Конкурсная документация
| Вид материала | Конкурс |
- Приказ №236-н от 30 июня 2011 года конкурсная документация по государственным закупкам, 852.08kb.
- Конкурсная документация по Vоткрытому конкурсу научно-практических работ студентов, 273.12kb.
- Конкурсная документация от 19 сентября, 169.87kb.
- Конкурсная документация по конкурсу на размещение муниципального заказа на поставку, 1246.14kb.
- Конкурсная документация, 4666.04kb.
- Конкурсная документация, 927.87kb.
- Конкурсная документация, 1096.3kb.
- Конкурсная документация, 821.24kb.
- Конкурсная документация, 2011.47kb.
- Конкурсная документация, 1870.93kb.
Подпрограмма "Развитие электронной компонентной базы" на 2007-2011 годы федеральной целевой программы «Национальная технологическая база» на 2007 – 2011 годы (утверждена Постановлением Правительства РФ от 29 января 2007 г. № 54).
Объект исследования.
Методы электронно-микроскопического контроля для микросхем с проектными нормами 0,25–0,18 мкм (измерения линейных размеров, дефектности пластин, толщин слоёв металлизации.)
Цели и задачи проекта.
Целью выполнения проекта является исследование и разработка комплекса электронно-микроскопических методов неразрушающего контроля элементов СБИС.
Исходные данные для проведения работы.
Реализация в России проектов по созданию новых микроэлектронных производств и освоению в серийном производстве СБИС с проектными нормами 0,25–0,18 мкм.
Содержание работы.
Исследование методов электронно-микроскопического контроля элементов СБИС и качества технологических процессов в процессах разработки технологий с проектными нормами 0,25 – 0,18 – 0,13 мкм.
Разработка методологии применения электронно-микроскопических методов для:
- измерений линейных размеров;
- исследования поперечной структуры СБИС;
- контроля состава случайных микродефектов на всех этапах создания СБИС;
- исследования активной структуры и слоёв металлизации с помощью электронно-ионного растрового электронного микроскопа.
Выполнение экспериментальных работ по исследованию применимости разработанных методов на стадии разработки и серийного производства СБИС.
Основные требования к выполнению работы
В ходе работы должны быть исследованы:
- Методики для контроля технологических процессов и элементов СБИС на предмет воспроизводимости характеристик (линейные размеры, структура, состав, толщины слоёв).
В ходе работы должны быть разработаны:
- Методики электронно-микроскопического измерения линейных размеров элементов топологии СБИС;
- Методики исследования сечений пластин методом электронно-ионной микроскопии;
- Методики контроля состава микродефектов с помощью электронно-микроскопических методов;
Перечень этапов, сроки выполнения этапов.
| № этапа Наименование этапа и содержание работ этапа | Сроки выполнения | Результат (Что предъявляется) |
| 1. Изучение научно-технической информации о состоянии аналогичных разработок в РФ и за рубежом. Выполнение экспериментальных исследований на имеющемся в РФ оборудовании. | с момента заключения государственного контракта - сентябрь 2007 г. | Выбор оборудования для электронной микроскопии. Отчёт об аналогичных разработок в РФ и за рубежом. |
| 2. Разработка электронно-микроскопических методов для измерения линейных размеров элементов СБИС. Выполнение экспериментальных исследований образцов СБИС с проектными нормами 0,25 мкм | декабрь 2007 г. | Методика измерения линейных размеров. Протокол исследований образцов. |
| 3. Разработка электронно-микроскопических методов для контроля состава микродефектов. Выполнение экспериментальных исследований образцов СБИС с проектными нормами 0,18 мкм | декабрь 2008 | Методика контроля состава микродефектов. Протокол исследований образцов. |
| 4. Разработка методов исследования сечений пластин методом электронно-ионной микроскопии. Выполнение комплексных экспериментальных исследований образцов СБИС с проектными нормами 0,13 мкм | декабрь 2009 г. | Методика электронно-ионной микроскопии для исследования сечений пластин. Протоколы исследований образцов. Научно-технический отчет. |
Основные (ожидаемые) результаты работы в целом:
Применение разработанных методик для контроля качества в производстве СБИС с проектными нормами 0,25 – 0,13 мкм.
Применение разработанных методик для исследования элементной базы в процессе разработки новых технологий и СБИС с проектными нормами 0,25 – 0,13 мкм.
Перечень продукции, представляемой по окончанию работы:
Результаты исследований и разработанные методы электронно-микроскопического неразрушающего контроля пластин в процессе производства СБИС с проектными нормами 0,25 – 0,13 мкм;
Результаты исследований и разработанные методы электронно-микроскопического неразрушающего контроля элементной базы СБИС в процессе разработки и освоения технологий с проектными нормами 0,25 – 0,13 мкм;
Научно-технический отчёт, включающий обоснование выбора оборудования для контроля, методики анализа и протоколы измерений линейных размеров, дефектности пластин по всем слоям (от подложки до пассивирующего диэлектрика, структуры многослойной металлизации.
Рекомендации по внедрению (краткая характеристика области применения)
Областью применения являются отечественные производственные линии изготовления микросхем с проектными нормами 0,18 – 0,25 мкм.
10.9. ЛОТ № 9. Техническое задание на выполнение работы «Проведение исследований, разработка организационно-технических мероприятий по созданию, изготовлению, испытаниям, отработке методов контроля надежности универсальных матричных многоспектральных фотоприемных модулей на основе наногетероструктур с квантовыми ямами»
Шифр работы: ОПК-8-046
Основание для проведения работы