Программа вступительного конкурсного экзамена по направлению подготовки магистрОВ
Вид материала | Программа |
- Ф-программа вступительного экзамена в аспирантуру Утверждаю, 161.51kb.
- Ф-программа вступительного экзамена в аспирантуру Утверждаю, 310.34kb.
- Ф-программа вступительного экзамена в аспирантуру Утверждаю, 363.21kb.
- Ф-программа вступительного экзамена в аспирантуру Утверждаю, 254.47kb.
- Программа вступительного экзамена по математике подготовки магистров по направлению, 86.94kb.
- Программа вступительного экзамена в магистратуру по направлению 100200 «Туризм», 119.68kb.
- Программа вступительного экзамена в магистратуру по направлению 100200. 68-«Туризм», 151.84kb.
- Программа вступительного испытания в форме междисциплинарного экзамена для направления, 225.21kb.
- Ф-программа вступительного экзамена в аспирантуру Утверждаю, 773.62kb.
- Программа вступительного экзамена в магистратуру по направлению подготовки 050100 «Физико, 86.06kb.
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ
ЮЖНЫЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ
ЮЖНОГО ФЕДЕРАЛЬНОГО УНИВЕРСИТЕТА В г.ТАГАНРОГЕ
Кафедра микроэлектроники и технологии больших интегральных схем
УТВЕРЖДАЮ
Декан факультета
электроники и приборостроения
__________________ Коноплев Б.Г.
"___" __________________2011 г.
ПРОГРАММА вступительного конкурсного
ЭКЗАМЕНА
ПО НАПРАВЛЕНИЮ ПОДГОТОВКИ магистрОВ
222900 – Нанотехнологии и микросистемная техника
магистерская программа – «нанотехнологии»
Таганрог 2011 г.
Программа составлена на основе Государственного образовательного стандарта по направлению подготовки бакалавров «Нанотехнология».
Программа одобрена:
на заседании кафедры ТМ и НА . .2011 г.,
на заседании совета ФЭП . .2011 г.
Составили: Авдеев С.П., Агеев О.А., Блинов Ю.Ф., Рындин Е.А., Варзарев Ю.Н., Серба П.В., Малюков С.П., Светличный А.М.
Редакторы: Коноплев Б.Г., Иванцов В.В.
1. В основу программы положены следующие дисциплины блока ОПД Государственного образовательного стандарта высшего профессионального образования по направлению подготовки бакалавров 202100 «Нанотехнология»:
- Квантовая механика
- Физика конденсированного состояния
- Физико-химия наноструктурированных материалов
- Экспериментальные методы исследования и метрология
- Методы математического моделирования
- Основы технологии материалов
- Квантовая и оптическая электроника
- Стандартизация и сертификация
2. Содержание программы.
2.1Квантовая механика
Принцип неопределенности; принцип суперпозиции; чистые, смешанные и запутанные состояния; операторы; волновая функция и матрица плотности; представления; общие свойства гармонического осциллятора; туннельный эффект; движение в центрально-симметричном поле; теория возмущений; спин; принцип тождественности одинаковых частиц; атом и периодическая система элементов Менделеева; молекула; обменное взаимодействие; самосогласованный потенциал и метод Хартри-Фока; метод функционала плотности; макроскопические квантовые явления; статистические распределения Ферми-Дирака и Бозе-Эйнштейна; бозе-конденсация и сверхтекучесть; квантование электромагнитного поля; квантовые измерения; взаимодействие квантовых систем с классическим окружением; квантовый компьютер; квантовые вычисления и унитарные преобразования; квантовый параллелизм; логические квантовые вентили.
Рекомендуемая литература:
- Блохинцев Д.И. Основы квантовой механики. М.: Наука, 1983, 664 с.
- Блохинцев Д.И. Квантовая механика. М.: Наука, 1988, 664 с.
- Ландау А.Д., Лифшиц Е.М. Квантовая механика. М:– Наука, 1983 г.
- Степанов Н.Ф. Квантовая механика и квантовая химия. М.: Мир, 2001, 519 с.
2.2Физика конденсированного состояния
Симметрия и структура кристаллов; обратная решетка; уравнение Шредингера в периодическом потенциале; блоховская волновая функция; энергетические зоны; классификация кристаллов на металлы, полупроводники и диэлектрики с точки зрения зонной теории; носители заряда в полупроводниках и металлах и модель газа свободных и независимых электронов; кинетические процессы в электронном газе; плазменные колебания и плазмоны; скин-эффект; квантовый электронный газ; энергия и поверхность Ферми; эффективная масса носителей заряда; дырки - носители заряда в валентной зоне полупроводников; колебания кристаллической решетки и фононы; теплоемкость решетки; тепловое расширение и теплопроводность; локальное поле и диэлектрическая проницаемость; механизмы поляризуемости кристаллов; оптические свойства ионных кристаллов; поляритоны; пироэлектрики и сегнетоэлектрики; парамагнетики и диамагнетики; обменное взаимодействие; ферромагнетики и антиферромагнетики; спиновые волны; концепция квазичастиц; фазовые переходы и дальний порядок; классические и квантовые жидкости; сверхтекучесть; сверхпроводимость и эффект Мейсснера; сверхпроводники I и II рода; теория Гинзбурга-Ландау; квантование потока в сверхпроводниках; эффект Джозефсона; микроскопическая теория сверхпроводимости Бардина-Купера-Шриффера; тепловые и радиационные точечные дефекты в кристаллах; механизмы диффузии; дислокации; элементы теории упругости, тензоры деформаций и напряжений; жидкие кристаллы; полимеры; фракталы; теория протекания.
Рекомендуемая литература:
- Левин А.Г. Физика твердого тела. М:– Наука, 2003.
- Павлов П.В., Хохлов А.Ф. Физика твердого тела. М:– ВШ, 1997.
- Ландау А.Д., Лифшиц Е.М. Квантовая механика. М:– Наука, 1983 г.
2.3Физико-химия наноструктурированных материалов
Термодинамика поверхности, процессы на поверхности и в приповерхностных слоях; адсорбция и десорбция; поверхностная энергия и ее анизотропия; реконструкция и релаксация поверхностей; обработка поверхности и условия сохранения ее свойств; механизмы роста на поверхности (механизм Странского-Крастанова и др.), основы физической химии наносистем; уравнения и характеристики условий термодинамической стабильности межфазных границ в наносистемах; особенности поверхностных процессов в микро- и наноструктурах: размерные эффекты и фазовые переходы; зародышеобразование, кластерообразование и формирование наноструктур; самоорганизация наноразмерных упорядоченных структур; физико-химические эффекты в туннельно-зондовой нанотехнологии; локальные химические электронно-стимулированные реакции.
Рекомендуемая литература:
- Суздалев И.П. Нанотехнология: физико-хиия нанокластеров, наноструктур и наноматериалов. – М.: КомКнига, 2006. – 592 с.
- Гусев А.И. Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии. – М.: Физматлит, 2005. – 416 с.
- Барыбин А.А. Электроника и микроэлектроника. Физико-технологические основы. – М.: Физматлит, 2006. – 424 с.
- Стромберг А.Г., Семченко Д.П. Физическая химия. – М.: Высш. шк., 1988. – 496 с.
2.4Экспериментальные методы исследования и метрология
Метрологические проблемы в исследованиях микро- и наноструктур: понятие многократного измерения и метрологического обеспечения; проблемы интерпретации электронно-микроскопических и микрозондовых изображений наноструктур, пространственное и энергетическое разрешение, приборные, схемные и системные ограничения, шумы; фундаментальные термодинамические и квантовомеханические ограничения на точность и величины измерений; статистические методы обработки результатов измерений физических и биологических объектов: точность измерений, классификация погрешностей и способов их обнаружения, функции распределения результатов наблюдения, математическое ожидание, среднеквадратичное отклонение, доверительный интервал и доверительная вероятность, критерии согласия Пирсона и Колмогорова; основные параметры микро- и нанообъектов, регистрируемые в эксперименте: степень кристаллического совершенства, особенности энергетической структуры микро- и нанообъектов, особенности симметрии объектов, механизмы транспорта носителей тока, кинетические коэффициенты носителей тока в нанообъектах, оптические характеристики микро- и нанообъектов; физические принципы, положенные в основу измерений, определяющих параметры объектов исследования, физические ограничения экспериментальных методов определения геометрических, механических, концентрационных, оптических и электрических параметров физических и биологических систем; бесконтактные (неразрушающие) и контактные методы диагностики; методы измерения параметров объема физических и биологических тел; методы исследования свойств поверхности.
Рекомендуемая литература:
- Брандон Д., Каплан У. Микроструктура материалов. Методы исследования и контроля. М.: Техносфера, 2004, 384 с.
- Фельдман Л., Майер Д. Основы анализа поверхности и тонких пленок. М.: Мир, 1989, 342 стр.
- Вудроф Д., Делчар Т. Современные методы исследования поверхности. М.: Мир, 1989, 568 стр.
- Основы аналитической электронной микроскопии. Под ред. Ж.Дж. Грена, Дж. Гольдштейна и др. М.: Металлургия, 1990, 583 стр.
- Конников С.Г. Количественная растровая электронная микроскопия. Учебное пособие, СПб ГТУ, 1999
- Рыков С.А. Сканирующая зондовая микроскопия полупроводниковых материалов и наноструктур. СПб.: Наука, 2000, 60 с.
- Черепин В.Т. Ионный микрозондовый анализ. Киев: Наукова думка, 1992
- Ведринский Р.В., Гегузин И.И. Рентгеновские спектры поглощения твердых тел. Москва: Энергоатомиздат, 1991, 184 стр.
2.5Методы математического моделирования
Математическое моделирование и вычислительный эксперимент; математические модели в физике, химии, биологии; физико-математические модели в задачах механики жидкости, газа и плазмы, твердого и деформируемого тела, физико-химических свойств веществ; математический аппарат, применяемый для построения кинетических моделей физических, химических и биологических процессов; модели эволюции и развития в биологии, модели распределенных биологических систем; моделирование молекулярных и кластерных систем.
Рекомендуемая литература:
- Самарский А.А., Михайлов А.П. Математическое моделирование. М.: Наука. Физматлит, 1997.
- Тарасевич Н.Н. Математическое и компьютерное моделирование. Вводный курс. М.: Эдиториал УРСС, 2001
- Введение в математическое моделирование. Под редакцией Трусова П.В. М.: М.: Логос, 2004.
- Тихонов А.Н., Самарский А.А. Уравнения математической физики. М.: Изд-во Моск. ун-та, 1999.
- Свешников А.Г., Боголюбов А.Н., Кравцов В.В. Лекции по математической физике. М.: Изд-во МГУ; Наука, 2004.
- Васильева А.Б., Бутузов В.Ф. Асимптотические методы в теории cингулярных возмущений. М.: Высшая школа, 1990..
2.6Основы технологии материалов
Общая классификация материалов по составу, свойствам и техническому назначению; основные технологии производства неорганических и органических материалов, композиционных материалов; физические, химические и механические методы обработки; физико-химические основы создания материалов и изделий с заданными свойствами; фазовые равновесия и структуро-образование в процессе получения и обработки; методы испытаний и диагностики материалов и изделий; средства и задачи обеспечения качества продукции.
Рекомендуемая литература:
- Гусев А.И., Ремпель А.А. Нанокристаллические материалы. М.: Физматлит. 2000. 224 с.
- Таиров Ю.М., Цветков Н.Ф. Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов: Учебник для студентов ВУЗов. М.: Высшая школа, 1983
- Р.А. Андриевский, А.В. Рагуля. Наноструктурные материалы. М.: Академия, 2005, 192 с.
2.7Квантовая и оптическая электроника
Способы описания и характеристики электромагнитного излучения оптического диапазона; физические основы взаимодействия оптического излучения с квантовыми системами; энергетические состояния квантовых систем; оптические переходы, структура спектров; ширина, форма и уширение спектральных линий; оптические явления в средах с различными агрегатными состояниями; усиление оптического излучения; активные среды и методы создания инверсной населенности; насыщение усиления в активных средах; генерация оптического излучения; нелинейно-оптические эффекты; основные типы когерентных и некогерентных источников оптического излучения; физические принципы и основные элементы для регистрации, модуляции, отклонения, трансформации, передачи и обработки оптического излучения.
Рекомендуемая литература:
- Пихтин А.Н. Оптическая и квантовая электроника. М., ВШ. 2001г.
- Ярив А., Юх И. Оптические волны в кристаллах. М., Мир. 1987г.
- Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках. М., Мир.1979г.
- Гауэр Дж. Оптические системы связи. М., Радио и связь. 1989г.
2.8Стандартизация и сертификация
Правовые основы и научная база стандартизации; государственный контроль и надзор за соблюдением требований государственных стандартов; основные цели, объекты, схемы и системы сертификации; обязательная и добровольная сертификация; правила и порядок проведения сертификации; международные стандарты качества ISOO; основные положения закона РФ об обеспечении единства измерений; структура и функции метрологической службы организаций, являющихся юридическими лицами.
Рекомендуемая литература:
- Кузнецов В.А., Ялунина Г.В. Метрология (теоретические, прикладные и законодательные основы): Учебное пособие. М.: ИПК Издательство стандартов, 1998. 386 с.
- Основы метрологии и электрические измерения. Под ред. Е.М. Душина. Л.: Энергоатомиздат, 1987. 480 с.
- Лифиц И.М. Основы стандартизации, метрологии и сертификации. Учебник для вузов. М.: ЮРАЙТ, 2000. 268 с.
- Мазурова Т.А. Сертификация: Конспект лекций. Таганрог: ТРТУ, 1998. 109 с.
- Сергеев А.Г., Крохин В.В. Метрология. М.: Логос, 2000. 408 с.
- Сергеев А.Г., Латышев М.В. Сертификация: Учебное пособие для вузов. М.: Логос, 2000. 248 с.
- В.Г.Косторниченко, В.Б.Лапшин. Введение в метрологию, стандартизацию и сертификацию. Учебное пособие. Таганрог. 2003.
Зав. кафедрой ТМ и НА Агеев О.А.