Mosfet транзисторы в компактном корпусе для smd монтажа qfn3333 от компании nxp
| Вид материала | Документы |
- Новые микроконтроллеры серии lpc1100 с ядром Cortex-M0 компании nxp, 70.52kb.
- Реферат Интегральная, 452.33kb.
- Задание для студентов гр. Рс-91 по курсовому проектированию по дисциплине «Технология, 18.49kb.
- Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет 3 зет (108 час), 49.28kb.
- 1. Какие требования предъявляются к транзисторам рэ в стабилизаторах с импульсивным, 463.58kb.
- А также некоторых общих моментов проектирования плат с учетом требований монтажа, 140.47kb.
- Цифровое видео на pc *, 435.46kb.
- Инструкция по монтажу шинопроводов напряжением до 1000 в всн 363-76, 574.21kb.
- Инструкция по монтажу рольставен Рассмотрение монтажа рольставен можно разбить на несколько, 125.17kb.
- Специальное предложение для спонсоров, 46.81kb.
MOSFET транзисторы в компактном корпусе для SMD монтажа QFN3333 от компании NXP
Компания NXP Semiconductors анонсировала линейку MOSFET транзисторов в новом компактном корпусе для SMD монтажа QFN3333, размером всего 3,3х3,3х1 мм. Линейка транзисторов, включающая в себя 12 элементов, выполнена по технологии шестого поколения Trench 6 и обладают малым сопротивлением канала RDSon 3,6+ мОм и малым зарядом затвора QGD. Транзисторы рассчитаны на рабочие напряжения (VDS) 30-220 В, ток (ID) до 40 А и рабочий диапазон температур -50…150 °C. Комбинация технологии Trench 6 с компактным корпусом QFN3333 обеспечивают большую надежность транзисторов, позволяет уменьшить площадь печатной платы и расширить разработчикам границы применения.
Основные преимущества:
- высокая эффективность при применении в силовых схемах переключения благодаря низкому сопротивлению RDSon открытого канала, низкого заряда затвора QGD, и использованию новых технологий 6 поколения Trech 6
- высокая скорость переключения до 500 кГц
- маленький размер корпуса оптимален для применений в компактных устройствах
- высокие тепловые характеристики Rth(j-mb)
- уменьшенные пиковые значения при переключении
- нормированные лавинные параметры, протестированные на заводе-изготовителе, дающие гарантию высокой надежности
В таблице приведен краткий перечень и характеристики MOSFET транзисторов в корпусе QFN333:
