Титульный лист программы обучения по дисциплине (Syllabus) Форма

Вид материала

Содержание

Программа обучения по дисциплине
Программа обучения по дисциплине (Syllabus)
1 Сведения о преподавателях и контактная информация
3 Трудоемкость дисциплины
4 Цель и задачи дисциплины
5 Требования к знаниям, умениям и навыкам
8 Тематический план
9 Краткое описание дисциплины
10 Компоненты курса
Перечень видов самостоятельной работы студентов
Тема 7. Интегральные микросхемы
Курсовой проект
11 Политика курса
Рейтинг не определяется, если студент не прошел РК или получил по РК менее 50 баллов. В данном случае декан устанавливает индиви
При наличии академической задолженности студент повторно изучает дисциплину на платной основе.
Календарный график контрольных мероприятий

Подобный материал:

Титульный лист программы обучения по дисциплине

(Syllabus)

Форма

Ф СО ПГУ 7.18.3/37

Министерство образования и науки Республики Казахстан

Павлодарский государственный университет им. С. Торайгырова

Энергетический факультет

Кафедра «Радиотехника и телекоммуникации»

ПРОГРАММА ОБУЧЕНИЯ ПО ДИСЦИПЛИНЕ

(Syllabus)

«Основы электроники»

для студентов специальностей 050716 Приборостроение

Павлодар

Лист утверждения программы обучения по дисциплине

(Syllabus)

Форма

Ф СО ПГУ 7.18.3/38

УТВЕРЖДАЮ

Декан энергетического факультета

________ Кислов А.П.

«____»_______________2010г.

Составитель: старший преподаватель Бектасова А.А.________________

Кафедра «Радиотехника и телекоммуникации»

Программа обучения по дисциплине (Syllabus)

«Основы электроники» для студентов специальностей 050716- «Приборостроение».

Программа разработана на основании рабочей учебной программы, утвержденной « » 2010

Рекомендована на заседании кафедры протокол №___ от _____________2010г.

Заведующий кафедрой___________________ Тастенов А.Д.

Одобрена учебно-методическим советом энергетического факультета «_____»______________2010г. Протокол №____

Председатель УМС _________________Кабдуалиева М.М.

1 Сведения о преподавателях и контактная информация

Бектасова Асемгуль Айтпаевна, старший преподаватель кафедры «Радиотехника и телекоммуникации»

Кафедра «Радиотехника и телекоммуникации» находится в главном корпусе (г. Павлодар, ул. Ломова, 64), аудитория А-425, контактный телефон – 67-36-74.

2 Данные о дисциплине

Дисциплина будет изучаться в 4 семестре продолжительностью 15 недель. Общая трудоемкость дисциплины 90 часов, из них 30 часов отведено на занятия в аудитории, 60 часов на СРСП и 30 часов – на самостоятельную работу студентов (СРС) по изучению дисциплины. Распределение аудиторного времени по видам занятий приведено в тематическом плане.

3 Трудоемкость дисциплины

Семестр	Количество кредитов	Количество контактных часов по видам аудиторных занятий						Количество часов самостоятельной работы студента		Формы контроля
Семестр	Количество кредитов	всего	лекции	практические	лабораторные	студийные	Индивидуаль-ные	всего	СРСП	Формы контроля
4	2	30	15	-	15	-	-	60	30	Экз.
Всего	2	30	15	-	15	-	-	60	30	1

4 Цель и задачи дисциплины

Целью преподавания данной дисциплины является изучение современного уровня электронной техники, принципов построения и работы в полупроводниковых приборов, электронных схем, устройств и область их Задачей изучения дисциплины является получение прочных знаний.

5 Требования к знаниям, умениям и навыкам

В результате изучения дисциплины студент должен уметь:

- знать принципы работы полупроводниковых приборов;

- знать принципы работы и основные характеристики различных схем микроэлектронной техники;

- иметь навыки анализа работы электронных устройств;

- знать область применения конкретных устройств микроэлектронной техники.

6 Пререквизиты

Изучение дисциплины базируется на знаниях, полученных во время изучения следующих дисциплин:

1. Физика (разделы: электричество, магнетизм).

2. Алгебра и геометрия

3. Математический анализ.

(разделы: дифференциальные и интегральные исчисления, функции комплексных переменных, решение дифференциальных уравнений, решение задач комплексным методом).

4. Теория электрических цепей.

5. Инженерная и компьютерная графика (разделы компьютерной графики).

6. Иностранный язык (преимущественно – английский язык)

7. Информатика (в полном объеме)

7 Постреквизиты

Знания, полученные при изучении данной дисциплины, будут использованы во время изучения принципов работы и основных характеристик полупроводниковых приборов, усилительных, импульсных схем, логических элементов, схем операционных усилителей.

8 Тематический план

Тематический план дисциплины
№ п/п	Наименование темы	Количество часов
№ п/п	Наименование темы	Лекц.	Лаб.	СРС
1	2	3	4	5
1.	Введение	1
2.	Электропроводность полупроводников	1	2	3
3.	Полупроводниковые диоды	1	2	3
4.	Транзисторы	1	2	3
5.	Тиристоры	1	-	3
6.	Оптоэлектронные приборы	1	1	3
7.	Интегральные микросхемы	1	-	3
8.	Усилительные устройства	1	2	3
9.	Логические элементы и схемы	2	2	3
10.	Триггерные схемы	2	2	3
11.	Импульсные устройства	3	2	3
	ИТОГО	15	15	30

9 Краткое описание дисциплины

Курс «Основы электроники» для студентов специальности 050716 «Приборостроение» относится к циклу базовых дисциплин. Курс условно делится на две части. В первой части изучаются полупроводниковые приборы, во второй части – усилительные и импульсные устройства, различные элементы и схемы микроэлектронной техники на основе интегральных микросхем. На лабораторных занятиях изучаются принципы работы и основные характеристики полупроводниковых приборов, усилительных, импульсных схем, логических элементов, схем операционных усилителей.

10 Компоненты курса

Перечень лабораторных занятий

Лабораторные занятия по курсу «Основы электроники» выполняются на компьютеризированных учебно-исследовательских стендах, в том числе и с помощью системы схемотехнического моделирования Electronics Workbench 4.0 и Electronics Workbench 5.12.

- работа №1. Выпрямительные диоды. Р-n переход в диодах. Полупроводниковый однополупериодный выпрямитель. Полупроводниковый мостовой выпрямитель. Неуправляемый выпрямитель трехфазного тока

- работа №2. Стабилитроны Характеристики стабилитрона. Исследование параметрического стабилизатора напряжения. Сглаживание пульсаций выпрямленного напряжения.

- работа №3. Диоды с особыми свойствами. Светодиоды. Диоды с переменной емкостью (варикапы)..

- работа №4. Биполярные транзисторы. Испытание слоев и выпрямительного действия биполярных транзисторов. Распределение тока в транзисторе и управляющий эффект тока базы. Характеристики транзистора. Установка рабочей точки транзистора и исследование влияния резистора в цепи коллектора на коэффициент усиления по напряжению усилительного каскада с общим эмиттером. Усилители на биполярных транзисторах. Регулятор напряжения (линейный). Регулятор тока.

- работа №5. Униполярные (полевые) транзисторы. Испытание слоев и выпрямительного действия униполярных транзисторов. Характеристика включения затвора полевого транзистора. Управляющий эффект затвора полевого транзистора n-типа. Выходные характеристики полевого транзистора. Усилители на полевых транзисторах

- работа №6. Тиристоры. Диодный тиристор (симистор). Триодный тиристор. Фазовое управление тиристора

- работа №7. Логические элементы. Логический элемент AND (И).Логический элемент OR (ИЛИ). Логический элемент NOT (НЕ). Логический элемент NOT AND (И-НЕ). Логический элемент NOT OR (ИЛИ-НЕ). Операционные усилители. Инвертирующий усилитель. Неинвертирующий усилитель. Операционный суммирующий усилитель. Операционный дифференциальный усилитель. Поведение операционного усилителя в динамике

Перечень видов самостоятельной работы студентов

В ходе освоения дисциплины, в соответствии с тематическим планом и календарным графиком контрольных мероприятий, Вам предстоит выполнить следующую внеаудиторную работу:

- проработка лекций;

готовится к каждому лабораторному занятию, т.е. изучать необходимые разделы по конспекту лекций и рекомендуемой литературе;
проработать обязательные, но не вошедшие в лекционный материал, темы курса и составить конспекты;

выполнить и оформить курсовой проект.

Темы для самостоятельного изучения

Тема 1. Основные достижения в мировой и отечественной практике разработки, изготовления и применения электронных приборов и схем

Рекомендуемая литература:[6]

Тема 2. Электропроводность полупроводников

Основные сведения о технологии изготовления полупроводниковых приборов. Рекомендуемая литература: [5]

Тема 3. Полупроводниковые диоды

Выпрямительные, лавинные, высокочастотные и импульсные диоды. Стабилитроны, варикапы. Рекомендуемая литература: [2]

Тема 4. Транзисторы

Эквивалентные схемы транзисторов. Параметры полевых транзисторов: напряжение отсечки, выходное сопротивление, крутизна характеристики. Рекомендуемая литература: [4].

Тема 5. Тиристоры.

Динистор, симистор. Однооперационный и двухоперационный тиристора. Рекомендуемая литература: [6]

Тема 6. Оптоэлектронные приборы

Принципы действия оптоизлучателей, фотоприемников, светодиодов. Оптопара. Рекомендуемая литература: [6]

Тема 7. Интегральные микросхемы

Технология изготовления полупроводниковых микросхем: эпитаксия, диффузия примесей, ионное легирование, термическое окисление, травление, нанесение тонких пленок. Проводники соединений и контакты в полупроводниковых микросхемах. Литография. Сборка полупроводниковых микросхем. Технология изготовления гибридных микросхем. Рекомендуемая литература: [7]

Курсовой проект предназначен для закрепления знаний и умений по дисциплине и развития навыков самостоятельной работы студентов при решении инженерных задач.

Задания для подготовки к практическим занятиям и на проработку дополнительного материала по дисциплине, требования по оформлению и методические указания по их выполнению будут выдаваться на предшествующем занятии. Задание на курсовой проект будет выдан на первой неделе 4 семестра.

№ п/п	Разделы курсового проекта
1	Расчет усилителя низкой частоты.
2	Расчет широкополосного усилителя частоты.
3	Расчет усилителя низкой частоты с блоком питания.
4	Расчет частотных характеристик активного фильтра второго порядка на операционном усилителе.
5	Усилитель промежуточной частоты.
6	Широкополосный усилитель калибровки радиовещательных станций.

11 Политика курса

Сроки выполнения СРС могут изменяться в соответствии с расписанием занятий.

Если Вы без опозданий посетите все занятия, будете готовы ко всем занятиям и активно работать на занятиях, выполните все задания качественно и в срок, то наберете максимальный балл, указанный в календарном графике контрольных мероприятий.

Любые нарушения графика контрольных мероприятий, правил поведения на занятиях и опоздания будут наказываться.

Участвовать в учебном процессе означает посещать занятия, быть готовым и активным в обсуждениях и работе группы.

Ваша подготовка к лабораторным занятиям будет проверяться опросами, проверкой выполнения ДЗ, участием в работе группы. За присутствие на занятиях без замечаний и опозданий Вы получите 2 балла. Если Вы не готовы к занятию, то оценивается только Ваше присутствие. Подготовка к занятию после его проведения оцениваться не будет. Пассивность на занятии приведет к потере 1 балла.

За нарушение дисциплины и опоздания на любые виды занятий балл за присутствие может быть снижен с 2 до 0,5. При удалении с занятия балл за посещение и подготовку к занятию будет равен 0.

За несвоевременное выполнение разделов курсового проекта балл за курсовой проект снижается:

раздел КП1 – до 3 баллов;

раздел КП2 – до 12 баллов;

раздел КП3 – до 3 баллов;

раздел КП4 – до 3 баллов;

раздел КП5 – до 10 баллов

В семестре предусмотрены два рубежных контроля знаний пройденного материала соответствующих разделов дисциплины в виде тестирования. К рубежному контролю по дисциплине допускаются студенты, имеющие баллы по текущей успеваемости (ТУ).

Рубежный контроль (РК) оценивается по 100 бальной шкале.

По итогам ТУ и РК определяются рейтинги (Р1 и Р2) студента по дисциплине

Р1(2) = ТУ1(2)*0,6 + РК1(2)*0,4.

Если Вы отсутствовали на занятии или контрольном мероприятии по уважительной причине, Вам предоставляется возможность отработать его по индивидуальному заданию и во время указанное преподавателем во время консультаций.

Рейтинг не определяется, если студент не прошел РК или получил по РК менее 50 баллов. В данном случае декан устанавливает индивидуальные сроки сдачи РК.

Оценка рейтинга допуска студента по дисциплине за семестр равна

РД = (Р1 + Р2)/2.

К итоговому контролю (ИК) по дисциплине допускаются студенты, выполнившие все требования учебной программы (выполнение и сдача всех домашних заданий (ДЗ) и заданий по СРС) и набравшие рейтинг допуска (не менее 50 баллов).

Итоговый экзамен будет проводиться по тестам. Списывание на экзамене, а также во время текущего и рубежного контроля знаний запрещено.

Уровень учебных достижений студентов по дисциплине определяется итоговой оценкой (И), которая складывается из оценок РД и ИК с учетом их весовых долей (ВДРД=0,6 и ВДИК=0,4).

И = РД*ВДРД + ИК*ВДИК.

Итоговая оценка по дисциплине подсчитывается только в том случае, если студент имеет положительные оценки, как по рейтингу допуска, так и по итоговому контролю. Не явка на итоговый контроль по неуважительной причине приравнивается к оценке «неудовлетворительно».

Результаты экзамена и промежуточной аттестации по дисциплине доводятся до студентов в тот же день или на следующий день, если письменный экзамен проводился во второй половине дня.

При наличии академической задолженности студент повторно изучает дисциплину на платной основе.

12 Список литературы

Основная

1 1 Аваев Н.А. и др. Основы микроэлектроники: Учебное пособие для вузов. - М.: Радио и связью. 1991.

2 Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. Учебник для ВУЗов.- Санкт-Петербург-Москва-Краснодар. 2003.

3 Прянишников В.А. Электроника. Полный курс лекций.- Санкт-Пе-тербург.: Корона-принт, 2004.

4 Щука А.А. Электроника. Учебное пособие.- Санкт-Петербург.: ПХВ-Петербург. 2005.

5 Электротехника и электроника в экспериментах и упражнениях: Практикум на Electronics Workbench: В 2 т. /Под общей ред. Д.И. Панфилова.- М.: ДОДЭКА, 1999.

Дополнительная

6 Андреев А.В., Горлов М.И. Основы электроники: Учебное пособие для средних специальных заведений.- Ростов на Дону.: Феникс. 2003.

7 Аккабаков А.Б., Тастенов А.Д., Кошербаев Т.А. Расчет однофазного стабилизированного источника питания. – Павлодар, 2005.

8 Горбачев Г.Н., Чаплыгин Е.Е. Промышленная электроника: Учебник для вузов. – М.: Энергоатомиздат, 1988.

9 Зельдин Е.А. Цифровые интегральные микросхемы в информационно-измерительной техники. – Л.: Энергоатомиздат, 1986.

10 Манаев Е.И. Основы радиоэлектроники: Учебное пособие для вузов. – М.: Радио и связь, 1985.

11 Тастенов А.Д., А.Б. Аккабаков. Расчет усилителей импульсных сигналов. Методические указания. – Павлодар, 2005.

Календарный график контрольных мероприятий

По выполнению и сдаче заданий на СРС и работе на занятиях по дисциплине

«Основы электроники» для студентов специальностей 050716- «Приборостроение».

1 рейтинг																Сумма баллов
Недели			1		2		3	4	5		6		7		8
Максимальный балл за выполнение СРС и работу на занятиях за неделю
Посещение и подготовка к лекциям	Вид СРС
	Форма контроля		У		У		У	У	У		У		У		У
	Мак. балл		2		3		2	3	2		3		2		3	20
Подготовка и выполнение лабораторных работ	Вид СРС		Л1		Л1		Л1	Л2	Л2		Л3		Л3		Л4
	Форма контроля		У		У		У	У	У		У		У		У
	Макс. балл		2		2		2	2	2		2		2		2	16
Оформление и защита лабораторных работ	Вид СРС						О		О				О
	Форма контроля						З		З				З
	Макс. балл						8		8				8			24
Самостоя-тельное изучение материала	Вид СРС/форма отчетности
	Форма контроля
	Макс. балл		5		5		5	5	5		5		5		5	40
Всего																100
2 рейтинг																Сумма баллов
Недели		9		10		11		12		13		14		15
Максимальный балл за выполнение СРС и работу на занятиях за неделю
Посещение и подготовка к лекциям	Вид СРС
	Форма контроля	У		У		У		У		У		У		У
	Мак. балл	2		3		2		3		2		3		2		17
Подготовка и выполнение лабораторных работ	Вид СРС	Л4		Л5		Л5		Л6		Л6		Л7		Л7
	Форма контроля	У		У		У		У		У		У		У
	Макс. балл	2		2		2		2		2		2		2		14
Оформление и защита лабораторных работ	Вид СРС	О		Л5		О		Л6		О		Л7-8		О
	Форма контроля	З				З				З				З
	Макс. балл	6		2		6		2		6		4		6		32
Самостоя-тельное изучение материала	Вид СРС
	Форма контроля
	Макс. балл	4		5		4		5		4		5		10		37
Всего																100

Рекомендован на заседании кафедры от « » августа 2010 года протокол № 1

Заведующий кафедрой ___________ Тастенов А.Д.«___»_______ 2010 г.

Blog