Geum.ru

Для заданного полупроводникового диода

Вид материалаДокументы

Содержание


R к источнику постоянной ЭДС Е
Требования к работе
Подобный материал:

В курсовой работе предлагается:


Часть 1. Для заданного полупроводникового диода.

1. На одном листе построить графики ВАХ заданного диода и ВАХ идеального р-n-перехода при комнатной температуре с учетом материала полупроводника, приняв коэффициент m=1,5 для Ge и m=2,5 для Si.

2. Дать анализ причин различия построенных ВАХ.

3. Рассчитать и построить график сопротивления базы диода rб от тока на диоде. Построить уточненный график р-n-перехода с учетом этого сопротивления.

4. Построить графики зависимостей статических и дифференциальных сопротивлений и проводимостей прямой ветви ВАХ диода от прямого тока и прямого напряжения.

5. Определить параметры кусочно-линейной модели диода для больших прямых и обратных значений напряжения.

6. Для схемы с последовательным включением диода и резистора R к источнику постоянной ЭДС Е построить зависимости тока диода и напряжения на нем от Е для кусочно-линейной модели при постоянном сопротивлении резистора R≈10rдиф, пр и внутреннем сопротивлении источника ЭДС Ом, где N-номер варианта.

7. Построить зависимость тока через диод от величины сопротивления R при Е= –Uобр,макс и Е= Uпр,макс. Величину сопротивления менять от 0 до 100rдиф, пр . При необходимости график строить в логарифмическом масштабе по оси абсцисс.

8. Провести анализ работы диода в схеме простейшего выпрямителя без фильтра и с емкостным фильтром. Амплитуда гармонического напряжения на входе схемы составляет 0,5Uобр,макс. R=100*r(дифф,кр)

9. Выделить область ВАХ диода, где возможно использование квадратичной или кубичной модели. Определить параметры модели. Построить график ВАХ модели совместно с реальной ВАХ. Оценить возможность такой аппроксимации ВАХ диода.

10. Построить график тока диода, если к нему приложить напряжение . Смещение Есм и амплитуду Um выбрать в соответствии с определенной в пункте 9 области определения полиномиальной модели. С помощью аналитически определенной полиномиальной модели определить величину среднего значения и амплитуды гармонических составляющих тока диода.

Требования к работе

  1. Содержание работы излагается на листах формата А4 в рукописном виде.
  2. Первый (титульный) лист работы должен быть оформлен в соответствии с типовой формой (см. рис.1).
  3. Второй лист работы должен содержать задание, полученное учащимся для выполнения этой работы.
  4. Справочные данные по исследуемым полупроводниковым приборам должны быть представлены в виде ксероксной или фотографической копии справочных страниц.
  5. Работа должна содержать необходимые расчеты (с указанием исходных формул и подставляемых числовых значений) и пояснения к ним.
  6. Графики рекомендуется строить с координатной сеткой или на миллиметровой бумаге в масштабе, позволяющем легко определять значения величин в различных точках. Для каждого графика предварительно строится и представляется таблица данных.
  7. Каждый график должен сопровождаться пояснениями и выводами.
  8. Должны быть приведены оглавление и список литературы, использованной при выполнении работы.


Тип полупроводникового диода задан из справочника:

«Полупроводниковые приборы. Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы». Под общей редакцией Н.Н.Горюнова. М., 1982.

Шифр справочника в библиотеке МИЭМ: 621.382/П53.


Московский институт электроники и математики

(технический университет)


Кафедра радиоэлектроники


Пояснительная записка

к курсовой работе


по дисциплине

“Электротехника и электроника”

на тему

”Определение параметров моделей полупроводниковых диодов, транзисторов и интегральных аналоговых микросхем”


Вариант задания №


Выполнил: студент группы Р ___________


Преподаватель: доц. Андреевская Т.М.


“Оценка работы”_________________


“___”_______2006 г. Подпись преподавателя ____________


Москва, 2006г.

Рис. 1 Титульный лист работы



Задание на курсовую работу , ч.1, Полупроводниковый диод Группа Р-51


Балуев Дмитрий
Д2Б


Важнов Юрий
МД3


Воробьев Ал-р
Д104


Гуреев Павел
Д206


Данилов Виктор
1И401А


Журинова Галина
Д223А


Иванов Дмитрий
МД226А


Козлов Игорь
Д229А


Левкин Виталий
Д237А


Меликян Давид
2Д101А


Миронов Иван
1И308А


Михеев Костя
КД103А


Нечаев Алексей
КД105


Овсянников Сергей
2Д106А


Петраков Ал-р
29115А-1


Полищук Кирилл
2Д202Ж


Романцов Денис
2Д213Б


Савко Сергей
2Д217А


Смирнов Евгений
Д18


Соколова Валерия
Д219А


Соломаха Андрей
Д310


Стеблев Денис
Д312А


Сухов Ал-р
2ДМ502А-М


Теплышов Андрей
2Д510А


Тищенко Алексей
Д2Б


Фаткин Вячеслав
Д223


Фетисов Ал-р
Д237Б


Шаповалов Ал-р
ЗИ101А


Шаповалов Сергей
1И103А


Шерихов Алексей
3И201Б


Шустов Всеволод
1И304А













Задание на курсовую работу , ч.1, Полупроводниковый диод Группа РС52



Аншин Ал-р
Д2И


Бараненков Сергей
ДММ3


Барылов Игорь
Д106


Белик Глеб
Д210


Викторов Ал-р
ГИ401Б


Воробьев Алексей
Д223Б


Глубоков Алексей
МД226Е


Грач Евгений
Д229Б


Григорян Артем
Д237Б


Даценко Артем
2ДМ101А


Зимин Дмитрий
ГИ305Б


Коробов Ал-р
2Д104А


Костюков Ал-р
КД105В


Кравцов Сергей
ГД107Б


Кухтенкова Елена
2Д201А


Ларина Лидия
2Д212А


Левликов Максим
2Д216А


Мокрова Юлия
2Д219А


Никульников Евгений
Д20


Прилипко Евгений
Д220Б


Салостин Андрей
Д311Б


Сидоренко Анна
2Д502А


Смирнова Марина
2Д509А


Тихменев Ал-р
ГИ103А


Томин Владимир
1И308А


Ушаков Михаил
3И402А


Фирсов-Шибаев Денис
1И404Б





Д2Г





Д226





КД509А