Рабочая программа дисциплины " введение в специальность "

Вид материалаРабочая программа

Содержание


3. Требования к уровню освоения курса
Методы получения полупроводников
Полупроводниковая микроэлектроника
Управление свойствами полупроводников
Подобный материал:

РАБОЧАЯ ПРОГРАММА ДИСЦИПЛИНЫ

" ВВЕДЕНИЕ В СПЕЦИАЛЬНОСТЬ"


Томск – 2005



I. Oрганизационно-методический раздел



  1. Цель курса

Целью курса является знакомство студентов с полупроводниками, историей их развития и местом, которое они занимают в современной технической цивилизации.

  1. Задачи учебного курса

Дать студенту базовые представления о полупроводниках, их свойствах и способах получения, управления их параметрами, полупроводниковых приборах и областях их использования, перспективах развития полупроводников.


3. Требования к уровню освоения курса

Спецкурс базируется на программах соответствующих курсов общей физики.


II. Содержание курса




Тема

Содержание


Введение

Полупроводники, история их появления и развития, от дискретного прибора к большим интегральным схемам, современные тенденции в развитии полупроводников, полупроводники и современная техническая цивилизация, перспективы развития, история томской школы полупроводников

Методы получения полупроводников





Исходное сырье, требования к полупроводниковой технологии, чистота полупроводникового материала, выращивание полупроводниковых монокристаллов, эпитаксия полупроводников (газофазовая, жидкостная, эпитаксия из молекулярных пучков), монокристаллы, полупроводниковые слои, многослойные структуры, искусственные полупроводниковые кристаллы


Управление свойствами полупроводников

Диффузия химических примесей; легирование полупроводника в расплаве; термообработка и термодефекты; пластическая деформация; воздействие жесткой радиации (космос, военное дело, технологическое использование) и методы радиационной технологии: насыщение кристалла дефектами; ионное легирование, трансмутация химических элементов и трансмутационное легирование полупроводников

Полупроводниковая микроэлектроника




От радиолампы к дискретному полупроводниковому прибору (диоду, транзистору, тиристору), от дискретного прибора к интегральной схеме; от многоэлектронных приборов к одноэлектронным приборам, от твердого тела к химическим молекулам; движущие силы и история развития микроэлектроники, современная цивилизация и полупроводниковая микроэлектроника (системы связи, управления, передачи информации, вычислительная техника)


Полупроводниковые приемники и излучатели

Что происходит в полупроводнике при освещении, полупроводниковые фотоприемники и диапазоны их работы, солнечные элементы; почему светится полупроводник при освещении или пропускании электрического тока, лазеры и светодиоды, преимущества полупроводниковых приемников и излучателей, интегральная оптоэлектроника и области ее использования






III. Распределение часов курса по темам и видам работ


№ пп

Наименование

темы

Всего

часов

Аудиторные занятия (час)

Самостоятельная работа

в том числе

лекции

семинары

лаборатор. занятия

1

Введение

4

4










2

Методы получения полупроводников

6

6







2

3
Управление свойствами полупроводников

8

8







3

4

Полупроводниковая микроэлектроника

8

8







3

5

Полупроводниковые приемники и излучатели

6

6







3




ИТОГО

43

32







11


IV. Форма итогового контроля

Зачет


V. Учебно-методическое обеспечение курса


Рекомендуемая литература (основная):
  1. Знакомство с полупроводниками. М.Е. Соминский, Г.С. Симин. И. Наука, м. 1984, 239 с.



Автор:

Брудный Валентин Натанович, д.ф.-м.н., профессор