов и эпитаксиальных структур соединений А2В6 должны отвечать требованиям ГОСТ 14.201.
Разрабатываемые технологические процессы должны обеспечивать высокую производительность труда, достижение оптимальных трудовых и материальных затрат, сокращение времени на производство продуктов.
4.5. Конструктивные требования
Конструктивные требования не предъявляются.
5. Технико-экономические показатели
5.1. Основные технико-экономические требования.
5.1.1. Результаты работы должны привести к оптимизации режимов выращивания и постростовой термообработки кристаллов, гетероэпитаксиальных композиций и обеспечить повышение технико-экономических показателей соответствующих технологических процессов и характеристик создаваемых материалов.
5.1.2. Использование разрабатываемых материалов в промышленности должно обеспечить создание высокоэффективных приборов новых поколений.
5.1.3. Результаты работ должны быть ориентированы на применение в отечественном производстве и быть конкурентоспособными на мировом рынке.
5.1.4. Результаты работ должны быть пригодны для коммерциализации на территории Российской Федерации, в странах СНГ, Азии и других странах мира, а также должны быть ориентированными на массовое производство.
5.1.5. Разрабатываемые методы получения кристаллов и эпитаксиальных структур должны быть ориентированы на существующее аппаратурное оснащение аналогичных производств.
5.1.6. При разработке технологии производства кристаллов и эпитаксиальных структур и выявлении областей их применения должна быть обеспечена охрана вновь созданной интеллектуальной собственности.
5.1.7. При проведении конкурса дополнительными преимуществами для оценки квалификации участников могут являться:
- выполнение проекта в сотрудничестве с профильными кафедрами ВУЗов при условии последующего использования результатов работы в образовательном процессе;
- сотрудничество с предприятием - потенциальным потребителем результатов разработки;
- привлечение молодых ученых, преподавателей, специалистов, аспирантов, докторантов, студентов к участию в работе, а также выполнение работ или их части молодежными коллективами;
- участие в работе коллективов ведущих научных школ.
5.1.8. В отчете по проекту должна быть предусмотрена технико-экономическая оценка рыночного потенциала полученных результатов.
5.2. В процессе выполнения работы должны быть достигнуты следующие значения программных индикаторов и показателей:
Индикатор | ед. изм. | Год | |||
2008 | 2009 | 2010 | 2011 | ||
И1.3.1. количество завершенных проектов научно-исследовательских работ по Программе, перешедших в стадию опытно-конструкторских работ с целью разработки конкурентоспособных технологий для последующей коммерциализации | единиц | 0 | 1 | | |
И1.3.2. число публикаций в ведущих научных журналах, содержащих результаты интеллектуальной деятельности, полученные в рамках выполнения проектов проблемно-ориентированных поисковых исследований | единиц | 1 | 3 | | |
И1.3.3. число патентов (в том числе международных) на результаты интеллектуальной деятельности, полученные в рамках выполнения проектов проблемно-ориентированных поисковых исследований | единиц | 0 | 1 | | |
И1.3.4. число диссертаций на соискание ученых степеней, защищенных в рамках выполнения проектов проблемно-ориентированных поисковых исследований | единиц | 0 | 2 | | |
Объем привлеченных внебюджетных средств | млн. рублей | 1,6 | 1,6 | | |
6. Требования к патентной чистоте и патентоспособности
6.1. Должны быть проведены патентные исследования в соответствии с ГОСТ Р 15.011-96.
6.2. Должны быть определена рыночная стоимость интеллектуальной собственности в соответствии с Методическими рекомендациями, утвержденными Министерством имущественных отношений 26 ноября 2002 г. № СК-4/21297.
6.3. Патентная чистота на методы изготовления и конструктивные решения должна быть обеспечена в отношении Российской Федерации и стран, куда возможна поставка изделий, а также передача технической, информационной и другой документации.
7. Перечень, содержание, сроки выполнения и стоимость этапов
Наименование этапов, содержание выполняемых работ, перечень документов, разрабатываемых на этапах выполнения работы, сроки исполнения и контрактная цена должны быть приведены в календарном плане государственного контракта на выполнение работы.
8. Порядок сдачи-приемки результатов НИР
8.1. Сдача и приемка выполненных работ (этапов работ) осуществляется в порядке, установленном актами Роснауки.
8.2. Порядок сдачи-приемки результатов работы должен соответствовать:
- при приемке этапа НИР – требованиям подраздела 5.7 ГОСТа 15.101-98;
- при приемке НИР в целом – требованиям пунктов 5.8.1 – 5.8.6 того же стандарта.
8.3. Перечень отчетной документации, подлежащей оформлению и сдаче Исполнителем Заказчику на этапах выполнения работ, определяется актами Роснауки.
8.4. Отчетная научно-техническая документация должна представлять собой промежуточные и заключительный научно-технические отчеты, оформленные в соответствии с ГОСТом 7.32-2001 «Система стандартов по информации, библиотечному и издательскому делу. Отчет о научно-исследовательской работе. Структура и правила оформления».
8.5. Отчетная документация представляется Заказчику или уполномоченной им организации на бумажном носителе в двух экземплярах и в электронном виде на оптическом носителе в одном экземпляре.
ПО ЛОТУ 15
Разделы Технического задания могут быть дополнены
по усмотрению участника конкурса
Наноматериалы для постоянных магнитов на основе упорядоченных ансамблей
однодоменных ферромагнитных частиц
Шифр «2008-3-1.3-24-01»
1. Основание для проведения научно-исследовательской работы (НИР)
Решение Конкурсной комиссии Роснауки № (протокол от «___» _____2008 г. № ___ ).
2. Головной исполнитель и соисполнители НИР:
Головной исполнитель | Выполняемые работы |
| |
Соисполнители | Выполняемые работы |
| |
| |
| |
3. Цель выполнения НИР
Разработка методов и лабораторных регламентов получения упорядоченных ансамблей однодоменных частиц и разработка на их основе новых наноструктурированных магнитотвердых материалов с высокими гистерезисными характеристиками для электронной, радиоэлектронной, радиотехнической промышленности, приборостроения, медицины, производства товаров народного потребления.
4. Основные требования к выполнению НИР
4.1. Состав разрабатываемой научно-технической продукции
4.1.1. Проведение исследований по формированию магнитных однодоменных наночастиц и пленочных магнитотвердых нанокомпозитов на их основе, состоящих из упорядоченных ансамблей наночастиц; определение зависимости магнитных свойств нанокомпозита от способа получения, структуры и фазового состава материала.
4.1.2. Оптимизация состава материала, разработка лабораторных технологий, режимов и лабораторных регламентов получения магнитных наночастиц контролируемого размера и анизотропии формы, способов достижения необходимой степени регулярности в расположении наноразмерных структурных составляющих.
4.1.3. Установление влияния термической обработки на изменение структуры и магнитные свойства пленочных нанокомпозитов с целью направленного воздействия на свойства конечного материала и получения нанокомпозитов с максимально высокими гистерезисными характеристиками.
4.1.4. Получение опытных образцов композитных наноматериалов для постоянных магнитов на основе упорядоченных ансамблей однодоменных ферромагнитных частиц (магнитотвёрдые нанокомпозиты из упорядоченных ансамблей однодоменных ферромагнитных частиц с матрицей из мезопористого немагнитного (SiO2, Al2O3, TiO2 и др.) или магнитного (SrFe12O19, CoFe2O4) материала; пленочные нанокомпозиты с матрицей из немагнитного материала, нанопоры-каналы которого заполнены магнитотвердым материалом (SrFe12O19, CoFe2O4)).
4.2. Требования по назначению научно-технической продукции.
4.2.1. Выполняемые функции
Постоянные магниты с высокими гистерезисными характеристиками на основе упорядоченных ансамблей однодоменных частиц для устройств микроэлектроники, микро- и наносистемной техники, медицины и др.
4.2.2. Технические характеристики
Магнитные композиционные материалы на основе оксидных и металлических фаз, характеризующиеся упорядоченной системой пор диаметром 10-500 нм. Материал должен характеризоваться коэрцитивной силой не менее 1 кЭ и намагниченностью насыщения магнитной фазы не менее 60 см3/г.
4.3. Требования к конструкторской и технологической документации
4.3.1. Конструкторская, технологическая и программная документация должна соответствовать требованиям стандартов ЕСКД, ЕСТД, ЕСПД.
4.3.2. Номенклатура разрабатываемой конструкторской, эксплуатационной, технологической и программной документации формируется на начальном этапе.
4.4. Требования по технологичности
Работы должны быть проведены на современном научном и технологическом оборудовании. Технологическое оборудование должно отвечать требованиям ГОСТ 24444-87. Разрабатываемая технология должна быть экологически чистой.
4.5. Конструктивные требования
Конструктивные требования не предъявляются.
5. Технико-экономические показатели
5.1. Основные технико-экономические требования.
5.1.1. Выполнение данного проекта должно привести к созданию методик получения магнитотвердых материалов на основе ансамблей однодоменных магнитных частиц.
5.1.2. Результаты выполненных работ должны быть конкурентоспособны и пригодны для коммерциализации в Российской Федерации, странах СНГ, Азии и других странах мира.
5.1.3. Разработанные технологии должны позволить организовать опытно-промышленный выпуск пленочных нанокомпозиционных магнитов для нужд российской промышленности.
5.1.4. При проведении конкурса дополнительными преимуществами для оценки квалификации участников могут являться:
- выполнение проекта консорциумом, состоящим из научной организации и учреждения высшего профессионального образования, при условии последующего использования результатов работы в образовательном процессе;
- привлечение молодых ученых, преподавателей, специалистов, аспирантов, докторантов, студентов к участию в работе, а также выполнение работ или их части молодежными коллективами;
- участие в работе коллективов ведущих научных школ.
5.1.5. В отчете по проекту должна быть предусмотрена технико-экономическая оценка рыночного потенциала полученных результатов.
5.2. В процессе выполнения работы должны быть достигнуты следующие значения программных индикаторов и показателей:
Индикатор | ед. изм. | Год | |||
2008 | 2009 | 2010 | 2011 | ||
И1.3.1. количество завершенных проектов научно-исследовательских работ по Программе, перешедших в стадию опытно-конструкторских работ с целью разработки конкурентоспособных технологий для последующей коммерциализации | единиц | 0 | 1 | | |
И1.3.2. число публикаций в ведущих научных журналах, содержащих результаты интеллектуальной деятельности, полученные в рамках выполнения проектов проблемно-ориентированных поисковых исследований | единиц | 1 | 2 | | |
И1.3.3. число патентов (в том числе международных) на результаты интеллектуальной деятельности, полученные в рамках выполнения проектов проблемно-ориентированных поисковых исследований | единиц | 0 | 1 | | |
И1.3.4. число диссертаций на соискание ученых степеней, защищенных в рамках выполнения проектов проблемно-ориентированных поисковых исследований | единиц | 0 | 1 | | |
Объем привлеченных внебюджетных средств | млн. рублей | 1,0 | 1,0 | | |