Geum.ru

Федеральная целевая программа "национальная технологическая база" на 2007 2011 годы паспор тфедеральной целевой программы

Вид материалаПрограмма

Содержание


Приложение № 2
Подобный материал:
1   ...   11   12   13   14   15   16   17   18   ...   22



____________


ПРИЛОЖЕНИЕ № 2

к подпрограмме "Развитие электронной компонентной базы" на 2007 – 2011 годы федеральной целевой программы

"Национальная технологическая база"

на 2007 – 2011 годы


П Е Р Е Ч Е Н Ь


мероприятий подпрограммы "Развитие электронной компонентной базы" на 2007 – 2011 годы


(млн. рублей, в ценах соответствующих лет)
Мероприятия
2007-2011 годы – всего
В том числе
Ожидаемые результаты

2007 год
2008 год
2009 год
2010 год
2011 год










I. Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы




Направление 1 "Сверхвысокочастотная электроника"

1.
Разработка технологии производства мощных сверхвысокочастотных транзисторов на основе гетероструктур материалов группы А3В5
312

208*
105

70
147

98
60

40
-
-
создание базовой технологии производства мощных сверхвысокочастотных транзисторов на основе гетероструктур материалов группы А3В5 для бортовой и наземной аппаратуры, разработка комплектов документации в стандартах

единой системы конструкторской,

























технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

2.
Разработка базовой технологии производства монолитных сверхвысокочастотных

микросхем и объемных
приемо-передающих сверхвысокочастотных

субмодулей X-диапазона
265

175
-
-
60

40
120

79
85

56
создание базовой технологии производства монолитных сверхвысокочастотных

микросхем и объемных
приемо-передающих сверхвысокочастотных

субмодулей X-диапазона на основе гетероструктур материалов группы А3В5 для бортовой и наземной аппаратуры радиолокации, средств связи,

























разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

3.
Разработка базовой технологии производства мощных сверхвысокочастотных полупроводниковых приборов на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур
467

312
153

102
214

143
100

67
-
-
создание технологии производства мощных транзисторов сверхвысокочастотного диапазона на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур для техники связи, радиолокации

4.
Разработка базовой технологии и библиотеки элементов для проектирования и производства монолитных интегральных схем сверхвысокочастотного диапазона на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур
770

512
-
-
136

90
337

225
297

197
создание технологии производства на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур мощных сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем с рабочими частотами до 20 ГГц для связной техники, радиолокации, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и

























производственной документации,

ввод в эксплуатацию производственной линии

5.
Разработка базовой технологии производства сверхвысокочастотных компонентов и сложнофункциональных блоков для сверхвысокочастотных интегральных схем высокой степени интеграции на основе гетероструктур "кремний – германий"
357

231
120

80
166

111
71

40
-
-
создание базовой технологии производства компонентов для сверхвысокочастотных интегральных схем диапазона 2 – 12 ГГц с высокой степенью интеграции для аппаратуры радиолокации и связи бортового и наземного применения, а также бытовой и автомобильной электроники, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации,

ввод в эксплуатацию производственной линии


6.
Разработка базовой технологии производства сверхвысокочастотных интегральных схем высокой степени интеграции на основе гетероструктур "кремний – германий"
532

352
-
-
100

64
246

164
186

124
создание базовой технологии производства сверхвысокочастотных интегральных схем диапазона 2-12 ГГц с высокой степенью интеграции для аппаратуры радиолокации и связи бортового и наземного применения, а также бытовой и автомобильной электроники, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии


7.
Разработка аттестованных библиотек сложнофункциональ-ных блоков


















разработка

аттестованных библиотек сложнофункциональных




для проектирования сверхвысокочастотных и радиочастотных интегральных схем на основе гетеростуктур "кремний – германий"
171

121
60

40
76

51
35

30
-
-
блоков для проектирования широкого спектра сверхвысокочастотных интегральных схем на SiGe

с рабочими частотами до 150 ГГц, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации,

ввод в эксплуатацию производственной линии


8.
Разработка базовых технологий проектирования кремний – германиевых сверхвысокочастотных и радиочастотных интегральных схем на основе аттестованной библиотеки сложнофункциональных блоков
207

142
-
-
40

30
100

67
67

45
создание базовых технологий проектирования на основе библиотеки сложнофункциональных блоков широкого спектра сверхвысокочастотных интегральных схем на SiGe с рабочими частотами до 150 

























ГГц, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации,

ввод в эксплуатацию производственной линии


9.
Разработка базовых технологий производства элементной базы для ряда силовых герметичных модулей высокоплотных источников вторичного электропитания вакуумных и твердотельных сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры
163,5

110
43,5

30
60

40
60

40
-
-
создание базовых технологий производства и конструкций элементной базы для высокоплотных источников вторичного электропитания сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

10.
Разработка базовых технологий производства ряда силовых герметичных модулей высокоплотных источников вторичного электропитания вакуумных и твердотельных сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры
153

102
-
-
-
89

60
64

42
создание базовых конструкций и технологии производства высокоэффективных, высокоплотных источников вторичного электропитания сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры на основе гибридно-пленочной технологии с применением бескорпусной элементной базы, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации,

ввод в эксплуатацию

производственной линии




























11.
Разработка базовых конструкций и технологии производства корпусов мощных сверхвысокочастотных транзисторов X , C, S, L и P – диапазонов из малотоксичных материалов с высокой теплопроводностью
162,5

110
38,5

25
74

52
50

33
-
-
создание технологии массового производства ряда корпусов мощных сверхвысокочастотных приборов для "бессвинцовой" сборки, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии


12.
Разработка базовых конструкций теплоотводящих элементов систем охлаждения сверхвысокочастотных приборов Х и С – диапазонов на основе новых материалов
150

97
-
-
45

30
60

40
45

27
создание базовых конструктивных рядов элементов систем охлаждения аппаратуры Х и С – диапазонов наземных, корабельных и воздушно-космических комплексов

13.
Разработка базовой технологии производства теплоотводящих элементов систем охлаждения сверхвысокочастотных приборов Х и С – диапазонов на основе новых материалов
93

62
-
-
-
60

32
33

30
создание технологии массового производства конструктивного ряда элементов систем охлаждения аппаратуры Х и С – диапазонов наземных, корабельных и воздушно- космических комплексов, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

14.
Разработка базовых технологий производства суперлинейных кремниевых сверхвысокочастотных транзисторов S и L диапазонов
141,5

92
45,5

30
53

35
43

27
-
-
создание технологии массового производства конструктивного ряда сверхвысокочастотных транзисторов S и L диапазонов для связной аппаратуры, локации и контрольной аппаратуры,

























разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации,

ввод в эксплуатацию производственной линии


15.
Разработка конструктивно- параметрического ряда суперлинейных кремниевых сверхвысокочастотных транзисторов S и L диапазонов
170

116
-
-
-
95

70
75

46
создание конструктивно- параметрического ряда сверхвысокочастотных транзисторов S и L диапазонов для связной аппаратуры, локации и контрольной аппаратуры,

разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

16.
Разработка технологии измерений и базовых конструкций установок автоматизированного измерения параметров нелинейных моделей сверхвысокочастотных полупроводниковых структур, мощных транзисторов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем X, C, S, L и P – диапазонов для их массового производства
147

97
60

40
45

27
42

30
-
-
разработка метрологической аппаратуры нового поколения для исследования и контроля параметров полупроводниковых структур, активных элементов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем в производстве и при их использовании

17.
Исследование и разработка базовых технологий для создания нового поколения мощных вакуумно-твердотельных сверхвысокочастотных приборов и гибридных малогабаритных
161

107
57

38
54

36
50

33
-
-
создание технологии унифицированных сверхширокополосных приборов среднего и большого уровня мощности сантиметрового диапазона длин волн и сверхвысокочастотных магнитоэлектрических приборов для перспективных




сверхвысокочастотных модулей с улучшенными массогабаритными характеристиками,

магнитоэлектрических

приборов сверхвысокочастотного диапазона, в том числе: циркуляторов и фазовращателей, вентилей, высокодобротных резонаторов, перестраиваемых фильтров, микроволновых приборов со спиновым управлением для перспективных радиоэлектронных систем двойного применения


















радиоэлектронных систем и аппаратуры связи

космического базирования, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

18.
Разработка базовых конструкций и технологии производства нового поколения мощных вакуумно-твердотельных сверхвысокочастотных приборов и гибридных малогабаритных сверхвысокочастотных модулей с улучшенными массогабаритными характеристиками, магнитоэлектрических приборов сверхвысокочастотного диапазона, в том числе: циркуляторов и фазовращателей, вентилей, высокодобротных резонаторов, перестраиваемых
141

95
-
-
-
89

60
52

35
разработка конструктивных рядов и базовых технологий производства сверхширокополосных приборов среднего и большого уровня мощности сантиметрового диапазона длин волн и сверхвысокочастотных магнитоэлектрических приборов для перспективных радиоэлектронных систем и аппаратуры связи космического базирования, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной




фильтров, микроволновых приборов со спиновым управлением для перспективных радиоэлектронных систем двойного применения


















документации, ввод в эксплуатацию производственной линии