Технический контроль качества кристаллических элементов из лангатата для устройств пьезотехники
Отчет по практике - Физика
Другие отчеты по практике по предмету Физика
?лжностным лицам предприятия по устранению причин возникновения дефектов продукции и представляет руководству предложения о привлечении к ответственности должностных лиц и рабочих, виновных в изготовлении бракованной продукции.
ОТК в своей деятельности тесно связан с метрологическим отделом, отделами стандартизации, главного технолога главного конструктора и др. Общее руководство работами по обеспечению качества продукции осуществляет главный инженер предприятия. Он привлекает для выработки и анализа вариантов управленческих решений постоянно действующую комиссию по качеству (ПДКК), в состав которой входят большинство главных специалистов предприятия, включая начальника ОТК.
.3 Технологический процесс изготовления пьезоэлектрических подложек из лангасита
Основные технические характеристики пьезоэлектрической подложки из лангасита:
диаметр ,0мм 0,20мм;
толщина мкм 50мкм;
базовый срез ,5мм 2,5мм;
разброс толщины не более 20 мкм;
разброс толщины на длине 13,6мм не более 50мкм;
изгиб на длине 20мм не более 2мкм;
рабочая зона диаметр подложки минус 3мм;
- неоднородность скорости ПАВ не более 15010-6.
Технологический процесс (ТП) изготовления пьезоэлектрических подложек диаметром 100 мм из монокристаллов лантан-галлиевого силиката состоит из следующих технологических и контрольно-измерительных: операций.
. Распиловка монокристаллов лантан-галлиевого силиката
.1. Разметка кристалла
.2. Обрезка верхнего и нижнего конусов по плоскости 02.2
.3. Переклейка кристалла на плоскость 02.2
.4. Обрезка по плоскости Х
.5. Обрезка боковых граней
.6. Шлифование плоскости Х с точностью 2
.7. Наклейка кристалла на плоскость Х
.8. Обрезка плоскостей Y41,50
2. Распиловка секции
2.1. Подготовка стекла
.2. Наклейка секции
.3. Закрепление секции на приспособлении станка
.4. Ориентация среза на станке
.5. Резка пластов
.6. Отмывка пластов
3. Обработка пластов
3.1. Отжиг пластов
.2. Отмывка пластов
.3. Сборка пластов в пакеты
.4. Предварительное округление пластов
.5. Чистовое округление пластов
.6. Шлифовка базовых срезов
.7. Отмывка подложек
4. Контроль ОТК.
. Шлифование подложек.
.1. Разбраковка подложек по толщине.
.2. Подготовка станка к шлифовке
.3. Шлифование подложек
.4. Формирование фаски
.5. Отмывка подложек.
.6. Контроль подложек.
. Полировка подложек.
.1. Склеивание подложек в пары.
.2. Подготовка станка к предварительной полировке.
.3. Предварительная полировка подложек.
.4. Отмывка подложек.
.5. Подготовка станка к финишной полировке.
.6. Финишная полировка подложек.
.7. Расклейка и отмывка подложек.
.8. Контроль подложек.
.4 Контрольно-измерительные операции и средства метрологического оснащения и контроля при производстве пьезоэлектрических подложек из лангасита
монокристалл лангатат пьезоэлектрический подложка
Перечень технологических и контрольно-измерительных операций, требований к измеряемым параметрам, а так же перечень средств контроля и измерений, объем выборки при производстве пьезоэлектрических подложек с заданными техническими характеристиками представлен в таблице 3.
Таблица 3 - Измеряемые параметры и средства контроля и измерений при производстве пьезоэлектрических подложек из лангасита
ОперацияТребования к контролируемым и измеренным параметрамСредства контроля и измеренияУчасток, объем выборки 1. Распиловка монокристаллов лантан-галлиевого силиката1.1 Контроль плоскостей в монокристалле лантан-галлиевого силикатаПоверхности монокристалла лантан-галлиевого силиката должны быть сориентированы с заданной точностьюРентген гониометр типа "Rigaky" мод.256Участок обработки кристаллов, 100% 1.2 Контроль направления +Х в монокристалле лантан-галлиевого силикатаНаправление +Х в монокристалле лантан-галлиевого силиката должно быть сориентировано в соответствии с ТДПьезотестерУчасток обработки кристаллов, 100%2. Распиловка секции2.1 Контроль ориентации секции на станкеПоверхности пластов с секции должны быть сориентированы с заданной точностьюРентген гониометр типа "Rigaky" мод.256Участок обработки кристаллов, 100% 2.2 Измерение толщины пластовТолщина пластов в партии должна быть (0,7-0,8)мм0,05ммМикрометр МКЦ 25Участок обработки кристаллов, 100%3. Обработка пластов3.1 Измерение диаметра подложекДиаметр подложки должен быть 100мм0,2ммШтангенциркуль ШЦ-IУчасток обработки кристаллов, 100%3.2 Измерение базового и вспомогательного срезаДлина базового среза подложки 32,5мм2мм Длина вспомогательного среза подложки 11мм2ммЛинейка Vogel тип ВУчасток обработки кристаллов, 100%4. Контроль ОТК 4.1 Измерение толщины подложкиТолщина подложек в партии должна быть (0,7-0,8)мм0,05ммИндикатор МИГ-1ОТК, 10% от партии4.2 Контроль состояния поверхности подложкиНе допускается наличие загрязнений от клеящих и абразивных материалов на поверхности подложки Не допускается наличие трещин, сколов, выколок на поверхности подложки. Визуально, Лупа ЛП-3-10Участок обработки кристаллов, 100% ОТК, 10% от партии4.3 .Измерение диаметра подложкиДиаметр подложки должен быть 100мм0,2ммШтангенциркуль ШЦ-IОТК, 10% от партии4.4 Измерение длины базового среза подложкиДлина базового среза подложки должна быть 32,5 мм 2,5 ммЛинейка Vogel тип ВОТК, 10% от партии4.5 Измерение длины вспомогательного срезаДлина вспомогательного среза подложки должна быть 11 мм 2 ммЛинейка Voge