Транзисторы биполярные

Вид материала

Документы

Содержание КТ899А/СО КТ899А1/СО (вывода под поверхностный монтаж) КТ899Б/СО

Подобный материал:

• Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет 3 зет (108 час), 49.28kb.
• Вопросы вступительных испытаний в магистратуру, 43kb.
• 3. Биполярные транзисторы, 241.52kb.
• 1. Какие требования предъявляются к транзисторам рэ в стабилизаторах с импульсивным, 463.58kb.
• «биполярные расстройства», 389.34kb.
• Мощные высокочастотные транзисторы, 2370.77kb.
• Лекция 14, 113.82kb.
• Номинальная мощность на нагрузке:, 46.39kb.
• 4. Полевые транзисторы, 184.54kb.
• Mosfet транзисторы в компактном корпусе для smd монтажа qfn3333 от компании nxp, 10.52kb.

Транзисторы биполярные

Наименование	Аналог	Технические параметры	Тип корпуса
КТД8264А КТД8264А1 (вывода под поверхностный монтаж) КТД8264А-5	BU931ZP/ BU941ZP КТ8225А КТ8232А КТ898А КТД8252А	UКэогр ≥350В (IК=0,1А); UКэнас ≥1,8В (IК=8А); UКэнас ≤2,2В (IК=10А); UКэнас ≤2,5В (IК=12А); h21 ≥300 (IК=5А)	КТ-43-1 TO-247
КТ899А/СО КТ899А1/СО (вывода под поверхностный монтаж) КТ899Б/СО		UКЭогр ≥150В (IК=0,4А); UКЭнас ≤1,3В (IК=5А, IБ=5мА); UБЭнас ≤2,1В, UБЭнас ≥0,6В (IК=5А, IБ=5мА), UПР≥0,6В, UПР≤2,5В(IПР=5А), IЭБО≤5А, IКЭО≤0,5А(UКЭ=160В) h21 ≥1000, h21 ≤20000 (IК=5А, UКЭ=5В)	КТ-28-1 TO-220
		UКЭогр ≥150В (IК=0,4А); UКЭнас ≤1,3В (IК=5А, IБ=5мА); UБЭнас ≤2,1В, UБЭнас ≥0,6В (IК=5А, IБ=5мА), UПР≥0,6В, UПР≤2,5В(IПР=5А), IЭБО≤5А, IКЭО≤0,5А(UКЭ=160В) h21 ≥20000, h21 ≤100000 (IК=5А, UКЭ=5В)

Бизнес карта Мордовии, Саранска, каталог предприятий Мордовии, Каталог предприятий Саранска.


По вопросам приобретения продукции: ссылка скрыта