Математическое и программное обеспечение систем оперативной оценки характеристик сложных объектов на основе интегрированных баз данных

Научный руководитель	доктор технических наук, профессор Барабанов Владимир Федорович
Официальные оппоненты:	доктор технических наук, профессор Зольников Владимир Константинович;
	доктор технических наук, доцент Кургалин Сергей Дмитриевич
Ведущая организация	ГОУВПО «Тамбовский государственный технический университет»

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. Современный уровень информационных, программных и технических средств вычислительной техники позволяет разрабатывать системы различного назначения (для моделирования, проектирования, оперативной оценки параметров систем и т.д.), основанные на единых принципах организации систем, имеющих единое информационное пространство.

Наиболее эффективными для автоматизации различных видов деятельности являются постоянно развивающиеся интерактивные средства, обеспечивающие процессы моделирования, проектирования и анализа объектов в режиме диалога «человек-компьютер». В сложной системе с большим числом разнообразных процедур обработки различных видов информации база данных является её центральным узлом. Интегрированная база данных в современных системах, предназначенных для исследования сложных объектов, представляет собой совокупность различных видов, в том числе графических, типов данных и принципов их организации.

Зачастую при разработке сложных объектов возникает острая необходимость в оперативном определении характеристик объекта и оценки его наиболее критичных параметров. Ситуация осложняется отсутствием данных натурных испытаний и экспериментальных замеров характеристик объектов в связи с необходимостью непосредственного доступа к объекту.

Сложность комплексного математического моделирования и оценки различных характеристик сложных объектов заключается, как правило, в отсутствии единой программной среды моделирования и проектирования. Востребованные в настоящее время программные системы, осуществляющие, например, моделирование локальных радиационных эффектов и позволяющие проводить расчёты по оценке стойкости полупроводниковых изделий, комплектующих бортовую аппаратуру космических аппаратов, мало распространены и практически недоступны.

Таким образом, актуальность темы исследования обусловлена необходимостью разработки математических и программных средств интегрированных систем, позволяющих получать оперативные данные о характеристиках сложных объектов.

Тематика диссертационной работы соответствует одному из основных научных направлений ГОУВПО «Воронежский государственный технический университет» «Вычислительные комплексы и проблемно-ориентированные системы управления».

Цель и задачи исследования. Целью диссертационной работы является разработка специального математического и программного обеспечения универсальной программной системы с использованием интегрированной

базы данных для оперативной оценки характеристик сложных объектов.

Для достижения поставленной цели в работе определены следующие задачи исследования:

- провести комплексный анализ построения современных систем для исследования сложных объектов с использованием интерактивных средств и интегрированных баз данных;

- разработать специальное математическое обеспечение, включающее специализированную модель для оперативного проведения расчётов с использованием информации об объекте по оценке стойкости полупроводниковых изделий;

- разработать обобщённую структуру человеко-машинной системы, позволяющей оперативно проводить исследования различных сложных объектов, настраивая учитывающую предметную область специализированную часть с использованием интегрированной базы данных;

- на основе системы управления данными проектов предложить организацию и создать программный комплекс, предназначенный для оценки характеристик стойкости полупроводниковых изделий при воздействии отдельных заряженных частиц и позволяющий определить корректность выбора элементной базы.

Методы исследования. В работе использованы методы организации взаимодействия программ, математического моделирования, модульного и структурного программирования, теории баз данных, эволюционных методов и методов компьютерной графики.

Научная новизна работы. В диссертации получены следующие результаты, характеризующиеся научной новизной:

- структурная модель универсальной программной системы исследования сложных объектов, отличающаяся наличием в составе инвариантной части, позволяющей проводить интеграцию внешних проектов и специализированной части, учитывающей специфику предметной области;

- интегрированная база данных, отличающаяся хранением различных, в том числе графических, типов данных с возможностью гибкого, многовариантного поиска по информационным полям и загрузки элементов из внешних библиотек;

- модель межмодульной интеграции внешних специализированных комплексов на основе универсальной справочной системы, отличающаяся учётом специфики подсистем и использованием оригинального алгоритма конвертации форматов различных видов данных в рамках общего информационного пространства;

- структура специального программного обеспечения с использованием интерактивных средств человеко-машинного интерфейса, включающего в себя систему управления данными проектов, отличающаяся возможностью оценки корректности выбора элементной базы с учётом локальных радиационных эффектов в полупроводниковых изделиях при воздействии отдельных заряженных частиц космического пространства.

Практическая значимость работы. В работе предложен комплекс программных средств, позволяющий определять характеристики стойкости полупроводниковых изделий к локальным радиационным эффектам при воздействии отдельных заряженных частиц космического пространства (ЗЧ КП), приведены результаты расчётных значений для ряда полупроводниковых изделий отечественного и зарубежного производства с различным схемотехническим и конструктивным исполнением.

Реализация и внедрение результатов работы. В рамках диссертационной работы разработано программное обеспечение «Интерактивная система оперативной оценки стойкости полупроводниковых изделий к локальным радиационным эффектам». Разработанные средства внедрены в деятельность ЗАО «НИИ МЕХАНОТРОНИКИ - АЛЬФА - НЦ», ЗАО «Орбита», ООО «МЭЛ», ОАО НВП «ПРОТЕК» в интересах оценки стойкости радиоэлектронной аппаратуры специального назначения и приняты в опытную эксплуатацию.

Апробация работы. Основные результаты диссертационного исследования докладывались и обсуждались на следующих научных конференциях: Международной открытой научной конференции «Информационные технологии моделирования и управления» (Воронеж, 2008); ежегодной Международной открытой научной конференции «Современные проблемы информатизации» (Воронеж, 2009 - 2011); Международной открытой научной конференции «Новые технологии в научных исследованиях, проектировании, управлении, производстве» (Воронеж, 2010); XI Международной конференции «Информатика: проблемы, методология, технологии» (Воронеж, 2011).

Публикации. По результатам диссертации опубликовано 10 научных работ, в том числе 3 - в изданиях, рекомендованных ВАК РФ. В работах, опубликованных в соавторстве и приведённых в конце автореферата, лично соискателю принадлежат: [3] - обобщение информации для построения математической модели сложных объектов; [4] - использование интерактивных средств при построении автоматизированных систем; [5, 7] - разработка математической модели и программного обеспечения сложных объектов; [8, 9] - предложена концепция универсальной программной системы исследования сложных объектов с использованием интегрированной базы данных; [6] - разработка специального математического обеспечения для оперативного проведения расчётов с использованием информации об объекте; [10] -  организация человеко-машинного интерфейса в специальных программных средствах оперативной оценки сложных объектов.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, четырёх глав, заключения, списка литературы из 75 наименований и четырёх приложений. Основная часть работы изложена на 168 страницах, содержит 46 рисунков, 10 таблиц.


ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обосновывается актуальность темы диссертационной работы, формулируются цели, задачи исследования, научная новизна и практическая значимость полученных результатов, дается краткое содержание работы по главам.

Первая глава посвящена вопросам использования интерактивных средств и интегрированных баз данных при построении математического и программного обеспечения для моделирования и оперативной оценки сложных объектов. Представлены требования к разработке автоматизированных информационных систем, рассмотрены варианты использования интерактивных средств и интегрированных баз данных в системах моделирования, проектирования и анализа сложных объектов.

Показано, что любая разрабатываемая система оценки сложных объектов состоит из универсальной части, ориентированной на интеграцию проектов, и специализированной части, учитывающей специфику предметной области. Задача разработки программных средств интегрированных систем включает создание различных функциональных модулей, обеспечивающих комплексный подход при проведении оценки характеристик сложных объектов с концентрацией информационных и справочных ресурсов в одном месте.

Проведён анализ существующих систем оценки сложных объектов, определены преимущества и недостатки этих систем. Определены характеристики программных систем моделирования сложных объектов. Затронуты вопросы оперативности проводимой оценки, рассмотрены существующие подходы при проведении оперативного расчёта характеристик сложного объекта.

Приведено обоснование необходимости разработки системы специальных математических и программных средств с использованием интерактивных средств человеко-машинного интерфейса для оперативного определения характеристик сложных объектов, сформулированы требования, предъявляемые к данной системе.

Во второй главе рассмотрены вопросы построения математического обеспечения оперативной оценки сложных объектов, которое определяется конкретной предметной областью. В рассматриваемой предметной области систем расчёта стойкости полупроводниковых изделий к локальным радиационным эффектам разработана специализированная математическая модель, которая опирается на экспериментальные данные о стойкости изделий с различной технологией изготовления и данные о характеристиках потока заряженных частиц, в то же время математическое обеспечение в системе может меняться в зависимости от решаемой задачи.

В общем случае интенсивность единичных эффектов в полупроводниковых изделиях, комплектующих аппаратуру, от ТЗЧ описывается формулой

, эффект∙t^-1, (1)

где n∙S_i/4=σ_Si – сечение насыщения эффекта, которое остаётся практически постоянным при увеличении ЛПЭ ТЗЧ, см²; L_п = ЛПЭ_п – пороговое значение линейной потери энергии ЗЧ в веществе, достаточное для образования неравновесного заряда, приводящего к единичному эффекту, МэВ∙см²∙мг^-1; L_max – максимальное значение ЛПЭ в заданном спектре ТЗЧ МэВ∙см²∙мг^-1; n–количество чувствительных элементов в ИС; –количество ИС i-го типа; n_j – количество применяемых в изделии типов ИС с различными σ_s и L_п ; φ(L) – дифференциальный ЛПЭ спектр ТЗЧ, (см²∙t∙МэВ∙см²∙мг^-1)^-1; ω(L)=dW(L)/dL - дифференциальная функция зависимости сечения эффекта от ЛПЭ; W- зависимость сечения эффекта σ^ТЗЧ(L) от ЛПЭ аппроксимируется функцией Вейбулла для случайной величины, представленная в виде

,

где λL_п, δ – коэффициенты масштаба и формы распределения Вейбулла. Коэффициенты δ и λL_п определяются по результатам испытаний.

С учётом функции Вейбулла и применения для интеграла, входящего в формулу (1) первой теоремы о среднем, формула интенсивности единичных эффектов для одного конкретного изделия с заданными и L_п принимает вид (2)

, эффект∙t^-1. (2)

В общем случае для произвольных δ и λL_п возможны три варианта:

1) L_maxп, ;

2) L_max>L_п, , МэВ∙см²∙мг^-1,

, эффект∙t^-1; (3)

3) L_max>L_п, , МэВ∙см²∙мг^-1,

.

Приведённые формулы (3) позволяют учесть зависимость сечения единичного эффекта от ЛПЭ до достижения насыщения σ_s, а также особенности распределения ТЗЧ по величине ЛПЭ при любых δ и λL_п.

Частота сбоев от ТЗЧ для всего изделия (блока), имеющего несколько разнотипных чувствительных к единичным эффектам изделий, равна

, эффект∙t^-1. (4)

В ходе расчёта значения (см²) и ЛПЭ_п = L_п (МэВ∙см²∙мг^-1) берутся из справочных данных на полупроводниковые изделия, значения L_max (МэВ∙см²∙мг^-1) и F(>L) (см^-2∙t^-1) - из анализа заданного интегрального спектра ТЗЧ за выбранной величиной предварительной защиты.

Для определения интенсивности возможных единичных эффектов в изделиях полупроводниковой электроники (ИПЭ) от воздействующих ВЭП можно ввести функцию относительной зависимости сечения эффекта от энергии протонов:

. (5)

При известных σ_sp, Е_п конкретной ИС и заданных параметрах спектра ВЭП и защиты интенсивность эффектов в полупроводниковых изделиях равна

, эффект∙t^-1, (6)

где φ_p(E)–дифференциальный энергетический спектр ВЭП КП, (см²∙t∙МэВ)^-1;

ω_p = dW/dE - функция зависимости сечения эффекта от энергии протонов, получаемая дифференцированием выражения (5) по Е_p;

Е_max – максимальная энергия протонов в спектре, МэВ.

После преобразований с использованием функции относительной зависимости сечения эффекта от энергии протонов частота единичных эффектов в одном изделии от ВЭП может быть представлена формулой

, эффект∙t^-1 или в развёрнутом виде:

 эффект∙t^-1, (7)

где  E_p0 = 29(E_п-0,69) – пороговая энергия протонов, МэВ: значение энергии протонов, начиная с которой наблюдаются единичные эффекты в ИПЭ;

        E_п ≈ ЛПЭ_п∙l_ak∙ρ_si – пороговая поглощённая энергия, МэВ;

        ρ_si – плотность вещества поглотителя (для кремния ρ_si = 2330 мг∙см^-3), мг∙см^-3 ;

        F(>E_p0) – интегральный спектр ВЭП  КП с энергией >E_p0, (см²∙t)^-1;

        σ_sp и Е_п –справочные данные на полупроводниковые изделия;

        E_max (МэВ) и F(>E_p0) –характеристики данного спектра ВЭП  КП.

Выражение (7) учитывает зависимость сечения единичного эффекта от энергии протонов и особенности спектра ВЭП. Сечение насыщения единичного эффекта от протонов согласно (5) и учитывая, что для ТЗЧ в первом приближении , имеет вид , см²

Таким образом, частота сбоев от ВЭП для всего изделия:

, эффект∙t^-1, где и - определены выше для ТЗЧ. (8)

Частота сбоев изделия за реальной защитой определяется раздельно для ВЭП: ЕРПЗ, ГКЛ, СКЛ, и для ТЗЧ: ГКЛ, СКЛ, и вычисляется как сумма: ;  ;  эффект∙t^-1 .

Для определения общего числа возможных эффектов в изделии за время активного существования на орбите каждое значение ν_из умножается на время воздействия данного вида частиц.

Разработанное математическое обеспечение используется в специализированной части универсальной программной системы, учитывающей специфику предметной области.

В третьей главе представлена структурная модель универсальной программной системы исследования сложных объектов, настраиваемой на исследование и оценку различных объектов (рис. 1), в состав которой входят:

• внешняя информационная среда поддержки моделирования и оценки характеристик объекта, содержащая перечень ГОСТов и требований, предъявляемых техническими условиями в рамках разрабатываемого проекта;
  

• встроенная информационная среда поддержки моделирования и оценки характеристик объекта, содержащая справочную систему с интегрированной или загружаемой библиотекой компонентов, обеспечивающую быстрый доступ к различной справочной информации (критичные параметры и эксплуатационные характеристики);
  
• система оптимизации проекта на основе заданных и рассчитываемых показателей;
  
• встроенная среда интеграции проектов, представляющая собой связующее звено между программной средой схемотехнического моделирования и оценки характеристик объекта и универсальной справочной системой;
  

Рис.1. Структурная модель универсальной программной системы исследования сложных объектов

• прикладная подсистема оценки характеристик объекта, ориентированная на определение стойкости полупроводниковых изделий от заряженных частиц космического пространства и включающая модуль проверки конфигурации разрабатываемого блока на соответствие требованиям стойкости;
  
• программная среда схемотехнического моделирования и проектирования, включающая в себя систему математического моделирования работы электрических схем PSpice и системы проектирования схемотехнических решений на основе Р-CAD, Protel и др.
  

Особенностью предложенной структурной модели универсальной программной системы исследования сложных объектов является наличие в составе универсальной части, обеспечивающей интеграцию внешних проектов, и специализированной части, учитывающей специфику предметной области.

Разработанная электронная база компонентов (рис. 2) представляет собой интегрированную библиотеку компонентов, содержит редактируемый список изделий и выступает в роли источника информации, на основе которой проводятся математическое моделирование и оценка стойкости изделий.



Рис. 2. Структура интегрированной базы данных


Интегрированная база данных отличается хранением различных типов графических и информационных данных, обладает возможностью гибкого поиска и загрузки элементов из внешних библиотек.

Также в главе рассматривается проблема преобразования графических баз данных из систем моделирования и оценки характеристик объекта, обеспечения процесса конвертирования данных, внешних по отношению к программному комплексу (полученных из систем схемотехнического моделирования), в формат встроенной базы данных цифровых и аналоговых микросхем. Алгоритм конвертации форматов различных видов данных используется в разработанной модели межмодульной интеграции на основе универсальной справочной системы рис. 3.

В предложенной модели межмодульной интеграции специализированных комплексов используется оригинальный алгоритм конвертации форматов различных видов данных учитывающий специфику интегрируемых подсистем.



Рис. 3. Модель межмодульной интеграции на основе универсальной справочной системы


В рамках работы рассмотрена оптимизация выбора элементной базы по характеристикам стойкости и цены отбираемых изделий. Оптимизация выбора элементов (рис. 3) проводится в области определённого функционального типа, т.к. поиск оптимального элемента среди изделий с различным функциональным назначением не имеет смысла.

В качестве основного критерия оптимальности выбора полупроводниковых изделий по характеристикам стойкости выделяется требование минимизации возможной частоты сбоев компонентов от воздействующих заряженных частиц с учетом весовых коэффициентов.

Все компоненты выбора представляют собой множество элементов , где . Множество подклассов D включает набор компонентов (объекты, изделия) оптимизации, который может быть представлен в виде множества изделий, подлежащих оптимизации , где - количество компонентов, участвующих в оптимизации, и множества изделий из базы, не подлежащих оптимизации , где R - количество компонентов, по которым оптимизация не проводится.





Рис. 4. Алгоритм оптимизации выбора изделий по характеристикам стойкости

Для формализации требований к определению оптимальной элементной базы вводятся весовые коэффициенты , где ; ; ; ; ; - синаптические весовые коэффициенты, определяющие требования к отбору компонентов .

Целевая функция при выборе изделия по характеристикам стойкости на основе нейронного алгоритма может быть представлена следующим образом:

.

Основная проблема при оптимизации изделия по характеристикам стойкости заключается в согласовании сильно различающихся параметров системы (разница достигает нескольких порядков). Использование нелинейной функции вида при построении целевой функции позволяет оценивать малые величины.

Нахождение оптимального решения задачи выбора оптимальной элементной базы по характеристикам стойкости предполагает нахождение варианта решения для множества элементов, подлежащих оптимизации , из множества подклассов базы данных ИПЭ D_h, , при котором

, (9)

где – критерий оценки качества выбора; D={E} – множество возможных вариантов выбора E из заданного подкласса D_h, ;

– расчётное или заданное значение параметров стойкости для.

При этом должны выполняться следующие ограничения:

- выбираемые элементы оптимизации должны полностью располагаться внутри заданного подкласса: .

- если неопределенно для элемента , принимается  = 0.

Разработанные алгоритмы оптимизации позволяют эффективно проводить многокритериальный выбор полупроводниковых изделий в области определённого функционального типа.

Таким образом, разработанная модель универсальной программной системы исследования сложных объектов, состоящая из инвариантной части, позволяющей проводить интеграцию внешних проектов, и специализированной части, учитывающей специфику предметной области, с использованием интегрированной базы обеспечивает комплексное решение широкого круга задач.

В четвёртой главе рассмотрена программная реализация интерактивной системы оперативной оценки стойкости полупроводниковых изделий к локальным радиационным эффектам, позволяющей определить правильность выбора элементной базы. Проведена апробация определения характеристик стойкости изделий на основе виртуального блока бортовой аппаратуры космического аппарата, включающего чувствительные полупроводниковые изделия.

Разработанное программное обеспечение, модульная структура которого представлена на (рис. 5), использует интерактивные средства человеко-машинного интерфейса и обеспечивает комплексный подход при проведении оценки характеристик стойкости полупроводниковых изделий.



Рис. 5. Модульная структура специального программного обеспечения, ориентированного для оценки локальных радиационных эффектов полупроводниковых изделий


С учётом состава и структуры системы предложена схема организации человеко-машинного интерфейса программного обеспечения (рис. 6).

Подсистема интеграции проектов, отвечающая за взаимодействие различных средств схемотехнического моделирования с программным комплексом, содержит модуль конвертации данных, обеспечивающий межсистемное взаимодействие. Также подсистема предоставляет список объектов, полученный из системы схемотехнического моделирования, с возможностью редактирования информационных полей выбранного образца.

Справочная система выступает в роли источника поиска и выбора информации, на основе которой проводится оценка стойкости рассматриваемого блока аппаратуры. Она обеспечивает работу со встроенной базой данных цифровых и аналоговых микросхем, загружаемыми из файлов базами данных, поиск и редактирование данных, выбираемых пользователем, а также редактирование списка передаваемых изделий в формы расчёта.

Подсистема оптимизации выбора комплектующих полупроводниковых изделий позволяет произвести выбор оптимальной элементной базы с точки зрения характеристик стойкости и цены.



Рис. 6. Схема организации человеко-машинного интерфейса программного комплекса


Подсистемы оценки стойкости от воздействующих ТЗЧ и ВЭП КП позволяют расчётным путём проводить оценку стойкости полупроводниковых изделий к воздействию отдельных ЗЧ КП на основе экспериментальных данных о стойкости с оперативным информированием пользователя о ходе расчёта и конфигурированием параметров проводимых вычислений. При проведении расчёта частоты сбоев от ТЗЧ и ВЭП космического пространства обеспечивается: расчёт частоты сбоев от одного конкретного изделия (i-го типа); расчёт частоты сбоев для всех изделий i-го типа; расчёт частоты сбоев от всех изделий выбранного типа для заданного вида излучения, после чего находится общая частота сбоев всех комплектующих данного блока.

Подсистема соответствия задаваемым требованиям обеспечивает пользователя итоговыми результатами проводимых расчётов, позволяет настраивать различные вариации вывода информации и проверку конфигурации аппаратуры на соответствие требованиям стойкости с целью определения правильности выбора элементной базы.

На примере виртуальной конфигурации рассмотрена методика оперативной оценки стойкости комплектующих блока космического аппарата к эффектам от единичных сбоев или отказов, приведены результаты расчетов, полученные с использованием программного комплекса по ряду отечественных и зарубежных полупроводниковых изделий.

Точность проводимой оценки стойкости при моделировании подтверждена сравнением результатов с полётными данными для статического ОЗУ, полученными с двух спутников в период с 2001-2006 гг. Результат расчёта, полученный разработанным программным комплексом, ближе к натурным полётным данным, чем полученный по зарубежному программному обеспечению CREME96. Расхождение с результатами, полученными в ходе натурного эксперимента, составляет 5–20% (в зависимости от настройки проводимого расчёта).

Разработанные программные средства позволяют решать комплекс задач при проведении оперативной оценки характеристик стойкости полупроводниковых изделий, комплектующих аппаратуру, обеспечивая пользователя широкими возможностями конфигурации и настройки проводимых расчётов, и позволяют определить правильность выбора элементной базы.


ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ

1. Разработана структурная модель универсальной программной системы исследования сложных объектов, отличающаяся наличием в составе инвариантной части, позволяющей проводить интеграцию внешних проектов и специализированной части, учитывающей специфику предметной области.

2. Предложена модель межмодульной интеграции на основе универсальной справочной системы с использованием оригинального алгоритма конвертации различных видов данных.

3. Сформирована интегрированная база данных, отличающаяся возможностью хранения различных, в том числе графических, типов данных с возможностью гибкого, многовариантного поиска по информационным полям и загрузки элементов из внешних библиотек.

4. Создано специальное программное обеспечение в виде интерактивных средств человеко-машинного интерфейса, позволяющее проводить оценку стойкости полупроводниковых изделий комплектующих бортовую аппаратуру к локальным радиационным эффектам при воздействии отдельных заряженных частиц космического пространства.

5. Разработанное специальное программное обеспечение оперативной оценки стойкости полупроводниковых изделий к локальным радиационным эффектам, апробированное на ряде предприятий в интересах оценки радиационной стойкости радиоэлектронной аппаратуры специального назначения.


Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах:

Публикации в изданиях, рекомендованных ВАК РФ

1. Пашковский М.Е. Модель энерговыделения от высокоэнергетичных протонов космического пространства / М.Е. Пашковский, В.Ф. Барабанов // Вестник Воронежского государственного технического университета. 2010. Т. 6. №9. С. 45-48.

2. Пашковский М.Е. Разработка программной и математической модели определения характеристик устойчивости аппаратуры к единичным эффектам при воздействии отдельных заряженных частиц космического пространства / М.Е. Пашковский, В.Ф. Барабанов // Системы управления и информационные технологии: научно-технический журнал. 2010. Вып. 4.1(42). С. 186-190.

3. Пашковский М.Е. Разработка интегрированного программного комплекса моделирования локальных радиационных эффектов от заряженных частиц космического пространства / М.Е. Пашковский, В.В. Мамута, В.Ф. Барабанов // Вестник Воронежского государственного технического университета. 2011. Т. 7. №1. С. 15-19.


Статьи и материалы конференций

4. Пашковский М.Е. Программа «Автоматизированная система управления работой терморегулятора» / М.Е. Пашковский, В.Ф. Барабанов. Зарегистрировано в ВНТИЦ №50200801166 от 05.06.08

5. Барабанов В.Ф. Разработка устройства терморегуляции с удалённым измерением температур в различных точках пространства / В.Ф. Барабанов, М.Е. Пашковский // Информационные технологии моделирования и управления: Воронеж: Научная книга, 2008. Вып. 4(47). С.465-468.

6. Пашковский М.Е. Исследование ПЛИС в качестве основы построения реконфигурируемых, высокопроизводительных цифровых систем / М.Е. Пашковский, В.Ф. Барабанов // Современные проблемы информатизации в моделировании и социальных технологиях: сб. тр. ХIV Междунар. открытой науч. конф. Воронеж: Научная книга, 2009. Вып. 16. С.232-234.

7. Пашковский М.Е. Излучения космического пространства и локальные радиационные эффекты в изделиях полупроводниковой электроники / М.Е. Пашковский, В.Ф. Барабанов // Новые технологии в научных исследованиях, проектировании, управлении, производстве (НТ-2010): труды Всерос. конф. Воронеж: ВГТУ, 2010. С.49-50.

8. Пашковский М.Е. Рассмотрение локальных радиационных эффектов при создании программного обеспечения, осуществляющего моделирование и расчёт радиационной стойкости полупроводниковых приборов / М.Е. Пашковский, В.Ф. Барабанов // Современные проблемы информатизации в экономике и обеспечении безопасности: сб. тр. ХV Междунар. открытой науч. конф. Воронеж: Научная книга, 2010. Вып. 15. С.106-110.

9. Пашковский М.Е. Концепция интегрированного программного комплекса моделирования локальных радиационных эффектов от заряженных частиц космического пространства / М.Е. Пашковский, В.Ф. Барабанов // Современные проблемы информатизации в анализе и синтезе технологических и программно-телекоммуникационных систем: сб. тр. ХVI Междунар. открытой науч. конф., Воронеж: Научная книга, 2011. Вып. 16. С.430-432.

10. Пашковский М.Е. Разработка специальных программных средств определения характеристик устойчивости аппаратуры к единичным радиационным эффектам / М.Е. Пашковский // Информатика: проблемы, методология, технологии: материалы XI Междунар. конф. Воронеж, 2011. Т. 2. С.163-166.


Подписано в печать 13.05.2011.

Формат 60х84/16. Бумага для множительных аппаратов.

Усл. печ. л. 1,0. Тираж 85 экз. Заказ № _______


ГОУВПО «Воронежский государственный технический университет»

394026 Воронеж, Московский просп., 14