Программа регламент проведения школы-семинара Москва Издательство мгту им. Н. Э. Баумана 2011

Вид материала

Содержание

Подобный материал:

Издание осуществлено при поддержке Российского фонда
фундаментальных исследований по проекту 11-08-06087-г

и Министерства развития информационного
общества и инноваций Калужской области

НАНОИНЖЕНЕРИЯ-2011

Четвертая Всероссийская школа-семинар
студентов, аспирантов и молодых ученых
по направлению «Наноинженерия»

30 ноября, 1, 2 декабря 2011 года,
Калуга–Москва

ПРОГРАММА

Регламент проведения школы-семинара

Москва

Издательство МГТУ им. Н. Э. Баумана

2011

Рабочие органы школы-семинара

Организаторы школы-семинара

Министерство образования и науки РФ

Российский фонд фундаментальных исследований

Министерство развития информационного общества и инноваций Калужской области

Общественный Совет по нанотехнологиям

Московский государственный технический университет имени Н. Э. Баумана

Калужский филиал МГТУ имени Н. Э. Баумана

Калужской государственный университет имени К. Э. Циолковского

Центр инноваций и молодежного предпринимательства
МГТУ имени Н. Э. Баумана

Инновационный технологический центр «МГТУ Система»

ЗАО «Технологические системы»

ЗАО «Нанотехнологические системы»

Руководители школы-семинара:

Федоров И. Б. (президент МГТУ им. Н. Э. Баумана)

Шахнов В. А. (зав. кафедрой МГТУ им. Н. Э. Баумана)

Столяров А. А. (зам. директора по научной работе Калужского филиала МГТУ имени Н. Э. Баумана)

Тематика школы-семинара

Наноинженерия
Нанобиоинженерия
Наноэлектроника
Нанооптика и нанофотоника
Физические процессы в наноразмерных элементах микро- и наноэлектроники
САПР наносистем
Микро- и наносистемная техника
Диагностика, испытания и сертификация в наноинженерии
Информационные технологии в наноинженерии

Оргкомитет Четвертой Всероссийской школы-семинара
студентов, аспирантов и молодых ученых
по направлению «НАНОИНЖЕНЕРИЯ»

Федоров И. Б.	председатель, академик РАН, президент МГТУ им. Н. Э. Баумана
Шахнов В. А.	сопредседатель, член-корреспондент РАН, профессор, зав. кафедрой МГТУ им. Н. Э. Баумана
Столяров А. А.	сопредседатель, заместитель директора по научной работе Калужского филиала МГТУ им. Н. Э. Баумана, профессор
Нарайкин О. С.	сопредседатель, член-корреспондент РАН, профессор, первый заместитель директора РНЦ «Курчатовский институт» по научной работе
Царьков А. В.	зам. председателя, директор Калужского филиала МГТУ им. Н. Э. Баумана, профессор
Панфилов Ю. В.	профессор, зав. кафедрой МГТУ им. Н. Э. Баумана
Андреев В. В.	профессор Калужского филиала МГТУ им. Н. Э. Баумана
Власов А. И.	руководитель ИТЦ «МГТУ Система», доцент
Никифоров К. Г.	профессор Калужского Государственного университета им. К. Э. Циолковского
Вихров С. П.	профессор, зав. кафедрой Рязанского государственного радиотехнического университета
Коржавый А. П.	председатель научно-технического совета Калужской области «Нанотехнологии в радиоэлектронике, приборо- и машиностроении для предприятий малого и среднего бизнеса», профессор
Жучков И. И.	начальник отдела развития инфраструктуры Министерства развития информационного общества и инноваций Калужской области
Мороз О. В.	ведущий эксперт отдела развития инфраструктуры Министерства развития информационного общества и инноваций Калужской области
Масловский В. М.	ведущий научный сотрудник ГУП Научно-производственный центр «Спурт», Зеленоград, профессор
Лебедев В. В.	начальник отдела научного и инновационного развития и выставок Калужского филиала МГТУ им. Н. Э. Баумана

Экспертная комиссия

Председатель экспертной комиссии: Андреев В. В., профессор, д-р техн. наук

Ученый секретарь экспертной комиссии: Лебедев В. В., начальник отдела научного и инновационного развития и выставок

Информационные партнеры

www.popnano.ru

www.nanojournal.ru

www.nanometer.ru

f.ru/

Регламент проведения
Четвертой Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов
и молодых ученых по направлению «НАНОИНЖЕНЕРИЯ»

30 ноября 2011	(среда)
10.00–12.00	Регистрация участников школы-семинара, размещение в гостинице	фойе актового зала
11.00–12.00	Обед участников школы-семинара	столовая, 1 этаж
12.00–15.00	Торжественное открытие школы-семинара, пленарное заседание	актовый зал
15.00–16.00	Стендовые доклады	фойе актового зала
16.00–16.30	Кофейный перерыв	столовая, 1 этаж
16.30–18.00	Заседания секций	по расписанию
1 декабря 2011	(четверг)
10.00–11.30	Мастер класс «Инжекционные и радиационные методы модификации наноразмерных диэлектрических пленок МДП-структур»	ученый совет
11.30–11.45	Кофейный перерыв
11.45–13.00	Мастер класс «Основы зондовой микроскопии наноструктур»	ученый совет
13.00–14.00	Обед участников школы-семинара	столовая, 1 этаж
14.00–18.00	Заседания секций	по расписанию
2 декабря 2011	(пятница)
10.00–11.30	Заседания секций	по расписанию
11.30–13.00	Закрытие школы семинара	ученый совет
13.00–14.00	Обед участников школы-семинара	столовая, 1 этаж
14.00–17.00	Культурная программа

Порядок проведения пленарного заседания

30 ноября 2011 г.

12.00–15.00

ПЛЕНАРНОЕ ЗАСЕДАНИЕ, АКТОВЫЙ ЗАЛ

Открытие школы-семинара.

Выступление директора КФ МГТУ им. Н. Э. Баумана,

профессора Царькова А. В.

Зав. кафедрой МГТУ им. Н. Э. Баумана, член-корреспондент РАН,

профессор Шахнов В. А.

«Перспективы развития Наноинженерии в МГТУ им. Н. Э. Баумана»
и реализация образовательных программ по данному направлению.

Начальник отдела развития инфраструктуры управления инноваций
и предпринимательства Министерства развития информационного
общества и инноваций Калужской области,

к.т.н. Жучков И. И.

«Государственная поддержка инновационной деятельности
в Калужской области».

Председатель научно-технического совета Калужской области
«Нанотехнологии в радиоэлектронике, приборо- и машиностроении
для предприятий малого и среднего бизнеса»,
профессор Коржавый А. П.

«Некоторые аспекты применения наноинженерии в технологиях
отечественной электронной компонентной базы».

Зав. кафедрой КФ МГТУ им. Н. Э. Баумана,
профессор Косушкин В. Г.

«Наноинженерия – от идеи до проекта и реализации».

Профессор КГУ им. К. Э. Циолковского,
Никифоров К. Г.

«Нанофизика, наноматериалы, нанотехнологии: вчера и сегодня».

www.popnano.ru

ссылка скрыта

www.nanometer.ru

f.ru/

Порядок проведения мастер-классов

1 декабря 2011 г.

10.00–11.30

Мастер-класс «Инжекционные и радиационные методы модификации
наноразмерных диэлектрических пленок МДП-структур» –
профессор МГТУ им. Н. Э. Баумана Андреев В. В.

Ученый совет

№	Наименование мастер-класса	Ведущий	Краткое описание
1	Инжекционные и плазменные методы модификации наноразмерных диэлектрических пленок МДП-приборов	Андреев В. В., профессор, д.т.н.	Мастер-класс направлен на ознакомление студентов, аспирантов, и молодых ученых с основами применения инжекционных и радиационных методов модификации наноразмерных диэлектрических пленок полупроводниковых приборов и интегральных микросхем на основе структур металл–диэлектрик–полупроводник (специализация: наноэлектроника), их возможностями и перспективами развития. Его цель – сформировать и расширить у участников работы школы-семинара представление о физических принципах, лежащих в основе разработанных к настоящему времени инжекционных и радиационных методов модификации наноразмерных диэлектрических слоев в структурах металл–диэлектрик–полупроводник, особенностях их использования в производстве МДП полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, применяемых аппаратных средств, а также их электрических характеристиках, возможностях и ограничениях в применении; дать участникам школы-семинара сведения об основах нанотехнологий, связанных с модификацией диэлектрических пленок.

1 декабря 2011 г.

11.45–13.00

Мастер-класс «Основы зондовой микроскопии наноструктур» –

профессор МГТУ им. Н. Э. Баумана Шагаев В. В.

Ученый совет

№	Наименование мастер-класса	Ведущий	Краткое описание
2	Основы зондовой микроскопии наноструктур	Шагаев В. В., профессор, д.ф.-м.н.	Мастер-класс направлен на ознакомление участников школы-семинара с зондовыми методами исследования морфологии и физических свойств наноструктур, формируемых на поверхности твердого тела. Его цель – получение участниками знаний о зондовых методах исследования рельефа поверхности и ее локальных свойств с высоким пространственным разрешением; ознакомление с конструкцией и принципами работы сканирующего зондового микроскопа; получение навыков проведения измерений на зондовом микроскопе. В ходе проведения мастер-класса слушатели изучают программу управления сканирующего зондового микроскопа, режим получения и режим обработки данных, работу в режиме сканирующего силового микроскопа (ССМ). Получение СЗМ изображения в режиме ССМ – установка образца, установка зонда (зондового датчика), позиционирование зонда относительно образца – выбор места сканирования, первоначальный подвод зонда к образцу, сближение, поиск резонанса и установление рабочей частоты, вход в обратную связь. Выбор параметров скана – критерии выбора размера скана, числа точек на линии и линий в скане, скорости сканирования, параметры цепи обратной связи, получение СЗМ изображения.

ПРОГРАММА СекционныХ заседаниЙ

Секция 1 «Нанотехнологии»

Руководитель секции — проф. Шагаев В. В.

Природа гигантского магнитного момента
в Al-Mn квазикристаллах

П. В. Бочаров (Московский государственный технический
университет имени Н. Э. Баумана, Калужский филиал)

Разработка и исследование полимерных наномембран
для ультрафильтрации вторичного молочного сырья

Л. Н. Потехина (Энгельсский технологический институт (филиал)
Саратовского государственного технического университета)

Интеркаляция полифторированных спиртов-теломеров
во внутрислоевые наногалереи монтмориллонита
для получения новых антифрикционных наноматериалов

О. А. Барковская (Волгоградский государственный технический
университет)

Параметры размола и размер частиц нанопорошков

Е. В. Бурякова (Московский государственный технический
университет имени Н. Э. Баумана, Калужский филиал)

Механическое поведение пористого нанокристаллического каркаса

Д. М. Беспалов, А. А. Ивашев (Московский государственный
технический университет имени Н. Э. Баумана, Калужский филиал)

Повышение адгезионной стойкости зондов атомно-силового микроскопа

С. А. Билоконь (Черкасский государственный технологический
университет)

Физико-технологические особенности формирования
плазмонапыленных наноструктурированных покрытий

А. А. Фомин, А. Б. Штейнгауэр, С. В. Телегин (ФГБОУ ВПО
«Саратовский государственный технический университет
имени Ю. А. Гагарина»)

Методы нанесения барьерно-коммутационных покрытий
для полупроводниковых структур теллурида висмута Bi₂Te₃термоэлектрических модулей

Е. Н. Тушенцова (Московский государственный технический
университет имени Н. Э. Баумана)

Оборудование и технология напыления биоактивных
наноструктурированных покрытий в производстве
дентальных имплантатов

А. А. Фомин, А. Б. Штейнгауэр, С. А. Мезенцов (ФГБОУ ВПО
«Саратовский государственный технический университет
имени Ю. А. Гагарина»)

Применение люминесцентного зонда пирена для исследования
взаимодействия экотоксикантов с белками

А. Ф. Серикова (ФГБОУ ВПО «Саратовский государственный
технический университет имени Ю. А. Гагарина»)

Диагностика углеродных нанотрубок, модифицированных
полианилином

В. Н. Дружинина, Е. Ю. Филатова (Тамбовский государственный
технический университет)

Фотометрическое исследование растворителя грунтовки ГФ-021,
модифицированного углеродным наноматериалом «Таунит М»

В. А. Коньшин, Е. Ю. Филатова (Тамбовский государственный
технический университет)

Система виброизоляции для нанопрецизионного оборудования

К. Г. Шаков, А. С. Селиваненко (Московский государственный
технический университет имени Н. Э. Баумана)

Секция 2 «Наноэлектроника»

Руководитель секции — проф. Столяров А. А.

Особенности техники извлечения ценного металлического сырья
в виде наночастиц из промышленных отходов

Е. С. Белов, В. В. Челенко (Московский государственный
технический университет имени Н. Э. Баумана, Калужский филиал)

Термокомпенсация термоанемометрического расходомера
воздуха

А. А. Дубельщиков (Московский государственный технический
университет имени Н. Э. Баумана, Калужский филиал)

Эколого-технические аспекты применения наночастиц
в технологиях пайки и герметизации микросхем
и электронных модулей

И. В. Белова (Московский государственный технический
университет имени Н. Э. Баумана, Калужский филиал)

Методы получения и исследования композиционных
электродов с наноразмерными кристаллическими звеньями

Н. И. Пчелинцева (Московский государственный технический
университет имени Н. Э. Баумана, Калужский филиал)

Разработка ёмкостного сенсорного экрана в устройствах
мобильной связи широкого применения

Д. С. Терентьев (Московский государственный технический
университет имени Н. Э. Баумана)

Влияние намагниченности дельта-слоя марганца на поляризацию
фотолюминесценции квантовой ямы GaAs\InGaAs\GaAs
в гетероструктурах InGaAs\GaAs\delta

А. Д. Таланцев (Институт проблем химической физики
Российской Академии Наук)

Диаметр ультрафиолетового излучения

А. Ю. Тришин, А. С. Созыкин (Московский государственный технический университет имени Н. Э. Баумана, Калужский филиал)

Установка измерения вольт-амперных характеристик
МДП-транзисторов
И. В. Соловьев, Д. С. Васютин (Московский государственный
технический университет имени Н. Э. Баумана, Калужский филиал)

Установка контроля и модификации наноразмерных
диэлектрических слоев

В. Г. Дмитриев (Московский государственный технический
университет имени Н. Э. Баумана, Калужский филиал)

Исследование инжекционно-термической обработки
наноразмерных диэлектрических слоев

Н. В. Бузунов, В. А. Сеничкин (Московский государственный
технический университет им. Н. Э. Баумана, Калужский филиал)

Времяпролетная методика для исследования
наноструктурированных полупроводниковых структур

Д. В. Алмазов (Рязанский государственный радиотехнический
университет)

Исследование разрывов зон в полупроводниковых
наноструктурах с квантовыми ямами методом
спектроскопии НЧ-шумов

Н. Б. Рыбин, В. Г. Литвинов, С. В. Ермачихин (Рязанский
государственный радиотехнический университет)

Преобразователь ток–напряжение с компенсацией
токов утечки для РГСУ-спектрометра

С. С. Балаганский (Рязанский государственный радиотехнический
университет)

Влияния электронного облучения на зарядовое состояние наноразмерных диэлектрических пленок МДП-структур

М. С. Васютин, А. В. Романов (Московский государственный
технический университет им. Н. Э. Баумана, Калужский филиал)

Генерация и релаксация положительного заряда
в наноразмерных плёнках МДП-структур в сильных
электрических полях

Д. С. Васютин, И. В. Соловьев (Московский государственный
технический университет им. Н. Э. Баумана, Калужский филиал)

Деградация МДП-структур с наноразмерными
диэлектрическими слоями в сильных электрических полях

В. Е. Драч, В. Г. Дмитриев, А. А. Щербаков (Московский
государственный технический университет им. Н. Э. Баумана,
Калужский филиал)

Влияние плазменных воздействий на структуру
и оптические свойства наноразмерных пленок сапфира

П. В. Горшков, И. В. Боровицкая, Л. И. Иванов, В. Н. Колокольцев

(Институт металлургии и материаловедения
им. А. А. Байкова РАН)

Исследование воздействия плазменных импульсных потоков
на сверхпроводящие свойства лент Bi-2223

Я. А. Дорофеев, В. Н. Колокольцев, И. В. Боровицкая,

Л. И. Иванов, Б. П. Михайлов, А. И. Гайдар (Институт
металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова РАН)

Использование МДП-структур с термической SiO₂,
легированной фосфором, для создания приборов
с программируемыми параметрами

С. И. Коротков, А. В. Романов (Московский государственный
технический университет им. Н. Э. Баумана, Калужский филиал)

Повышение надежности наноразмерных диэлектрических
пленок МДП-структур и приборов на их основе

А. М. Михальков (Московский государственный технический
университет им. Н. Э. Баумана, Калужский филиал)

Исследование влияния электронного облучения
на МДП-структуры с термическими пленками
SiO₂ и SiO₂-фосфорно-силикатное стекло

А. Л. Ткаченко, Д. В. Андреев, А. А. Щербаков (Московский
государственный технический университет им. Н. Э. Баумана,
Калужский филиал)

Исследование влияния электронного облучения
на инжекционно-индуцированный заряд МДП-структур

А. Л. Ткаченко, С. И. Коротков, Н. В. Бузунов (Московский
государственный технический университет им. Н. Э. Баумана,
Калужский филиал)

Автоматизированная установка для исследования
МДП-структур с наноразмерным диэлектриком

А. Н. Щербаков, М. С. Васютин (Московский государственный
технический университет им. Н. Э. Баумана, Калужский филиал)

Секция 3 «САПР наносистем»
Руководитель секции — проф. Масловский В. М.

Разработка программного обеспечения для многомасштабного
иерархического моделирования микрооптоэлектромеханических
систем

И. А. Косолапов (Московский государственный технический
университет имени Н. Э. Баумана)

Разработка высокопроизводительных алгоритмов
трансформации топологии СБИС для технологии
двойного шаблона

В. А. Верстов (Московский государственный технический
университет имени Н. Э. Баумана)

Возможности моделирования полупроводниковых приборов
в программе TCAD

А. А. Паршина (Московский государственный технический
университет им. Н. Э. Баумана)

Применение 3D стерео для визуализации наноструктур

А. Г. Кишиневский (Московский государственный технический
университет им. Н. Э. Баумана)

Представление топологии СБИС на основе абстрактной
диаграммы Вороного

А. В. Ященко (Московский государственный технический
университет им. Н. Э. Баумана)

Модели и методы синтеза мембранных датчиков давления
на основе НиМЭМС

К. А. Андреев (Московский государственный технический
университет имени Н. Э. Баумана)

Секция 4 «Информационно-коммуникационные
технологии в наноинженерии»
Руководитель секции — проф. Андреев В. В.

Наноинженерия в действии

П. А. Кравчук, Д. С. Гусаков (Московский государственный
технический университет имени Н. Э. Баумана, Калужский филиал)

Новый способ расчета поправки на поглощении
рентгеновского характеристического излучения
в рентгеноспектральном микроанализе

Е. В. Широкова (ФГБОУ ВПО «Калужский государственный
университет им. К. Э. Циолковского»)

Математическое моделирование диффузии экситонов,
генерированных электронным пучком
в квантовой яме полупроводниковой гетероструктуры
на основе нитрида галлия

А. Н. Поляков (ФГБОУ ВПО «Калужский государственный
университет им. К. Э. Циолковского»)

Моделирование зарядовых явлений в датчиках ионизирующих
излучений на основе структур металл-диэлектрик-полупроводник
с наноразмерными диэлектрическими слоями

Д. В. Андреев, А.Д. Головин (Московский государственный
технический университет имени Н. Э. Баумана, Калужский филиал)

Исследование величин разрывов энергетических зон
в наногетероструктурах с зонной диаграммой первого типа

О. А. Милованова, В. Г. Литвинов, Н. Б. Рыбин (Рязанский
государственный радиотехнический университет)

Локальное исследование разрыва зоны проводимости
в наногетероструктуре ZnCdS/ZnSSe с квантовой ямой

Н. Б. Рыбин, В. Г. Литвинов, О. А. Милованова (Рязанский
государственный радиотехнический университет)

СПРАВОЧНАЯ ИНФОрмация

Руководители школы-семинара:

д.т.н., профессор Столяров Александр Алексеевич

+7 (4842) 79-77-91

e-mail: alalstol@mail.ru

Председатель экспертной комиссии:

д.т.н., профессор Андреев Владимир Викторович

+7 (4842) 57-81-88

e-mail: andreev@bmstu-kaluga.ru

Ученый секретарь школы-семинара:

начальник отдела научного и инновационного развития и выставок Лебедев Владислав Владимирович

+7 (4842) 79-78-28

e-mail: nano-2011@bk.ru

Секретариат оргкомитета:

Орехова Александра Валерьевна

+7 (4842) 79-78-28

Адрес оргкомитета:

248600, Калуга, Баженова 2, Калужский филиал МГТУ
им. Н. Э. Баумана, ауд. 230 «Отдел научного и инновационного развития и выставок».

Подробную информацию о школе-семинаре можно получить на сайте:

ссылка скрыта

Blog

Программа регламент проведения школы-семинара Москва Издательство мгту им. Н. Э. Баумана 2011

Содержание

НАНОИНЖЕНЕРИЯ-2011

ПРОГРАММА