Geum.ru

Міністерство освіти І науки, молоді та спорту україни кременчуцький національний університет імені михайла остроградського

Вид материалаДокументы

Содержание


Список наукових праць
Подобный материал:
1   2   3   4



СПИСОК НАУКОВИХ ПРАЦЬ





№ п/п
Тип
Співавтори
Назва
Джерело
Рік
ДА
Фах
Вид
Пуб.
ІФ

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11

153
ТДК
Клюй М.І.,

Лук’янов, А.М.,

Лозінський В.Б., Фомовський Ф.В.

Розробка методики та обладнання для діагностики структурної досконалості і рівня механічних напружень в тонких приповерхневих шарах кремнію
Збірник матеріалів І-ї міжнародної науково-практичної конференції, Кременчук 5-7 травня 2011р./Наук.ред.: В.Р. Петренко.- Кременчук, 2011: - С. 55
2011
0,08
Техн.
Прак.
укр.



152
ТДК
Шевченко І.В, Тербан В.А.

Влияние температуры фонового нагревателя на температурне градиенты и урівень дислокацій в слитке НІН GaAs, выращиваемого по LEC-технологии
Збірник матеріалів І-ї міжнародної науково-практичної конференції, Кременчук 5-7 травня 2011р./Наук.ред.: В.Р. Петренко.- Кременчук, 2011: - С. 91
2011
0,08
Техн.
Прак.
рос.



151
ТДК
Седин Е.А.
Разработка модели расчёта внутренних напряжений и деформацій в кремниевых эпитаксиальных структурах
Збірник матеріалів І-ї міжнародної науково-практичної конференції, Кременчук 5-7 травня 2011р./Наук.ред.: В.Р. Петренко.- Кременчук, 2011: - С.68
2011
0,04
Техн.
Прак.
рос.



150
ТДК
Притчин С.Э.
Применение поляризационно-оптического метода для исследования внутренних напряжений в кремниевых эпитаксиальных структурах
Збірник матеріалів І-ї міжнародної науково-практичної конференції, Кременчук 5-7 травня 2011р./Наук.ред.: В.Р. Петренко.- Кременчук, 2011: - С. 77
2011
0,08
Техн.
Прак.
рос.



149
CТ
Сіора, О.С.; Тербан, В.А.
Разработка математической модели определения плотности микродефек тов в монокристаллах Cz-Si
Матеріали електронної техніки та сучасні інформаційні технології. Тези доповідей на IV міжнародній науково-практичній конференції МЕТІТ-4: 19-21 травня 2010р., Кременчук. Збірник тез доповідей. – Кременчук, КУЕІТУ, 2010. – с. 12-13
2010
0,083
Техн.
Прак.
рос.



148
CТ
Притчин, С.Е.; Вашерук, О.В.
Высокочувствительный аппаратурно-программный комплекс для измерения внутренних напряжений в полупроводниковых материалах
Матеріали електронної техніки та сучасні інформаційні технології. Тези доповідей на IV міжнародній науково-практичній конференції МЕТІТ-4: 19-21 травня 2010р., Кременчук. Збірник тез доповідей. – Кременчук, КУЕІТУ, 2010. – с. 115-116
2010
0,083
Техн.
Прак.
рос.



147
CТ
Сіора, О.С.; Тербан, В.А.
Разработка математической модели определения плотности микродефектов в монокристаллах Cz-Si
Матеріали електронної техніки та сучасні інформаційні технології. Тези доповідей на IV міжнародній науково-практичній конференції МЕТІТ-4: 19-21 травня 2010р., Кременчук. Збірник тез доповідей. – Кременчук, КУЕІТУ, 2010. – с. 12-13
2010
0,083
Техн.
Прак.
укр



146
МГ
Тербан,В.А.; Волохов,С.О.; Клюй, М.І.; Скришевський,В.А.;Костильов,В.П.;Макаров, А.В.
Сучасні технології виробництва кремнію та кремнієвих фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії
Монографія. – 2010
2010



Техн.
Прак.
укр



145
CТ
Петренко, В.Р.; Волохов, С.А.
Синтез прогнозного регулятора для процесса выращивания обьемных монокристаллов кремния для солнечных ФЭП
Автоматизированные системы управления и приборы автоматики. – 2009. – Вип. 148. – с. 59-70. Фахове видання
2009
0,5
Техн.
Прак.
укр



144
CТ
Притчин, С.Е.; Волохов, С.О.; Тербан, В.А.
Метод і пристрій вимірювання потужності графітового нагрівача ростової установки
Нові технології. Науковий вісник КУЕІТУ. – 2009. - № 4(26). – с. 3-9Фахове видання
2009
0,291
Техн.
Прак.
укр



143
CТ
Міхальчук, В.І.; Сіора, О.С.
Розробка математичної моделі для визначення концентрації вуглецю в Cz-Si монокристалах
Нові технології. Науковий вісник КУЕІТУ. – 2009. - № 4(26). – с. 10-159 Фахове видання
2009
0,25
Техн.
Прак.
укр



142
CТ
Притчин, С.Е.; Волохов, С.О.; Тербан, В.А.
Метод і прилад вимірювання діаметра злитків кремнію, що вирощуються для сонячної енергетики
Нові технології. Науковий вісник КУЕІТУ. – 2009. - № 3(25). – с. 9-16 Фахове видання
2009
0,33
Техн.
Прак.
укр



141
CТ
Шевченко, И.В.; Волохов, С. О.

Оптимизация теплового экрана ростовой установки
VIII Всеукраїнська науково-технічна конференція «Фізичні процеси та поля технічних і біологічних об’єктів». Тези доповідей. – Кременчук: КДУ імені Михайла Остроградського, 2009. – с.270-271
2009
0,083
Техн.
Прак.
укр



140
CТ
Сиора, А.С.
Контроль радиального рапределения углерода в кристаллах кремния
Тези доповідей IV Української конференції з фізики напівпровідників (УНКФН-4). Запоріжжя, 15-19 вересня 2009 р. / Наукова рада з проблеми «Фізика напівпровідників і напівпровідникові прилади» НАНУ, МОНУ, УФТ, ІФН ім.. В.Є. Лашкарьова НАНУ, КПУ (м. Запоріжжя), ЗНТУ, ВАТ «Завод напівпровідників». – Запоріжжя : Класичний приватний університет, 2009. – Т. 1. – с. 213
2009
0,041
Техн.
Прак.
укр



139
CТ
Притчин, С.Э.; Волохов, С.О.
Разработка микропроцессорно системы управления промышленной установкой по выращиванию слитков «солнечного» кремния діаметром 200 мм
Тези доповідей IV Української конференції з фізики напівпровідників (УНКФН-4). Запоріжжя, 15-19 вересня 2009 р. / Наукова рада з проблеми «Фізика напівпровідників і напівпровідникові прилади» НАНУ, МОНУ, УФТ, ІФН ім.. В.Є. Лашкарьова НАНУ, КПУ (м. Запоріжжя), ЗНТУ, ВАТ «Завод напівпровідників». – Запоріжжя : Класичний приватний університет, 2009. – Т. 1. – 214
2009
0,041
Техн.
Прак.
укр



138
CТ
Хозя, П.А.; Шевченко, И.В.
Математическая модель геометри теплового узла ростовой установки для выращивания монокристаллов GaAs методом Чохральского

Прикладная радиоэлектроника. – 2008. – Том 7, № 4. – с 351-355. Фахове видання
2008



Техн.
Прак.
укр



137
CТ
Petrenko, V.R.
TWO-level system of controlling the process of Cz-Si single crystals growing
Proceedings “Forum on Higher Education”. Congress of the Black Sea Universities Network, April 2-5, 2008. – Kyiv, 2008. – p. 111-112.
2008
0,083
Техн.
Прак.
укр



136
CТ
Хозя, П.О.; Притчин, С.Е.

Розробка процедури визначення температурних полів і термопластичних напруг в зливках GaAs, вирощених LEC

Нові технології. Науковий вісник КУЕІТУ. - № 1(19). – 2008. – с. 4-10. Фахове видання
2008
0,291
Техн.
Прак.
укр



135
CТ
Притчин, С.Е.; Сіора, О.С.; Ткаченко, М.А.

Вплив тепломасопереносу на розподілення кисню в розплаві при вирощуванні зливків кремнію

Нові технології. Науковий вісник КУЕІТУ. - № 2(20). – 2008. – с. 15-20. Фахове видання
2008
0,25
Техн.
Прак.
укр



134
CТ
Вашерук, А.В.; Хозя, П.А.;

Анализ распределения дислокаций в монокристаллах GaAs на основе аналитической модели распределения тепла и температурных напряжений

3-я Міжнародна науково-технічна конференція «Сенсорна електроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3)». Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.: Тези доповідей. – Одеса: Астропринт, 2008. - с. 166.
2008
0,041
Техн.
Прак.
укр



133
CТ
Притчин, С.Э.; Сиора, А.С.

Измерение радиального распределения кислорода в пластинах монокристаллического кремния

3-я Міжнародна науково-технічна конференція «Сенсорна електроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3)». Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.: Тези доповідей. – Одеса: Астропринт, 2008. - с. 324.
2008
0,041
Техн.
Прак.
укр



132
CТ
Тербан, В.А.; Шепель, Л.Г.

Влияние условий синтеза на детекторные характеристики ионизирующих излучений монокристаллов i-GaAs

3-я Міжнародна науково-технічна конференція «Сенсорна електроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3)». Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.: Тези доповідей. – Одеса: Астропринт, 2008. - с. 346.
2008
0,041
Техн.
Прак.
укр



131
CТ
Petrenko, V.R.

Two-level system of controlling the process of Cz-Si single crystals growing
Матеріали електронної техніки та сучасні інформаційні технології. Тези доповідей на Третій міжнародній науково-практичній конференції МЕТІТ-3, присвяченій 90-річчю НАНУ: 21-23 травня 2008 р., Кременчук. – Кременчук: КУЕІТУ, 2008. – с. 77-78.
2008
0,083
Техн.
Прак.
укр



130
CТ
Притчин, С.Э.; Сиора, А.С.

Исследование влияния тепломассопереноса на распределение атомов кислорода в расплаве в установках по выращиванию слитков кремния

Матеріали електронної техніки та сучасні інформаційні технології. Тези доповідей на Третій міжнародній науково-практичній конференції МЕТІТ-3, присвяченій 90-річчю НАНУ: 21-23 травня 2008 р., Кременчук. – Кременчук: КУЕІТУ, 2008. – с. 135-136
2008
0,083
Техн.
Прак.
укр



129
CТ
Тербан, В.А.; Шепель, Л.Г.
Контроль оптичної однорідності GaAs та вплив технологічних параметрів вирощування кристалів на характеристики оптичних деталей

Матеріали електронної техніки та сучасні інформаційні технології. Тези доповідей на Третій міжнародній науково-практичній конференції МЕТІТ-3, присвяченій 90-річчю НАНУ: 21-23 травня 2008 р., Кременчук. – Кременчук: КУЕІТУ, 2008. – с. 140-141
2008
0,083
Техн.
Прак.
укр



128
CТ
Хозя, П.А.; Притчин, С.Э.
Разработка процедуры определения температурных полей и термических напряжений в слитках ПИН GaAs, выращенных из расплава

Матеріали електронної техніки та сучасні інформаційні технології. Тези доповідей на Третій міжнародній науково-практичній конференції МЕТІТ-3, присвяченій 90-річчю НАНУ: 21-23 травня 2008 р., Кременчук. – Кременчук: КУЕІТУ, 2008. – с. 142-144
2008
0,125
Техн.
Прак.
укр



127
CТ
Петренко, В.Р. Притчин, С.Е.; Білий, П.М.
Основні динамічні показники малопотужних магнітоелектричних двигунів
Електротехніка та електроенергетика. – 2008. - № 1. – с. 4-7. Фахове видання
2008
0,16
Техн.
Прак.
укр



126
CТ
Хозя, П.О.; Шевченко, І.В.
Чисельно-аналітичне рішення задачі теплообміну з поверхні зливка в процесі вирощування монокристалів GaAs методом Чохральського з рідинною герметизацією
Нові технології. Науковий вісник КУЕІТУ. – 2008. - № 4(22). – с. 10-17. Фахове видання
2008
0,33
Техн.
Прак.
укр



125
CТ
Хозя, П.О.; Шевченко, І.В.
Моделирование тепловых явлений в процессе выращивания монокристаллов GaAs методом Чохральского
І Міжнародна конференція «Електронна компонентна база. Стан і перспективи розвитку» в рамках 3-го Міжнародного радіоелектронного форуму «Прикладна радіоелектроніка. Стан і перспективи розвитку» МРФ-2008. Збірник наукових праць. Том ІІІ. – Харків: АН ПРЕ, ХНУРЕ, 2008. – с. 120-123.
2008
0,16
Техн.
Прак.
укр



124
CТ
Петренко, В.Р.; Притчин, С.Э.; Сиора, А.С.
Цифровая обработка спектра пропускания как средство повышения точности измерения концентрации углерода в пластинах кремния
Складні системи і процеси. – 2008. - №2. – с. 96-101. Фахове видання
2008
0,25
Техн.
Прак.
укр