Технический контроль качества кристаллических элементов из лангатата для устройств пьезотехники
Отчет по практике - Физика
Другие отчеты по практике по предмету Физика
l тип ВОТК, 10% от партии4.6 Контроль ориентации поверхности подложки и базового среза подложкиПоверхность подложки и базовый срез должны быть сориентированы с заданной точностьюДифрактометр рентгеновский DSO-2PОТК, 10% от партии5. Шлифование подложки5.1 Контроль толщины подложкиТолщина подложки в партии после окончания шлифовки должна быть (0,500-0,600) мм0,005мм Индикатор МИГ-1 Участок обработки кристаллов, 100%5.2 Контроль состояния поверхности подложкиПри 10х увеличении микроскопа поверхность подложки должна иметь ровный фон обработки. Не допускается наличие трещин, царапин. На рабочей поверхности подложки не допускается наличие сколов на базовом резе и выколок на поверхности.Визуально, Стереомикроскоп "Leicа" или "Mantis"ОТК, 100%5.3 Измерение толщины подложкиТолщина подложек в партии должна быть (0,500-0,600)мм0,005мм Индикатор МИГ-1ОТК, 10% от партии6. Полировка подложек6.1 Контроль толщины после предварительной полировки поверхности подложкиТолщина подложек в партии после окончания предварительной полировки должна быть (0,480-0,580)мм0,005мм Индикатор МИГ-1, Оптиметр вертикальный проекционный ИКВ-3Участок обработки кристаллов, 100%6.2 Контроль толщины после финишной полировки поверхности подложкиТолщина подложек в партии после окончания предварительной полировки должна быть (0,450-0,550)мм0,005ммИндикатор МИГ-1, Оптиметр вертикальный проекционный ИКВ-3Участок обработки кристаллов, 100%7. Контроль подложек7.1 Контроль рабочей поверхности подложкиПри 50х увеличении микроскопа на рабочей поверхности подложки не допускается наличие царапин, сколов, трещин, включений, ямок и углублений. Не допускаются сколы на базовом резе подложки. По краю пластины допускаются сколы шириной не более 5мм, с выходом на рабочую область не более 0,5ммВизуально, Стереомикроскоп "Leicа" ОТК, 100%7.2.Контроль чистоты поверхности подложкиПри 50х увеличении микроскопа не допускается наличие грязевых пятен, разводов подтеков.Визуально, Стереомикроскоп "Leicа" ОТК, 100%7.3. Контроль скорости ПАВ на подложкеСкорость ПАВ должна быть: 2577,82,5 м/с на подложке типоразмера 1В; 2327,72,5 м/с на подложке типоразмера 2ВСтенд ИС-1/01ОТК, 10% от партии7.4. Контроль неоднородности скорости ПАВ на подложкеНеоднородность скорости ПАВ должна быть не более 15010-6Стенд ИС-1/01ОТК, 10% от партии7.5. Контроль массы подложкиМасса подложки должна быть не более 17 гВесы электронные ВТЛК-500ОТК, 10% от партии
Перечень и методы контрольно-измерительных операций, требований к измеряемым параметрам, представлен ниже.
. Контроль плоскостей в монокристалле лантан-галлиевого силиката
Монокристалл лантан-галлиевого силиката ТУ 6365-003-54993724-05 наклеивают на оправку на предварительно ошлифованную грань и фиксируют в станке TS-23 крепежными винтами. От монокристалла отрезают пробную пластину толщиной 1-1,5мм и выполняют контроль плоскости с помощью рентген гониометра типа "Rigaky" мод.256 согласно инструкции по эксплуатации. После получения результатов рентген-контроля положение кристалла в станке корректируют с помощью регулировочных винтов. После корректировки положения кристалла выполняют рентген-контроль новой пробной пластины. Корректировку положения выполняют до получения необходимых значений углов плоскости монокристалла.
. Контроль направления +Х в монокристалле лантан-галлиевого силиката
Монокристалл лантан-галлиевого силиката ТУ 6365-003-54993724-05 ориентируют так, чтобы он лежал на менее развитой грани нижним конусом кристалла к оператору. Контроль направления +Х в кристалле осуществляют пьезотестером. Щуп пьезотестера опускают по 3-5 раз на правую и левую грани кристалла. Индикация на пьезотестере красной лампочки под знаком "+" означает, что грань кристалла имеет выход направления +Х. Индикация на пьезотестере зеленой лампочки под знаком "-" означает, что грань кристалла имеет выход направления оси -Х. Грань кристалла, имеющую выход направления +Х, маркируют.
.Контроль внешнего вида пьезоэлектрической подложки и ее поверхности
.1. Контроль внешнего вида шлифованной поверхности подложки осуществляют визуально с помощью стереомикроскопа "Leicа" или "Mantis" при 10-кратном увеличении. Поверхность подложки должна иметь ровный фон обработки. Не допускается наличие трещин, царапин. На рабочей поверхности подложки не допускается наличие сколов на базовом срезе и выколок на поверхности.
.2. Контроль внешнего вида подложки и ее рабочей полированной поверхности осуществляют визуально с помощью стереомикроскопа "Leicа" при 50-кратном увеличении. На рабочей области подложки не допускаются царапины, трещины, непрополированные области, видимые при 50-кратном увеличении. Сколы внутри рабочей области и на базовом срезе не допускаются. За пределами рабочей области подложки допускаются сколы шириной не более 5мм с выходом на рабочую область не более 0,5 мм. Геометрические размеры сколов оценивают с помощью окулярного винтового микрометра МОВ-1-16.
.3 Контроль чистоты поверхности осуществляют с помощью стереомикроскопа "Leica" при 50х увеличении. Не допускается наличие грязевых пятен, разводов подтеков на поверхности подложки.
. Контроль габаритных размеров пьезоэлектрической подложки
.1. Контроль диаметра подложки осуществляют с помощью штангенциркуля ШЦ-1 с отсчетом по нониусу 0,1мм. Подложку кладут на поверхность рабочего стола лицевой стороной вверх и зажимают между верхними губками штангенциркуля ЩЦ-I.
.2. Контроль толщины подложек осуществляют с помощью измерительной головки МИГ-1 с ценой