Осеннее заседание Европейского Научного Общества по Исследованию Материалов (e-mrs 2011 Fall Meeting) проходит 19-23 сентября 2011 в Варшавском технологическом университете, Польша

Организаторы конференции

Patrick BRESSLER Fraunhofer-Gesellschaft Director, Brussels Office 31 Rue du Commerce 1000 Brussels Belgium Tel: +32(0)2 506 4242 Fax: +32(0)2 506 4249 patrick.bressler@zv.fraunhofer.de		Tom GREGORKIEWICZ     Van der Waals - Zeeman Inst.     University of Amsterdam     Valckenierstraat 65     NL-1018 XE Amsterdam     The Netherlands     Tel: +31 20 525 5643     Fax:+31 20 525 5788    t.gregorkiewicz@uva.nl
Malgorzata LEWANDOWSKA Faculty of Materials Science & Engineering University of Technology Warsaw Poland malew@inmat.pw.edu.pl		Rodrigo MARTINS FCT – UNL 2829 516 Caparica Portugal Tel: +351 21 294 8524 begin_of_the_skype_highlighting     Fax:+351 21 294 1365 rm@uninova.pt
Andrzej MYCIELSKI Institute of Physics Polish Academy of Sciences Al. Lotnikow 32/46 PL-02-668 Warszawa Poland Tel: +48 22 843 56 26 Fax:+48 22 843 09 26 mycie@ifpan.edu.pl		Jacques PERRIERE     GPS, University Paris VII     Tour 23, 2 Place Jussieu     75251 Paris cedex 05     France     Tel: +33 1 4427 6129     Fax:+33 1 4354 2878    Jacques.Perriere@insp.jussieu.fr

2011 Fall Meeting включает 13 параллельных Симпозиумов, пленарные заседания и спутниковые видеоконференции.


Симпозиумы

A	Влияние напряжений, структурных особенностей и стехиометрии материалов на их свойства
B	Аморфные наноструктурированные материалы
C	Механические свойства наноматериалов – эксперименты и теоретическое моделирование
D	Электронные и магнитные структуры ферропниктидных высокотемпературных сверхпроводников
E	Топологические материалы I
F	Биологические сенсоры
G	Новые тенденции в разработке пигментообразующих материалов и устройств на их основе
H	Новые материалы для электроники, оптоэлектроники, фотовольтаики и энергосберегающих технологий
I	Прогресс в развитии прозрачной электроники: от материалов к приборам
J	Полупроводники допированные редкоземельными элементами и наноструктуры для фотоники
K	Электронно-оксидированные пленки, полученные из растворов, формирование наноструктур и рисунков: от материалов к приборам
L	Разработка легких, приспосабливаемых и самоподдерживающихся ионных приборов
M	Прогресс в создании новых сверхпроводников и многофункциональныхматериалов на их основе

Симпозиум аморфные наноструктурированные материалы


Число участников - 51

Организаторы симпозиума:

Sergey Gurevich
Ioffe Physical-Technical Institute of the Russian Academy of Sciences
Polytechnicheskaya 26
St. Petersburg, 194021
Russia
Phone: +7 812 2927391
Fax: +7 812 2927369
gurevich@quantel.ioffe.ruThis e-mail address is being protected from spam bots, you need " onclick="return false">

Jean-Paul Kleider
L.G.E.P-Supelec
11 Rue Joliot-Curie, Plateau de Moulon
91192 Gif sur Yvette Cedex
France
Phone: +33 1 69 85 16 33
Fax: +33 1 69 41 83 18
jean-paul.kleider@lgep.supelec.frThis e-mail address is being protected from spam bots, you need " onclick="return false">

Norbert H. Nickel
Helmholtz Zentrum Berlin
Kekulestr. 5
12489 Berlin
Germany
Phone: +49 30 8062 41301
Fax: +49 30 8062 41333
Nickel@helmholtz-berlin.deThis e-mail address is being protected from spam bots, you need " onclick="return false">

Aleksei Nazarov
Institute of Semiconductors
Nauki 45
030026 Kiev
Ukraine
Phone: +380 44 265 7022
Fax: +380 44 265 6177
nazarov@lab15.kiev.ua


Программный комитет

• Alexander L. Efros (США)
  
• Mel Gomez (США)
  
• А.Н. Грусинцев (Россия)
  
• A.J. Kenyon (Великобритания)
  
• A. Косарев(Мексика)
  
• Д. Ковалев (Великобритания)
  
• Ivan Pelant (Чешская Республика)
  
• М.В. Стриха (Украина)
  
• G. Wilde (Германия)
  
• И.Н. Яссиевич (Россия)
  

Внимание к аморфным наноструктурированным материалам обусловлено их необычными свойствами, которые могут быть полезными для различных применений, таких как солнечная энергетика, создание накопителей информации, катализ химических реакций и т.д. Основными причинами, определяющими свойства таких материалов, являются размерное квантование и частичная разупорядоченность атомов. В некоторых случаях, особенно в структурах, состоящих из частиц малого размера, электронная структура и связанные с ней физические и химические свойства материала оказываются чрезвычайно чувствительными к состоянию поверхности, которое, в свою очередь, определяется природой адсорбированных поверхностью атомов и молекул. В последнее время значительный прогресс достигнут в разработке новых технологий формирования аморфных материалов, что открывает новые направления исследований в этой области. В связи с этим программа симпозиума включает доклады посвященные новым технологиям приготовления аморфных материалов.

Специальной темой докладов на симпозиуме является тема магнитных свойств аморфных металлических наночастиц. Свойства как хаотических, так и самоорганизованных или упорядоченных наноструктур обсуждаются в аспекте создания систем экстремально высокой магнитной записи информации и бесконтактного магнитного воспроизведения. Обменное взаимодействие в ансамблях магнитных наночастиц рассматриваются как явление, обеспечивающее строгое упорядочение частиц в таких структурах.

Транспорт электронов в наноструктурах, состоящих из аморфных металлических частиц, также является важной темой симпозиума. Необычное свойство аморфных металлических частиц состоит в том, что они, в отличие от кристаллических, не коагулируют при соприкосновении. Это позволяет создавать структуры с высокой плотностью наночастиц, в которых реализуется прыжковый транспорт электронов с высокой кулоновской энергией. В рамках симпозиума рассматриваются не только сами процессы туннелирования электронов, но и явления сопутствующие этим процессам, учет которых необходим для реалистического описания свойств наноструктур.

В последнее время большое внимание уделяется исследованию возможностей повышения эффективности преобразования солнечной энергии. Одна из возможностей реализуется при использовании тонких пленок, состоящих из Si и Ge наночастиц, в том числе и аморфных. Показано, что в таких структурах при поглощении фотона могут генерироваться две электрон-дырочные пары, что должно привести к существенному возрастанию чувствительности ячейки в коротковолновом диапазоне.

Обсуждаются также причины необычно высокой каталитической активности аморфных металлических наноструктур, которая наблюдалась в различных химических реакциях. В этом аспекте важным является анализ взаимосвязи электрических и каталитических свойств таких структур.


Основные темы обсуждаемые на симпозиуме:

• Технологии формирования аморфных наноматериалов.
  
• Наномагнетизм аморфных металлов.
  
• Транспортные и оптические свойства наноматериалов.
  
• Наноматериалы со смешанной фазой (аморфные/кристаллические)
  
• Тонкие аморфные пленки
  
• Аморфные кремниевые и германиевые наноструктуры для солнечных ячеек.
  
• Каталитические свойства аморфных наноструктур.
  

Приглашенные докладчики:

• David Drabold (Ohio University, USA) "Electron states in disordered solids"
  
• Martin Stutzmann (TU Munchen, Germany) "Electronic transport in Si nanocrystal films"
  
• Wolfgang Skorupa (Institute of Ion Beam Physics and Materials Research, Germany) "Light-emission from rare-earth implanted amorphous dioxide layers"
  
• Yukari Ishikawa (Japan Fine Ceramics Center, Nagoya, Japan) "White light emission from amorphous siliconoxycarbide materials"
  
• Yonder Berencen (University of Barcelona, Spain) "Light emitting devices based on silicon-rich silicon nitride/oxide for general lighting"
  
• Rauf Iskhakov (Kirensky Institute of Physics, Krasnoyarsk, Russia) "The features of magnetic microstructure of amorphous, nanocrystalline and nanophase ferromagnets"
  
• Dolf Timmerman (Van der Waals - Zeeman Institute, The Netherlands) "Radiative recombination from carriers generated by carrier multiplication generation in silicon nanocrystals"
  
• Erik Johnson (Ecole Polytechnique, France) " Hydrogenated polymorphous silicon thin films for photovoltaics - degradation dynamics and device stability"
  
• Alexandr V. Kolobov (AIST, Tsukyba, Japan) "Structure of the amorphous phase of phase-change materials"
  
• Martin Ledinsky (Institute of Physics, Czech Republic) "Microscopic Raman and photo-conductive characteristics of amorphous-crystalline silicon films"
  

Доклады, представленные на симпозиум, публикуются в журнале Physica Status Solidi.