Geum.ru

Республики Беларусь «24»

Вид материалаДокументы

Содержание


Тема 1.8. ЭЛЕМЕНТЫ ИНДИКАЦИИ И ОТОБРАЖЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ
Тема 1.9. ЭЛЕМЕНТЫ ПАМЯТИ
Полупроводниковых микросхем
Подобный материал:
1   ...   5   6   7   8   9   10   11   12   ...   15

Тема 1.6. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ


Полупроводниковые диоды и стабилитроны. Система обозначений. Ти­повые вольт-амперные характеристики выпрямительного диода и стабилитро­на. Стабисторы. Динамическое и дифференциальное сопротивление. Максимальная рассеиваемая мощность. Выпрямительные диоды малой мощности, средней мощности, мощные. Диоды с барьером Шоттки. Особенности эксплуатации, использование радиатора, учет тока перегрузки в схеме с реактивными элементами, использование диодов при пониженном атмосферном давле­нии.

Тиристоры и транзисторы.


Система обозначений. Выбор безопасных электрических и тепловых ре­жимов работы. Правильное использование радиатора. Особенности включения в электрическую сеть.

Тема 1.7. ЭЛЕМЕНТЫ ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ

Источники и приемники излучения. Виды фотоприемников и их основные характеристики. Фоторезисторы, фотодиоды, фототранзисторы, фототиристоры. Виды источников излучения и их основные характеристики. Светодиоды, источники света с люминофорами, лазеры.

Оптроны. Типы и параметры оптронов. Оптоэлектронные микросхемы. Применение оптронов в цифровых и линейных схемах, высоковольтных цепях и др.

Оптическая обработка информации. Интегральная и волоконная оптика. Модуляторы оптического излучения. Электрооптические рефлекторы. Оптиче­ские транспаранты. Оптические запоминающие среды. Волоконно-оптические волноводы.


Тема 1.8. ЭЛЕМЕНТЫ ИНДИКАЦИИ И ОТОБРАЖЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ

Классификация элементов индикации технических средств ЭВС. Сравни­тельные параметры индикаторов различных типов.

Примеры индикаторов ламповых, светодиодных, жидкокристаллических, электролюминесцентных, вакуумных электролюминесцентных, газоразрядных.

Газоразрядные индикаторные панели. Электронно-лучевые индикаторы (трубки).

Тема 1.9. ЭЛЕМЕНТЫ ПАМЯТИ


Принцип действия и особенности ЗУ на приборах с зарядовой связью.

Элементы памяти на тонких магнитных пленках. Элементы памяти на цилиндрических магнитных доменах.

Физические основы записи и воспроизведения информации на подвиж­ном носителе.

Способы записи аналоговой и цифровой информации. Магнитные ленты, диски.

Оптические запоминающие устройства. Голографические, символьные, побитные ЗУ.

Тема 1.10. ЛИНИИ ЗАДЕРЖКИ

Классификация и параметры линий задержки. Материалы и детали, при­меняемые в линиях задержки. Особенности расчета линий задержки по рабочим параметрам.


Раздел 2. ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ

Тема 2.1. ВВЕДЕНИЕ


Интегральные микросхемы (ИМС) и микропроцессоры (МП) - элементная база современных ЭВС, БИС и СБИС - результат поступательного развития и взаимного обогащения микроэлектроники и вычислительной техники. Принципы классификации микросхем. Классификация ИМС по конструктивно-технологическому признаку и функциональному назначению.

Тема 2.2. ГИБРИДНЫЕ И ПЛЕНОЧНЫЕ ИМС. ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА

Пленочные резисторы. Конструкции. Параметры. Свойства. Пленочные конденсаторы. Конструктивные разновидности. Свойства.

Пленочные RC-структуры. Конструктивные разновидности. Области при­менения. Пленочные индуктивности. Конструкции. Свойства. Пленочные кон­такты и межсоединения.

Тема 2.3. КОНСТРУКЦИИ И РАСЧЕТ ЭЛЕМЕНТОВ


ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МИКРОСХЕМ

Классификация элементной базы полупроводниковых микросхем. Конст­руктивные варианты реализации элементов и их электрофизические параметры. Пластины, их типоразмеры и условные обозначения.

Полупроводниковые ИМС на биполярных структурах. Биполярные инте­гральные транзисторы. Конструкции, принципы функционирования, конструк­тивно-технологические особенности и варианты исполнения. Паразитные па­раметры транзистора. Биполярный транзистор как базовая структура для созда­ния других элементов полупроводниковых ИМС и МП.

Распределение примесей в областях интегрального биполярного транзи­стора. Конструктивно-технологические методы улучшения параметров инте­гральных биполярных транзисторов.

Конструктивный расчет планарных биполярных интегральных транзи­сторов. Исходные данные и допущения. Определение ширины рабочей базы биполярного транзистора.

Расчет геометрических размеров транзистора в плане. Проверка электри­ческих параметров транзистора. Диоды в полупроводниковых микросхемах. Конструкции, параметры, особенности проектирования.

Резисторы в полупроводниковых ИМС. Конструктивно-технологические особенности. Конструктивные разновидности и области применения. Рекомен­дации по конструированию диффузионных резисторов.

Конструирование и расчет диффузионных резисторов. Определение кон­структивных размеров контактных областей. Особенности расчета пинч-резисторов.

Конденсаторы в полупроводниковых микросхемах. Конструктивно-технологические параметры и свойства. Конструирование и расчет конденсато­ров, создаваемых на основе МДП-структур.

Конструирование межэлементных соединений и контактных площадок в полупроводниковых микросхемах. Особенности конструкций многослойных и многоуровневых соединений. Диффузионные перемычки.

Полупроводниковые ИМС на униполярных структурах. Униполярные транзисторы. Конструкции, принципы функционирования. Конструктивно-технологические особенности и варианты построения. Полевые. МОП-, МДП- и КМОП-транзисторы. МДП-транзисторы как единый типовой схемный элемент.

Взаимосвязь между электрическими и конструктивными параметрами МДП-транзистора. Эквивалентная схема и частотные свойства МДП-транзистора. Биполярно-полевые структуры. МНОП-транзистор. Направление совершенствования элементной базы полупроводниковых ИМС на МДП-структурах.