Фазы, фазовые состояния и морфотропные области в n компонентных системах сегнетоэлектрических твердых растворов
Вид материала | Автореферат |
- Особенности фазовых состояний сегнетоэлектрических baTiO 3, knbO 3 и твердых растворов, 450.38kb.
- Процесс кристаллизации и фазовые превращения в сплавах, 26.33kb.
- Спецкурс «Физикохимия полимеров фазовые равновесия и термодинамика полимерных растворов,, 18.13kb.
- Обработка сигналов в радиотехнических системах, 126.5kb.
- Ответственные составители: д Х. н., проф. А. П. Карнаухов, к Х. н. В. Б. Фенелонов, 178.45kb.
- Вопросы вступительных экзаменов в докторантуру PhD по специальности «Материаловедение, 27.1kb.
- 2 Теория твердых растворов, 143.83kb.
- Экспериментальное исследование структуры и свойств твердых растворов силицидов молибдена, 391.2kb.
- Фазовые равновесия и физико-химические свойства в рядах растворов солеЙ элементов iiа-группы, 244.2kb.
- Влияние электромагнитных полей на фазовый состав и структуру жидко-твердых сплавов, 820.51kb.
Рис.8 Тетраэдр составов системы 0.98(xPbTiO3-y PbZrO3– zPbNb2/3Mg1/3O3) – 0.02PbGeO3
Рис.9 Треугольник Гиббса системы 0.98(xPbTiO3-y PbZrO3– zPbNb2/3Mg1/3O3) – 0.02PbGeO3
Рис 10 (в). Фазовая х-Т диаграмма твердых растворовV разреза системы 0.98(xPbTiO3-y PbZrO3– zPbNb2/3Mg1/3O3) – 0.02PbGeO3 (изотермический разрез при Т = 25 оС).
Локализация фаз, фазовых состояний, морфотропных областей, областей сосуществования фазовых состояний:
I: .0.23 < x ≤ 0.24 Рэ1 +Рэ2 II: 0.24 < x ≤ 0.29 Рэ2 III: 0.29 < x ≤ 0.31 Рэ2 +Рэ3 IV: 0.31 < x ≤ 0.32 Рэ3 V: 0.32 < x ≤ 0.34 Рэ3+Рэ4 VI: 0.34 < x ≤ 0.36 Рэ4+М | VII: 0.36 < x ≤ 0.39 Рэ4+М+Т1+ПСК VIII: 0.39 < x ≤ 0.4 М+Т1+ПСК IX: 0.4 < x ≤ 0.42 Т1+ПСК X: 0.42 < x ≤ 0.44 Т1 XI: 0.44 < x ≤ 0.45 Т1+Т2 XII: 0.45 < x ≤ 0.52 Т2 |
Фазы: Рэ, М, ПСК, Т (всего 4) Фазовые состояния Рэ1, Рэ2, Рэ3,Рэ4 Т1, Т2 (всего 6) | Морфотропные области МО (=) (всего 4) Области между фазовыми состояниями: ОСФС1, ОСФС2, ОСФС3, ОСФС4 (всего 4) |
При введении в бинарные системы (1-х) PbZrO3 - хPbTiO3 (ЦТС)и (1-х)PbNb2/3Mg1/3O3- хPbTiO3 (PMN-PT) небольших (~5мол.%)количеств третьих компонентов (в ЦТС - PbNb2/3Mg1/3O3, PMN-PT - PbZrO3 ) область Рэ →Т перехода сдвигается в сторону уменьшения концентрации PbTiO3, то есть Рэ фаза становится менее устойчивой, что обусловлено ужестчением ТР из-за их меньшей дефектности.
ТР разреза V системы резко отличаются от I-го и III-го разрезов: число фазовых состояний и промежуточных фаз в них не меньше, чем в системе ЦТС. Это может быть следствием специфического положения ТР этого разреза на фазовой диаграмме системы PbZrO3 - PbTiO3- PbNb2/3Mg1/3O3: луч, проведенный из «угла» PbTiO3, пересекает трехфазную область, содержащую, кроме Рэ и Т- ой фаз, кубическую (К) фазу. Количество этой фазы невелико (в условиях нашего эксперимента мы ее не идентифицировали), но она, вероятно, дает свой вклад в генерацию дефектов, свойственных морфотропным областям.
С уменьшением дефектности ТР связана и меньшая изрезанность фазовых диаграмм систем и зависимостей электрофизических характеристик ТР от состава.
Анализ результатов измерения электрофизических характеристик ТР позволил выбрать группы ТР, перспективных для практических применений:
- твердые растворы состава 0.98(0,41PbTiO3- 0,295PbZrO3– 0,295PbNb2/3Mg1/3O3) – 0.02PbGeO3, характеризующиеся достаточно высокими значениями температуры Кюри Тс≥ 300 С, относительной диэлектрической проницаемости (поляризованных образцов) 33Т/0 =2100, пьезомодулей |d31| = 150 пКл/Н, d33= 345 пКл/Н, пьезочувствительности |g31| = |d31|/ε33T= 8.1 мВ/Н и удельной чувствительности d33/(ε33T)1/2 = 8 пКл/Н, (учитывающей внутреннее сопротивление приемника ультразвука), перспективные для работы как на нагрузку, так и в режиме холостого хода преобразователей, эксплуатируемых в среднечастотном диапазоне;
- твердые растворы состава 0.98(0,11PbTiO3-0,05 PbZrO3– 0,84PbNb2/3Mg1/3O3) – 0.02PbGeO3, которые характеризуются высокой пьезодеформацией ζ33max~2.0 мкм при Е = 10.0 кВ/см, что делает их незаменимыми в устройствах, где требуются большие, управляемые электрическим полем, микроперемещения (порядка нескольких или десятков микрометров).