Конкурсная документация по проведению открытого конкурса на право заключения государственных контрактов на выполнение научно-исследовательских работ в рамках
| Вид материала | Конкурс |
- Конкурсная документация по проведению открытого конкурса на право заключения государственных, 1240.84kb.
- Конкурсная документация по проведению открытого конкурса на право заключения государственных, 1191.93kb.
- Конкурсная документация по проведению открытого конкурса на право заключения государственных, 1511.34kb.
- Конкурсная документация по проведению открытого конкурса на право заключения государственных, 1815.15kb.
- Конкурсная документация по проведению открытого конкурса на право заключения государственных, 1471.7kb.
- Конкурсная документация по проведению открытого конкурса на право заключения государственных, 1516kb.
- Конкурсная документация по проведению открытого конкурса на право заключения государственных, 2339.27kb.
- Конкурсная документация по проведению открытого конкурса на право заключения государственных, 1159.94kb.
- Конкурсная документация по проведению открытого конкурса для субъектов малого предпринимательства, 1984.32kb.
- Конкурсная документация по проведению открытого конкурса на право заключения государственных, 1048.38kb.
4.2. Требования по назначению научно-технической продукции
4.2.1. Выполняемые функции.
Разрабатываемые методы должны обеспечивать получение многослойных прецизионных наноструктур на основе AlGaAs и InGaAs полупроводниковых материалов для лазерных излучателей с вертикальным резонатором. Опытные образцы лазеров с вертикальным резонатором должны отвечать требованиям, предъявляемым к излучателям, используемым в миниатюрных атомных стандартах частоты нового поколения.
4.2.2. Технические характеристики.
Разработанные методы получения полупроводниковых наноструктур AlGaAs и InGaAs должны обеспечить изготовление прецизионных многослойных полупроводниковых структур со следующими параметрами:
- Толщины полупроводниковых слоев в диапазоне от 2 нм до 100 нм
- Общее число слоев структуры до 1300
- Точность поддержания толщин слоев на уровне 1%
- Точность задания резонансной длины волны 1 нм
- Полученные полупроводниковые наноструктуры должны быть пригодны для создания опытных образцов лазеров с вертикальным резонатором со следующими параметрами:
- длины волн генерации 795 нм (резонансы Rb) или 895 нм (резонансы Cs)
- диапазон перестройки длины волны генерации 1 нм
- ширина линии излучения не более 1 ГГц
- полоса СВЧ-модуляции не менее 4 ГГц
- внешняя квантовая эффективность не менее 25%
- излучаемая мощность не менее 200 мкВт (одномодовый режим генерации – мода TEM00)
- пороговый ток не более 100 мкА.
Опытные образцы ЛВР должны быть пригодны для использования в миниатюрных атомных стандартах частоты, обеспечивающих относительную нестабильность частоты менее 10-10 за час при объеме менее 200 см3 и потребляемой мощности менее 500 мВт.
4.3. Требования к конструкторской и технологической документации
4.3.1. Конструкторская, технологическая и программная документация должна соответствовать требованиям стандартов ЕСКД, ЕСТД, ЕСПД.
4.3.2. Номенклатура разрабатываемой конструкторской, эксплуатационной, ремонтной, технологической и программной документации формируется на начальном этапе.
4.4. Требования по технологичности
При выполнении проекта необходимо ориентироваться на использование стандартного технологического оборудования.
4.5. Конструктивные требования
Разрабатываемые методы получения полупроводниковых наноструктур, должны обеспечить создание опытных образцов ЛВР, отвечающих техническим характеристикам (п. 4.2.2) и современным конструктивным требованиям для излучателей данного типа: а) диаметр ЛВР мезы не более 50 мкм, при высоте не более 6 мкм, б) размер оптической апертуры ЛВР в диапазоне от 2 до 5 мкм, в) размер ЛВР чипа не более 1000 мкм при высоте около 100 мкм, г) вес ЛВР не более 80 нанограмм, вес ЛВР чипа не более 300 микрограмм.
5. Технико-экономические показатели
5.1. Основные технико-экономические требования.
5.1.1. Разработанные методы получения полупроводниковых наноструктур должны обеспечить создание перспективных лазерных источников для миниатюрных атомных стандартов частоты.
5.1.2. Разрабатываемые метолы получения полупроводниковых наноструктур должны быть ориентированы на существующее аппаратурное оснащение аналогичных производств.
5.1.3. Методы и устройства, созданные при реализации проекта, должны иметь инновационную перспективу и быть пригодными для дальнейшей коммерциализации.
5.1.4. Технология и интеллектуальная собственность, полученные в результате выполнения проекта, должны быть конкурентноспособными на мировом рынке.
5.1.5. При проведении конкурса дополнительными преимуществами для оценки квалификации участников могут являться:
- выполнение проекта в сотрудничестве с профильными кафедрами ВУЗов при условии последующего использования результатов работы в образовательном процессе;
- сотрудничество с предприятием - потенциальным потребителем результатов разработки;
- привлечение молодых ученых, преподавателей, специалистов, аспирантов, докторантов, студентов к участию в работе, а также выполнение работ или их части молодежными коллективами;
- участие в работе коллективов ведущих научных школ.
5.1.6. В отчете по проекту должна быть предусмотрена технико-экономическая оценка рыночного потенциала полученных результатов.
5.2. В процессе выполнения работы должны быть достигнуты следующие значения программных индикаторов и показателей:
| Индикатор | ед. изм. | Год | |||
| 2008 | 2009 | 2010 | 2011 | ||
| И1.3.1. количество завершенных проектов научно-исследовательских работ по Программе, перешедших в стадию опытно-конструкторских работ с целью разработки конкурентоспособных технологий для последующей коммерциализации | единиц | 0 | 1 | | |
| И1.3.2. число публикаций в ведущих научных журналах, содержащих результаты интеллектуальной деятельности, полученные в рамках выполнения проектов проблемно-ориентированных поисковых исследований | единиц | 1 | 2 | | |
| И1.3.3. число патентов (в том числе международных) на результаты интеллектуальной деятельности, полученные в рамках выполнения проектов проблемно-ориентированных поисковых исследований | единиц | 0 | 1 | | |
| И1.3.4. число диссертаций на соискание ученых степеней, защищенных в рамках выполнения проектов проблемно-ориентированных поисковых исследований | единиц | 0 | 0 | | |
| Объем привлеченных внебюджетных средств | млн. рублей | 1,33 | 1,33 | | |
6. Требования к патентной чистоте и патентоспособности
6.1. Должны быть проведены патентные исследования в соответствии с ГОСТ Р 15.011-96.
6.2. Должны быть определена рыночная стоимость интеллектуальной собственности в соответствии с Методическими рекомендациями, утвержденными Министерством имущественных отношений 26 ноября 2002 г. № СК-4/21297.
6.3. Патентная чистота на методы изготовления и конструктивные решения должна быть обеспечена в отношении Российской Федерации и стран, куда возможна поставка изделий, а также передача технической, информационной и другой документации.
7. Перечень, содержание, сроки выполнения и стоимость этапов
Наименование этапов, содержание выполняемых работ, перечень документов, разрабатываемых на этапах выполнения работы, сроки исполнения и контрактная цена должны быть приведены в календарном плане государственного контракта на выполнение работы.
8. Порядок сдачи-приемки результатов НИР
8.1. Сдача и приемка выполненных работ (этапов работ) осуществляется в порядке, установленном актами Роснауки.
8.2. Порядок сдачи-приемки результатов работы должен соответствовать:
- при приемке этапа НИР – требованиям подраздела 5.7 ГОСТа 15.101-98;
- при приемке НИР в целом – требованиям пунктов 5.8.1 – 5.8.6 того же стандарта.
8.3. Перечень отчетной документации, подлежащей оформлению и сдаче Исполнителем Заказчику на этапах выполнения работ, определяется актами Роснауки.
8.4. Отчетная научно-техническая документация должна представлять собой промежуточные и заключительный научно-технические отчеты, оформленные в соответствии с ГОСТом 7.32-2001 «Система стандартов по информации, библиотечному и издательскому делу. Отчет о научно-исследовательской работе. Структура и правила оформления».
8.5. Отчетная документация представляется Заказчику или уполномоченной им организации на бумажном носителе в двух экземплярах и в электронном виде на оптическом носителе в одном экземпляре.
ПО ЛОТУ 13
Разделы Технического задания могут быть дополнены
по усмотрению участника конкурса
Объемные термоэлектрические материалы с нанокристаллической структурой
для эффективных преобразователей энергии
Шифр «2008-3-1.3-25-02»
1. Основание для проведения научно-исследовательской работы (НИР)
Решение Конкурсной комиссии Роснауки № (протокол от «___» _____2008 г. № ___ ).
2. Головной исполнитель и соисполнители НИР:
| Головной исполнитель | Выполняемые работы |
| | |
| Соисполнители | Выполняемые работы |
| | |
| | |
| | |
3. Цель выполнения НИР
Разработка методики и лабораторных регламентов получения термоэлектрических наноструктурированных материалов и нанокомпозитов с высокой добротностью и повышенными механическими свойствами, направленных на увеличение эффективности и ресурса работы термоэлектрических охладителей и генераторов.
4. Основные требования к выполнению НИР
4.1. Состав разрабатываемой научно-технической продукции
4.1.1. Оптимизация составов исходных твердых растворов n- и p-типа, предназначенных для получения наноструктурированных и нанокомпозитных термоэлектрических материалов для охладителей и термогенераторов.
4.1.2. Получение нанопорошков синтезированных материалов.
4.1.3. Получение и гомогенизация смеси нанопорощков с различным составом и соотношением компонентов.
4.1.4. Разработка методики получения нанопорошков, их гомогенизации и консолидации с целью получения компактных объемных образцов с нанокристаллической структурой.
4.1.5. Комплексное исследование структуры исходных нанопорошков и компактных наноструктурированных и нанокомпозитных материалов.
4.1.6. Разработка методики и измерение термоэлектрических свойств (электро- и теплопроводности, коэффициента термоэ.д.с., добротности) наноструктурных материалов.
4.1.7. Теоретический анализ и моделирование термоэлектрических явлений в наноструктурных термоэлектриках.
4.1.8. Изготовление и измерение свойств экспериментальных образцов оптимизированных наноструктурных материалов, а также термоэлементов на их основе.
4.1.9. Составление исходных технических требований на постановку ОТР по разработке технологии получения объемных наноструктурных термоэлектрических материалов.
4.2. Требования по назначению научно-технической продукции
4.2.1. Выполняемые функции
Разрабатываемый термоэлектрический материал с нанокристаллической структурой должен позволить получать на его основе преобразователи энергии различного типа и благодаря более высоким свойствам (термоэлектрическая добротность и механическая прочность) должен обеспечить увеличение эффективности и ресурса работы термоэлектрических охладителей и термогенераторов (по сравнению с использованием существующих аналогов объемного термоэлектрического материала). Это, в свою очередь, должно улучшить эксплуатационные характеристики устройств и систем в отраслях промышленности, традиционно использующих термоэлектрическое охлаждение.
Другой важной областью применения результатов данного проекта является создание альтернативных источников электроэнергии путем использования термогенераторов, основанных на преобразовании бросового тепла.
4.2.2. Технические характеристики
Разрабатываемый объемный термоэлектрический материал с нанокристаллической структурой для преобразователей энергии различного типа должен обеспечить за счет использования нанопорошков с размером частиц - 5÷30 нм получение следующих характеристик:
- увеличение безразмерной термоэлектрической эффективности материала ZT в максимуме
- до 1,15÷1,5;
- увеличение механической прочности, кг/см2 - до 300÷400.
4.2.2.2. Точность воспроизведения внешних условий
Все измерения проводятся при комнатной температуре и влажности.
При теплофизических измерениях в вакууме остаточное давление должно быть не более 10-4 Торр.
4.2.2.3. Способы моделирования объектов исследования:
- математическое моделирование;
- экспериментальный образец.
4.2.2.4. Количество моделей (макетов, экспериментальных образцов).
Для проведения измерений свойств должна быть изготовлена партия из 10 экспериментальных образцов термоэлектрических нанокристаллических материалов и 3-х термоэлементов.
4.2.2.5. Необходимость проведения испытаний и создание испытательных стендов.
Для измерения характеристик термоэлектрических материалов и термоэлементов должен быть изготовлен испытательный стенд.
4.3. Требования к конструкторской и технологической документации
4.3.1. Конструкторская, технологическая и программная документация должна соответствовать требованиям стандартов ЕСКД, ЕСТД, ЕСПД.
4.3.2. Номенклатура разрабатываемой конструкторской, технологической и программной документации формируется на начальном этапе.
4.4. Требования по технологичности
При выполнении проекта необходимо ориентироваться на использование стандартного технологического оборудования.
5. Технико-экономические показатели
5.1. Основные технико-экономические требования.
5.1.1. Разработанные объемные термоэлектрические материалы с нанокристаллической структурой, применяемые в качестве термоэлементов в преобразователях энергии Пельтье и термогенераторов, должны обеспечить в перспективе:
– замену термоэлектрических модулей в существующих охладителях и термогенераторах на более эффективные, созданные на базе новых термоэлектриков;
– создание перспективных охладителей для отраслей промышленности, традиционно использующих термоэлектрическое охлаждение для улучшения эксплуатационных характеристик своих устройств и систем, а также для альтернативных источников электроэнергии получаемой путем использования термогенераторов для преобразования бросового тепла, в больших количествах образующегося в качестве побочного продукта;
5.1.2. Разрабатываемые технологические стадии получения наноструктурных термоэлектрических материалов должны быть ориентированы на существующее аппаратурное оснащение аналогичных производств.
5.1.3. Результаты работ должны быть ориентированы на применение в отечественном производстве и быть конкурентоспособными на мировом рынке.
5.1.4. При разработке новых наноструктурных термоэлектрических материалов и выявлении областей их применения должна быть обеспечена охрана вновь созданной интеллектуальной собственности.
5.1.5. При проведении конкурса дополнительными преимуществами для оценки квалификации участников могут являться:
- выполнение проекта в сотрудничестве с профильными кафедрами ВУЗов при условии последующего использования результатов работы в образовательном процессе;
- привлечение молодых ученых, преподавателей, специалистов, аспирантов, докторантов, студентов к участию в работе, а также выполнение работ или их части молодежными коллективами;
- участие в работе коллективов ведущих научных школ.
5.1.6. В отчете по проекту должна быть предусмотрена технико-экономическая оценка рыночного потенциала полученных результатов.
5.1.7. Технические характеристики нового класса объемных термоэлектрических материалов должны быть выше характеристик соответствующих аналогов:
| Разрабатываемый наноструктурный материал | Современный технический уровень материала | ||
| Безразмерная эффективность, ZT | Механическая прочность, кг/см2 | Безразмерная эффективность, ZT | Механическая прочность, кг/см2 |
| 1,15÷1,5 | 300÷400 | 1,0 | 230÷290 |
5.2. В процессе выполнения работы должны быть достигнуты следующие значения программных индикаторов:
| Индикатор | ед. изм. | Год | |||
| 2008 | 2009 | 2010 | 2011 | ||
| И1.3.1. количество завершенных проектов научно-исследовательских работ по Программе, перешедших в стадию опытно-конструкторских работ с целью разработки конкурентоспособных технологий для последующей коммерциализации | единиц | 0 | 1 | | |
| И1.3.2. число публикаций в ведущих научных журналах, содержащих результаты интеллектуальной деятельности, полученные в рамках выполнения проектов проблемно-ориентированных поисковых исследований | единиц | 2 | 2 | | |
| И1.3.3. число патентов (в том числе международных) на результаты интеллектуальной деятельности, полученные в рамках выполнения проектов проблемно-ориентированных поисковых исследований | единиц | 1 | 1 | | |
| И1.3.4. число диссертаций на соискание ученых степеней, защищенных в рамках выполнения проектов проблемно-ориентированных поисковых исследований | единиц | 0 | 1 | | |
| Объем привлеченных внебюджетных средств | млн. рублей | 1,9 | 1,9 | | |
6. Требования к патентной чистоте и патентоспособности
6.1. Должны быть проведены патентные исследования в соответствии с ГОСТ Р 15.011-96.
6.2. Должны быть определена рыночная стоимость интеллектуальной собственности в соответствии с Методическими рекомендациями, утвержденными Министерством имущественных отношений 26 ноября 2002 г. № СК-4/21297.
6.3. Патентная чистота на методы изготовления и конструктивные решения должна быть обеспечена в отношении Российской Федерации и стран, куда возможна поставка изделий, а также передача технической, информационной и другой документации.