А. В. Клименко 2010 г. Конкурс

Вид материала

Конкурс

Содержание Техническое задание 1. Основание для проведения научно-исследовательской работы (НИР) 2. Исполнитель НИР 4. Основные требования к выполнению НИР 4.2. Требования по назначению научной и/или научно-технической продукции 4.3. Основные технические характеристики 5. Технико-экономические показатели 6. Индикаторы и показатели 8. Перечень этапов и содержание основных работ по этапам 9. Порядок сдачи-приемки результатов НИР

Подобный материал:

• В. В. Клименко Клименко В. В. Оглавных климатических ритмах голоцена // Доклад, 412.85kb.
• Ліна Костенко Біобібліографічний покажчик укладач А. І. Мартинюк відповідальна за випуск, 296.71kb.
• А. В. Клименко конкурсная документация по проведению открытого конкурс, 1840.42kb.
• Конкурс для сми по экологии, 30.14kb.
• С. В. Никитин 22. 01. 2010 Утверждаю Мэр города Вышний Волочек О. А. Меньшиков >22., 2740.58kb.
• Конкурс педагогических идей "Методист-новатор-2010″ Конкурс, 117.58kb.
• В. Г. Клименко > Н. В. Петрова Оцінка якості води р. Харків, 866.58kb.
• И. о министра образования Н. Я. Карпушин 2010 года Положение о краевом конкурс, 46.41kb.
• Дистанционный конкурс «Я помню своих Героев» (проводился на сайте Wiki-Чувашия) 2009/2010, 35.25kb.
• Конкурс проводится в соответствии с Положением. Сроки проведения: 10 апреля 25 ноября, 41.81kb.

ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ

на выполнение научно-исследовательских работ по теме:

«Разработка базовых серийных технологий изделий микроэлектроники: сенсоров на основе магнито-электрических материалов»

Шифр «2010-ЭКБР-60-006»


1. Основание для проведения научно-исследовательской работы (НИР)


Решение конкурсной комиссии Роснауки по проведению открытого конкурса на право заключения государственных контрактов на выполнение научно-исследовательских работ в рамках федеральной целевой программы «Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники» на 2008-2015 годы (протокол от «___»_________ 2010 г. № ______).

Начало работ: ___________2010 г.

Окончание работ: 15 ноября 2011 г.


2. Исполнитель НИР:

(Указывается полное наименование исполнителя и город расположения)

3. Цель выполнения НИР
   

Исследование и разработка базовых технологий изготовления серии кристаллов микроэлектронных сенсоров магнитного поля на основе тонкопленочных магниторезистивных структур.

Изготовление на основе этой серии кристаллов макетов магниторезистивных преобразователей слабого магнитного поля и исследование их характеристик.


4. Основные требования к выполнению НИР

4.1. Состав разрабатываемой научной и/или научно-технической продукции:

Результаты научных и экспериментальных исследований по современным технологиям изготовления микроэлектронных сенсоров магнитного поля на основе тонкопленочных магниторезистивных структур (далее - МЭС).

Серия кристаллов МЭС, включающая мостовые схемы тонкопленочных магниторезисторов с четырьмя типовыми номиналами входных сопротивлений, рассчитанные на применение в двух диапазонах магнитного поля и с передаточными характеристиками двух видов – четной и нечетной.

Блок-схема базовых технологий изготовления серии кристаллов МЭС и маршрутные карты на каждый тип кристалла.

Лабораторные образцы кристаллов МЭС на основе тонкопленочных магниторезистивных структур в количестве не менее 20штук.

Макеты магниторезистивных преобразователей слабого магнитного поля на основе кристаллов МЭС в количестве не менее 4 штук.

Эскизная конструкторская документация на кристаллы МЭС.

Методика измерения характеристик макетов магниторезистивных преобразователей слабого магнитного поля.

Протоколы исследования характеристик макетов магниторезистивных преобразователей слабого магнитного поля.

Отчет по научно-исследовательской работе, содержащий, в том числе, обоснование развиваемого направления исследований, изложение разрабатываемых методов и методик проведения исследований, описание полученных результатов.


4.2. Требования по назначению научной и/или научно-технической продукции

Микроэлектронные сенсоры магнитного поля на основе тонкопленочных магниторезистивных структур предназначаются для применения в современных приборах диагностики, контроля и измерения слабых магнитных полей, например, магнитных полей в пространстве от миниатюрных магнитов и проводников с током, от дефектов и дислокаций в структуре ферромагнитных объектов, от металлических предметов в поле Земли.


4.3. Основные технические характеристики

4.3.1 На всех этапах исследования и разработки должна использоваться современная отечественная научно-производственная и экспериментальная база.

Разрабатываемые базовые технологии изготовления серии кристаллов МЭС и макеты преобразователей слабого магнитного поля должны соответствовать современному уровню разработок в этой области и обеспечить:

- максимальное использование технологических операций, применяемых в стандартных технологиях ИС и МЭМС;

- применение производственного оборудования и электронных компонентов современной микроэлектроники, при создании новой научно-технической продукции;

- возможность применения требований стандартизации и унификации к новой научно-технической продукции;

4.3.2 Базовые технологии изготовления серии кристаллов МЭС должны обеспечивать возможность получения следующих основных конструктивных параметров тонкопленочной магниторезистивной структуры:

• количество металлических слоев в тонкопленочной магниторезистивной структуре, шт…………………………… не менее 3;
  
• коэрцитивная сила тонкопленочной магниторезистивной структуры, Э …………………………………………………... не более 2,5;
  
• анизотропия тонкопленочной магниторезистивной структуры, Э …………………………………………………………………………. 5  15;
  
• 4.3.3 Лабораторные образцы кристаллов МЭС на основе тонкопленочных магниторезистивных структур, должны содержать мостовую схему и планарные катушки подмагничивания со следующими параметрами:
  
• количество типовых номиналов входного сопротивления мостовой схемы, шт……………………………………………………….. 4;
  
• диапазон сопротивлений мостовой схемы, Ом …......... 50010000;
  
• количество планарных катушек подмагничивания, шт………… 2;
  
• диапазон сопротивлений планарных катушек подмагничивания, Ом ……………………………………………………………..……… 5500;
  
• габаритные размеры, мм …………………………. не более 5×5×1.
  

4.3.4 Макеты преобразователей слабого магнитного поля должны иметь следующие характеристики:

• абсолютная чувствительность, В/Тл ……………….. не менее 50;
  
• частотный диапазон, МГц ……………………….…………… 03;
  
• напряжение питания, В ……………………………… не более 15;
  
• количество диапазонов работы по магнитному полю, шт……… 2;
  
• количество типов передаточной характеристики, шт…………... 2.
  

4.3.4 Маршрутная карта на технологию кристалла МЭС должна удовлетворять требованиям ЕСТД.

Научно-исследовательская работа должна выполняться с использованием современной материально-технической базы и перспективных методов исследований, на основе разработанных методик обеспечивать получение актуальных научно-технических результатов.

5. Технико-экономические показатели

5.1. Основные технико-экономические требования

Результаты работы в дальнейшем должны обеспечить серийное производство микроэлектронных магниторезистивных преобразователей слабого магнитного поля, обладающих миниатюрными размерами и конкурентной ценой на отечественном рынке микроэлектронных компонентов. Применение данных преобразователей магнитного поля в современных автоматизированных системах, системах навигации и управления, медицинском и транспортном оборудовании, приборах дефектоскопии позволит улучшить их функциональные и точностные параметры.

Полученные результаты и разработанные методы должны быть ориентированы на широкое применение в научно-исследовательских организациях и фирмах-производителях наукоемкой продукции и быть конкурентоспособными на мировом рынке.

По результатам научно-исследовательской работы должен быть разработан проект технического задания на опытно-конструкторскую работу по разработке оптимизированных конструкций и освоению их производства.


6. Индикаторы и показатели

В процессе выполнения научно-исследовательской работы следует учитывать следующие значения программных индикаторов и показателей (Приводятся минимальные значения, участник размещения заказа вправе увеличить предлагаемые значения).

1. число завершенных проектов научно-исследовательских работ, которые могут быть переведены в стадию опытно-конструкторских работ с целью разработки конкурентоспособных технологий для последующей коммерциализации, в том числе
   

2010 г.– 0, 2011 г. – 1.

2. число публикаций в ведущих научных журналах, содержащих результаты интеллектуальной деятельности, полученные в рамках выполнения проекта, в том числе

2010 г.– 1, 2011 г. – 1.

3. число патентов (заявок на патенты) на результаты интеллектуальной деятельности, полученные в рамках выполнения проекта, в том числе

2010 г.– 0, 2011 г. – 1.

4. число разработанных нормативно-методических документов, в том числе

2010 г.– 0, 2011 г. – 1.

5. объем привлеченных внебюджетных средств, млн. рублей, в том числе

2010 г.– 0,5 2011 г. – 0,5.


7. Требования к патентной чистоте и патентоспособности

(Приводится перечень планируемых результатов и объектов интеллектуальной собственности, которым может быть предоставлена правовая охрана в соответствии со статьей 1225 ГК РФ.

Рекомендуемый классификатор наименований результатов приводится на сайте базы данных РНТД Федерального агентства по науке и инновациям: extech.ru/docs/recom_naimen_rez.php).

Патентные исследования должны быть проведены в соответствии с ГОСТ Р 15.011-96.


8. Перечень этапов и содержание основных работ по этапам

Наименование этапов, содержание выполняемых работ, перечень документов, разрабатываемых на этапах выполнения работы, сроки исполнения и контрактная цена приводятся в Календарном плане (приложение 2 к государственному контракту) (при подготовке предложений рекомендуется распределять работы, выполняемые в течение календарного года, на два этапа).


9. Порядок сдачи-приемки результатов НИР

9.1. Сдача и приемка выполненных работ (этапов работ) осуществляется в порядке, установленном актами Роснауки.

9.2. Порядок сдачи-приемки результатов работы должен соответствовать:

- при приемке этапа НИР – требованиям подраздела 5.7 ГОСТ 15.101-98;

- при приемке НИР в целом – требованиям пунктов 5.8.1 – 5.8.6 того же стандарта.

9.3. Перечень отчетной документации, подлежащей оформлению и сдаче Исполнителем Заказчику на этапах выполнения работ, определяется актами Роснауки.

9.4. Отчетная научно-техническая документация должна представлять собой промежуточные и заключительный отчеты о НИР, оформленные в соответствии с ГОСТ 7.32-2001 «Система стандартов по информации, библиотечному и издательскому делу. Отчет о научно-исследовательской работе. Структура и правила оформления».

9.5 Отчетная документация представляется Заказчику или уполномоченной им организации на бумажном носителе в одном экземпляре и в электронном виде на оптическом носителе в одном экземпляре.

ПО ЛОТУ 4

Разделы 4,5,7,8 Технического задания могут быть дополнены
по усмотрению участника размещения заказа