Пояснительная записка к извещению №3 об изменении ост в 11 0998-99 «Микросхемы интегральные. Общие технические условия»

Вид материала

Пояснительная записка

Содержание СЗ". Послед. 6, в графе 2 конец предложения изложить в редакции: "... в нор­мальных климатических условиях". ГОСТ В 29110-91 и его название.

Подобный материал:

• 2. общие требования, 1268.27kb.
• Требования к качеству деталей мебельных, 48.86kb.
• Стандарт отрасли. Торты и пирожные. Технические условия. N ост 10-060-95 утв. Департаментом, 202.18kb.
• Межгосударственный стандарт гост 17380-2001 (исо 3419-81) "Детали трубопроводов бесшовные, 467.75kb.
• Пояснительная записка к 1-ой редакции национального стандарта Российской Федерации, 37.93kb.
• Отраслевой стандарт сосуды и аппараты стальные высокого давления ост 24. 201. 03-90, 3540.82kb.
• Основы микроэлектроники (курс лекций), 1051.3kb.
• Доклад глава 74. Право на топологии интегральных микросхем статья 1448. Топология интегральной, 357.29kb.
• Документа, 141.53kb.
• Документа, 139.93kb.

Лист утверждения

Извещение № 3


об изменении ОСТ В 11 0998-99

"Микросхемы интегральные.

Общие технические условия".

Пояснительная записка

к извещению № 3 об изменении ОСТ В 11 0998-99

«Микросхемы интегральные. Общие технические условия».

Извещение об изменении ОСТ В 11 0998 подготовлено в связи с необходимостью внесения в него новой редакции ОСТ 11 073.013 - 2008 «Микросхемы интегральные. Методы испытаний (извещение 6К 1371), а также внесения изменений с учетом поступивших предложений и замечаний от изготовителей и разработчиков микросхем.

Замена страниц (53, 60, 61, 66, 73, 74, 75, 92, 96) проведена по причине невозможности внесения текста следующих изменений:

• на с. 53 - внесены в примечания новые пункты 17 и 18;
  
• на с. 60-61 - внесены в подгруппу К-1 неуказанные ранее методы
  испытаний при выполнении последовательностей 4 и 7;
  
• на с. 66-уточнено название метода в подгруппе К10 послед. 2;
  исключена послед. 4, т.к. контроль внешнего вида проводится в объеме испы­-
  таний по послед. 3 (метод 408-1).
  

В подгруппе К11 внесены как самостоятельные испытания, ранее входившие в метод 422-1, а именно: «определение теплового сопротив­ления», «определение резонансной частоты» и «определение точки росы», с соответствующими примечаниями об их выполнении;

• на с. 73, 74 - внесены в примечания новые пункты: 31, 32, 33, 34, от­
  носящиеся к изменениям по подгруппе К11;
  
• с. 75 - перепечатка страницы из-за смещения текста со с. 74;
  
• на с. 92 - в подгруппу D4 введено испытание по «подтверждению
  теплового сопротивления», метод и ссылка на примечание 23.
  
• на с. 96 - внесены в примечания новые пункты 22 и 23.
  

Начальник лаборатории № 210 Н. И. Рожкова

Извещение № 3

об изменении ОСТ В 11 0998-99

«Микросхемы интегральные. Общие технические условия».

Дата введения с 01.06.2009 г.

Изм.	Содержание изменения	Лист	Листов
		1	3
3

С. 16 Продолжение табл. 2, пункт 13. Ввести в конец второго и третьего абза­цев слова в скобках: "(кроме корпусов типа 2,5,6 по ГОСТ 17467)".

С. 18 Табл. 2, пункт 22, первый абзац. Внести сноску в виде звездочки"*" к: "...нормализованному потоку...".

В конце страницы под таблицей, под короткой сплошной линией внести сноску: "*⁾ Эквивалентный нормализованный поток - поток воздуха через течь при перепаде давления 10⁵ Па (750 мм рт.ст.) и температуре воздуха (20 ± 2) °С".

С.18 Табл. 2, пункт 22, второй абзац. Заменить "5 ^. 10^-3" на: "6,65 ^. 10^-3";

В третьем абзаце заменить: "5 ^. 10^-2" на: "6,65 ^. 10^-2";

С.20 Табл. 2, примечание 3. Исключить "п. 8". Заменить цифру "31" на "32".

С.24 Табл. 4, пункт 2. Заменить: "ат" на "кПа (мм рт.ст.)"; "3" на"292(2205)".

Пункт 6. графа 3. Исключить цифру "5".

С. 26 Примечания п. 5 - исключить полностью.

С.32 Раздел 3.2 Заменить ГОСТ В 29110 на ГОСТ РВ 15.205

С. 34 Подпункт 3.2.3.6 Исключить механизмы отказов: "- образование интерметаллических соединений в контакте "золото-алюминий";

С.35 Подпункт 3.2.4.1 Заменить ГОСТ В 29110 на: "ГОСТ РВ 15.205".

С. 41 Подпункт 3.3.7.7 Заменить "ГОСТ В 9.303" на: "ГОСТ ВД 9.303", после него ввести: " ГОСТ 9.303".

С. 49 Таблица 8. п. 11, графа 5. Ввести цифру: "17".

С. 50 Таблица 8. п. 13, графа 4. Заменить "409-..."на "414-.. ."два раза.

С. 53 Заменить на с. 53 изм. 3.

Извещение № 3

об изменении ОСТ В 11 0998-99

Изм.	Содержание изменения	Лист	Листов
		2	3
3

С. 60-61 Заменить на: с. 60-61 изм. 3 .


С.62 Таблица 9. Исключить из подгруппы К2 - последовательность 2.

Исключить из подгруппы К4 - последовательность 3.


С. 63 Таблица 9, продолжение К5, графа 1. Внести: "К5".

Подгруппа К5 послед. 6, графа 7. Исключить: "1".

С. 64 Таблица 9, продолжение К7, графа 1. Внести: "К7".


С. 65 Таблица 9, продолжение К8, графа 1, Внести: "К8".

Послед. 6, графа 2. Внести в конец: "...при нормальных климатических условиях". Подгруппа К9. Исключить последовательность 5.


С. 66 Заменить на с. 66 изм. 3 .


С. 67 Табл. 9, продолжение К14 послед. 2, графа 1. Внести: "К14".

Подгруппа К14 послед.З, графа 5. Внести метод: "или 209-2 ".

Подгруппа К14. Исключить последовательность 4.

Подгруппа К19, графа 5. Заменить номер метода "410..." на "409..." -2 раза.


С.70 Табл.9, продолжение К25, графа 1. Внести: "К25 ".

Примечания, п.4 дополнить: " ...последовательности 1,2,3,4... "далее по тексту.


С.72 Примечания, п. 13. Изложить в новой редакции: "...в течение 56 суток при температуре 35°С или 21 суток (для ускоренных испытаний) при темпе­ратуре 55°С и повышенной влажности воздуха 98% с покрытием лаком, что указывают в ТУ".

С. 73, 74, 75 заменить на с. 73, 74, 75 изм. 3 .


С. 78 Табл. 10, продолжение А2 посл. 3, графа 1. Внести: " А2".

Подгруппа А2, послед.4, графа 5. Внести методы: "500-1, 203-1, 201-1.1 или

201-1.2 " ( по аналогии с последовательностью 1 ).


С. 79 Таблица 10, продолжение В2 послед. 2, графа 1. Внести: "В2".


С. 87 Таблица 11, продолжение С1, послед. 3, графа 1. Внести: "С1".


С. 88 Таблица 11, продолжение С1. послед. 5, графа 1. Внести: "С1".

Извещение № 3

об изменении ОСТ В 11 0998-99

Изм.	Содержание изменения	Лист	Листов
		3	3
3

С. 89 Таблица 11, продолжение СЗ, послед. 2, графа 1. Внести: " СЗ".

Послед. 6, в графе 2 конец предложения изложить в редакции: "... в нор­мальных климатических условиях".


С. 90 Таблица 11, продолжение С4, послед. 4, графа 1. Внести: "С4".


С. 92 Заменить на с. 92 изм. 3.


С. 93 Таблица 11, подгруппа "D6", графы 6 и 7. Внести: "22".


С. 94 Примечания, пункт 8. Изложить в новой редакции:"...в течение 56 су­ток при температуре 35°С или 21 суток (для ускоренных испытании) при тем­пературе 55°С и повышенной влажности 98% с покрытием лаком с планом контроля n=10, С=0, что указывают в ТУ".


С. 95 Примечания, пункт 12. Изложить в редакции: "...по последовательнос­тям 1, 2, 3 и 5 ..." далее по тексту.


С. 96 Заменить на с. 96 изм. 3 .


С. 101 Примечание к табл. 12, пункт 5. Внести в конец : "и ТД".


С. 108 Пункт 4.4. Внести уточнение в название документа: " - копия сертификата СК с указанием..." далее по тексту.

С. 113 Пункт 6.2 . Ввести восьмой абзац в редакции: " - значение показателей электрической прочности при воздействии ЭМИ ".

С. 117 Исключить ГОСТ В 29110-91 и его название.

Ввести ГОСТ РВ 15.205-2004 СРПП.ВТ. Порядок проведения опытно-конструкторских работ по созданию комплектующих изделий межотраслевого применения. Основные положения.


С. 119 Исключить ГОСТ В 9.303-84 и его название (повторение).


С. 120 Год выпуска ОСТ 11 073.013-83 заменить на "2008 г.".


С. 124 Год выпуска ГОСТ 2.601-95 заменить на "2006 г.".


С. 130 Графа "Определение". Заменить " ГОСТ В 29110" на "ГОСТ РВ 15.205" (два раза).




Причина изменения Плановая корректировка НД с учетом изменения

ОСТ 11 073.013 согласно извещению 6К 1371.

Указание о внесении

изменений




Приложения с.с. 53, 60, 61, 66, 73, 74. 75, 92. 96




ОСТ В 11 0998-99


ловины значения первично установленного. Повторная ЭТТ для микросхем категории качества "ОС" не допускается.

7 Электротермотренировку допускается не проводить для схем категории
качества "ВП", программируемых потребителем методом прожога

металлизированных перемычек.

8. Если при проверке статических и динамических параметров проверяют
   полностью таблицу истинности, то функциональный контроль не проводят, что
   указывают в ТУ.
   
9. Для быстродействующих и прецизионных микросхем, у которых на этапе
   ОКР или производства установлено изменение динамических параметров от
   температуры, превышающее удвоенное значение погрешности измерения
   динамических параметров, указанной в ТУ для нормальных условий, вводятся
   измерения динамических параметров при пониженном (повышенном) значении
   рабочей температуры.
   

Если установлена однозначная зависимость между значениями параметров при нормальной температуре и при пониженной (повышенной) рабочей температуре среды (корпуса), измерение динамических параметров допускается проводить при нормальной температуре по нормам и критериям, обеспечивающим соответствие их техническим условиям, что указывается в ТУ.

10 В технически обоснованных случаях при наличии достаточных запасов по параметрам и действующей в производстве системы статистического регулирования (контроля) технологического процесса, для каждой изготавливаемой партии значения параметров в пределах норм ТУ, устойчивое функционирование в диапазоне температур и стабильные значения запасов, при отсутствии отказов и рекламаций по динамическим параметрам или связанных с ними, измерение динамических параметров при пониженной (повышенной) рабочем температуре, по согласованию с ХХХХ Заказчика, допускается не проводить.

11 В случае, если функциональный контроль проводят на максимальном рабочей частоте, проверку динамических параметров допускается не проводить, что указывают в ТУ.

12 Допускается совмещение проведения функционального контроля с проверкой статических и динамических параметров.

13 В технически обоснованных случаях по согласованию с НИИ МО РФ и НИИ Заказчика функциональный контроль при пониженной температуре допускается

не проводить.

14 В технически обоснованных случаях по согласованию с ВП МО РФ на предприятии допускается проведение визуального контроля кристаллов при 100^х увеличении.

15 Для микросхем с внутренними проволочными соединениями, выполненными алюминиевой проволокой, допускается вместо испытаний на воздействие линейною ускорения 30 000 g приводить испытания на воздействие одиночного удара по методике, согласованной с институтом Заказчика.

16 Для серийно выпускаемых микросхем по согласованию с ВП МО РФ допускается время приведения ЭТТ определять по методу 800-3 ОСТ 11 073. 013.

17 Испытание по п. 11 проводят только для отдельных МОП и линейных микросхем, в которых возможны поверхностные эффекты, как это установлено в соответствующих ТУ на микросхемы.

18 Проверки перед началом и по окончании каждого из видов испытаний, предусмотренные соответствующими методами ОСТ 11 073.013 проводят, если это установлено в КД и ТД.

53

ОСТ В 11 0998-99


Продолжение таблицы 9

1	2	3	4	5	6	7
Kl	-повышенной рабочей температуре среды 3 Проверка динамических параметров, отнесенных в ТУ к приемо-сдаточным и периодическим, при: - нормальных климатических условиях, - пониженной рабочей температуре среды, - повышенной рабочей температуре среды 4 Функциональный контроль, отнесенный в ТУ к приемо-сдаточным и периодическим, при: - нормальных климатических условиях, - пониженной рабочей температуре среды,			201-2.1 или 201-2.2 500-1 203-1 201-2.1 или 201-2.2 500-7 Контроль проводится при наихудших значениях питающих напряжении и нагрузках, установленных в ТУ 500-1 203-1	1 2 1	1 2 1 2

60

ОСТ В 11 0998-99


продолжение таблицы 9

1	2	3	4	5	6	7
К1 К2	- повышенной рабочей температуре среды 5 Проверка электрических параметров, отнесенных к ТУ к периодическим только при нормальных климатических условиях 6 Проверка электрических параметров, отнесенных в ТУ к квалифика-ционным только при нормальных климати-ческих условиях 7 Переключающие испытания, отнесенные в ТУ к приемосдаточным при: - нормальных климатических условиях, - пониженной рабочей температуре среды, - повышенной рабочей температуре среды 1 Испытание на чувствительность к разряду статического электричества	10(0)	10(0)	201-2.1 или 201-2.2 500-1 500-1 504-1 500-1 203-1 201-2.1 или 201-2.2 502-1, 502-1а или 502-1.1, 502-1.1 а или 502-1.2, 502-1.2а	1 28 1 1	1 28 1 1

61

ОСТ В 11 0998-99


Продолжение таблицы 9

1	2	3	4	5	6	7
К10 K11 K12 K13 K14	2 Испытание на воздействие атмосферного пониженного давления 3 Испытание на прочность при свободном паде­нии 1 Определение теплового сопротивления 2 Испытание по определению резонансной час­тоты 3 Испытание по определению точки росы 4 Определение запасов устойчи­вости к воздей­ствию механи-ческих, тепловых и электрических нагру-зок (граничные испы-тания) Испытание на воздействие по­вышенной влаж­ности воздуха (длительное) Испытание на хранение при повышенной температуре 1 Проверка мас­сы микросхем	По ОСТ 11 073.013 20(0) 20(0) 10(0)	По ОСТ 11 073.013 10(0) 10(0) 10(0)	209-4 ГОСТ РВ 20.57.416 408-1 414-13 100-1 221-1 422-1 таблица 1 207-2 с покрытием лаком 201-1.1, 1000ч. При повышен-ной пре­дельной темпера­туре среды 406-1	15, 16 15 17 31 32 34 33 34 17 18 19	15, 16 15 17 31 32 34 33 34 17 18 19

66

ОСТ В 11 0998-99


23 В технически обоснованных случаях по согласованию с НИИ Заказчика допускаются иные состав и последовательность испытаний внутри подгрупп К22, К23, К24, К25. При этом необходимо обеспечить выявление всех эффектов, возникающих в изделиях при заданных специальных воздействиях с учетом положений ГОСТ РВ 20.57.415 и РД В 319.03.31 .

24. Допускается объединять соответствующие испытания из подгрупп К23,
    К24 и К25 по однотипным эффектам (дозовым ионизационным, структурным повреждениям) по согласованию с НИИ Заказчика. При этом испытания проводятся на одной выборке при максимальных уровнях специальных факторов «И», «С» и «К», установленных в ТУ.
    
25. Допускается при испытаниях по подгруппам К22, К23, К24, К25 уменьшать размеры выборок конкретных типов ИС в группах близкого функционального назначения и одинакового конструктивно-технологического исполнения. Минимальный размер выборки каждого типа ИС – 3 шт. При этом общее количество испытанных ИС в каждой группе должно быть не меньше указанного в таблице 9.
    
26. Проверку электрических параметров и ФК в диапазоне рабочих температур среды после воздействия спецфакторов по подгруппам К23, К24, К25 допускается проводить при наихудшей (с точки зрения функционирование микросхемы) температуре среды, которая должна быть указана в программе испытаний.
    
27. В процессе проведения испытаний по подгруппам К22, К23, K24. K25 проводится определение конструктивно-технологических запасов изделий по спецстойкости, данные о которых приводятся в КД (ТУ).
    

28 Испытания проводят для цифровых микросхем. Условие контроля приво­дят в ТУ.

29. Испытание по подгруппе К4 послед. 1 и 2 микросхем в корпусах с шагом выводов не более 0,625 мм, допускается проводить методами 402-2, 403-2 соответственно.
    
30. Испытания проводят на микросхемах, поставляемых потребителю с облуженными выводами.
    

31 Испытания по подгруппе К11 послед. 1 проводят на отдельной выборке 5 шт. микросхем.

Для микросхем, у которых превышение температуры самой нагретой точки кристалла над температурой окружающей среды не более 10 °С, а также для микросхем герметизируемых пластмассой, значение R_т допускается устанавливать расчетным путем по методикам, согласованным в установленном порядке. Установленную величину R_т вносят в ТУ.

32. Испытания по подгруппе К11 послед. 2 проводят на отдельной выборке 5 шт. микросхем один раз на стадии ОКР.
    
33. Испытания по подгруппе K11 послед. 3 проводят на отдельной выборке 5 шт. микросхем один раз на стадии ОКР.
    

73

ОСТ В 11 0998-99


34 В случае конструктивно-технологических изменений микросхем подтверждение норм, полученных при испытании по подгруппе К11 послед. 2 и 3 на стадии ОКР, проводят в составе типовых испытаний согласно раздела 3.5.8.

3.5.2.2 Испытания изделий на стойкость к воздействию спецфакторов «И», «С», «К» с характеристиками, не указанными в таблице 9 (7И2, 7ИЗ, 7И9, 7И12 - 7И28, 7С2, 7К2, 7К5, 7К7, 7K8) проводятся при необходимости (если соответствующие требования заданы в ТЗ и/или ТУ).

Испытания проводят по программам и методикам, согласованным с НИИ Заказчика, в которых указываются планы контроля, условия и режимы испытаний. Стойкость ИС к воздействию спецфакторов с указанными характеристиками также может быть оценена расчетно-экспериментальными методами в соответствии с ГОСТ РВ 20.57.415, ОСТ 11 073.013 и методиками, согласованными с НИИ Заказчика.

3.5.2.3 После воздействия спецфакторов по подгруппам К23, К24, К25 испытания микросхем на воздействие механических факторов (одиночных ударов или на ударную прочность) и испытания на воздействие изменения температуры среды проводят в случаях новых конструктивных исполнений микросхем или их применения в особо жестких условиях эксплуатации, что указывается в ТЗ и/или ТУ.

3.5.2.4 Если в ТУ предусмотрено разделение совокупности микросхем, входящих в данную серию, на группы типов, то комплектование выборок для испытаний по подгруппам К7, К11, (кроме механических нагрузок), К2, К13 проводят в отдельности от каждой группы типов микросхемами одного (любого) типа. Оценку результатов относят к каждой группе типов в отдельности.

Комплектование выборок для испытаний по подгруппам КЗ, К4, К5, К6, K8, К9, К10, К11 (механические нагрузки), К14, К15, К16, К17, К18, К19, К20 проводят одним (любым) типономиналом микросхем от данной серии. Результаты испытаний распространяют на все микросхемы данной серии. Если в серию входят микросхемы различного конструктивно-технологического исполнения, то комплектование выборок по этим подгруппам устанавливают в
ТУ с учетом технологического (метод монтажа и герметизации) и конструктивного (тип корпуса и количество выводов) подобия микросхем. Результаты испытаний в этом случае, распространяются на все микросхемы в корпусах данного конструктивно-технологического исполнения.

Конкретное разделение микросхем на группы типов и испытательные подгруппы приводят в ТУ.

3.5.3 Приемо-сдаточные испытания (группы А и В)

3.5.3.1 Микросхемы предъявляют на приемку партиями в объеме от 50 до 3000 шт. - для ИС1 - ИС2, от 50 до 2000 шт. - для ИСЗ - ИС8 категории качества "ОС". Для микросхем категории качества "ВП" - от 151 до 5000 шт., при этом


74

ОСТ В 11 0998-99


ванных случаях для спецстойких микросхем указанные методы испытаний могут быть включены в состав приемо-сдаточных.

20. Для микросхем в корпусах с шагом выводов не более 0,625 мм испытания по подгруппе С5 посл. 4 допускается проводить методом 403-2.
    
21. Допускается вместо контроля содержания паров воды внутри корпуса (подгруппа D3) проводить испытания на коррозионную стойкость по методике, согласованной с
    институтом Заказчика.
    

22 Испытания проводят на микросхемах, поставляемых потребителю с облуженными выводами.

23 Подтверждение теплового сопротивления проводят на отдельной выборке 5 штук-микросхем.

3.5.4.2 Если в ТУ предусмотрено разделение совокупности микросхем,
входящих в одну серию на группы типов, то комплектование выборок по
подгруппам C1, C2, D4 (кроме механических нагрузок) и С6 проводят в отдель­ности от каждой группы типов микросхемами одного (любого) типа.

Оценку результатов относят к каждой группе типов в отдельности.

Комплектование выборки для испытания по подгруппам СЗ, С4, С5, D1, D2, D3, D4 (механические нагрузки) проводят в отдельности для каждого конструктивно-технологического исполнения микросхем (тип корпуса, количество выводов, методы монтажа и герметизации). Результаты испытаний распространяются на все типы микросхем данного конструктивно-технологического исполнения.

При планировании испытании необходимо учитывать чередование типов испытываемых микросхем. Испытания по другим подгруппам испытаний проводятся для каждого типа микросхем.

Если на предприятии-изготовителе одновременно выпускают несколько серий микросхем категории качества "ВП", то по согласованию с ВП МО РФ, допускается распространять результаты испытаний микросхем одинакового конструктивно-технологического исполнения (тип корпуса, количество выводов, методы монтажа и герметизации) по подгруппам СЗ, С4, С5, D1, D2 .

3.5.4.3 При получении отрицательных результатов испытаний, кроме подгрупп D1, приемку и отгрузку останавливают, изготовитель совместно с ВП МО РФ проводит анализ
дефектных микросхем (при необходимости должны быть проведены граничные испытания
на воздействие тех факторов, которые способствуют выявлению аналогичных дефектов.) и
устанавливают причины отрицательных результатов испытаний.

На основе результатов анализа дефектов и граничных испытаний изготовитель разрабатывает и согласовывает с ВП МО РФ необходимые мероприятия по повышению качества микросхем и внедряет их в производство. При этом учитываются мероприятия по исключению аналогичных дефектов, осуществленные изготовителем за период, истекший от начала предшествующих испытаний.

После внедрения мероприятий производят новые периодические испытания на удвоенной выборке (по подгруппе С2 испытание проводят на выборке того же объема) по той подгруппе (подгруппам) испытаний, по которой (которым) получены отрицательные результаты, а также по другим подгруппам испытаний, если это предусмотрено мероприятиями по результатам анализа дефектов и граничным испытаниям. При предъяв­лении микросхем на новые испытания изготовитель представляет ВП МО РФ перечень мероприятий, осуществленных в производстве, а также материалы, подтверждающие устранение выявленных дефектов в микросхемах, изготовленных после внедрения упомянутых мероприятий.


96