Geum.ru

Програма фахових вступних випробувань на здобуття освітньо-кваліфікаційного рівня магістр (спеціаліст) зі спеціальності

Вид материалаДокументы

Содержание


Міністерство освіти і науки україни
Завдання для фахового вступного випробування
Критерії оцінювання відповідей (за шкалою ЕСТS)
Орієнтовний перелік
Подобный материал:
1   2   3

Варіант № 29

  1. Фоторезистори. Конструкція, принцип дії, характеристики та області застосування.
  2. Дайте визначення режимів роботи генераторів.
  3. Класифікація і основні параметри лічильників.
  4. Навести схему ключового елемента змінного струму на МДП-транзисторах та пояснити його роботу.
  5. Структура внутрішнього ОЗП даних. Регістри спеціальних функцій.



Затверджено на засіданні кафедри електроніки та електротехніки

протокол № 5 від 16 березня 2010 року.


Зав. кафедри __________________ проф. Ю.Є.Кулєшов

(підпис)


МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ

КИЇВСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ ТЕХНОЛОГІЙ ТА ДИЗАЙНУ

КАФЕДРА ЕЛЕКТРОНІКИ ТА ЕЛЕКТРОТЕХНІКИ


ЗАТВЕРДЖУЮ

Ректор КНУТД


___________________ О.І.Волков

«_____»_____________ 2010 р.


ЗАВДАННЯ ДЛЯ ФАХОВОГО ВСТУПНОГО ВИПРОБУВАННЯ


для здобуття освітньо-кваліфікаційного рівня магістр (спеціаліст)

зі спеціальності 7(8).090803 «Електронні системи»


Варіант № 30

  1. Фотодіоди. Конструкція, принцип дії, характеристики, режими роботи та області застосування. Фототранзистори та фототиристори. Конструкція, принцип дії, вольт-амперні характеристики.
  2. Як негативний зворотній зв'язок впливає на частотні властивості підсилювачів?
  3. Логічні пристрої з програмованими характеристиками, призначення, області застосування.
  4. Навести схему та пояснити роботу системи керування однотактним перетворювачем постійної напруги з прямим включенням діода.
  5. Система команд роботи MCS-51.



Затверджено на засіданні кафедри електроніки та електротехніки

протокол № 5 від 16 березня 2010 року.


Зав. кафедри __________________ проф. Ю.Є.Кулєшов

(підпис)


Критерії оцінювання відповідей (за шкалою ЕСТS)


Усі білети мають структуру, що містить кілька питань з дисциплін, які вивчались у бакалавраті напрямку «Електроніка», взаємно пов’язаних між собою. Це забезпечує комплексність іспиту.

Відповіді повинні мати чітке рішення задачі, що потребує вирішення, визначення необхідних засобів за допомогою яких будуть отримані необхідні результати, чітко викладені та відповідно оформлені матеріали виконання поставленої задачі.

При відповіді на запитання необхідно:
  • продемонструвати знання фізичних основ та законів електроніки, а також уміння аналізувати процеси в електронних пристроях та системах;
  • показати уміння розраховувати електронний пристрій за допомогою сучасних методів;
  • дати аналітичну та якісну оцінку найбільш важливих параметрів та характеристик електронних пристроїв, що досліджуються.

У відповідності до «вимог» при відповіді на запитання вони оцінюються за чотирибальною системою.

Оцінка «відмінно» виставляється при повних та вірних відповідях на всі запитання (90 – 100).

Оцінка «добре» виставляється при вірних відповідях на всі запитання, але без детального аналізу і обґрунтування методів розрахунку (81 – 89).

Оцінка «задовільно» виставляється при наявності вірних відповідях на більшу частину запитань, але допущені помилки при розрахунках або недостатньо проілюстровано деякі відповіді (60 – 74).

Оцінка «незадовільно» виставляється при відсутності вірних відповідей на більшу частину запитань, невмінні сформулювати і уяснити суть поставленої задачі та виконати її аналіз.


Київський національний університет технологій та дизайну


ОРІЄНТОВНИЙ ПЕРЕЛІК


питань по основних напрямках навчальної програми

зі спеціальності «Електронні системи»

для вступу на навчання за рівнем

спеціаліст та магістр


Затверджено

на засіданні

кафедри ЕЕТ,

протокол № 5

від 16.03.20010 р.


Київ 2010


Твердотіла електроніка

  1. Діаграма ланцюга керування триністора. Завадостійкість тиристорів та способи її підвищення.
  2. Двоопераційні тиристори. Фізичні процеси при виключенні. Недоліки в застосуванні приладів.
  3. Електричні переходи. Класифікація та стисла характеристика.
  4. Електронно-дірковий перехід (p-n-перехід). Енергетичні діаграми, вольт-амперна характеристика ідеалізованого p-n-переходу.
  5. Порівняльна характеристика тиристорів та біполярних транзисторів, як комутаційних елементів.
  6. Класифікація p-n-переходів. Ємність p-n-переходу.
  7. Одноперехідні транзистори. Конструкція та принцип дії.
  8. Діоди на основі p-n-переходу. Вольт-амперна характеристика реального діода.
  9. Фізичні та математичні моделі.
  10. Уніполярні (польові) прилади. Особливості фізики роботи. Класифікація та система визначення приладів.
  11. Способи включення тиристорів.
  12. Польові транзистори з керуючим p-n-переходом. Конструкція, принцип дії, статичні характеристики.
  13. Частотні властивості діодів.
  14. Польові транзистори з ізольованим затвором та індукованим каналом. Фізика роботи, статичні характеристики.
  15. Польові транзистори з вбудованим каналом. Принцип дії та статичні характеристики. Екрани ЕПП.
  16. Потужні польові транзистори з вертикальною структурою. Конструкція, принцип дії, характеристики та параметри.
  17. Біполярні транзистори (БТ). Принцип дії, схеми включення та режими роботи.
  18. Порівняльна характеристика біполярних та польових транзисторів.
  19. Напівпровідникові термоелектричні прилади. Конструкція, принцип дії, характеристики та параметри.
  20. Перетворювачі Хола. Принцип дії, параметри та характеристики. Області застосування.
  21. Магніторезистори, магнітнодіоди та магнітотранзистори.
  22. Статичні характеристики та параметри реальних БТ для різних схем включення.
  23. Світловипромінюючі та інфрачервоні діоди. Конструкція, принцип дії, області застосування.
  24. Частотні характеристики біполярних транзисторів.
  25. Фотодіоди. Конструкція, принцип дії, характеристики, режими роботи та області застосування.
  26. Особливості конструкції, параметри та характеристики потужних біполярних транзисторів.
  27. Тиристори. Принцип дії (на прикладі діністора або триністора), вольт-амперна характеристика та статичні параметри тиристорів.
  28. Основні параметри та характеристики світловипромінюючих приладів.
  29. Фоторезистори. Конструкція, принцип дії, характеристики та області застосування.
  30. Фотодіоди. Конструкція, принцип дії, характеристики, режими роботи та області застосування. Фототранзистори та фототиристори. Конструкція, принцип дії, вольт-амперні характеристики.


Аналогова схемотехніка

  1. Поясніть причини виникнення синфазного сигналу.
  2. За рахунок чого виникає «завал» частотної характеристики підсилювача в області низьких частот?
  3. Наведіть і проаналізуйте параметри, недоліки та переваги діодних ключових схем.
  4. За рахунок чого виникає «завал» частої характеристики підсилювача в області високих частот?
  5. Наведіть класифікацію зворотних зв’язків.
  6. Дайте порівняльну характеристику підсилювачів класів В та С. При відповіді необхідно висвітлити наступні моменти:

а) значення коефіцієнту корисної дії;

б) значення нелінійних перекручень;

в) місце вибору робочої точки.
  1. Обґрунтувати вибір схеми підсилювача для забезпечення найбільшого коефіцієнту підсилення по потужності.
  2. Наведіть класифікацію електронних генераторів.
  3. Визначити поняття та навести формулу для виразу коефіцієнта підсилення підсилювача при застосуванні позитивного зворотного зв’язку.
  4. Визначити вплив позитивного та негативного зв’язку на стабільність роботи підсилювача.
  5. Класифікація підсилювачів.
  6. Запишіть дві умови збудження генераторів.
  7. Характеристики підсилювачів.
  8. Обґрунтувати, які переваги та недоліки мають RC-генератори.
  9. Яким чином забезпечується м’який режим збудження генератора?
  10. Дайте визначення детектора та сформулюйте функції фазового детектора.
  11. Температурна стабільність параметрів підсилювачів та засоби її забезпечення.
  12. На базі чого будується логарифмічний підсилювач?
  13. На базі чого будується антилогарифмічний підсилювач?
  14. Що таке вхідний динамічний діапазон підсилювача?
  15. Намалюйте частотну характеристику підсилювача.
  16. Що таке активний фільтр?
  17. Намалюйте амплітудну характеристику підсилювача.
  18. Дайте оцінку активних інтегруючих та диференцюючих пристроїв.
  19. Намалюйте частотну характеристику операційного підсилювача.
  20. Перелічіть переваги паралельного балансного каскаду.
  21. Визначити переваги та недоліки складного емітерного повторювача.
  22. Поясніть, що таке дрейф нуля.
  23. Дайте визначення режимів роботи генераторів.
  24. Як негативний зворотній зв'язок впливає на частотні властивості підсилювачів?


Цифрова схемотехніка

  1. Способи представлення логічних змінних з допомогою електричних сигналів.
  2. Перетворювачі кодів.
  3. Система параметрів і класифікація запам’ятовуючих пристроїв (ЗП).
  4. Шифратори, таблиці істинності шифраторів.
  5. Дешифратори, повні і неповні дешифратори.
  6. Послідовні і асоціативні ЗП.
  7. Обмежувачі і селектори імпульсних сигналів.
  8. КЕШ-пам'ять.
  9. Типи вихідних каскадів цифрових логічних елементів.
  10. Алгоритм двійкового додавання, арифметичні суматори.
  11. Двійковий напівсуматор, однорозрядний суматор.
  12. РПЗП-УФ і РПЗП-ЕС.
  13. Флеш-пам'ять.
  14. Типові ситуації при побудові вузлів на стандартних ІС.
  15. Арифметико-логічні пристрої.
  16. Регенерація даних в динамічних ЗП.
  17. Призначення, основні властивості і класифікація АЦП і ЦАП.
  18. Синхронні і асинхронні RS-тригери.
  19. Процес аналого-цифрового перетворення.
  20. Д-тригери.
  21. Т-тригери.
  22. Основні характеристики ЦАП і АЦП.
  23. Універсальний JK-тригер.
  24. Основні параметри і класифікація регістрів.
  25. АЦП з послідовним відліком.
  26. АЦП порозрядного кодування.
  27. Зсуваючий регістр.
  28. АЦП паралельного перетворення. АЦП з подвійним інтегруванням.
  29. Класифікація і основні параметри лічильників.
  30. Логічні пристрої з програмованими характеристиками, призначення, області застосування.


Енергетична електроніка

  1. Пояснити принцип імпульсного регулювання постійної напруги.
  2. Навести схему і часові діаграми струмів і напруг однофазного випрямляча з ємнісним згладжувальним фільтром та пояснити її роботу.
  3. Пояснити процес керування ключовим елементом на біполярному транзисторі з ізольованим затвором (IGBT).
  4. Як визначається критичне значення індуктивності згладжувального фільтра випрямляча синусоїдальної напруги?
  5. Пояснити, як визначається середнє значення вихідної напруги випрямляча та коефіцієнт пульсацій в залежності від схеми випрямлення.
  6. Навести схему та часові діаграми струмів і напруг імпульсного регулятора постійної напруги з підвищенням вихідної напруги вище за вхідну.
  7. Пояснити процес керування потужним ключовим елементом на МДП-транзисторі.
  8. Навести схему і часові діаграми струмів і напруг трифазного мостового випрямляча та пояснити, як визначається середнє значення вихідної напруги.
  9. Як визначається коефіцієнт пульсацій напруги на виході імпульсного регулятора постійної наруги понижуючого типу?
  10. Обґрунтувати необхідність включення зворотних діодів в схемі інвертора напруги.
  11. Поясніть роботу імпульсного регулятора постійної напруги з паралельною одноступеневою комутацією.
  12. Навести схему та часові діаграми однофазного мостового керованого випрямляча з активно-індуктивним навантаженням.
  13. Обґрунтувати необхідність включення нульового вентиля на виході керованого випрямляча з активно-індуктивним навантаженням.
  14. Пояснити роботу однофазного випрямляча синусоїдальної напруги на проти-ЕРС.
  15. Навести схеми та пяснити способи штучної комутації тиристорів.
  16. Навести схему та часові діаграми струмів і напруг імпульсного регулятора постійної напруги з пониженням вихідної напруги.
  17. Навести схему та часові діаграми струмів і напруг імпульсного регулятора постійної напруги з паралельною двоступеневою комутацією.
  18. Як визначається коефіцієнт нелінійних спотворень напруги на виході автономного інвертора?
  19. Як визначається коефіцієнт форми напруги на виході автономного інвертора?
  20. Навести схему та часові діаграми струмів і напруг трифазного мостового керованого симетричного випрямляча (схема Ларіонова).
  21. Навести схему та часові діаграми струмів і напруг трифазного мостового керованого несиметричного випрямляча.
  22. Навести структурну схему та часові діаграми вертикальної системи імпульсно-фазового керування випрямлячем.
  23. Навести структурну схему та пояснити роботу системи керування однотактним перетворювачем постійної напруги зі зворотним включенням діода.
  24. Навести схему та часові діаграми регулятора змінної напруги з імпульсно-фазовим керуванням.
  25. Пояснити принцип регулювання змінної напруги з низькочастотною модуляцією.
  26. Пояснити принцип регулювання змінної напруги з високочастотною модуляцією.
  27. Як визначається коефіцієнт гармонік напруги на виході автономного інвертора напруги?
  28. Навести схему та часові діаграми струмів і напруг напівмостового перетворювача постійної напруги.
  29. Навести схему ключового елемента змінного струму на МДП-транзисторах та пояснити його роботу.
  30. Навести схему та пояснити роботу системи керування однотактним перетворювачем постійної напруги з прямим включенням діода.


Мікропроцесорна техніка

    1. Принцип програмного керування.
    2. Принцип зберігаємої в пам’яті програми.
    3. Основні поняття та визначення мікропроцесорних систем.
    4. Поняття архітектури ЕОМ.
    5. Структурна організація ЕОМ.
    6. Узагальнений алгоритм функціонування ЕОМ.
    7. Фон-Нейманівська архітектура.
    8. Гарвардська архітектура.
    9. Структурна схема типового представника класу однокристальних мікропроцесорів розділеними шиною адреси та шиною даних.
    10. Системні керуючі сигнали.
    11. Поняття алгоритму. Етапи програмування.
    12. Складання схем алгоритмів. Підпрограми.
    13. Класи команд.
    14. Мікро - ЕОМ з точки зору програміста.
    15. Режими вводу-виводу.
    16. Узагальнена програмна модель периферійного пристрою.
    17. Ізольований ввід-вивід: команди вводу та виводу.
    18. Ввід-вивід, який відображає пам'ять.
    19. Послідовність подій при перериваннях, контекстні перемикання.
    20. Ідентифікація перериваючого пристрою: програмний полінг, апаратний полінг.
    21. Особливості режиму ПДП. Різновиди ПДП.
    22. Уніфікований інтерфейс. Інформаційний контролер та його типова структурна схема.
    23. Програмований паралельний інтерфейс КР580ИК55. режими 0, 1.
    24. Програмований таймер КР580ВИ53. Режими 0, 1, 2.
    25. Програмований контролер переривань КР580ВН59. Налаштування ПКП.
    26. Особливості архітектури MCS-51.
    27. Внутрішня структура та функції виводів MCS-51.
    28. Пам'ять даних, пам'ять програм.
    29. Структура внутрішнього ОЗП даних. Регістри спеціальних функцій.
    30. Система команд роботи MCS-51.