Міністерство освіти І науки, молоді та спорту україни кременчуцький національний університет імені михайла остроградського
| Вид материала | Документы |
- Міністерство освіти І науки, молоді та спорту україни кременчуцький національний університет, 500.03kb.
- Міністерство освіти І науки, молоді та спорту україни кременчуцький національний університет, 322.6kb.
- Міністерство освіти І науки, молоді та спорту україни кременчуцький національний університет, 2695.96kb.
- Міністерство освіти І науки, молоді та спорту україни кременчуцький національний університет, 739.04kb.
- Міністерство освіти І науки, молоді та спорту україни кременчуцький національний університет, 82.53kb.
- Міністерство освіти І науки, молоді та спорту україни кременчуцький національний університет, 189.47kb.
- Міністерство освіти І науки, молоді та спорту україни кременчуцький національний університет, 563.19kb.
- Міністерство освіти І науки, молоді та спорту україни кременчуцький національний університет, 603.07kb.
- Міністерство освіти І науки україни кременчуцький державний політехнічний університет, 299.05kb.
- Міністерство освіти І науки, молоді та спорту україни кременчуцький національний університет, 1007.08kb.
123
CТ
Хозя, П.О.; Шевченко, І.В.
Численно-аналитический поход к моделированию тепловых явлений в процессе выращивания монокристаллов GaAs методом Чохральского
Складні системи і процеси. – 2008. - №2. – с. 14-18. Фахове видання
2008
0,208
Техн.
Прак.
укр
122
CТ
Батареєв, В.В.; Шепель, Л.Г.
Исследование спектров фотолюминисценции и их связь с плотностью дислокаций в пластинах пин GaAs с различной степенью стехиометрии
Системні технології. Регіональний міжвузівський збірник наукових праць. – Випуск 1(48). – Дніпропетровськ, 2007. – с. 151-165. Фахове видання
2007
0,625
Техн.
Прак.
укр
121
CТ
Шепель, Л.Г.; Маркевич, С.М.
Разработка алгоритма обработки результатов измерения параметра полупроводниковых детекторных материалов
Складні системи і процеси. - № 1. – 2007. – с. 84-89. Фахове видання
2007
0,291
Техн.
Прак.
укр
120
CТ
Петренко, В.Р.; Шепель, Л.Г.
Оптимизация решений при возникновении нештатных ситуаций в процессе выращивания монокристаллов кремния
Вісник Кременчуцького державного політехнічного університету. - Випуск 3/2007 (44). Частина 2. - с. 164-168. Фахове видання
2007
0,208
Техн.
Прак.
укр
119
CТ
Вашерук, А.В.; Хозя, П.А.
Математическое моделирование процесса выращивания Cz монокристаллов GaAs с использованием 3D информации о термоупругих напряжениях
Праці Луганського відділення Міжнародної Академії інформатизації. - № 2(15), 2007. – c. 89-93.
2007
0,208
Техн.
Прак.
укр
118
CТ
Мазницька, О.В.; Орел, В.І.
Особенности ректификационной очистки AsCl3
Інтегровані технології та енергозбереження. Щоквартальний науково-практичний журнал. – Харків: НТУ “ХПІ”, 2007. – № 2. – с. 121-124.Фахове видання
2007
0,16
Техн.
Прак.
укр
117
CТ
Мазницька, О.В.; Орел, В.І.
Ректифікаційне очищення AsCl3 від домішки оксигену
Тези доповідей: ІІІ Українська наукова конференція з фізики напівпровідників (УНКФН-3), Україна, Одеса, 17-22 червня 2007 р. – с. 406.
2007
0,041
Техн.
Прак.
укр
116
CТ
Вашерук, О.В.; Хозя, П. О.
Понижение термоупругих напряжений в монокристаллах арсенида галлия, выращенных методом Чохральского с жидкостной герметизацией
Тези доповідей: ІІІ Українська наукова конференція з фізики напівпровідників (УНКФН-3), Україна, Одеса, 17-22 червня 2007 р. – с. 416-417.
2007
0,083
Техн.
Прак.
укр
115
CТ
Петренко, В. Р.; Резвицкий, В.В.; Шепель, Л.Г.
Дослідження структурної досконалості твердих розчинів InSbBiAs рентгеноспектральним методом
Тези доповідей: ІІІ Українська наукова конференція з фізики напівпровідників (УНКФН-3), Україна, Одеса, 17-22 червня 2007 р. – c. 418.
2007
0,041
Техн.
Прак.
укр
114
CТ
Петренко, В.Р.; Білоконь, О. А.
Оценка адекватности математической модели взаимосвязи осевого и радиального распределений удельного электросопротивле ния в слитках монокремния
Нові технології. Науковий вісник КУЕІТУ. - № 3(17). – 2007 – с. 3-8 Фахове видання
2007
0,25
Техн.
Прак.
укр
113
CТ
Петренко, В.Р.; Притчин, С.Е.; Білий, П.М.
Магнітоелектричні двигуни для сервоприводу
Нові технології. Науковий вісник КУЕІТУ. - № 3(17). – 2007 – с. 90-94 Фахове видання
2007
0,208
Техн.
Прак.
укр
112
CТ
Шепель, Л.Г.; Тербан, В.А.; Маркевич, С.М.
Вплив умов попередньої термообробки теплового вузла на електрофізичні параметри ПІН GaAs при вирощуванні монокристалів методом Чохральського
Нові технології. Науковий вісник КУЕІТУ. - № 3(17). – 2007 – с. 9-12 Фахове видання
2007
0,16
Техн.
Прак.
укр
111
CТ
Вашерук, А.В.; Хозя, П.А.
Модель термоупругих напряжений и плотности дислокаций в кристаллах GaAs, выращиваемых из расплава
Складні системи і процеси. -№ 2. – 2007. – с. 3-8. Фахове видання
2007
0,25
Техн.
Прак.
укр
110
CТ
Петренко, В.Р.; Честнова, І.С.
Нейромережевий підхід до структурного синтезу моделей передатних функцій лінійних динамічних об’єктів
Нові технології. Науковий вісник КУЕІТУ. - № 4(18). – 2007. - с. 40. Фахове видання
2007
Техн.
Прак.
укр
109
CТ
Шепель, Л.Г.; Батареєв, В.В.
Дослідження закономірностей формування структурної досконалості монокристалів напівізолюючого арсеніду галію
Нові технології. Науковий вісник КУЕІТУ. – 2006. - № 1(11). – стор. 3-8 Фахове видання
2006
0,25
Техн.
Прак.
укр
108
CТ
Губачов, О.І.; Горова, А.І.
Закономірності системного фітомоніторингу Кременчуцького регіону
Нові технології. Науковий вісник КУЕІТУ. – 2006. - № 1(11). – стор. 193-199 Фахове видання
2006
0,291
Техн.
Прак.
укр
107
CТ
Петренко, В.Р.; Резвицький, В.В.; Шепель, Л.Г.
Вивчення показника стехіометричності кристалів GaAs дисплейними методами хемометрики
Нові технології. Науковий вісник КУЕІТУ. – 2006. - № 2(12). – стор. 5-10 Фахове видання
2006
0,25
Техн.
Прак.
укр
106
CТ
Притчин, С.Е.; Вашерук, О.В.
Вплив теплових умов на вміст кисню та розподіл щільності мікродефектів у процесі вирощування монокриста лів кремнію діаметром 200 мм
Нові технології. Науковий вісник КУЕІТУ. – 2006. - № 2(12). – стор. 15-21 Фахове видання
2006
0,291
Техн.
Прак.
укр
105
CТ
Мазницька, О.В.; Новохатько, О.В.; Орел, В.І.
Забруднення домішками кисню мишьяку при його одержанні з GaCl3
Нові технології. Науковий вісник КУЕІТУ. – 2006. - № 2(12). – стор. 33-35 Фахове видання
2006
0,125
Техн.
Прак.
укр
104
CТ
Губачов, О.І.; Прищепа, Л.В.; Шафорост, Є.І.
До проблеми використання елементів фітобіоти урбанізованого ландшафту для біомоніторингу промислових територій
Нові технології. Науковий вісник КУЕІТУ. – 2006. - № 2(12). – стор. 250-253 Фахове видання
2006
0,16
Техн.
Прак.
укр
103
CТ
Краскевич, В.Е.; Петренко, В.Р.; Шепель, Л.Г.
Автоматизированная система управления компоновкой загрузок при выращивании монокристаллов кремния для солнечных ФЭП
Складні системи і процеси. - № 1. – 2006. – с. 85-90 Фахове видання
2006
0,25
Техн.
Прак.
укр
102
CТ
Мазницька, О.В.; Оніпко, О.Ф.; Орел, В.І.
Попередня ректифікація арсен(ІІІ) хлориду
Складні системи і процеси. - № 1. – 2006. – с. 47-51 Фахове видання
2006
0,208
Техн.
Прак.
укр
101
CТ
Петренко, В.Р.; Тербан, В.А.; Шепель, Л.Г.
Алгоритмизация процедуры компоновки загрузок при выращивании монокристаллов кремния для солнечных ФЭП
1-а міжнародна конференція “Глобальні інформаційні системи. Проблеми та тенденції розвитку”: Зб. матеріалів конференції. – Харків: ХНУРЕ, 2006 р. - с. 63-65
2006
0,125
Техн.
Прак.
укр
100
CТ
Притчин, С.Е.; Габітов, В.Е.
Оптимізація процесу шліфування КСДІ на базі верстату САШ-420
Нові технології. Науковий вісник КУЕІТУ. - № 3(13). – 2006. – с. 3-7 Фахове видання
2006
0,208
Техн.
Прак.
укр
99
CТ
Батареев, В.В.
Исследование закономерностей формирования остаточных напряжений в полуизолирующем арсениде галлия
1-а міжнародна конференція “Глобальні інформаційні системи. Проблеми та тенденції розвитку”: Зб. матеріалів конференції. – Харків: ХНУРЕ, 2006 р. - с. 487-488
2006
0,083
Техн.
Прак.
укр
98
CТ
Притчин, С.Э.; Краскевич, В.Е.; Батареев В.В.
Автоматизированный комплекс для измерения внутренних напряжений в пластинах GaAs
Складні системи і процеси. - № 2(10). – 2006. – с. 40-50. Фахове видання
2006
0,458
Техн.
Прак.
укр
97
CТ
Глушков, Є.О.; Мазницька, О.В.; Орел, В.І.
Електричні властивості епітаксіальних шарів GaAs, отриманих за низької температури в системі Ga-AsCl3-H2
Нові технології. Науковий вісник КУЕІТУ. - № 4(14). – 2006 – с. 3-6 Фахове видання
2006
0,16
Техн.
Прак.
укр
96
CТ
Шепель, Л.Г.; Маркевич, С.М.; Рябіков, В.М.
Разработка метода и аппаратуры измерения произведения кристаллов пин GaAs, выращенных по методу Чохральского
Системні технології. Регіональний міжвузівський збірник наукових праць. – Випуск 5(46). – Дніпропетровськ, 2006. – с. 127-136. Фахове видання
2006
0,416
Техн.
Прак.
укр
95
CТ
Притчин, С.Э.; Ткаченко, М.О.
Система автоматического управления процессом шлифовки кремниевых структур с диэлектрической изоляцией
Праці Луганського відділення Міжнародної Академії інформатизації. Науковий журнал. - №1(10), 2005. - с. 71-73. Фахове видання
2005
0,125
Техн.
Прак.
укр
94
CТ
Батареєв, В. В.
Розробка процедури оптимізації вирощування структурно досконалих зливків арсеніда галію
Праці Луганського відділення Міжнародної Академії інформатизації. Науковий журнал. - №1(10), 2005. - с. 74-76. Фахове видання
2005
0,125
Техн.
Прак.
укр
93
CТ
Шепель, Л.Г.; Маркевич, С.М.; Резвицький, В.В.
Залежність електрофізичних параметрів кристалів GaAs від умов синтезу
Нові технології. Науковий вісник ІЕНТ. –2005. – №1-2 (7-8). – с. 5-8. Фахове видання
2005
0,16
Техн.
Прак.
укр
92
CТ
Петренко, В.Р.
Керування об’ємом міжрівневого інформаційного обміну в дворівневій системі управління вирощуванням зливків кремнію
Фізика і технологія тонких плівок. Матеріали Ювілейної Х Міжнародної конференції “МКФТТП-Х”, Івано-Франківськ, 2005. – Т.2. – с.194-195
2005
0,041
Техн.
Прак.
укр
91
CТ
Притчин, С.Е.; Ткаченко, М.О.
Формирование математической модели определения кинематических параметров шлифования кремниевых структур с диэлектрической изоляцией
Фізика і технологія тонких плівок. Матеріали Ювілейної Х Міжнародної конференції “МКФТТП-Х”, Івано-Франківськ, 2005. – Т.2. – с.193-194
2005
0,041
Техн.
Прак.
укр
90
CТ
Петренко, В.Р.; Притчин, С.Е.
Автоматизированная двухуровневая система управления процессом вытягивания слитков монокристаллического кремния
Труды 6-ой международной конференции “Рост монокристаллов и тепломассоперенос”, Обнинск, Россия , 22-26 сентября 2004 г. – с.
2004
Техн.
Прак.
укр
89
CТ
Притчин, С.Е.; Вашерук, О.В.; Кротюк, І.Г.
Моделювання процесу утворення мікродефектів при вирощуванні зливків кремнію діаметром 200 мм
Нові технології. Науковий вісник ІЕНТ. – 2005. - №3(9). – с. 5-11 Фахове видання
2005
0,291
Техн.
Прак.
укр
88
CТ
Петренко, В.Р.; Тербан, В.А.; Шепель, Л.Г.
Оптимізація процесу дистиляційного очищення телуру від домішків кисню
Нові технології. Науковий вісник ІЕНТ. – 2005. - №4(10).– с. 3-7 Фахове видання
2005
0,208
Техн.
Прак.
укр
87
CТ
Стрижак, А. А.; Олада, Т.В.
Роль показників екологічної небезпеки міст у керуванні стійким розвитком регіону
Нові технології. Науковий вісник ІЕНТ. – 2005. - №4(10). – с. 148 -159 Фахове видання
2005
0,5
Техн.
Прак.
укр
86
CТ
Пандаєвська, О.Л.; Федоренко, Ю.В.
Обгрунтування необхідності використання усереднювачів при очищенні зливових вод
Нові технології. Науковий вісник ІЕНТ. – 2005. - №4(10). – с. 152 -155 Фахове видання
2005
0,16
Техн.
Прак.
укр
85
CТ
Петренко, В.Р.; Притчин, С.Е.
Архитектура и функциональность двухуровневой АСУТП выращивания слитков кремния
Складні системи і процеси. – 2005. - № 1(7). – с. 78-84 Фахове видання
2005
0,291
Техн.
Прак.
укр
84
CТ
Кротюк, І.Г.; Тербан, В.А.; Шепель, Л.Г.
Разработка метода и аппаратуры для определения кислорода в теллуре в процессе промышленного производства теллура высокой чистоты
Системні технології. Регіональний міжвузівський збірник наукових праць. – Випуск 5(40). – Дніпропетровськ, 2005. – с. 135-143 Фахове видання
2005
0,375
Техн.
Прак.
укр
83
CТ
Притчин, С.Е.; Вашерук, О.В.
Влияние тепловых условий выращивания монокристаллов кремния на образование свирлевых дефектов. Разработка метода и средств определения их плотности
Системні технології. Регіональний міжвузівський збірник наукових праць. – Випуск 5(40). – Дніпропетровськ, 2005. – с. 151-171 Фахове видання
2005
0,83
Техн.
Прак.
укр
82
CТ
Ткаченко, М.О.
Розробка процедури оптимізації управління процесом шліфовки кремнієвих структур з діелектричною ізоляцією на станку САШ-420М
Нові технології. Науковий вісник ІЕНТ. – 2005. - № 1-2 (7-8). – с.35-41 Фахове видання
2005
0,291
Техн.
Прак.
укр
81
CТ
Батареєв, В.В.
Розробка процедури оптимізації вирощування структурно-досконалих зливків арсеніда галія
Нові технології. Науковий вісник ІЕНТ. – 2005. - № 1-2 (7-8). – с. 27-32 Фахове видання
2005
0,208
Техн.
Прак.
укр
80
CТ
Тербан, В.А.; Петренко, В.Р.
Оптимізація процесу очищення телуру кадмію для виробництва радіаційно-чутливих кристалів CdTe(Zn).
Нові технології. Науковий вісник ІЕНТ. – 2005. - № 1-2 (7-8). – с.17-21 Фахове видання
2005
0,16
Техн.
Прак.
укр
79
CТ
Притчин, С.Е.; Ткаченко, М.О.
Исследование параметров шлифования и структурных нарушений при шлифовании кремниевых структур
Системні технології. – Випуск 6 (35). – Дніпропетровськ, 2005. – с.41-43 Фахове видання
2005
0,125
Техн.
Прак.
укр
78
CТ
Притчин, С.Е.; Вашерук, О.В.
Анализ процесса тепломассопереноса при выращивании слитков кремния с учетом тепловых конструкционных параметров ростовых установок
Радіоелектроніка та інформатика. – 2005 - № 2. – с. 16-18 Фахове видання
2005
0,291
Техн.
Прак.
укр
77
CТ
Pritchin, S.E.; Vasheruk, A.V.
Mathematic modeling of oxygen distribution mechanism in Si ingots during growing processes
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2004. V. 7, N 3. P. 236-239 .Фахове видання
2004
0,16
Техн.
Прак.
укр
76
CТ
Вашерук, О.В.
Аналіз процесу теплообміну при вирощуванні монокристалів кремнію методом Чохральського з використанням математичного моделювання
Нові технології. Науковий вісник ІЕНТ. – 2004. – № 1-2(4-5). – с. 113-116 Фахове видання
2004
0,16
Техн.
Прак.
укр
75
CТ
Маркевич, С.М.; Шепель, Л.Г.
Оптимізація динамічних характеристик процесу вирощування кристалів GaAs методом Чохральського
Нові технології. Науковий вісник ІЕНТ. – 2004. – № 1-2(4-5). – с. 125-128.Фахове видання
2004
0,125
Техн.
Прак.
укр
74
CТ
Міхальчук, В.І.
Контроль температури розплаву в автоматизованих системах вирощування монокристалів кремнію методом Чохральського
Нові технології. Науковий вісник ІЕНТ. – 2004. – № 1-2(4-5). – с. 87-90. Фахове видання
2004
0,125
Техн.
Прак.
укр
73
CТ
Перваков,О.С.
Математичне моделювання умов формування мікро дефектів в зливках кремнію
Нові технології Науковий вісник ІЕНТ. – 2004. – № 1-2(4-5). – с. 98-101. Фахове видання
2004
0,125
Техн.
Прак.
укр
72
CТ
Петренко, В.Р.; Притчин, С.Е.
Оптимізація алгоритму контролю діаметра зливку кремнію в процесі росту
Нові технології. Науковий вісник ІЕНТ. – № 1-2(4-5). – 2004. – с. 82-86 Фахове видання
2004
0,16
Техн.
Прак.
укр
71
CТ
Петренко, В.Р.; Шевченко, І.В.
Сучасні системи управління підприємством: проблеми вибору
Нові технології. Науковий вісник ІЕНТ. – № 1-2(4-5). – 2004. – с. 179-182 Фахове видання
2004
0,125
Техн.
Прак.
укр
70
CТ
Притчин, С.Е.; Ткаченко, М.А.
Математичне моделювання механічної обробки кремнієвих структур на верстаті алмазної шліфовки САШ-420М
Нові технології. Науковий вісник ІЕНТ. – № 1-2(4-5). – 2004. – с. 121-124 Фахове видання
2004
0,125
Техн.
Прак.
укр
69
CТ
Притчин, С.Е.; Кротюк, І.Г.
Інформаційно – керуючий комплекс контролю технологічних параметрів вирощування зливків кремнію діаметром 200 мм
Нові технології. Науковий вісник ІЕНТ. – 2004. - № 3 (6). – с. 3-7 Фахове видання
2004
0,16
Техн.
Прак.
укр
68
CТ
Петренко, В.Р.
Оцінювання адекватності стохастичних моделей передатних функцій системи управління процесом вирощування монокристалів кремнію
Нові технології. Науковий вісник ІЕНТ. – 2004. - № 3 (6). – с. 12-14 Фахове видання
2004
0,125
Техн.
Прак.
укр
67
CТ
Сидоренко, С.Д.; Гарькавенко, Н.М.
Підвищення точності виміру об’ємного часу життя нерівноважних носіїв заряду в монокристалічному кремнії
Нові технології. Науковий вісник ІЕНТ. – 2004. - № 3 (6). – с. 27-29 Фахове видання
2004
0,125
Техн.
Прак.
укр
66
CТ
Орел, В.І.; Разбоєв, О.І.; Свистун, В.М.
Фотоелектричне перетворення сонячної енергії
Нові технології. Науковий вісник ІЕНТ. – 2004. - № 3 (6). – с. 131-134 Фахове видання
2004
0,208
Техн.
Прак.
укр
65
CТ
Притчин, С.Е.; Ткаченко, М.А.
Разработка автоматизированного устройства с программным управлением для шлифовки кремниевых структур с диэлектрической изоляцией
Прикладная радиоэлектроника. – 2004. - Том 3., № 3. – с. 79-83 Фахове видання
2004
0,208
Техн.
Прак.
укр
64
CТ
Притчин, С.Е.; Вашерук, О.В.
Математичне моделювання механізму розподілу кисню у зливкові кремнію в процесі його вирощування
Матеріали ІІ Української наукової конференції з фізики напівпровідників, УНКФН-2, Чернівці – Вижниця, 2004. – с. 79-81
2004
0,083
Техн.
Прак.
укр
63
CТ
Притчин, С.Е.; Кротюк, І.Г.
Информационно – управляющий комплекс контроля технологических параметров выращивания слитков кремния большого диаметра
Матеріали Міжнародної науково-технічної конференції “Сенсорна електроніка і мікросистемні технології”, СЕМСТ-1, Одеса, 2004.- с.261-262
2004
0,083
Техн.
Прак.
укр
62
CТ
Притчин, С.Е.; Вашерук, О.В.
Моделирование механизма распределения кислорода в технологии выращивания монокристаллов кремния из расплава
Матеріали 10-ї ювілейної міжнародної наукової конференції “Теорія та техніка передачі, прийому та обробки інформації”, Туапсе, 2004. – с. 331-332
2004
0,083
Техн.
Прак.
укр
61
CТ
Притчин, С.Е.
Управление неравномерностью распределения кислорода по длине монокристаллов кремния большого диаметра, выращиваемых методом Чохральского
Радиоэлектроника и информатика,ХНУРЭ. – 2003.- №2. – с. 23-26. Фахове видання
2003
0,125
Техн.
Прак.
укр
60
CТ
Vacheruk, A.V.; Krotuk, I.G.; Petrenko, V.R.; Pritchyn, S.E.
New approaches to automated control system design for CZ single crystal growth with diameter 200 – 300 mm
Obninsk, 2003, vol.1, p.18-23.
2003
Техн.
Прак.
укр
59
CТ
К вопросу влияния измерения температуры расплава на структурное совершенство слитков кремния
Системні технології.- 2003 - № 4(15).- с.89-97. Фахове видання
2003
0,291
Техн.
Прак.
укр
58
CТ
Левикін, В.М.
Комплексна система організації і технології підготовки спеціалістів комп’ютерних наук: проблеми реалізації
Нові технології. Науковий вісник ІЕНТ. – № 2 (3). – 2003. – с. 120-126 Фахове видання
2003
0,25
Техн.
Прак.
укр
57
CТ
Міхальчук, В.І.
Влияние промежуточной среды на измерения температуры расплава в процессе выращивания монокристаллов кремния
Радиоэлектроника и информатика,ХНУРЭ.- 2003.- №1. – с. 18-20. Фахове видання
2003
0,083
Техн.
Прак.
укр
56
CТ
Орел, В.І.; Перваков, О.С.
Фактори, що визначають радіальний градієнт температури при вирощуванні бездефектних злитків кремнію за методом Чохральського
Нові технології. Науковий вісник ІЕНТ. - 2003. -№1 (2). – с. 9-11 Фахове видання
2003
0,125
Техн.
Прак.
укр
55
CТ
Перваков, А.С.
Усовершенствование метода поддержания CТ диаметра слитка при выращивании монокристаллов кремния.
Вісник Технологічного університету Поділля. – Т.1. – 2003. - № 3. Фахове видання
2003
0,125
Техн.
Прак.
укр
54
CТ
Шостак, В.Ф.; Перваков, О.С.
Фактори, що впливають на виникнення мікродефектів у бездислокаційних зливках кремнію
Нові технології. Науковий вісник ІЕНТ. – 2003. – № 2(3). – с. 3-6. Фахове видання
2003
0,125
Техн.
Прак.
укр
53
CТ
Петренко, В.Р.; Кротюк, И.Г.
Предварительная идентификация двухвходовой объединённой модели «Передаточная функция-шум» в системе управления процессом выра щивания монокристаллов кремния
Системні технології. – 2003. - №1(24). - с.164-170 Фахове видання
2003
0,25
Техн.
Прак.
укр
52
НПР
Методи та аппаратура контролю структурно – геометричної досконалості напівпровідникових матеріалів та структур в умовах їх серійного виробництва 05.27.06 – технологія, обладнання та виробництво електронної техніки
Дисертація на здобуття наукового ступеня доктора технічних наук, Кременчук, 2002
2002
Техн.
Прак.
укр
51
CТ
Михальчук, В.И.
Бесконтактное измерение температуры расплава кремния с помощью пирометров на основе термоэлектронных модулей
Вестник НТУ ХПИ «Новые решения в современных технологиях». - Харків. – 2002. – № 4 – С. 11-22 Фахове видання
2002
0,458
Техн.
Прак.
укр
50
CТ
Кротюк, І.Г.
Методы, используемые для построения комбинированных моделей передаточных функций – шума, применяемые при выращивании монокристаллического кремния
“Вісник Технологічного університету Поділля”, міжнародний науковий журнал “Проблеми трибології (Problems of Tribology)” . – 2002. Фахове видання
2002
0,25
Техн.
Прак.
укр
49
CТ
Перваков, О.С.
До питання підвищення точності визначення рівня розплаву монокристалічного кремнію в установках “РЕДМЕТ-30А”
Зб. наук. праць “Вимірювальна та обчислювальна техніка в технологічних процесах”. – 2002.– випуск № 9. – 105-108 Фахове видання
2002
0,125
Техн.
Прак.
укр
48
CТ
Перваков, О.С.
Оптимизация анализа изображения зоны роста при выращивании CТ монокристаллов кремния высокой чистоты
Нові технології. Науковий вісник ІЕНТ. - 2002. - №1(1). – c.17-18 Фахове видання
2002
0,083
Техн.
Прак.
укр
47
CТ
Перваков, О.С.; Устінова, С.С.
Повышение точности телевизионного метода измерений коррекцией оптических искажений изображения.
Системні технології. – 2002. - № 6 (23). – с. 41-45 Фахове видання
2002
0,125
Техн.
Прак.
укр
46
CТ
Петренко, В.Р.
Разработка стохастических моделей передаточных функций для системы управления процессом выращивания монокристаллов кремния большого диаметра
Херсон: Вестник Херсонского государственного технического университета.- 2002. - № 2(15). – с.360-363. Фахове видання
2002
0,16
Техн.
Прак.
укр
45
CТ
Петренко, В.Р.; Притчин, С.Е.
Автоматизована система керування процесом вирощування досконалих монокристалів кремнію методом Чохральського (АСУ “Кремінь”)
Нові технології. Науковий вісник ІЕНТ. – 2002. - №1 (1). – с.7-14 Фахове видання
2002
0,291
Техн.
Прак.
укр
44
CТ
Притчин, С.Е.
Метод побудови автоматизованої системи по вирощуванню досконалих монокристалів кремнію методом Чохральського
Тези доповідей, УНКФН-1, том 2, 2002.
2002
0,041
Техн.
Прак.
укр
43
CТ
Притчин, С.Е.; Перваков,О.С.
Розробка автоматизованих комплексів управління технологічними процесами вирощування бездефектних зливків кремнію великого діаметру
Зб. наук. пр. Матеріали 1-го Міжнародного радіоелектронного форуму “Прикладна радіоелектроніка. Стан і перспективи розвитку”, 2002.
2002
0,012
Техн.
Прак.
укр
42
CТ
Притчин, С.Э.
Определение телевизионным способом диаметра монокристалла кремния на разных стадиях его роста
Научные труды КГПИ. Вып.2/2001 (8) – Кременчуг: КГПИ. – с. 376-381 Фахове видання
2001
0,208
Техн.
Прак.
укр
41
CТ
Pritchin, S.E.; Vdovichenko, N.D.
Principles of the control system for dislocation-free silicon single crystal growing under maintaining the crystal diameter and melt temperature
Functional materials. - 2001. - Vol. 8, № 2. - P. 377-380. Фахове видання
2001
0,125
Техн.
Прак.
укр
40
CТ
Вдовиченко, М.Д.
Новые принципы построения устройств контроля процессов выращивания структурно-совершенных слитков кремния большого диаметра
Радиоэлектроника и информатика, Харьков: ХТУРЭ. - 2001, №1(14). - С.42-45. Фахове видання
2001
0,125
Техн.
Прак.
укр
39
CТ
Притчин, С.Э.; Перваков, А.С.
Метод контроля уровня расплава при выращивании структурно-совершенных монокристаллов кремния по методу Чохральского
Радиоэлектроника и информатика. – Харьков: ХНУРЭ. – 2001. - №4. – С. 43-46. Фахове видання
2001
0,125
Техн.
Прак.
укр
38
CТ
Петренко, В.Р.
Автоматизация и моделирование процессов выращивания структурно-совершенных монокристаллов кремния большого диаметра
АСУ и приборы автоматики. – Харьков: ХНУРЭ. – 2001 – Вып.117. – С. 165-175. Фахове видання
2001
0,416
Техн.
Прак.
укр
37
CТ
К вопросу влияния измерения температуры расплава на структурное совершенство слитков кремния
Системні технології.- Дніпропетровськ, 2001-№ 4 (15). - С.89-97. Фахове видання
2001
0,33
Техн.
Прак.
укр
36
CТ
The main tasks of formulating the algorithm for functioning automized systems on growing absolute monocryctals by Chokhralsky method
Fourth International Conference. Single crystal growth and heat and mass transfer, Obninsk, 2001, Vol. 2. - С. 428-435.
2001
0,291
Техн.
Прак.
укр
35
CТ
Вдовиченко, Н.Д.
Способ измерения температуры расплава кремния пирометрическим методом в процессе выращивания монокристаллов по методу Чохральского
Вимірювальна та обчислювальна техніка в технологічних процесах. Зб. наук. праць, випуск № 8 (2001). – с. 393 – 396 Фахове видання
2001
0,125
Техн.
Прак.
укр
34
CТ
Притчин, С.Е.
Автоматизация технологического процесса получения монокристаллического кремния
Вимірювальна та обчислювальна техніка в технологічних процесах. Зб. наук. праць, випуск № 8 (2001). – с. 396 – 399 Фахове видання
2001
0,125
Техн.
Прак.
укр
33
CТ
Вдовиченко, Н.Д.
Принципы повышения точности контроля структурного несовершенства полупроводниковых пластин
Радиоэлектроника и информатика. – Харьков: ХТУРЭ. – 2000. - № 3. - С. 42-48. Фахове видання
2000
0,291
Техн.
Прак.
укр
32
CТ
Bogoboyaschiy, V.V.; Kurbanov, K.R.
Industrial production of GaAs and Hg1-xCdxTe based crystals and epitaxial structures in Ukraine: actuality and development outlook
Functional materials. – 2000. - Vol. 7, № 3. - P. 546-551 Фахове видання
2000
0,25
Техн.
Прак.
укр
31
CТ
Петренко, В.Р.
Автоматизация выращивания монокристаллов полупроводников по методу Чохральского
Научные труды КГПИ. - Кременчуг: КГПИ - Вып. 1/2000(8) – С. 364-367. Фахове видання
2000
0,125
Техн.
Прак.
укр
30
CТ
Теоретичне обґрунтування та експериментальне дослідження методу контролю щільності дислокацій в кремнієвих епітаксійних структурах
Вісник ЖІТІ, Технічні науки.- 2000.- №15. - С.120-124. Фахове видання
2000
0,16
Техн.
Прак.
укр
29
CТ
Метод и устройство для неразрушающего контроля средней плотности дислокаций в кремниевых эпитаксиальных структурах
Материалы 6-й международной конференции «Теория и техника передачи, приема и обработки информации», сборник научных трудов. – Харьков. – 2000. – с. 482-486
2000
0,208
Техн.
Прак.
укр
28
CТ
Притчин, С.Э.
Определение геометрических характеристик объектов телевизионным методом в сложных физических условиях
Научные труды КГПИ. Вып 1/2000(8) – Кременчуг: КГПИ. – с. 359-363 Фахове видання
2000
0,16
Техн.
Прак.
укр
27
CТ
Галанов, Е.К.; Бароненкова, Р.П.;Борисова, Т.А.
Исследование распределения плотности дислокаций в Si методом деполяризации излучения
Оптико-механическая промышленность. - 1988. - № 11. - С. 73-76. Фахове видання
1988
0,16
Техн.
Прак.
укр
26
CТ
Вдовиченко, Н. Д.
Метод контроля искусственной оптической анизотропии в полупроводниковых материалах с различной кристаллографической ориентацией
Электр. Техника. Cер. 2. Полупроводниковые приборы. – 1988. - Вып. № 3. - С. 54-58. Фахове видання
1988
0,208
Техн.
Прак.
укр
25
CТ
Концевой, Ю. А.; Чернер, В.М.; Мельников, В.Д.
О связи напряженного состояния с дефектами кристаллической структуры в арсениде галлия
«Заводская лаборатория». - 1987. - №7. - стр.90-91 Фахове видання
1987
0,083
Техн.
Прак.
укр
24
CТ