Строенная память является значительной и неотъемлемой частью системы на кристалле и ее исправность является обязательным условием корректности работы всего чипа
| Вид материала | Документы |
- Система на кристалле мцст-r500S, 101.82kb.
- Лабораторные работы, 281.72kb.
- Основы конституционного права китая, 732.42kb.
- Основной целью данной работы является раскрытие понятия «системы электронного документооборота»., 140.42kb.
- Публичный доклад директора школы, 209.72kb.
- Государственного Образовательного Стандарта основного общего образования по иностранным, 2916.62kb.
- Архитектура процессов и ее оптимизация, 98.67kb.
- Утверждены, 95.85kb.
- Курсовая работа, 474.78kb.
- Контрольная работа является неотъемлемой частью курса. Допуск к экзаменационному тесту, 176.23kb.
ОАО «ИНЭУМ им. И. С. Брука»
Тимин Леонид Сергеевич аспирант, магистр
тел: 8(499)135-70-79; e-mail: Leonid.S.Timin@mcst.ru
Подход к поведенческому моделированию неисправностей встроенной памяти системы на кристалле
Встроенная память является значительной и неотъемлемой частью системы на кристалле и ее исправность является обязательным условием корректности работы всего чипа. В то же время встроенная память чрезвычайно подвержена неисправностям, различным по своему происхождению и проявлению. Их возникновению способствуют и большая площадь, и жесткие режимы работы транзисторов, и большое их число. При переходе от одного поколения технологических процессов производства микросхем к более совершенному обретают статистическую значимость все новые типы неисправностей. Это привело к созданию различных механизмов диагностики и компенсации неисправностей и постоянно стимулирует их развитие, для чего необходимы средства моделирования неисправностей блоков встроенной памяти.
В докладе предлагается подход к поведенческому моделированию неисправных блоков встроенной памяти, основанный на применении транслируемого языка высокого уровня для описания функциональной модели неисправности. Сначала приводится описание программной модели обобщенной исправной памяти. Затем рассматривается построение функциональных моделей неисправностей. В итоге модель неисправной памяти строится путем внедрения модели неисправности в работу модели исправной памяти. Реализация приведенного подхода может работать автономно или в рамках симуляции описания устройства на языке описания аппаратуры.
Этот подход был применен к моделированию неисправной работы блока памяти, обусловленной жестким ионизирующим излучением. Рассмотрены различные типы неисправностей и проверена способность конкретного кода коррекции ошибок выявлять и исправлять их.
В результате показано, что предложенный подход к поведенческому моделированию неисправных блоков встроенной памяти охватывает широкий спектр неисправностей и может применяться при разработке и отладке механизмов диагностики и компенсации неисправностей блоков встроенной памяти.