Программа вступительных испытаний в магистратуру кафедры «Микроэлектроника» по направлению 210200 68 «Проектирование и технология электронных средств» (магистр техники и технологии)

Вид материала

Программа

Содержание Программа вступительных испытаний 1. Общая характеристика направления 2. Перечень вопросов 2.2. Микросистемная техника. 2.3. Компьютерное проектирование ЭС. 2.4. Инженерная и компьютерная графика. 2.5. Конструкторское проектирование ЭС. 2.6. Физические основы микроэлектроники. 2.7. Физико-химические основы технологии ЭС.

Подобный материал:

• Программа вступительных испытаний в магистратуру по направлению 210100 68 «Электроника, 119.24kb.
• Программа вступительных испытаний в магистратуру кафедры «Материаловедение и физическая, 170.2kb.
• Рабочая программа учебной дисциплины «Схемотехника электронных средств» для студентов, 233.55kb.
• Программа вступительных испытаний в магистратуру кафедры «Проектирование и конструирование, 138.26kb.
• Программа вступительных испытаний в магистратуру кафедры «Системы автоматического управления, 251.19kb.
• Программа вступительных испытаний по направлению 211000 «Конструирование и технология, 40.15kb.
• Рабочая программа по дисциплине «Физика» для направления подготовки дипломированного, 282.66kb.
• Основная образовательная программа высшего профессионального образования Направление, 787.83kb.
• Программа по дисциплине "Физические основы микроэлектроники" для студентов специальности, 216.59kb.
• Программа вступительных испытаний в магистратуру по направлению подготовки магистра, 291.99kb.

Министерство образования и науки Российской Федерации

Федеральное агентство по образованию


Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования

«Московский государственный институт электронной техники (технический университет)»




Факультет «Электронные технологии, материалы и оборудование»

		УТВЕРЖДАЮ
		Председатель Ученого совета ЭТМО
			д.т.н., профессор В.И. Каракеян
		"_______"____________2010г.

Программа вступительных испытаний

в магистратуру кафедры «Микроэлектроника» по направлению 210200 68

«Проектирование и технология электронных средств» (магистр техники и технологии)

		СОГЛАСОВАНО:
		Председатель УМК
		факультета ЭТМО
			А.А.Дегтярев
		"______"___________ 2010г.

Москва 2010г.

1. ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА НАПРАВЛЕНИЯ

"Проектирование и технология электронных средств"

Федерации № 686 от 02.03.2000 г.

1.2. Степень (квалификация) выпускника - магистр техники и технологий

Нормативный срок освоения основной образовательной программы подготовки магистра по направлению «Проектиро­вание и технология электронных средств» при очной форме обучения 6 лет. Основная образовательная программа под­готовки магистра состоит из программы подготовки бакалавра по соответствующему направлению (4 года) и специали­зированной подготовки магистра (2 года).

1.3. Квалификационная характеристика выпускника

1.3.1. Область профессиональной деятельности

Область профессиональной деятельности выпускника определена задачами проектирования, конструирования и технологии электронных средств, отвечающих целям их функционирования, требованиям надежности, дизайна и ус­ловиям эксплуатации.

1.3.2. Объекты профессиональной деятельности

Объектами профессиональной деятельности выпускника являются радиоэлектронные средства и электронно-вычислительные средства, технологические процессы и оборудование их производства, конструкторская и технологиче­ская документация, методы и средства настройки и испытаний, контроля качества и обслуживание электронных средств.

1.3.3. Виды профессиональной деятельности

Магистр подготовлен к деятельности, требующей углубленной 1.1. Направление утверждено приказом Министра образования Российской фундаментальной и профессиональной подго­товки, в том числе к научно-исследовательской работе; при условии освоения соответствующей образовательно-профессиональной программы педагогического профиля - к педагогической деятельности.

1.3.4. Обобщенные задачи профессиональной деятельности

Магистр по направлению подготовки «Проектирование и технология электронных средств« подготовлен к ре­шению следующих типовых задач:

- анализ состояния научно-технической проблемы, формулирование технического задания, поста­новка цели и задач исследования объекта на основе подбора и изучения литературных и патентных источ­ников;

- анализ, систематизация и обобщение научно-технической информации по теме исследований;

- библиографический поиск с использованием современных информацион-ных технологий;

- разработка программы исследований, модификация существующих и разработка новых методик, исходя из задач конкретного исследования;

- теоретическое и экспериментальное исследование объектов радиоэлектронных средств и элек­тронно-вычислительных средств, их технологий с целью их модернизации или создания новых конструк­ций и технологий;

- математическое моделирование разрабатываемых объектов или технологических процессов с це­лью оптимизации их параметров;

- использование и совершенствование программных продуктов, ориентированных на решение на­учных, проектных и технологических задач;

- организация модельных и натурных экспериментов;

- анализ научной и практической значимости проводимых исследований, а также оценка технико-экономической эффективности разработки;

- подготовка результатов исследований для опубликования в научной печати, составление обзоров, рефератов, отчетов и докладов.

1.3.5. Квалификационные требования

для решения профессиональных задач магистр

- формулирует и решает задачи, возникающие в ходе научно-исследовательской и педагогической деятельности и требующие углубленных профессиональных знаний;

- осуществляет сбор, обработку, анализ и систематизацию научно-технической информации по теме исследований;

- изучает специальную литературу и другую научно-техническую информацию, достижения оте­чественной и зарубежной науки и техники в своей профессиональной сфере;

- осуществляет разработку конкурентоспособной продукции и современных технологических процессов;

- выбирает необходимые методы исследования, модифицирует существующие и разрабатывает новые методы, исходя из задач конкретного исследования;

- проводит экспериментальные исследования конструкций электронных средств, технологических процессов их производства с целью их модернизации или создания новых конструкций и их технологий;

- разрабатывает физические и математические модели процессов и явлений, относящихся к ис­следуемому объекту;

- составляет описания проводимых исследований, обрабатывает и анализирует полученные ре­зультаты, представляет итоги проделанной работы в виде отчетов, обзоров, докладов, рефератов и статей;

принимает участие в составлении патентных и лицензионных паспортов, заявок на изобретения;

- участвует во внедрении разработанных технических решений и проектов, в оказании техниче­ской помощи и осуществлении авторского надзора при изготовлении, испытаниях и сдаче в эксплуата­цию проектируемых конструкций и технологических процессов;

- подготавливает рецензии, отзывы и заключения на научно-технические разработки и техниче­скую документацию;

Магистр должен знать:

- постановления, распоряжения, приказы, методические и нормативные материалы по своей про­фессиональной деятельности;

- специальную научно-техническую и патентную литературу по тематике исследований и разра­боток;

- информационные технологии в научных исследованиях и программные продукты, относящиеся к профессиональной сфере;

методы исследования и проведение экспериментальных работ;

методы анализа и обработки экспериментальных данных;

- физические и математические модели основных процессов и явлений, относящихся к исследуе­мым объектам;

- современные средства вычислительной техники, коммуникации и связи;

- технические характеристики и экономические показатели лучших отечественных и зарубежных конструкций электронных средств, технологических процессов их производства;

- порядок и методы проведения патентных исследований;

- методики оценки технико-экономической эффективности научных и технических разработок;

- основы экономики, организации труда и управления коллективом;

- основы трудового законодательства;

- действующие стандарты и технические условия, положения и инструкции по эксплуатации ис­следовательского оборудования, программам испытаний, оформлению технической документации;

- формы организации образовательной и научной деятельности в высших учебных заведениях.


2. ПЕРЕЧЕНЬ ВОПРОСОВ


2.1. Введение в САПР Mentor Graphics.

1. Введение в Expedition PCB.
   
2. Работа с библиотекой элементов (Library Manager): создание центральной библиотеки элементов (Central Library); создание контактных площадок (Padstack Editor); создание посадочных мест (Cell Editor); создание элементов (Part Editor); взаимодействие со сторонними библиотеками элементов (Library Service); создание шаблонов (Layout Template), текстовых файлов (ASCII).
   
3. Работа с Expedition PCB: создание нового проекта PCB;установка параметров топологии (Setup Parameters); определение геометрии платы, зон трассировки и запретов; связь со схемным редактором (Forward Annotate), размещение элементов; трассировка; создание экранных областей, генерация “заливки”; основы работы с высокочастотными цепями и дифференциальными парами; проверка топологии на соблюдение технологических ограничений (DRC), генерация шелкографии; генерация данных для производства (Gerber, Drill); получение данных для монтажа (документация, связь с машиностроительными САПР-ами); параллельная трассировкам в Expedition PCB (Xtreme PCB).
   
4. Работа с генератором отчетов Report Write.
   
5. Подготовка данных для производства с использованием FabLink XE, панелизация.
   

2.2. Микросистемная техника.

1. МЭМС определение, назначение, области применения, перспективы развития. Структура МЭМС. Номенклатура изготавливаемых приборов и устройств МЭМС.
   
2. Микромеханика в технологии микроэлектроники.
   
3. Кремний в МЭМС. Диэлектрические материалы для изготовления МЭМС.
   
4. Многокомпонентные стекла в МЭМС. Проводящие материалы для изготовления МЭМС.
   
5. Методы формирования структур кремний на изоляторе, КСДИ, ZMR, BESOI, SIMOX, ELTRAN.
   
6. Микромеханические актюаторы, микрокантилеверы и микрозонды, микроприводы, микрореле, микродвигатели, микрозатворы, микромеханические переключатели.
   
7. Микрозеркала, микрооптомеханические приборы, микромеханические фильтры, резонаторы, тактильные датчики, датчики давления, микромеханические акселерометры, микромеханические гироскопы, основные параметры микромеханических датчиков.
   
8. Микромеханика для решения аналитических, химических и биологических задач.
   

2.3. Компьютерное проектирование ЭС.

1. Основные этапы проектирования вычислительных систем и устройств: системное проектирование, функционально – логическое проектирование, схемотехническое проектирование, конструкторское проектирование и этап выпуска конструкторско–технологической документации и подготовки производства. Аппаратные, программные и информационные модули систем автоматизированного проектирования вычислительных устройств. Современные компьютерные технологии проектирования вычислительных систем и устройств.
   
2. Конструкторско-технологические параметры печатных плат (ПП): типы ПП, точность ПП, отверстия ПП. Стеки контактных площадок и переходных отверстий на ПП.
   
3. Алгоритмы конструирования вычислительных устройств: алгоритмы и модели компоновка модулей в терминах целочисленного программирования. Классы алгоритмов компоновки. Исходные данные и критерии оптимизации компоновки для моделей 1 и 2 электрической схемы.
   
4. Структура графического изображения: пиксел, примитив, сегмент. Экземпляр символа. Атрибуты и статус фрагментов изображения. Классы графических изображений. Методы кодирования графической информации: позиционные, структурные, структурно-символические, проксимирующие.
   
5. Структура и функции Графического пакета интерактивной машинной графики. Мировые, нормированные и физические координаты. Организация дисплейного файла: генерация изображения с помощью графических команд и с помощью структур данных
   
6. Геометрические преобразования графических объектов: перемещение, поворот и масштабирование. Отсечение фрагмента изображения по прямоугольному окну. Однородные координаты. Матрицы комплексных преобразований и их эффективность.
   
7. Разложение отрезка в растр, Алгоритм Брезенхема для построения отрезка. Разложение окружности в растр. Алгоритм Брезенхема для построения окружности.
   

2.4. Инженерная и компьютерная графика.

1. Выполнение рабочих чертежей деталей в соответствии с требованиями ЕСКД в среде AutoCAD.
   
2. Автоматизированное получение сборочного чертежа механического узла.
   
3. Разработка и автоматизированное получение конструкторской документации печатной платы, печатного узла в модульном исполнении.
   
4. Разработка и получение конструкторской документации схемы электрической принципиальной.
   

2.5. Конструкторское проектирование ЭС.

1. Структуры и классы ЭВС. Виды внешних воздействий. Основные этапы жизненного цикла ЭВС. Общая характеристика факторов, вызывающих реакцию ЭВС.
   
2. Климатические факторы и их воздействие на ЭВС. Климатические зоны и их характеристики. Воздействие на ЭВС влажности, пониженного и повышенного давлений, биологических и агрессивных сред.
   
3. Требования, предъявляемые к конструкции ЭВС. Специфика элементной базы и современные тенденции в конструировании ЭВС. Классификация ЭВС по объектам установки (носителям).
   
4. Единая Система Конструкторской Документации – ЕСКД. Виды и комплектность конструкторской документации. Правила выполнения конструкторских документов. Использование вычислительной техники при разработке конструкторских документов.
   
5. Классификация методов межсоединений по структурным уровням ЭВС. Контактирование неразъёмное, ограниченно разъёмное, разъёмное. Печатные и объёмные соединения.
   
6. Защитные покрытия, их классификация и основные характеристики. Виды и материалы покрытий. Понятия о вибро- и удароустойчивости. Основные характеристики вибрационных и ударных нагрузок.
   
7. Использование волоконно-оптических систем передачи в качестве межсоединений в ЭВС. Их особенности, преимущества и недостатки.
   

2.6. Физические основы микроэлектроники.

1. Изделия, составляющие элементную базу электронных средств различного назначения. Электроника и микроэлектроника Основные этапы, тенденции и направления развития.
   
2. Электрон в атоме и твердом теле. Волновая функция, уравнение Шрёдингера, квантование энергии. Зоны Бриллюэна.
   
3. Основы зонной теории. Зонная структура металлов, полупроводников и диэлектриков. Носители заряда - электроны и дырки.
   
4. Контакт металл- полупроводник. Электронно-дырочный переход, его свойства. Контактная разность потенциалов. Граница полупроводник-диэлектрик.
   
5. P-n переход в состоянии равновесия. Контакт между полупроводниками одного типа проводимости. Емкости p-n перехода.
   
6. Вольт-амперная характеристика (ВАХ) p-n перехода. Особенности ВАХ реального диода.
   
7. Биполярный транзистор (БТ). Принцип работы. Режимы работы, статические параметры, схемы включения БТ. Модель Эберса-Молла. Статические ВАХ в схемах включения БТ с общей базой и общим эмиттером. Работа БТ в импульсном режиме.
   
8. МДП-транзисторы. Принцип действия. Статические параметры и ВАХ.
   
9. Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (ПТУП). Принцип действия. Статические параметры и ВАХ.
   
10. Основные типы оптоэлектронных приборов. Электролюминесценция. Светодиоды. Фотодетекторы и фоторезисторы. Индикаторные устройства.
    

2.7. Физико-химические основы технологии ЭС.

1. Основы молекулярно-кинетической теории газов и жидкостей. Идеальный и реальный газы. Основные законы и уравнения состояний системы, их использование для решения практических задач. Закон Эйнштейна. Распределение молекул по скоростям. Понятие о вязкости, капиллярности, смачиваемости и поверхностном натяжении жидкостей.
   
2. Основные понятия и определения термодинамики (ТД), микро и макропараметры, уравнение состояния ТД системы. Первый закон ТД. Термохимия. Закон Гесса и его следствия. Теплоемкость системы, ее количественное описание. Уравнение Кирхгофа. Второй закон ТД. Обратимые и необратимые процессы. Энтропия и ТД вероятность состояния. Химический потенциал. Характеристические функции системы и их взаимосвязь. Равновесие в ТД системах. Третий закон ТД и его применение.
   
3. Основы термического анализа, его назначение. Фазовые переходы 1-го и 2-го рода. Шесть типов ДС конденсированных двухкомпонентных систем. Понятие о твердых растворах, их особенности. Образование эвтектики. Изотермы свойств и микроструктура сплавов двухкомпонентных систем. Поверхностные явления. Адсорбция. Адгезия.
   
4. Образование растворов. Идеальные и неидеальные растворы. Законы Генри, Рауля, Вант-Гоффа. Летучесть. Понятие сильных электролитов. Активность. Произведение растворимости. Буферные растворы.
   
5. Электролитическая диссоциация. Электродный потенциал. Механизм образования двойного электрического слоя на границе раздела фаз. Аномальное поведение сильных электролитов. Электродные процессы. Коррозия.
   
6. Диффузия как механизм осуществления большинства процессов. Понятие о самодиффузии, гетеродиффузии, взаимодиффузии. Диффузия в твердых телах. Законы диффузии. Фактор интенсивности. Зависимость коэффициента диффузии от температуры и концентрации примесей в полупроводнике. Распределение примеси в диффузионном слое.
   

2.8. ТИКИМС.

1. Классификация ИС по плотности упаковки, назначению и технологии. Области их применения.
   
2. Получение и очистка кремния. Выращивание кристаллов по методу Чохральского.
   
3. Механическая обработка п/п материалов. Резка, шлифовка, полировка, скрайбирование. Технологические процессы подготовки подложек. Оборудование и материалы для очистки подложек. Методы измерений и контроля.
   
4. Литография. Фотошаблоны. Фоторезисты. Контактная и проекционная фотолитография. Электронно–лучевая и рентгеновская литография.
   
5. Диффузия. Методы диффузии. Уравнение Фика. Методы измерения основных параметров диффузионных слоев. Дефекты диффузионных слоев.
   
6. Эпитаксия. Методы и оборудование для выращивания эпитаксиальных слоев.
   
7. Биполярная технология. Физическая структура биполярного транзистора. Другие элементы биполярной ИС. Основные параметры транзистора.
   
8. КМОП технология. Физическая структура КМОП транзистора. Основные параметры КМОП транзисторов.
   

2.9. Основы нанотехнологии.

1. Общие вопросы и задачи нанотехнологии. Основные закономерности уменьшения размеров элементов в технологии твердотельной электроники.
   
2. Основные принципы и подходы к формированию наноразмерных структур. Оборудование для получения наноразмерных структур. Энергетический спектр конденсируемых частиц.
   
3. Гомогенное и гетерогенное зародышеобразование. Критический размер зародыша. Основные модели зародышеобразования.
   
4. Особенности поведения сверхтонких пленок при термообработке в различных средах. Влияние поверхности на структурную модификацию сверхтонких пленок при термообработке.
   
5. Кристаллические, полиеристаллические и некристаллические сверхтонкие пленки. Метастабильные пленки. Критерии истинной некристалличности пленок. Стабилизация структуры и свойств наноразмерных пленок.
   
6. Явления переноса в сверхтонких пленках. Теория Друде-Лоренца-Зоммерфельда. Размерные и граничные эффекты. Теория Фукса. Проводимость сплошных, сетчатых и дисперсных пленок. Квантовый размерный эффект.
   
7. Сверхпроводящие наноструктуры. Магнитные наноструктуры. Наноструктуры сложного структурного и химического состава. Периодические сверхтонкие структуры.
   
8. Перспективы развития технологий получения наноразмерных структур.
   

2.10. Конструкторское проектирование ЭС.

1. Выбор конструктивно-компоновочной схемы и методов монтажа электронной аппаратуры. Элементная база и ее влияние на конструкцию РЭА.
   
2. Корпусные интегральные микросхемы. Государственные, отраслевые и международные стандарты. Дискретные, активные и пассивные компоненты.
   
3. Конструктивные исполнения бескорпусной элементной базы. Проволочный микромонтаж и монтаж СБИС с организованными выводами в производстве РЭА. Конструктивно-технологические особенности сборки и монтажа бескорпусных микросхем на гибких полиимидных носителях.
   
4. Многокристальные микромодули. Конструкции и технология производства.
   
5. Микросварные соединения. Технологические особенности, напряженно-деформированное состояние и факторы прочности. Паяные соединения. Особенности и способы пайки. Бесфлюсовая пайка. Бессвинцовая пайка. Контроль качества.
   
6. Герметизация компонентов и РЭА. Способы контроля герметичности.
   

2.11. Материалы электронной техники.

1. Полупроводниковые материалы. Понятие о полупроводниковой чистоте веществ. Собственные и примесные полупроводники. Примеси в полупроводниках. Классификация и назначение легирующих примесей.
   
2. Кремний, его свойства. Монокристаллический кремний. Бездислокационный кремний. Примеси кислорода и углерода в Si – источники и поведение. Пути повышения структурного совершенства. Марки кремния.
   
3. Материалы кремниевой оптоэлектроники. Светоизлучающие структуры на основе кремния, легированного эрбием. Пористый кремний. Перспективные материалы кремниевой оптоэлектроники на основе элементов IV группы. Гетероструктуры на основе сплавов элементов IV группы.
   
4. Полупроводниковые соединения А^IIIВ^V и твердые растворы на их основе. GaAs – свойства, получение монокристаллов. Особенности технологии получения соединений А^IIIВ^V. Полупроводниковые соединения типа А^IIВ^VI.
   
5. Термоэлектрические явления. Термоэлектрические материалы – требования, свойства, получение и применение.
   
6. Диэлектрические материалы. Стекловидные диэлектрики. Получение тонких пленок стекловидных диэлектриков. Керамические материалы. Функции диэлектриков в микроэлектронике. Диэлектрические материалы с низким значением диэлектрической проницаемости.
   
7. Жидкие кристаллы – свойства, применение в качестве индикаторов. Органические и полимерные материалы в микроэлектронике.
   

Литература

1. Заводян А.В., А.М. Грушевский А.М. Поверхностный монтаж для производства высокоплотных электронных средств. Уч. пособие с грифом УМО. – М.: МИЭТ, 2006. – 276 с.: ил.
   
2. MENTORS GRAPHICS – MEGRATEC. Материалы обучения.
   
3. Грушевский А.М. Сборка и монтаж многокристальных микромодулей. М-: МИЭТ,2003
   
4. Красников Г.Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП транзисторов. «Техносфера». Москва, 2002 г.
   
5. Распопов В.Я. Микромеханические приборы. Тула, 2002. - 478 с.
   
6. Б.Ю.Богданович, В.И.Графутин, В.В.Калугин, А.В.Нестерович, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.А.Чаплыгин. Технологии и методы исследования структур КНИ. Москва. МИЭТ. 2003.288 с.
   
7. Аш Ж., Датчики измерительных систем: В 2-х книгах. Кн. 2. Пер. с франц.- М.: Мир, 1992.- 424 с., ил.
   
8. Д. Роджерс Алгоритмические основы машинной графики. Пер. с англ. М., Мир 1989 512 с.
   
9. Е.М.Курейчик Математическое обеспечение конструкторского и технологического проектирования с применением САПР. М., Радио и связь. 1990 352с.
   
10. В.Б. Стешенко ACCEL EDA. Технология проектирования печатных плат. -М., "Нолидж", 2000. - 512 с.
    
11. Э.Ц.Саврушев P-CAD для Windows. Система проектирования печатных плат. –М.: Издательство ЭКОМ, 2002. -320 с.: ил.
    
12. В.В.Пасынков, В.С.Сорокин. Материалы электронной техники. Высшая школа,- М.:1986
    
13. С.С.Горелик, М.Я.Дашевский. Материаловедение полупроводников и диэлектриков. Металлургия, М.:1988
    
14. Б.Г.Будагян, Ю.И.Штерн, А.А.Шерченков. Материалы электронной техники. Учебное пособие, М.:МИЭТ, 1997
    
15. Б.Г.Будагян, А.А.Шерченков. Материалы твердотельной электроники. Учебное пособие. М.:МИЭТ(ТУ). 1999
    
16. Микроэлектроника. Учебное пособие для втузов. М 59 в 9 кн./Под ред. Л.А.Коледова. Кн. 8. Микроэлектронная аппаратура / Л.А.Коледов, Э.М.Ильина. – М.: Высш. шк.,1987
    
17. Лагерь А.И., «Инженерная графика» - М.: Высшая школа, 2004.
    
18. Г. Н. Попова, С. Ю. Алексеев «Машиностроительное черчение», Политехника, 2005г.
    
19. Иванова А. К., Миронова Н. Г., Шандурина Г. Ф. «Оформление электрических принципиальных схем и чертежей печатных плат», МИЭТ, 1990г.
    
20. AutoCAD 2005 /+CD/ Авт. Т.Ю. Соколова - СПб.: Изд-во Питер, 2005, 448 с.
    
21. Ненашев А.П. «Конструирование радиоэлектронных средств» - М., Высшая школа, 1990
    
22. Гелль П.П., Иванов-Есипович Н.К. «Конструирование и микроминиатюризация радиоэлектронной аппаратуры»: Учебник для ВУЗов – Л., Энергоатомиздат, Ленинградское отделение, 1984 – 536с.
    
23. «Компоновка и конструирование радиоэлектронной аппаратуры» - Под ред. Высоцкого Б.Ф., Пестрякова В.Б., Пятлина О.А. – М., Радио и связь, 1982 – 250с
    
24. Технология СБИС ./ Под ред. Зи С.. В 2-х книгах. –М.: Мир ,1986.-406с.
    
25. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. - М.- СПБ: Лаборатория базовых знаний, 2001-488с.
    
26. Митрофанов О.В., Симонов Б.М., Коледов Л.А. Физические основы функционирования изделий микроэлектроники. - М.: Высшая школа, 1987-168с.
    
27. Лачин В.И., Савёлов Н.С. Электроника. – Ростов н/Д: Феникс, 2002-576с.
    
28. Глазов В.М. Основы физической химии. - М.: Высш. шк., 1981. - 456с.
    
29. Черняев В.Н. Физико-химические процессы в технологии РЭА. - М.: Высш. шк., 1987.-376с.
    
30. Карапетьянц М.Х. Введение в теорию химических процессов. - М.: Высш. шк., 1981. - 333с.
    
31. М. Херман. Полупроводниковые сверхрешетки. М.:Мир.-1989г.-240с.
    
32. К.Л. Чопра. Электрические явления в тонких пленках. М.:Мир.-1972г.-436с.
    
33. Ч. Киттель. Введение в физику твердого тела. М.:Наука, 1978.–792с.
    

Программа вступительных испытаний составлена на основании государственного образовательного стандарта ВПО по направлению подготовки 551100 «Проектирование и технология электронных средств» и рассмотрена на заседании кафедры «Микроэлектроники» (МЭ)

Заведующий кафедрой		/С.П.Тимощенков/
«___» _______ 2010г.