Образовательный стандарт республики беларусь

Вид материала

Образовательный стандарт

Содержание Основы экологии Основы энергосбережения Организация производства и управление предприятием Экономика предприятия Основы управления интеллектуальной собственностью Основы защиты информации Материалы электронной техники и технология их получения Основы твердотельной электроники Физика конденсированного состояния Компьютерное моделирование, расчет и проектирование изделий микро- и наноэлектроники Молекулярная электроника Методы исследования микро- и наносистем

Подобный материал:

• Образовательный стандарт республики беларусь, 793.47kb.
• Образовательный стандарт республики беларусь, 947.84kb.
• Образовательный стандарт республики беларусь, 745.95kb.
• Образовательный стандарт республики беларусь, 773.1kb.
• Образовательный стандарт республики беларусь высшее образование первая ступень специальность, 939.62kb.
• В перечень банков Республики Беларусь, имеющих право обязываться по векселю, утверждаемый, 419.3kb.
• Образовательный стандарт высшего профессионального образования Алтгту образовательный, 252.98kb.
• Образовательный стандарт среднее специальное образование специальность 2-79 01 31 сестринское, 411.06kb.
• Республики Беларусь 15 августа 2006, 202.35kb.
• Образовательный стандарт высшего профессионального образования Алтгту. Образовательный, 228.36kb.

Основы экологии

Биосфера. Экосистема. Среда и условия существования организмов. Природные условия как фактор развития. Загрязнение биосферы. Нормативы допустимой антропогенной нагрузки на окружающую среду. Мониторинг окружающей среды. Методы очистки и обезвреживания выбросов. Обращение с отходами. Система управления окружающей средой. Стандарты. Экологическое нормирование, планирование и прогнозирование. Правовое регулирование Республики Беларусь и международное сотрудничество в области охраны окружающей среды.

В результате изучения дисциплины обучаемый должен:

знать:

• закономерности развития жизни на Земле и принципы устройства биосферы;
  
• основные экологические проблемы и мероприятия по охране окружающей среды;
  
• последствия и нормативы допустимого антропогенного воздействия на природу, экологические стандарты;
  
• основные нормативные документы в области охраны окружающей среды;
  

уметь:

• анализировать качество среды обитания и информацию о ее состоянии;
  
• организовать мониторинг состояния окружающей среды и обосновать нормативы допустимого на нее воздействия;
  
• давать экономическую оценку природных ресурсов, ущерба от загрязнения окружающей среды, выбирать оборудование для очистки сточных вод и газовых выбросов.
  

Основы энергосбережения

Основные понятия. Энергетические ресурсы Республики Беларусь. Возобновляемые и невозобновляемый источники энергии. Источники энергии. Структура энергосбережения. Энергетическое хозяйство. Вторичные энергетические ресурсы. Транспортирование и аккумулирование тепловой и электрической энергии. Энергосбережение в системах потребления энергоресурсов. Экологические аспекты энергетики и энергосбережения. Энергосбережение в зданиях и сооружениях. Нормирование потребления энергии. Республиканская программа энергосбережения.

В результаты изучения дисциплины обучаемый должен:

знать:

• свойства возобновляемых и невозобновляемых энергетических ресурсов Республики Беларусь и их природный потенциал;
  
• источники вторичных энергетических ресурсов, направления их использования;
  
• организацию и управление энергосбережением на производстве путем внедрения энергетического менеджмента по оценке эффективных инвестиций в энергосберегающие мероприятия на основе анализа затрат;
  

уметь:

• экономно и рационально использовать все виды энергии на рабочем месте;
  
• рассчитывать энергоэффективность энергоустановок и использование вторичных энергетических ресурсов;
  
• владеть приемами и средствами управления энергоэффективностью и энергосбережением.
  

Организация производства и управление предприятием

Промышленное предприятие как производственная система. Производственный процесс и принципы его организации во времени и в пространстве. Организация автоматизированного производства. Организация вспомогательных цехов и обслуживающих хозяйств предприятия. Организация управления качеством продукции. Организация труда, его нормирование, заработная плата на предприятии. Организация, планирование и управление процессами создания и освоения новой техники (СОНТ). Организация внутризаводского планирования. Основы организации прогнозирования и бизнес-планирования производственно-хозяйственной деятельности предприятия. Управление предприятием.

В результате изучения дисциплины обучаемый должен:

знать:

• организацию, планирование и управление работой основных, вспомогательных цехов и обслуживающих хозяйств предприятия;
  
• методы организации, нормирования и оплаты труда работников предприятия;
  
• основы организации работ по созданию и освоению новой техники и технологии;
  
• организационные и методические основы управления предприятием;
  

уметь:

• организовывать производственные и трудовые процессы;
  
• решать практические задачи по внутрипроизводственному планированию работы основных, вспомогательных цехах и обслуживающих хозяйствах предприятия;
  
• принимать и оценивать эффективность управленческих решений.
  

Экономика предприятия

Предприятие и внешняя среда: место и роль радиоэлектронной промышленности в народнохозяйственном комплексе, предприятие как субъект хозяйствования. Производственные ресурсы и эффективность их использования: труд и его эффективность, основные фонды и их эффективность, оборотные средства предприятия и их эффективность. Функционирование предприятия: производственная программа предприятия, оплата труда на предприятии, издержки, себестоимость и цена продукции. Развитие предприятия: инновации и инновационная деятельность предприятия, инвестиции и инвестиционная деятельность предприятия. Формы и методы хозяйственной деятельности: концентрация и комбинирование производства, специализация и кооперирование производства. Результативность деятельности предприятия: доход, прибыль, рентабельность.

В результате изучения дисциплины обучаемый должен:

знать:

• основы функционирования производства; сущность и особенности развития современного производства, специфические особенности проявления объективных экономических законов в деятельности предприятий и объединений;
  
• сущность основных экономических категорий: производительность труда, заработная плата, себестоимость продукции, цена, прибыль, рентабельность;
  
• методические положения оценки эффективности производства и рационального использования всех видов ресурсов;
  
• методы анализа и обоснования выбора оптимальных научных, технических и организационных решений с использованием экономических рычагов, стимулов и критериев в рамках будущей профессиональной деятельности;
  

уметь:

• характеризовать организационно–правовые формы предприятий;
  
• характеризовать структуру основного и оборотного капитала;
  
• характеризовать виды издержек производства, показатели работы предприятия;
  
• оценивать факторы, влияющие на основные показатели работы предприятия;
  
• обосновывать производственную программу предприятия;
  
• рассчитывать фонд заработной платы, потребности в производственных ресурсах предприятия и показателей их использования;
  
• определять себестоимость продукции, рассчитывать выручку от реализации, прибыли и рентабельности;
  
• проводить технико-экономическое обоснование инвестиционных и инновационных проектов.
  

Основы управления интеллектуальной собственностью

Интеллектуальная собственность. Авторское право и смежные права. Промышленная собственность. Патентная информация. Патентные исследования. Введение объектов интеллектуальной собственности в гражданский оборот. Коммерческое использование объектов интеллектуальной собственности. Защита прав авторов и правообладателей. Разрешение споров в области интеллектуальной собственности.

В результате изучения дисциплины обучаемый должен:

знать:

• основные понятия и термины в сфере интеллектуальной собственности;
  
• основные положения международного и национального законодательства об интеллектуальной собственности;
  
• порядок защиты прав на объекты интеллектуальной собственности;
  
• методики патентного поиска, обработки результатов;
  

уметь:

• проводить патентные исследования (патентно-информационный поиск, в том числе с использованием сети Интернет),
  
• проводить анализ патентной информации, оценивать патентоспособность и патентную чистоту технических решений;
  
• оформлять заявки на выдачу охранных документов на объекты промышленной собственности;
  
• оформлять договора на передачу имущественных прав на объекты интеллектуальной собственности;
  
• управлять интеллектуальной собственностью в организации.
  

Основы защиты информации

Системная и правовая методология защиты информации: основные понятия и терминология, классификация угроз информационной безопасности, классификация методов защиты информации. Организационные методы защиты информации: государственное регулирование в области защиты информации, лицензирование деятельности юридических и физических лиц по защите информации, сертификация и аттестация средств защиты и объектов информации, управление рисками, физическая защита информации, комбинированные методы защиты информации. Технические каналы утечки информации. Пассивные методы защиты информации от утечки по техническим каналам. Активные методы защиты информации от утечки по техническим каналам. Программно-техническое обеспечение защиты информации: алгоритмы шифрования, электронно цифровая подпись, защита информации в электронных платежных системах, методы разграничения доступа и способы их реализации. Защита объектов от несанкционированного доступа: интегральные системы безопасности, противодействие техническим средствам разведки.

В результате изучения дисциплины обучаемый должен:

знать:

• системную методологию, правовое и нормативное обеспечение защиты информации;
  
• организационные и технические методы защиты информации;
  
• активные и пассивные мероприятия по защите информации;
  
• основы криптологии;
  
• технические каналы утечки информации их обнаружение и обеспечение информационной безопасности;
  

уметь:

• анализировать вероятные угрозы информационной безопасности для заданных объектов;
  
• определять возможные каналы утечки информации;
  
• выбирать методы и средства блокирования каналов утечки информации;
  
• качественно оценивать алгоритмы, реализующие криптографическую защиту информации, процедуры аутентификации и контроля целостности;
  
• разрабатывать рекомендации по защите объектов различного типа от несанкционированного доступа.
  

Материалы электронной техники и технология их получения

Виды химической связи и особенности внутреннего строения вещества. Классификация материалов по фазовому составу, свойствам и техническому назначению. Методы и технологии выращивания поли  и монокристаллов, создания аморфных и композитных материалов. Физическая природа электропроводности металлов, сплавов, полупроводников, диэлектриков и композиционных материалов. Характеристика проводящих и резистивных материалов во взаимосвязи с их применением в электронной технике. Характеристика и основные физико-химические, электрические и оптические свойства элементарных полупроводни­ков, полупроводниковых соединений и твердых растворов на их основе. Классификация, применение диэлектриков. Основные физические процессы в диэлектриках (поляризация, удельная проводимость, диэлектрические потери, пробой) и способы их описания. Активные и пассивные диэлектрические мате­риалы и элементы на их основе. Магнитные материалы и элементы общего назначения. Тонкопленочная технология и используемые в ней материалы. Толстопленочная технология и используемые в ней материалы. Материалы полупроводниковых интегральных микросхем.

В результате изучения дисциплины студенты должны:

знать:

• теоретические основы материалов электронной техники;
  
• природу свойств материалов;
  
• принципиальные пути управления свойствами материалов;
  

уметь:

• характеризовать основные свойства материалов электронной техники;
  
• характеризовать влияние внешних факторов на электрофизические параметры этих материалов;
  
• характеризовать условия сохранения стабильности свойств материалов;
  
• характеризовать основные материалы электронной техники;
  
• анализировать возможность улучшения свойств существующих материалов;
  
• анализировать возможность создания новых материалов с улучшенными свойствами.
  

Основы твердотельной электроники

Физика работы электронно-дырочного перехода, выпрямляющих, туннельных, лавинно-пролетных диодов и диодов Шоттки. Структура, основные статические вольтамперные характеристики и параметры маломощных и мощных биполярных транзисторов. Полевые транзисторы с управляющим р-n переходом и затвором Шоттки, транзисторы на структурах металл-окисел-полупроводник (МОП). Тиристоры. Методы измерения, обработки и представления результатов измерения электрических и тепловых параметров полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.

В результате изучения дисциплины обучаемый должен:

знать:

• физические процессы, протекающие в полупроводниковых структурах и электронно-дырочных переходах;
  
• предельные электрические характеристики и области применения полупроводниковых диодов, биполярных и полевых транзисторов;
  
• физико-топологические и электрические модели элементов интегральных микросхем;
  
• методы и схемы измерений электрических параметров полупроводниковых приборов.
  

уметь:

• характеризовать причины, приводящие к изменению величины порогового напряжения МОП-транзистора;
  
• характеризовать причины, вызывающие ограничения величин частоты отсечки мощных биполярных и МОП-транзисторов;
  
• характеризовать показатели надежности интегральных микросхем;
  
• характеризовать области использования изучаемых приборов и элементов.
  

Физика конденсированного состояния

Понятие конденсированного состояния. Жидкости, твёрдые тела, их характеристика. Кристаллическое и аморфное состояния твёрдого тела, их характеристика. Структура и симметрия твердых тел. Обратная решетка. Рассеяние волн в кристаллах. Упругие свойства кристаллов. Колебания кристаллической решетки. Фононы. Электронные состояния в кристаллах. Зонная структура полупроводников. Типы дефектов и соответствующие им дефектные уровни в запрещенной зоне полупроводника. Статистика электронов и дырок в металлах и полупроводниках. Вырожденный и невырожденный электронный газ. Уравнение электронейтральности. Кинетические явления в кристаллах. Уравнение Больцмана и его применение в частных случаях: электропроводность, гальвано- и термоэлектрические и магнитные эффекты. Механизмы рассеяния носителей заряда. Оптические явления в твердых телах. Оптические константы и механизмы поглощения. Неравновесные электронные процессы в полупроводниках. Уравнение непрерывности. Амбиполярные диффузия и дрейф носителей заряда. Механизмы рекомбинации носителей заряда. Некристаллические твердые тела, их электронная структура. Механизмы электропроводности в неупорядоченных средах. Диэлектрические свойства твердых тел. Механизмы поляризации и электропроводности в диэлектриках. Магнитные свойства кристаллов. Сверхпроводимость.

В результате изучения дисциплины обучаемый должен:

знать:

• основные структурные, электронные, оптические и магнитные свойства полупроводников, диэлектриков, проводников и сверхпроводников;
  
• методы теоретического описания и исследования процессов и свойств материи в конденсированном состоянии;
  

уметь:

• использовать теоретические знания при экспериментальном анализе и теоретических расчетах свойств и физических процессов в твердых телах и жидкостях;
  
• качественно и количественно анализировать основные физические процессы, происходящие на границах раздела твердых тел, твердых тел с жидкостями, твердых тел с газами, жидкостей с газами.
  

Компьютерное моделирование, расчет и проектирование изделий микро- и наноэлектроники

Назначение систем автоматизированного проектирования и их роль в современной науке и технике. Инструментарий систем автоматизированного проектирования (САПР). Иерархия систем автоматизированного проектирования в микроэлектронике. Особенности методов систем автоматизированного проектирования сверхбольших интегральных схем. Назначение и характеристики основных систем автоматизированного проектирования в микро- и наноэлектронике. Физические модели технологических операций микро- и наноэлектроники и их числен­ная реализация. Построение чертежа электрической схемы. Основы логического моделирования цифровых и аналоговых интегральных микросхем.

В результате изучения дисциплины обучаемый должен:

знать:

• физические и математические модели, описывающие базовые технологические процессы и элементы интегральных микросхем;
  
• основные особенности этапов проектирования интегральных микросхем: физико-технологического, функционально-логического, схемотехнического, топологического;
  
• методы и средства автоматизированного проектирования интегральных микросхем;
  
• назначение и характеристики основных программных комплексов САПР микро- и наноэлектроники;
  
• уметь:
  
• характеризовать модели, используемые для расчетов технологических процессов и элементов интегральных микросхем;
  
• характеризовать физико-математические модели, лежащие в основе программных комплексов САПР микро- и наноэлектроники;
  
• характеризовать методы решения задач, используемые в основных программных комплексах САПР микро- и наноэлектроники;
  
• проектировать интегральные микросхемы и технологию их изготовления.
  

Наноэлектроника

Физические основы наноэлектроники. Элементы низкоразмерных структур. Структуры с квантовым ограничением внутренним электрическим полем. Структуры с квантовым ограничением внешним электрическим полем. Технологические методы создания структур наноэлектроники. Транспорт носителей заряда вдоль потенциальных барьеров и наноэлектронные приборы на этой основе. Транспорт носителей заряда через потенциальные барьеры и наноэлектронные приборы на этой основе. Спинтроника.

В результате изучения дисциплины обучаемый должен:

знать:

• что такое низкоразмерные и наноразмерные структуры;
  
• какими технологическими методами формируются наноструктуры;
  
• конструкции и характеристики электронных и спинтронных приборов, создаваемых на их основе наноструктур;
  

уметь:

• характеризовать эффекты, определяющие электронные свойства наноразмерных структур и приборов на их основе;
  
• анализировать преимущества и ограничения приборов наноэлектроники в с равнении с другими электронными приборами
  
• проектировать электронные и спинтронные приборы на основе наноструктур.
  

Молекулярная электроника

Объекты молекулярной электроники и их структурные особенности. Функциональность отдельных молекул и молекулярных блоков. Электронные, оптические и магнитные свойства углеродных нанотрубок, фуллеренов, молекул ДНК и других органических молекул. Электронные свойства границ раздела молекула/металл, молекула/полупроводник, молекула/диэлектрик. Перенос носителей заряда через молекулярные структуры. Молекулярные электронные, спинтронные и оптоэлектронные элементы информационных систем.

В результате изучения дисциплины обучаемый должен:

знать:

• типы связей и взаимодействий в молекулярных системах;
  

• принципы формирования молекулярных систем различного уровня организации;
  
• закономерности переноса заряда в молекулярных системах;
  
• типы электронных приборов, которые могут быть созданы на основе молекулярных систем;
  

уметь:

• характеризовать эффекты, определяющие электрические, магнитные и оптические свойства молекулярных систем и приборов на их основе;
  
• анализировать преимущества и недостатки наноэлектронных приборов на основе биологических систем в сравнении с другими типами приборов;
  
• разрабатывать молекулярные электронные, спинтронные и оптоэлектронные элементы информационных систем.
  

Методы исследования микро- и наносистем

Основные методы измерения электрофизических параметров твердотельных микроструктур: удельное сопротивление, подвижность и время жизни носителей заряда, тип проводимости, концентрация носителей заряда, параметры глубоких центров в полупроводниках. Оптические методы исследования полупроводниковых микро и наносистем. Определение параметров диэлектрических структур. Исследование состава, структуры твердых тел и концентрационных профилей по основным и примесным компонентам методами электронной и ионной спектроскопии: фотоэлектронная спектроскопия, ультрафиолетовая, рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия, Оже-спектроскопия, ядерный магнитный резонанс, электронный парамагнитный резонанс, мессбауэровская спектроскопияю Дифракционные методы анализа кристаллической структуры: рентгеновский анализ, электронография. Электронно-микроскопические методы исследования: просвечивающая и растровая электронная микроскопия. Анализ поверхности сканирующими зондами – туннельная и атомно-силовая микроскопия. Рамановская спектроскопия.

В результате изучения дисциплины обучаемый должен:

знать:

• основные методы определения кристаллической структуры и состава материалов твердотельной электроники, микро- и наноситем на их основе;
  
• основные методы исследования электрофизических и оптических свойств материалов твердотельной электроники, микро- и наноситем на их основе;
  

уметь:

• выбирать и грамотно пользоваться современными методами исследования твердотельных структур, микро- и наноситем на их основе;;
  
• анализировать и интерпретировать результаты измерения свойств твердотельных структур современными методами, микро- и наноситем на их основе;.