А. В. Клименко 2010 г. Конкурс

Вид материала

Конкурс

Содержание Техническое задание Основание для проведения научно-исследовательской работы (НИР) Исполнитель НИР 4.2. Требования по назначению научной и/или научно-технической продукции Основные технические характеристики 5. Технико-экономические показатели 6. Индикаторы и показатели 8. Перечень этапов и содержание основных работ по этапам 9. Порядок сдачи-приемки результатов НИР Разделы Технического задания могут быть дополнены по усмотрению участника размещения заказа ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ 1. Основание для проведения научно-исследовательской работы (НИР) 2. Исполнитель НИР 4.1.Состав разрабатываемой научной и/или научно-технической продукции 4.2. Требования по назначению научной и/или научно-технической продукции 4.3. Основные технические характеристики Индикаторы и показатели Техническое задание 1. Основание для проведения научно-исследовательской работы (НИР) 2. Исполнитель НИР 4. Основные требования к выполнению НИР ... Полное содержание

Подобный материал:

• В. В. Клименко Клименко В. В. Оглавных климатических ритмах голоцена // Доклад, 412.85kb.
• Ліна Костенко Біобібліографічний покажчик укладач А. І. Мартинюк відповідальна за випуск, 296.71kb.
• А. В. Клименко конкурсная документация по проведению открытого конкурс, 1840.42kb.
• Конкурс для сми по экологии, 30.14kb.
• С. В. Никитин 22. 01. 2010 Утверждаю Мэр города Вышний Волочек О. А. Меньшиков >22., 2740.58kb.
• Конкурс педагогических идей "Методист-новатор-2010″ Конкурс, 117.58kb.
• В. Г. Клименко > Н. В. Петрова Оцінка якості води р. Харків, 866.58kb.
• И. о министра образования Н. Я. Карпушин 2010 года Положение о краевом конкурс, 46.41kb.
• Дистанционный конкурс «Я помню своих Героев» (проводился на сайте Wiki-Чувашия) 2009/2010, 35.25kb.
• Конкурс проводится в соответствии с Положением. Сроки проведения: 10 апреля 25 ноября, 41.81kb.

ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ

на выполнение научно-исследовательских работ по теме:

«Разработка базовых серийных технологий изделий микроэлектроники: систем на кристалле (16 разрядный микропроцессор с интегрированной флеш-памятью)»

Шифр «2010-ЭКБР-60-008»

1. Основание для проведения научно-исследовательской работы (НИР)
   

Решение конкурсной комиссии Роснауки по проведению открытого конкурса на право заключения государственных контрактов на выполнение научно-исследовательских работ в рамках федеральной целевой программы «Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники» на 2008-2015 годы (протокол от «___»_________ 2010 г. № ______).

Начало работ: ___________2010 г.

Окончание работ: 15 ноября 2011 г.

2. Исполнитель НИР:
   

(Указывается полное наименование исполнителя и город расположения)

3. Цель выполнения НИР
   

Исследование и разработка современных технологий проектирования «систем на кристалле» - низкопотребляющих 16 разрядных микропроцессоров с интегрированной флеш-памятью.

Изготовление макетных образцов низкопотребляющих 16 разрядных микропроцессоров с интегрированной флеш-памятью и их экспериментальные исследования.

4. Основные требования к выполнению НИР
   

4.1. Состав разрабатываемой научной и/или научно-технической продукции:

Результаты теоретических и экспериментальных исследований по разработке методов снижения потребляемой мощности систем на кристалле субмикронного уровня.

Маршрут и методика проектирования низкопотребляющего 16 разрядного микропроцессора с интегрированной флеш памятью (далее – Микропроцессор) класса система на кристалле.

Топология макетного образца Микропроцессора класса «система на кристалле».

Макетные образцы Микропроцессора класса «система на кристалле» (в количестве не менее 50 штук) и результаты их экспериментальных исследований.

Отчет по научно-исследовательской работе, содержащий, в том числе, обоснование развиваемого направления исследований, изложение разрабатываемых методов и методик проведения исследований, описание полученных результатов.


4.2. Требования по назначению научной и/или научно-технической продукции

Разрабатываемый Микропроцессор класса «система на кристалле» предназначен для использования во встроенных применениях, в устройствах, требующих длительного времени автономной работы, таких как сложная электронная техника, управляющие контроллеры промышленных и бытовых приборов и автономные датчики измерений физических величин, интегрированные в системы управления и сбора информации.

3. Основные технические характеристики
   
   1. Маршрут и методика проектирования должны быть ориентированы на разработку Микропроцессоров класса «система на кристалле», содержащих аналоговые и цифровые периферийные узлы.
      
   2. Должны быть созданы средства разработки программного обеспечения – интегрированная среда разработки и отладки прикладных программ с графическим интерфейсом (для ОС Windows XP). Среда разработки и отладки программного обеспечения должна позволять оценивать реализацию прикладных задач на выбранной модификации 16-разрядного микропроцессора с учетом требуемой потребляемой мощности.
      
   3. Разрабатываемая методика проектирования должна обеспечивать оценку эффективности снижения энергопотребления на архитектурном, схемотехническом и топологическом уровне проектирования микросхем класса «система на кристалле».
      
   4. Макетный образец Микропроцессора класса «система на кристалле» должен быть построен на базе патентно-чистого стекового 16-разрядного ядра отечественной разработки. Система команд и архитектура ядра должна быть оптимизирована для минимального энергопотребления с сохранением необходимых функций для универсальных микропроцессоров.
      
   5. Состав функциональных узлов макетного образца Микропроцессора класса «система на кристалле» должен включать, в том числе:
      

- 16-разрядное микропроцессорное ядро;

- 16-разрядные ОЗУ, ПЗУ;

- 16-разрядная электрически перепрограммируемая память (типа Flash);

- цифровые интерфейсы обмена данными (SPI, UART);

- параллельный 16-разрядный порт обмена данными;

- часы реального времени с будильником;

- таймер с выходом ШИМ;

- таймер общего назначения;

- генератор тактового сигнала до 10 МГц с кварцевой стабилизацией частоты;

- высокочастотный RC генератор тактового сигнала с программной настройкой частоты;

- аналого-цифровой преобразователь не менее 16 бит со встроенным источником опорного напряжения;

- датчик температуры.

1. Макетный образец Микропроцессора класса «система на кристалле» должен иметь следующие электрические параметры (температурный диапазон -40… 125 ºC):
   

Наименование параметра, единица измерения	Значение		Режим измерения
	не менее	не более
Ток потребления в рабочем режиме, мкА/МГц		250	Uпит=2.2В
Ток потребления в ждущем режиме, мкА		1	Uпит=2.2В
Соотношение сигнал/шум АЦП, дБ	90
Частота выборок АЦП, Выб/с	1000
Ток потребления АЦП, мА		4.0	1000 Выб/с

4.3.7. Площадь кристалла макетного образца Микропроцессора должна быть не более 9 мм².

4.3.8. Научно-исследовательская работа должна выполняться с использованием современной материально-технической базы и перспективных методик и методов исследований и обеспечивать получение актуальных научно-технических результатов.


5. Технико-экономические показатели

5.1. Основные технико-экономические требования

Разрабатываемая технология проектирования перспективных микропроцессоров позволит достигнуть уменьшения  общего времени разработки перспективных «систем на кристалле» и изделий на их основе, снизить процент брака, обеспечить быстрый и эффективный выход на рынок высокотехнологичной продукции микроэлектроники.

Полученные результаты и разработанные методы должны быть ориентированы на широкое применение в научно-исследовательских организациях и фирмах-производителях наукоемкой продукции и быть конкурентоспособными на мировом рынке.

По результатам научно-исследовательской работы должен быть разработан проект технического задания на опытно-конструкторскую работу по разработке СнК РВ.


6. Индикаторы и показатели

В процессе выполнения научно-исследовательской работы следует учитывать следующие значения программных индикаторов и показателей (Приводятся минимальные значения, участник размещения заказа вправе увеличить предлагаемые значения).

1. число завершенных проектов научно-исследовательских работ, которые могут быть переведены в стадию опытно-конструкторских работ с целью разработки конкурентоспособных технологий для последующей коммерциализации, в том числе
   

2010 г.– 0, 2011 г. – 1.

2. число публикаций в ведущих научных журналах, содержащих результаты интеллектуальной деятельности, полученные в рамках выполнения проекта, в том числе

2010 г.– 1, 2011 г. – 1.

3. число патентов (заявок на патенты) на результаты интеллектуальной деятельности, полученные в рамках выполнения проекта, в том числе

2010 г.– 0, 2011 г. – 1.

4. число разработанных нормативно-методических документов, в том числе

2010 г.– 0, 2011 г. – 1.

5. объем привлеченных внебюджетных средств, млн. рублей, в том числе

2010 г.– 0,5 2011 г. – 0,5.


7. Требования к патентной чистоте и патентоспособности

(Приводится перечень планируемых результатов и объектов интеллектуальной собственности, которым может быть предоставлена правовая охрана в соответствии со статьей 1225 ГК РФ.

Рекомендуемый классификатор наименований результатов приводится на сайте базы данных РНТД Федерального агентства по науке и инновациям: extech.ru/docs/recom_naimen_rez.php).

Патентные исследования должны быть проведены в соответствии с ГОСТ Р 15.011-96.


8. Перечень этапов и содержание основных работ по этапам

Наименование этапов, подробное содержание выполняемых работ, перечень документов, разрабатываемых на этапах выполнения работы, сроки исполнения и контрактная цена приводятся в Календарном плане (приложение 2 к государственному контракту) (при подготовке предложений рекомендуется распределять работы, выполняемые в течение календарного года, на два этапа).


9. Порядок сдачи-приемки результатов НИР

9.1. Сдача и приемка выполненных работ (этапов работ) осуществляется в порядке, установленном актами Роснауки.

9.2. Порядок сдачи-приемки результатов работы должен соответствовать:

- при приемке этапа НИР – требованиям подраздела 5.7 ГОСТ 15.101-98;

- при приемке НИР в целом – требованиям пунктов 5.8.1 – 5.8.6 того же стандарта.

9.3. Перечень отчетной документации, подлежащей оформлению и сдаче Исполнителем Заказчику на этапах выполнения работ, определяется актами Роснауки.

9.4. Отчетная научно-техническая документация должна представлять собой промежуточные и заключительный отчеты о НИР, оформленные в соответствии с ГОСТ 7.32-2001 «Система стандартов по информации, библиотечному и издательскому делу. Отчет о научно-исследовательской работе. Структура и правила оформления».

9.5 Отчетная документация представляется Заказчику или уполномоченной им организации на бумажном носителе в одном экземпляре и в электронном виде на оптическом носителе в одном экземпляре.

ПО ЛОТУ 6

Разделы Технического задания могут быть дополнены
по усмотрению участника размещения заказа

ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ

на выполнение научно-исследовательских работ по теме:

«Разработка базовых серийных технологий изделий микроэлектроники: систем на кристалле, в том числе в гетероинтеграции сенсорных и исполнительных элементов методом беспроводной сборки с применением технологии матричных жестких выводов»

Шифр «2010-ЭКБР-60-009»


1. Основание для проведения научно-исследовательской работы (НИР)

Решение конкурсной комиссии Роснауки по проведению открытого конкурса на право заключения государственных контрактов на выполнение научно-исследовательских работ в рамках федеральной целевой программы «Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники» на 2008-2015 годы (протокол от «___» _____2010 г. № ___ ).

Начало работ: ___________2010 г.

Окончание работ: 15 ноября 2011 г.


2. Исполнитель НИР:

(Указывается полное наименование исполнителя и город расположения)

3. Цель выполнения НИР
   

Исследование и разработка технологий изготовления систем на кристалле (СнК) с сенсорными и исполнительными элементами на основе инерциальных микросистем (акселерометров) с интеллектуальной обработкой информации.

Изготовление на отечественной производственной базе и исследование характеристик экспериментальных образцов СнК инерциальных микросистем, включающих сенсорные элементы (акселерометры) и схемы обработки.

3. Основные требования к выполнению НИР
   

4.1.Состав разрабатываемой научной и/или научно-технической продукции:

Результаты теоретических и прикладных исследований по разработке СнК с сенсорными и исполнительными элементами.

Маршрут и методика проектирования СнК инерциальных микросистем акселерометров.

Топология системы на кристалле, включающей сенсорный элемент и блок интеллектуальной обработки информации, в формате GDS II.

Маршрутные карты и эскизные технологии изготовления систем на кристалле с сенсорными элементами (акселерометрами) и схемами интеллектуальной обработки информации в однокристальном варианте.

Маршрутные карты и эскизные технологии изготовления многокристального модуля (МКМ) на основе гетероинтеграции, обеспечивающей сборку двух и более кристаллов с применением технологии матричных жестких выводов.

Экспериментальные образцы акселерометра двух типов (для разных диапазонов ускорения) в количестве не менее 3 штук образцов каждого типа.

Методики исследований и программа испытаний экспериментальных образцов.

Результаты измерений и исследований экспериментальных образцов.

Отчет о научно-исследовательской работе, содержащий, в том числе, обоснование развиваемого направления исследований, изложение разрабатываемых методов и методик проведения исследований, описание полученных результатов.


4.2. Требования по назначению научной и/или научно-технической продукции


Разрабатываемая технология изготовления СнК с сенсорными элементами и схемами интеллектуальной обработки информации предназначена для создания инерциальных датчиков, применяемых в автомобилестроении, авиации, космической техники (динамическое управление движением, антиблокировочные системы торможения, круиз-контроль, датчики переворота и другие системы безопасности).

Инерциальные микросистемы предназначены для использования в навигации сверхмалых беспилотных летательных аппаратов, GPS-навигации, датчиках контроля ударов, вибрации, наклона, движения и др. Области применения включают добычу нефти, жилищно-коммунальное хозяйство, робототехнику, спорт, медицину, бытовую технику.


4.3. Основные технические характеристики

4.3.1. Научно-исследовательская работа должна выполняться с использованием современной материально-технической базы и перспективных методик и методов исследований и обеспечивать получение актуальных научно-технических результатов.

4.3.2. Требования к проектированию СнК и программному обеспечению:

– Маршрут проектирования кристаллов инерциальной микросистемы должен включать моделирование микромеханических сенсорных элементов с возможностью расчета прочности, реакции на внешние воздействия и расчета геометрической и физической нелинейности при составлении твердотельной модели сенсора, совместимой с форматами, используемыми в современных САПР (ANSYS).

– Маршрут проектирования исполнительных элементов, включающий схемотехническое моделирование и разработку топологии, должен интегрироваться в современные маршруты проектирования ведущих производителей САПР (Cadence, Synopsys) по следующим аспектам: электрические и физические правила проектирования, Spice-параметры и модели элементов, библиотека технологических файлов.

– Используемые САПР должны обеспечивать необходимую точность моделирования (1мВ/g) при разработке сенсорных элементов.

– Используемые САПР должны обеспечивать выходную информацию, совместимую с общепринятыми форматами, необходимыми для изготовления фотошаблонов.

– Набор технологических файлов и скриптов для автоматизированных систем проектирования должен обеспечивать схемотехнический, логико-временной анализ и решение пространственных задач механики деформируемого твердого тела и механики конструкций.

4.3.3. Требования к эскизной технологии изготовления кристаллов инерциальных микросистем (акселерометров) с интеллектуальной обработкой информации в однокристальном исполнении:

• диаметр пластин: ≥150 мм;
  
• количество фотокопий: 20 - 25;
  
• элементная база электронной части: БиКМОП;
  

Основные процессы технологии изготовления кристаллов инерциальных микросистем с интеллектуальной обработкой информации должны включать:

• поверхностную микрообработку структурного поликремния и окисного жертвенного слоя, интегрированного с БиКМОП процессом (iМЭМС процесс);
  
• осаждение толстого структурного поликремния, легирование, термообработку для снятия механических напряжений;
  
• реактивное ионное травление (РИТ) поликремниевых микроструктур с вертикальным профилем.
  

4.3.4. Требования к эскизной технологии беспроводной сборки МКМ с применением технологии матричных жестких выводов:

• количество кристаллов в сборке: ≥2;
  
• размер кристалла сенсора: ≤5 мм²;
  
• размер кристалла исполнительной СБИС: ≤25 мм²;
  
• выход годных на сборке с применением технологии матричных жестких выводов: ≥50 %.
  

Основные процессы технологии беспроволочной сборки с применением технологии матричных жестких выводов должны включать:

• формирование на поверхности пластины кремния полиимидной пленки для межслойной изоляции;
  
• вскрытие в полиимидной пленке областей, соответствующих контактным площадкам кристалла и напыление пленки алюминия на поверхность пластины;
  
• формирование методом фотолитографии на пленке алюминия токопроводящих элементов;
  
• нанесение на пластину кремния второго слоя полиимида и вскрытие в нём областей, соответствующих расположению матрице шариковых выводов;
  
• формирование матрицы шариковых выводов на поверхности пластины;
  
• сборка методом пайки.
  

4.3.5. Требования к экспериментальному образцу разрабатываемой системы на кристалле:

• напряжение питания: 3 - 6 В;
  
• ток потребления: 0,4 - 2,5 мА;
  
• возможность самодиагностики;
  
• нелинейность: 0,2 – 2,5%;
  
• чувствительность: 200-1000 мВ/g;
  
• диапазон ускорений: ± 2 - 10g (в зависимости от требуемой чувствительности);
  
• диапазон частот: 0 - 1000 Гц;
  
• резонансная частота: 1 - 10 Гц;
  
• диапазон рабочих температур: от -40 до +85°С.
  

3. Технико-экономические показатели
   

1. Основные технико-экономические требования
   

Разрабатываемые базовые технологии должны обеспечить организацию серийного производства отечественных акселерометров с интеллектуальной обработкой информации в однокристальном и гетероисполнении и беспроволочной сборки СнК с сенсорными и исполнительными элементами с применением технологии матричных жестких выводов.

Инерциальные микросистемы в однокристальном исполнении должны обеспечить стойкость к ударам и вибрациям и надежное функционирование в областях техники, где микросистемы подвержены воздействию жестких механических факторов.

Полученные результаты и разработанные технологии должны быть ориентированы на широкое применение в научно-исследовательских организациях и фирмах-производителях наукоемкой продукции и быть конкурентоспособными на мировом рынке.

По результатам научно-исследовательской работы должен быть разработан проект технического задания на опытно-конструкторскую работу по разработке СнК  для сенсорных и исполнительных элементов на базе инерциальных микросистем (акселерометров) с интеллектуальной обработкой информации.

3. Индикаторы и показатели
   

В процессе выполнения научно-исследовательской работы следует учитывать следующие значения программных индикаторов и показателей (Приводятся минимальные значения, участник размещения заказа вправе увеличить предлагаемые значения).

1. число завершенных проектов научно-исследовательских работ, которые могут быть переведены в стадию опытно-конструкторских работ с целью разработки конкурентоспособных технологий для последующей коммерциализации, в том числе
   

2010 г.– 0, 2011 г. – 1.

2. число публикаций в ведущих научных журналах, содержащих результаты интеллектуальной деятельности, полученные в рамках выполнения проекта, в том числе

2010 г.– 1, 2011 г. – 1.

3. число патентов (заявок на патенты) на результаты интеллектуальной деятельности, полученные в рамках выполнения проекта, в том числе

2010 г.– 0, 2011 г. – 1.

4. число разработанных нормативно-методических документов, в том числе

2010 г.– 0, 2011 г. – 1.

5. объем привлеченных внебюджетных средств, млн. рублей, в том числе

2010 г.– 0,5 2011 г. – 0,5.

2. Требования к патентной чистоте и патентоспособности
   

(Приводится перечень планируемых результатов и объектов интеллектуальной собственности, которым может быть предоставлена правовая охрана в соответствии со статьей 1225 ГК РФ.

Рекомендуемый классификатор наименований результатов приводится на сайте базы данных РНТД Федерального агентства по науке и инновациям: extech.ru/docs/recom_naimen_rez.php).

Патентные исследования должны быть проведены в соответствии с ГОСТ Р 15.011-96.

3. Перечень этапов и содержание основных работ по этапам
   

Наименование этапов, подробное содержание выполняемых работ, перечень документов, разрабатываемых на этапах выполнения работы, сроки исполнения и контрактная цена приводятся в Календарном плане (приложение 2 к государственному контракту) (при подготовке предложений рекомендуется распределять работы, выполняемые в течение календарного года, на два этапа).

4. Порядок сдачи-приемки результатов НИР
   

9.1. Сдача и приемка выполненных работ (этапов работ) осуществляется в порядке, установленном актами Роснауки.

9.2. Порядок сдачи-приемки результатов работы должен соответствовать:

- при приемке этапа НИР – требованиям подраздела 5.7 ГОСТ 15.101-98;

- при приемке НИР в целом – требованиям пунктов 5.8.1 – 5.8.6 того же стандарта.

9.3. Перечень отчетной документации, подлежащей оформлению и сдаче Исполнителем Заказчику на этапах выполнения работ, определяется актами Роснауки.

9.4. Отчетная научно-техническая документация должна представлять собой промежуточные и заключительный отчеты о НИР, оформленные в соответствии с ГОСТ 7.32-2001 «Система стандартов по информации, библиотечному и издательскому делу. Отчет о научно-исследовательской работе. Структура и правила оформления».

9.5 Отчетная документация представляется Заказчику или уполномоченной им организации на бумажном носителе в одном экземпляре и в электронном виде на оптическом носителе в одном экземпляре.

ПО ЛОТУ 7

Разделы 4,5,7,8 Технического задания могут быть дополнены
по усмотрению участника размещения заказа

ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ

на выполнение научно-исследовательских работ по теме:

«Разработка базовых серийных технологий изделий микроэлектроники: систем на кристалле (для устройств дистанционного управления)»

Шифр «2010-ЭКБР-60-010»


1. Основание для проведения научно-исследовательской работы (НИР)


Решение конкурсной комиссии Роснауки по проведению открытого конкурса на право заключения государственных контрактов на выполнение научно-исследовательских работ в рамках федеральной целевой программы «Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники» на 2008-2015 годы (протокол от «___»_________ 2010 г. № ______).

Начало работ: ___________2010 г.

Окончание работ: 15 ноября 2011 г.


2. Исполнитель НИР:

(Указывается полное наименование исполнителя и город расположения)

5. Цель выполнения НИР
   

Исследования и разработка конструкции и технологии создания микромощной базовой системы на кристалле для устройств дистанционного управления радиоэлектронными устройствами с возможностью изменения методами программирования её конфигурации с учётом конкретных применений (далее – СнК ДУ).

Изготовление экспериментальных образцов СнК ДУ и проведение их исследований, подтверждающих эффективность выбранных технических решений.


4. Основные требования к выполнению НИР

4.1. Состав разрабатываемой научной и/или научно-технической продукции:

Результаты теоретических и экспериментальных исследований по разработке технологии создания перспективных СнК ДУ с возможностью изменения конфигурации базовой схемы и изменения режимов работы конкретной конфигурации СнК ДУ по радиоканалу в процессе её функционирования.

Структурная схема базовой СнК ДУ, включающей в свой состав, в том числе, микропроцессор, встроенную память, цифро-аналоговый и аналого-цифровой преобразователи, приёмо-передатчик данных по радиоканалу и необходимые периферийные устройства.

Алгоритм реализации изменения конфигурации базовой СнК ДУ и программное обеспечение для его осуществления.

Топология базовой СнК ДУ.

Технологический маршрут изготовления базовой СнК ДУ.

Экспериментальные образцы СнК ДУ (не менее 2 штук).

Программа и методика исследований СнК ДУ.

Результаты исследований параметров экспериментальных образцов СнК ДУ.

Отчет o научно-исследовательской работе, содержащий, в том числе, обоснование развиваемого направления исследований, изложение разрабатываемых методов и методик проведения исследований, описание полученных результатов.


4.2. Требования по назначению научной и/или научно-технической продукции

Разрабатываемые микромощные СнК ДУ для дистанционного управления электромеханическими, электрическими и электронными исполнительными механизмами предназначены для применения в приборах и устройствах бытовой техники, в оборудовании для сельского хозяйства, промышленности, включая автоматизированные производства, автомобильную электронику, управление производством и передачей электроэнергии, а также в медицине, в том числе в устройствах контроля и управления физиологическими параметрами, в диагностическом, лечебном и физиотерапевтическом оборудовании.


4.3. Основные технические характеристики

4.3.1. Базовый СнК ДУ должна иметь не менее

- двух трактов управления внешними исполнительными устройствами с регулируемыми амплитудой и периодом (длительностью) импульсов,

- двух трактов для изменения (блокировки/инвертирования) параметров импульсов управления,

- двух каналов обратной связи от внешних датчиков или исполнительных механизмов,

- блок регулировки параметров управляющих импульсов на основе обратной связи для изменения режима работы или организации синхронного с исполнительным механизмом режима работы СнК ДУ, а также

- блок принудительного ограничителя частоты импульсов,

- специализированное ОЗУ для хранения параметров импульсов управления для режима временного программирования с сохранением параметров постоянной программы,

- блок телеметрии (с приёмо-передатчиком) для управления работой СнК ДУ,

- ОЗУ для хранения данных телеметрии,

- блок обработки входных сигналов и блок тестирования на основе АЦП,

- электрически программируемое ППЗУ для программирования и хранения данных.

4.3.2. Базовая СнК ДУ должна иметь следующие электрические параметры:

Наименование параметра	Значение
Амплитуда импульсов, В	от 0,2 до 7,0
Длительность импульсов, мс	от 0,2 до 2,0
Частота следования импульсов, имп/мин	от 30 до 150
Период импульсов тракта управления 1 (т1), мс	от 200 до 600
Период импульсов тракта управления 2 (т2), мс	от 200 до 500
Задержка т1/т2, мс	от 0 до 300
Чувствительность канала обратной связи 1, мВ	от 0,5 до 4,5
Чувствительность канала обратной связи 2, мВ	от 1,0 до 9,0

4.3.3. Экспериментальные образцы СнК ДУ должны иметь следующие параметры: напряжение источника питания – от 2,0 до 3,3 В, потребляемая мощность при максимальном напряжении питания: без нагрузки – не более 30 мкВт, с нагрузкой 510 Ом – не более 100 мкВт; размер кристалла СнК ДУ (с дорожкой реза) – не более 7,6 мм х 7,20 мм,

4.3.4. Разрабатываемая технология проектирования и изготовления СнК ДУ должна соответствовать современному уровню разработок в этой области и должна быть пригодна для реализации на технологиях производства интегральных схем на отечественной производственной базе.

Научно-исследовательская работа должна соответствовать современному уровню разработок в этой области, быть пригодной для реализации на технологиях производства интегральных схем на отечественной производственной базе, а также выполняться с использованием перспективных методик и методов исследовании, обеспечивая получение актуальных научно-технических результатов.


5. Технико-экономические показатели

5.1. Основные технико-экономические требования

Применение разрабатываемых микромощных СнК ДУ позволит в дальнейшем обеспечить создание современных устройств дистанционного управления для применения в приборах различного назначения, включая автоматизированные производства, автомобильную электронику, управление производством и передачей электроэнергии, в диагностическом, лечебном и физиотерапевтическом оборудовании и достичь при этом уменьшения габаритов аппаратно-программных комплексов, снизить их энергопотребление, увеличить в несколько раз их надежность и срок службы.

Полученные результаты и разработанная технология должны быть ориентированы на широкое применение в научно-исследовательских организациях и фирмах-производителях наукоемкой продукции и быть конкурентоспособными на мировом рынке.

По результатам научно-исследовательской работы должен быть разработан проект технического задания на опытно-конструкторскую работу по разработке СнК ДУ.


6. Индикаторы и показатели

В процессе выполнения научно-исследовательской работы следует учитывать следующие значения программных индикаторов и показателей (Приводятся минимальные значения, участник размещения заказа вправе увеличить предлагаемые значения).

1. число завершенных проектов научно-исследовательских работ, которые могут быть переведены в стадию опытно-конструкторских работ с целью разработки конкурентоспособных технологий для последующей коммерциализации, в том числе
   

2010 г.– 0, 2011 г. – 1.

2. число публикаций в ведущих научных журналах, содержащих результаты интеллектуальной деятельности, полученные в рамках выполнения проекта, в том числе

2010 г.– 1, 2011 г. – 1.

3. число патентов (заявок на патенты) на результаты интеллектуальной деятельности, полученные в рамках выполнения проекта, в том числе

2010 г.– 0, 2011 г. – 1.

4. число разработанных нормативно-методических документов, в том числе

2010 г.– 0, 2011 г. – 1.

5. объем привлеченных внебюджетных средств, млн. рублей, в том числе

2010 г.– 0,5 2011 г. – 0,5.


7. Требования к патентной чистоте и патентоспособности

(Приводится перечень планируемых результатов и объектов интеллектуальной собственности, которым может быть предоставлена правовая охрана в соответствии со статьей 1225 ГК РФ.

Рекомендуемый классификатор наименований результатов приводится на сайте базы данных РНТД Федерального агентства по науке и инновациям: extech.ru/docs/recom_naimen_rez.php).

Патентные исследования должны быть проведены в соответствии с ГОСТ Р 15.011-96.


8. Перечень этапов и содержание основных работ по этапам

Наименование этапов, содержание выполняемых работ, перечень документов, разрабатываемых на этапах выполнения работы, сроки исполнения и контрактная цена приводятся в Календарном плане (приложение 2 к государственному контракту) (при подготовке предложений рекомендуется распределять работы, выполняемые в течение календарного года, на два этапа).


9. Порядок сдачи-приемки результатов НИР

9.1. Сдача и приемка выполненных работ (этапов работ) осуществляется в порядке, установленном актами Роснауки.

9.2. Порядок сдачи-приемки результатов работы должен соответствовать:

- при приемке этапа НИР – требованиям подраздела 5.7 ГОСТ 15.101-98;

- при приемке НИР в целом – требованиям пунктов 5.8.1 – 5.8.6 того же стандарта.

9.3. Перечень отчетной документации, подлежащей оформлению и сдаче Исполнителем Заказчику на этапах выполнения работ, определяется актами Роснауки.

9.4. Отчетная научно-техническая документация должна представлять собой промежуточные и заключительный отчеты о НИР, оформленные в соответствии с ГОСТ 7.32-2001 «Система стандартов по информации, библиотечному и издательскому делу. Отчет о научно-исследовательской работе. Структура и правила оформления».

9.5 Отчетная документация представляется Заказчику или уполномоченной им организации на бумажном носителе в одном экземпляре и в электронном виде на оптическом носителе в одном экземпляре.

ПО ЛОТУ 8

Разделы 4,5.7,8 Технического задания могут быть дополнены
по усмотрению участника размещения заказа

ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ

на выполнение научно-исследовательских работ по теме:

«Разработка базовых серийных технологий изделий микроэлектроники: микроэлектронных устройств различных типов (усилителей на мощных полевых транзисторах, выполненных на основе наноструктур)».

Шифр «2010-ЭКБР-60-011»


1. Основание для проведения научно-исследовательской работы (НИР)

Решение конкурсной комиссии Роснауки по проведению открытого конкурса на право заключения государственных контрактов на выполнение научно-исследовательских работ в рамках федеральной целевой программы «Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники» на 2008-2015 годы (протокол от «___»_________ 2010 г. № ______).

Начало работ: ___________2010 г.

Окончание работ: 15 ноября 2011 г.


2. Исполнитель НИР:

(Указывается полное наименование исполнителя и город расположения)

2. Цель выполнения НИР
   

Разработка базовой технологии изготовления экспериментальных образцов мощных полевых транзисторов, выполненных по топологическим нормам от 0,15 мкм на основе разработки базовой технологии изготовления экспериментальных образцов современных наноструктур на основе арсенида галлия и его тройных соединений с модуляционным легированием донорами и акцепторами (далее - наноструктур).

Разработка базовой технологии изготовления экспериментальных образцов усилителей с выходной мощностью не менее 3 Вт в рабочем диапазоне частот 9 – 10 ГГц на основе экспериментальных образцов мощных полевых транзисторов.

4. Основные требования к выполнению НИР

4.1. Состав разрабатываемой научной и/или научно-технической продукции:

Результаты теоретических, экспериментальных исследований по разработке базовой технологии наноструктур, включая моделирование наноструктур и исходные требования к составу слоев и профилю легирования наноструктур.

Методика модуляционного легирования донорами и акцепторами наноструктур.

Образцы наноструктур в количестве не менее 2 штук и результаты их экспериментальных исследований, включая результаты измерений средней концентрации, средней подвижности электронов и профилей концентраций носителей заряда.

Результаты теоретических, экспериментальных исследований и моделирования по разработке базовой технологии изготовления экспериментальных образцов мощных полевых транзисторов и усилителей на их основе.

Экспериментальные образцы мощных полевых транзисторов в количестве не менее 10 штук и результаты их экспериментальных исследований.

Экспериментальные образцы усилителей в количестве не менее 5 штук и результаты их экспериментальных исследований.

Топологии экспериментальных образцов мощных полевых транзисторов на основе наноструктур и экспериментальных образцов усилителей на основе экспериментальных образцов мощных полевых транзисторов.

Технологические маршруты изготовления наноструктур, экспериментальных образцов мощных полевых транзисторов на основе наноструктур и экспериментальных образцов усилителей на основе экспериментальных образцов мощных полевых транзисторов.

Отчет о научно-исследовательской работе, содержащий, в том числе, обоснование развиваемого направления исследований, изложение разрабатываемых методов и методик проведения исследований, описание полученных результатов.


4.2. Требования по назначению научной и/или научно-технической продукции


Разрабатываемые мощные полевые транзисторы, выполненные на основе наноструктур и усилители на мощных полевых транзисторах, предназначены для обеспечения отечественных электронных систем беспроводного широкополосного доступа (телефония, цифровое телевидение, широкополосный Интернет) с рабочим диапазоном частот 9 – 10 ГГц и АФАР X – диапазона.


4.3. Основные технические характеристики


4.3.1. По результатам моделирования наноструктур:

• должны быть разработаны исходные оптимизированные требования к толщине слоев и профилю легирования;
  

• оптимизация профиля легирования, состава и толщины слоев должна быть проведена с учетом нелокального разогрева и переноса электронов в направлении, перпендикулярном плоскости наноструктуры;
  
• должна быть вычислена координатная зависимость положения дна зоны проводимости при равновесных условиях в направлении, перпендикулярном плоскости наноструктуры, соответствующая оптимальному составу слоев и профилю легирования;
  

4.3.2. Методика модуляционного легирования донорами и акцепторами наноструктур должна обеспечивать возможность проведения легирования слоев до величины объемной концентрации доноров, равной 8^.10¹⁸ см ^-3 и дельта – легирования слоев донорами и акцепторами до величины, равной 2^.10¹³ см^-2.

4.3.3. Наноструктуры должны иметь следующие параметры:

• должны быть изготовлены на основе арсенида галлия и его тройных соединений с модуляционным легированием донорами и акцепторами;
  
• величина относительной доли Ga, As, Al, In в составе каждого основного слоя, профиль легирования, состав и профиль легирования промежуточных и технологических слоев наноструктур должны обеспечивать возможность создания на их основе экспериментальных образцов мощных полевых транзисторов с набором параметров, приведенным в п. 4.3.4.
  

4.3.4. Экспериментальные образцы мощных полевых транзисторов:

• выходная мощность............................................................не менее 0,8 Вт/мм;
  
• длина затвора.............................................................................0,15 – 0,25 мкм;
  
• коэффициент усиления..............................не менее 10 дБ на частоте 10 ГГц;
  
• КПД..............................................................................................не менее 40 %;
  
• рабочее напряжение..............................................................................7 – 10 В.
  

4.3.5. Экспериментальные образцы усилителей на основе экспериментальных образцов мощных полевых транзисторов:

• рабочий диапазон частот................................................................. 9 – 10 ГГц;
  
• коэффициент усиления...............................не менее 7 - 8 ДБ на один каскад;
  
• выходная мощность.....................................................................не менее 3 Вт;
  
• КПД..........................................не менее 30% во всей полосе рабочих частот.
  

4.3.6. Топологии экспериментальных образцов, указанных в п.п. 4.3.4, 4.3.5, должны быть оформлены по ЕСКД.

4.3.7. Технологические маршруты изготовления экспериментальных образцов, указанных в п.п. 4.3.3, 4.3.4, 4.3.5, должны быть оформлены по ЕСТД.

4.3.8. Научно-исследовательская работа должна выполняться с использованием современной материально-технической базы и перспективных методик и методов исследований и обеспечивать получение актуальных научно-технических результатов.

Разработка базовых технологий изготовления экспериментальных образцов усилителей и мощных полевых транзисторов на основе современных наноструктур должна соответствовать современному уровню разработок в этой области, должна быть пригодна для реализации на технологиях производства полупроводниковых приборов и интегральных схем СВЧ - диапазона с топологическими нормами от 0,15 мкм на отечественной производственной базе.


5. Технико-экономические показатели

5.1. Основные технико-экономические требования

Применение разрабатываемых усилителей на мощных полевых транзисторах, выполненных на основе наноструктур с модуляционным легированием донорами и акцепторами должно обеспечить разработку новых типов полевых транзисторов, разработку новых типов монолитных интегральных схем СВЧ – диапазона на основе арсенида галлия и тройных соединений арсенида галлия класса «полупроводник на изолирующем слое», снижение себестоимости серийного производства мощных полевых транзисторов и транзисторных усилителей, увеличение выхода годных усилителей в экспериментальных партиях до величины не менее 50%, снижение себестоимости отечественных электронных систем.

Результаты работы должны обеспечить разработки и серийное производство мощных полевых транзисторов и усилителей базовыми технологиями, позволяющими увеличивать быстродействие, выходную мощность, коэффициент усиления, надежность и срок службы, снижать энергопотребление и уровень шумов, обеспечить возможность вывода российских производителей на лидирующие позиции по совокупности показателей «цена и качество», обеспечить возможность импортозамещения.

Полученные результаты и разработанные методы должны быть ориентированы на широкое применение в научно-исследовательских организациях и фирмах-производителях наукоемкой продукции и быть конкурентоспособными на мировом рынке.

По результатам научно-исследовательской работы должен быть разработан проект технического задания на опытно-конструкторскую работу по разработке усилителей на мощных полевых транзисторах, изготавливаемых на основе наноструктур с модуляционным легированием донорами и акцепторами.


6. Индикаторы и показатели

В процессе выполнения научно-исследовательской работы следует учитывать следующие значения программных индикаторов и показателей (Приводятся минимальные значения, участник размещения заказа вправе увеличить предлагаемые значения).

1. число завершенных проектов научно-исследовательских работ, которые могут быть переведены в стадию опытно-конструкторских работ с целью разработки конкурентоспособных технологий для последующей коммерциализации, в том числе
   

2010 г.– 0, 2011 г. – 1.

2. число публикаций в ведущих научных журналах, содержащих результаты интеллектуальной деятельности, полученные в рамках выполнения проекта, в том числе

2010 г.– 1, 2011 г. – 1.

3. число патентов (заявок на патенты) на результаты интеллектуальной деятельности, полученные в рамках выполнения проекта, в том числе

2010 г.– 0, 2011 г. – 1.

4. число разработанных нормативно-методических документов, в том числе

2010 г.– 0, 2011 г. – 1.

5. объем привлеченных внебюджетных средств, млн. рублей, в том числе

2010 г.– 0,5 2011 г. – 0,5.


7. Требования к патентной чистоте и патентоспособности

(Приводится перечень планируемых результатов и объектов интеллектуальной собственности, которым может быть предоставлена правовая охрана в соответствии со статьей 1225 ГК РФ.

Рекомендуемый классификатор наименований результатов приводится на сайте базы данных РНТД Федерального агентства по науке и инновациям: extech.ru/docs/recom_naimen_rez.php).

Патентные исследования должны быть проведены в соответствии с ГОСТ Р 15.011-96.


8. Перечень этапов и содержание основных работ по этапам

Наименование этапов, подробное содержание выполняемых работ, перечень документов, разрабатываемых на этапах выполнения работы, сроки исполнения и контрактная цена приводятся в Календарном плане (приложение 2 к государственному контракту) (при подготовке предложений рекомендуется распределять работы, выполняемые в течение календарного года, на два этапа).


9. Порядок сдачи-приемки результатов НИР

9.1. Сдача и приемка выполненных работ (этапов работ) осуществляется в порядке, установленном актами Роснауки.

9.2. Порядок сдачи-приемки результатов работы должен соответствовать:

- при приемке этапа НИР – требованиям подраздела 5.7 ГОСТ 15.101-98;

- при приемке НИР в целом – требованиям пунктов 5.8.1 – 5.8.6 того же стандарта.

9.3. Перечень отчетной документации, подлежащей оформлению и сдаче Исполнителем Заказчику на этапах выполнения работ, определяется актами Роснауки.

9.4. Отчетная научно-техническая документация должна представлять собой промежуточные и заключительный отчеты о НИР, оформленные в соответствии с ГОСТ 7.32-2001 «Система стандартов по информации, библиотечному и издательскому делу. Отчет о научно-исследовательской работе. Структура и правила оформления».

9.5 Отчетная документация представляется Заказчику или уполномоченной им организации на бумажном носителе в одном экземпляре и в электронном виде на оптическом носителе в одном экземпляре.

ПО ЛОТУ 9

Разделы 4,5.7,8 Технического задания могут быть дополнены
по усмотрению участника размещения заказа

ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ

на выполнение научно-исследовательских работ по теме:

«Разработка базовых серийных технологий изделий микроэлектроники: микроэлектронных устройств различных типов (преобразователя частота – напряжение на основе эффекта Джозефсона)»

Шифр «2010-ЭКБР-60-012»


1. Основание для проведения научно-исследовательской работы (НИР)


Решение конкурсной комиссии Роснауки по проведению открытого конкурса на право заключения государственных контрактов на выполнение научно-исследовательских работ в рамках федеральной целевой программы «Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники» на 2008-2015 годы (протокол от «___»_________ 2010 г. № ______).

Начало работ: ___________2010 г.

Окончание работ: 15 ноября 2011 г.


2. Исполнитель НИР:

(Указывается полное наименование исполнителя и город расположения)

2. Цель выполнения НИР
   

Исследование и разработка базовой технологии изготовления многослойной джозефсоновской гетероструктуры и джозефсоновских стеков на ее основе с применением проводящих прослоек и промежуточных сверхпроводящих электродов нанометровой толщины.

Создание на этой основе макета преобразователя частота – напряжение для джозефсоновского программируемого эталона напряжения и исследование его характеристик.


4. Основные требования к выполнению НИР

4.1. Состав разрабатываемой научной и/или научно-технической продукции:

Результаты научных и экспериментальных исследований по отработке современной технологии изготовления многослойной джозефсоновской гетероструктуры и джозефсоновских стеков на ее основе и создания сверхпроводникового преобразователя частота – напряжение (далее – ПЧН).

Маршрутная карта на технологию изготовления кристалла ПЧН с использованием технологического процесса формирования многослойной джозефсоновской гетероструктуры.

Лабораторные образцы кристаллов ПЧН (в количестве не менее 10 штук).

Макет ПЧН собранный на специализированной плате (в количестве не менее 3 штук).

Эскизная конструкторская документация на макет ПЧН на основе джозефсоновских стеков.

Методика измерения электрофизических характеристик макета ПЧН на основе джозефсоновских стеков.

Результаты исследования электрофизических характеристик макета ПЧН на основе джозефсоновских стеков.

Отчет научно-исследовательской работе, содержащий, в том числе, обоснование развиваемого направления исследований, изложение разрабатываемых методов и методик проведения исследований, описание полученных результатов.


4.2. Требования по назначению научной и/или научно-технической продукции

Разрабатываемые ПЧН предназначены для применения в современных эталонных установках воспроизведения единицы электрического напряжения с квантовой точностью (джозефсоновские эталоны напряжения постоянного тока и программируемые эталоны напряжения на 1 В и 10 В) и могут быть использованы в метрологических центрах, на предприятиях по выпуску радиоэлектронной аппаратуры и в радиокомплексах стационарного и мобильного базирования.


4.3. Основные технические характеристики

4.3.1 На всех этапах исследования и разработки должна использоваться современная отечественная научно-производственная и экспериментальная база.

4.3.2 Разрабатываемые базовая технология изготовления многослойной джозефсоновской гетероструктуры, кристалла и макета ПЧН должны соответствовать современному уровню разработок в этой области и обеспечить:

- максимальное использование технологических операций, применяемых в стандартных технологиях СПИС (сверхпроводниковые интегральные схемы), в процессе изготовления кристалла ПЧН;

- применение производственного сборочного оборудования и электронных компонентов современной микроэлектроники, при создании макета ПЧН;

- возможность применения требований стандартизации и унификации к разрабатываемому базовому технологическому процессу изготовления ПЧН.

4.3.3 Технологический процесс формирования многослойной джозефсоновской гетероструктуры S/N/S…/N/S (S – сверхпроводник, N – нормальный металл) и последующие операции должны проходить при температурах не выше 150 °С.

4.3.4 Базовая технология изготовления кристалла ПЧН должна обеспечивать получение следующих его основных параметров:

• толщина проводящей прослойки, нм ……………….……. 210;
  
• толщина промежуточного электрода, нм ……………..…. 1030;
  
• площадь джозефсоновских переходов, мкм² …..…не более 100;
  
• количество джозефсоновских переходов SNS типа в стеке .…2;
  
• размеры кристалла ПЧН,мм ……………………не более 10 х 20.
  

4.3.5. Конструкция кристалла ПЧН должна содержать:

• цепочку джозефсоновских стеков, включенных в щелевую линию;
  
• тонкопленочную СВЧ - антенну типа «fin-line», переходящую в щелевую линию;
  
• согласованную нагрузку на конце щелевой линии;
  
• двоичные отводы от цепочки.
  

4.3.6 Лабораторный образец кристалла ПЧН должен иметь конструкцию с параметрами, указанными в п.п. 4.3.4, 4.3.5 и металлические контактные площадки для ультразвуковой разварки на выводы специализированной платы.

4.3.7 Маршрутная карта на технологию изготовления кристалла ПЧН и эскизная конструкторская документация на макет ПЧН должны удовлетворять требованиям ЕСТД и ЕСКД, соответственно.

4.3.8 Макет ПЧН на основе джозефсоновских стеков должен иметь следующие характеристики:

- число джозефсоновских стеков в цепочке.……………………… 1024;

- плотность критического тока стека, А/см² ………………..... 10³  10⁴;

• разброс критических токов стеков в цепочке, % ……….... не более 20;
  
• характерное напряжение джозефсоновского перехода, мкВ …50  150;
  
• диапазон рабочих частот, ГГц ………………………..не менее 69  71;
  
• максимальное воспроизводимое напряжение, В …….…не менее 0,2;
  

- рабочая температура, К ……………………………………..…….. 4,2;

- габаритные размеры, мм ……………………….…. не более 40×20×3;

4.3.9 Научно-исследовательская работа должна выполняться с использованием современной материально-технической базы и перспективных методик и методов исследований и обеспечивать получение актуальных научно-технических результатов.

5. Технико-экономические показатели


5.1. Основные технико-экономические требования

Результаты работы должны обеспечить промышленное производство ПЧН, обладающих повышенной стойкостью к внешним воздействиям и конкурентной ценой на отечественном рынке микроэлектронных компонентов. Применение данных преобразователей должно привести к созданию перспективных современных эталонов воспроизведения единицы напряжения с квантовой точностью для обеспечения метрологических центров и промышленных предприятий, выпускающих высокоточную радиоэлектронную аппаратуру.

Полученные результаты и разработанные методы должны быть ориентированы на широкое применение в научно-исследовательских организациях и фирмах-производителях наукоемкой продукции и быть конкурентоспособными на мировом рынке.

По результатам научно-исследовательской работы должен быть разработан проект технического задания на опытно-конструкторскую работу по разработке конструкции и освоению производства джозефсоновских преобразователей частота – напряжение на 1 В и 10 В.


6. Индикаторы и показатели

В процессе выполнения научно-исследовательской работы следует учитывать следующие значения программных индикаторов и показателей (Приводятся минимальные значения, участник размещения заказа вправе увеличить предлагаемые значения).

1. число завершенных проектов научно-исследовательских работ, которые могут быть переведены в стадию опытно-конструкторских работ с целью разработки конкурентоспособных технологий для последующей коммерциализации, в том числе
   

2010 г.– 0, 2011 г. – 1.

2. число публикаций в ведущих научных журналах, содержащих результаты интеллектуальной деятельности, полученные в рамках выполнения проекта, в том числе

2010 г.– 1, 2011 г. – 1.

3. число патентов (заявок на патенты) на результаты интеллектуальной деятельности, полученные в рамках выполнения проекта, в том числе

2010 г.– 0, 2011 г. – 1.

4. число разработанных нормативно-методических документов, в том числе

2010 г.– 0, 2011 г. – 1.

5. объем привлеченных внебюджетных средств, млн. рублей, в том числе

2010 г.– 0,5 2011 г. – 0,5.


7. Требования к патентной чистоте и патентоспособности

(Приводится перечень планируемых результатов и объектов интеллектуальной собственности, которым может быть предоставлена правовая охрана в соответствии со статьей 1225 ГК РФ.

Рекомендуемый классификатор наименований результатов приводится на сайте базы данных РНТД Федерального агентства по науке и инновациям: extech.ru/docs/recom_naimen_rez.php).


Патентные исследования должны быть проведены в соответствии с ГОСТ Р 15.011-96.


8. Перечень этапов и содержание основных работ по этапам

Наименование этапов, подробное содержание выполняемых работ, перечень документов, разрабатываемых на этапах выполнения работы, сроки исполнения и контрактная цена приводятся в Календарном плане (приложение № 2 к государственному контракту) (при подготовке предложений рекомендуется распределять работы, выполняемые в течение календарного года, на два этапа).


9. Порядок сдачи-приемки результатов НИР

9.1. Сдача и приемка выполненных работ (этапов работ) осуществляется в порядке, установленном актами Роснауки.

9.2. Порядок сдачи-приемки результатов работы должен соответствовать:

- при приемке этапа НИР – требованиям подраздела 5.7 ГОСТ 15.101-98;

- при приемке НИР в целом – требованиям пунктов 5.8.1 – 5.8.6 того же стандарта.

9.3. Перечень отчетной документации, подлежащей оформлению и сдаче Исполнителем Заказчику на этапах выполнения работ, определяется актами Роснауки.

9.4. Отчетная научно-техническая документация должна представлять собой промежуточные и заключительный отчеты о НИР, оформленные в соответствии с ГОСТ 7.32-2001 «Система стандартов по информации, библиотечному и издательскому делу. Отчет о научно-исследовательской работе. Структура и правила оформления».

9.5 Отчетная документация представляется Заказчику или уполномоченной им организации на бумажном носителе в одном экземпляре и в электронном виде на оптическом носителе в одном экземпляре.

4. ПРОЕКТ ГОСУДАРСТВЕННОГО КОНТРАКТА

на выполнение работ с привлечением внебюджетных средств