Конкурсная документация
| Вид материала | Конкурс |
- Приказ №236-н от 30 июня 2011 года конкурсная документация по государственным закупкам, 852.08kb.
- Конкурсная документация по Vоткрытому конкурсу научно-практических работ студентов, 273.12kb.
- Конкурсная документация от 19 сентября, 169.87kb.
- Конкурсная документация по конкурсу на размещение муниципального заказа на поставку, 1246.14kb.
- Конкурсная документация, 4666.04kb.
- Конкурсная документация, 927.87kb.
- Конкурсная документация, 1096.3kb.
- Конкурсная документация, 821.24kb.
- Конкурсная документация, 2011.47kb.
- Конкурсная документация, 1870.93kb.
Подпрограмма "Развитие электронной компонентной базы" на 2007-2011 годы федеральной целевой программы «Национальная технологическая база» на 2007 – 2011 годы (утверждена Постановлением Правительства РФ от 29 января 2007 года № 54).
Объект исследования или разработки:
Многоспектральные ИК фотоприемные модули (ФПМ) на наногетероструктурах с квантовыми ямами.
Цели и задачи проекта
Целью проекта являются исследования и разработка организационно-технических мероприятий по созданию, изготовлению, испытаниям, отработке методов контроля надежности универсальных матричных многоспектральных ИК ФПМ на основе наногетероструктур с квантовыми ямами, предназначенных для использования в составе тепловизионной и пеленгационной аппаратуры различного назначения.
Исходные данные для проведения работы
В настоящее время разработке тепловизионной техники во всем мире уделяется особое внимание. В России в этой области на протяжении многих лет имеется существенное отставание от разработок мирового уровня. До недавнего времени при создании ФПМ использовались фотоприемники на основе HgCdTe. Такие фотоприемник очень дороги, чрезвычайно чувствительны к различным внешним воздействующим факторам и, как следствие, обладают весьма невысокой надежностью. В последнее время получили бурное развития фотоприемники на основе наногетероструктур с квантовыми ямами. В отличие от аналогов на основе узкозонных материалов типа HgCdTe указанные приборы изготавливаются по традиционным технологиям, обладают значительно более высокой стойкостью к внешним воздействующим факторам и при сопоставимых характеристиках имеют на порядок более низкую цену. Их разработка в России позволит ликвидировать отставание в данной области и обеспечит разработчиков тепловизионной аппаратуры современной элементной базой.
Содержание работы
В ходе работы должны быть исследованы и разработаны организационно-технические мероприятия по созданию, изготовлению, испытаниям, отработке методов контроля надежности ФПМ, что в свою очередь предполагает:
- разработку технологии создания фоточувствитеьных наногетероструктур (НГС);
- разработку технологии создания матричных фотоприемников (МФП) из НГС;
- разработку технологии сборки гибридных фоточувствительных схем (ГФС), содержащих МФП и кремниевый мультиплексор;
- разработку электронного блока управления ГФС;
- разработку методов измерений и испытаний ФПМ.
Основные требования к выполнению работы
Работа направлена на реализацию следующих характеристик ФПМ:
число элементов разложения изображения – 320х256;
шаг элементов в матрице – 30 мкм;
спектральные диапазоны чувствительности – 3-5 мкм, 8-12 мкм;
рабочая температура, не ниже – 60 К;
обнаружительная способность:
в диапазоне 3-5 мкм – 8х1010 Вт-1см Гц1/2;
в диапазоне 8-10 мкм - 2х1010 Вт-1см Гц1/2.
Перечень этапов, сроки выполнения этапов
Работа выполняется в три этапа:
1 этап. Подготовка предложений по разработке методов и организационно – технических мероприятий по созданию, измерениям, испытаниям и повышению надежности ФПМ. Проведение исследований по разработке базовых технологий создания ФПМ. (с момента заключения государственного контракта - декабрь 2007г.)
2 этап. Разработка и создание экспериментальных образцов ФПМ с использованием результатов исследований, полученных на 1 этапе НИР. (декабрь 2008г.)
3этап. Проведение измерений характеристик и испытаний экспериментальных образцов ФПМ. Подготовка научно – технического отчета. Приемка НИР. (декабрь 2009г.)
Основные (ожидаемые) результаты
В ходе выполнения работы должны быть разработаны экспериментальные образцы матричных ФПМ с повышенной надежностью, обладающие фоточувствительностью в спектральных диапазонах 3-5 мкм и 8-12 мкм, с числом элементов разложения изображения 320х 256. Перечень организационно-технических мероприятий по созданию методов контроля надежности ФПМ.
Перечень продукции, предоставляемой по окончанию работы (этапов работ)
По окончании работ поставляемой продукцией будут экспериментальные матричные ФПМ с протоколами измерения основных фотоэлектрических характеристик, эскизная конструкторская и технологическая документация, научно – технический отчет, содержащий, в том числе перечень организационно-технических мероприятий по созданию методов контроля надежности ФПМ.
Рекомендации по внедрению (краткая характеристика области применения).
Разрабатываемые ФПМ предназначены для использования в составе тепловизионной аппаратуры различного назначения. В области военной техники они будут использоваться в составе пеленгационных, обзорно- прицельных и разведывательных тепловизионных систем. В области гражданских задач следует выделить энергетику (контроль надежности энергоблоков), нефте-газовую промышленность (контроль транспортных магистралей), экологию (контроль окружающей среды, в том числе космический мониторинг), медицину (ранняя диагностика онкологических заболеваний), охранные системы (антитеррор), научные исследования.
10.10. ЛОТ № 10. Техническое задание на выполнение работы «Разработка организационно-технических мероприятий по анализу отказов изделий микроэлектроники с применением ультраразрешающих методов»
Шифр работы: ОПК-8-047
Основание для проведения работы
Подпрограмма "Развитие электронной компонентной базы" на 2007-2011 годы федеральной целевой программы «Национальная технологическая база» на 2007 – 2011 годы (утверждена Постановлением Правительства РФ от 29 января 2007 года № 54).
Объект разработки:
Руководящий материал (РМ) по анализа отказов изделий микроэлектроники, изготовленных по субмикронной технологии (до диапазона размеров 120 нанометров).
Цель и задачи
Развитие методической и технической базы лаборатории анализа отказов, обеспечивающей выполнение современных требований к качеству и надежности электронных компонентов с субмикронными проектными нормами. Разработка РМ по анализу отказов изделий.
Исходные данные для проведения работы
Существующий уровень технологического оснащения микроэлектронных предприятий Российской Федерации позволяет изготавливать интегральные микросхемы с проектными нормами до 1 мкм в серийном производстве и до 0.35 мкм в опытном производстве.
Для ускоренного развития высокотехнологичных отраслей промышленности необходимо развивать отечественное производство интегральных микросхем более высокой степени интеграции с проектными нормами нанометрового диапазона.
Для обеспечения надежности и качества интегральных микросхем нового уровня необходим оперативный и достоверный анализ причин отказов, в том числе отказов связанных с новыми физическими механизмами. При переходе к проектным нормам уровня 120 нанометров становятся существенными механизмы:
- туннельной деградации диэлектриков;
- эффекты горячих носителей;
- деградация полупроводниковых переходов;
- электромиграция в межсоединениях,
а также механизмы, связанные с загрязнениями, частицы которых имеют размеры менее 10 нанометров и ионными примесями малой концентрации.
Для анализа причин отказов требуется оборудование и методики с ультравысоким разрешением, позволяющие выявить дефекты, размер которых составляет несколько атомных слоев.
Содержание работы
Проведение исследования существующих вариантов организации анализа отказов изделий микроэлектроники с субмикронными топологическими размерами.
Обзор основных видов отказов, механизмов отказов, математических моделей отказов, зависимостей от технологических и эксплуатационных факторов.
Исследование современных методов локализации дефектов в интегральных микросхемах регулярной и нерегулярной логики, в схемах аналогового и смешанного сигнала с разрешающей способностью в субмикронной области.
Разработка требований к оборудованию с учетом необходимой разрешающей способности. Разработка требований к помещениям, энергоносителям и расходным материалам.
Разработка методик анализа. Выбор необходимого оборудования.
Опробование разработанных методов анализа с целью установления их эффективности.
Основные требования к выполнению работы
Должен быть разработан РМ по анализу отказов, содержащий комплект методик анализа ультраразрешающими методами, сформированы требования к составу оборудования, помещению, энергоносителям, расходным материалам, информативным параметрам отказов, персоналу.
Разрешение разработанных методов должно быть не хуже:
- электронная микроскопия растровая 1нм;
- электронная микроскопия просвечивающая (STEM) -0.8нм;
- система фокусированного ионного пучка 3 нм;
- ОЖЕ-спектроскопия 12нм;
- ионное микрозондирование 200нм.
Перечень этапов и сроки выполнения
| № этапа Наименование этапа, содержание работ этапа | Сроки выполнения | Результат (что предъявляется) |
| 1 этап. Исследования существующих вариантов анализа отказов. Обзор основных видов отказов, механизмов отказов, математических моделей, зависимостей отказов от технологических и эксплуатационных факторов. Исследование современных методов локализации дефектов в интегральных микросхемах, в том числе: электронная микроскопия (растровая и просвечивающая), применение системы фокусированного ионного пучка и рентгеновского микроанализа, метода наведенного тока, ОЖЕ-спектроскопия, - ионное микрозондирование | с момента заключения государственного контракта - декабрь 2007 г. | Технический отчет, содержащий исследованные варианты анализа отказов, обзор видов и механизмов отказов, математических моделей отказов, современных методов локализации дефектов. |
| 2 этап. Разработка требований к оборудованию, помещениям, энергоносителям и расходным материалам. Разработка методик анализа. Выбор необходимого оборудования. | декабрь 2008 г. | Технический отчет, содержащий требования к оборудованию, помещениям, энергоносителям и расходным материалам. Методики анализа. Перечень необходимого оборудования лаборатории анализа отказов. |
| 3 этап. Изготовление и испытание опытных образцов тестовых кристаллов для определения граничных значений характеристик надежности. Локализация отказов, проведение анализа причин отказов. Выпуск протоколов анализа. Разработка РМ по анализу отказов. | декабрь 2009 г. | Научно-технический отчет. РМ по анализу отказов. Методики анализа. Опытные образцы исследованных и испытанных тестовых кристаллов. Протоколы анализа отказов. Атлас отказов. |
Основные ожидаемые результаты
РМ с комплектом методик по анализу отказов ультраразрешающими методами, сформированные требования к составу оборудования, помещениям, персоналу, расходным материалам, информативным параметрам отказов. Подтверждение эффективности разработанных методов.
Перечень научно-технической продукции, предъявляемой по окончанию работы:
РМ по анализу отказов интегральных микросхем, изготовленных по технологии уровня 120 нанометров, включающий:
-типовой маршрут анализа отказов;
-методики локализации отказов;
-методики анализа типовых отказов.
-перечень видов и механизмов отказов;
-типовой состав оборудования;
-технические характеристики оборудования; а также:
-требования к помещениям и типовую планировку;
-требования к персоналу;
-требования к энергоносителям и расходным материалам;
Опытные образцы тестовых схем для исследования типовых видов отказов
Протоколы проведения граничных испытаний опытных образцов
Протоколы анализа отказов опытных образцов с применением разработанных ультраразрешающих методов
Научно-технический отчет
Рекомендации по внедрению
Результаты настоящей работы рекомендуется внедрить на отечественных микроэлектронных предприятиях, осваивающих технологию уровня 120 нанометров, с уровнем интеграции не ниже 9.
10.11. ЛОТ № 11. Техническое задание на выполнение работы «Исследование и разработка современных методов анализа отказов и основополагающих документов по обеспечению качества и надежности ЭКБ на всех этапах жизненного цикла изделий»
Шифр работы: ОПК-8-048
Основание для проведения работы