Темы диссертаций по экономике » Экономика и управление народным хозяйством: теория управления экономическими системами; макроэкономика; экономика, организация и управление предприятиями, отраслями, комплексами; управление инновациями; региональная экономика; логистика; экономика труда

Методы разработки и реализации эффективной государственной инновационной политики тема диссертации по экономике, полный текст автореферата

Автореферат

Ученая степень	кандидат экономических наук
Автор	Аганина, Людмила Сергеевна
Место защиты	Москва
Год	2005
Шифр ВАК РФ	08.00.05

Диссертация

Автореферат диссертации по теме "Методы разработки и реализации эффективной государственной инновационной политики"

МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ имени М.В. ЛОМОНОСОВА

Экономический факультет

На правах рукописи

АГАНИНА Людмила Сергеевна

МЕТОДЫ РАЗРАБОТКИ И РЕАЛИЗАЦИИ ЭФФЕКТИВНОЙ ГОСУДАРСТВЕННОЙ ИННОВАЦИОННОЙ ПОЛИТИКИ

Специальность 08.00.05 - Экономика и управление народным хозяйством (макроэкономика)

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата экономических наук

О^ПЗДТЕЛ,

Г- ' Х- г " ? "

^I I. <. 1 л Г

Г'г ; ;

Москва ~ 2005

Работа выпонена на кафедре макроэкономического регулирования и планирования экономического факультета Московского государственного университета имени М.В.Ломоносова.

Научный руководитель: Официальные оппоненты:

Ведущая организация:

кандидат экономических наук, доцент КАРАСЕВО.И.

доктор экономических наук, профессор ЕГОРОВ Е.В. кандидат экономических наук, ПОЧУКАЕВА О.В.

Государственный университет -Высшая школа экономики, Факультет Государственного и муниципального управления.

Защита состоится 16 февраля 2006 г. в 1500 часов на заседании диссертационного совета Д. 501.001.08 при Московском государственном университете им. М.В.Ломоносова по адресу: 119899, г. Москва, Воробьевы горы, МГУ, 2-й учебный корпус гуманитарных факультетов, экономический факультет, аудитория №413.

С диссертацией можно ознакомиться в научной библиотеке Московского государственного университета им. М.В.Ломоносова (2-й учебный корпус гуманитарных факультетов).

Автореферат разослан л_ января 2006 г.

Ученый секретарь диссертационного совета, кандидат экономических наук

Р.А. Ромашкин

{ооб А ММ

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы исследования. Уровень научно-технического развития страны в современных условиях является одним из важнейших факторов международной экономической и политической конкуренции. Неопределенность и рискованность вложений в НИ ОКР, с одной стороны, и высокая общественная значимость продукта, с другой, не способствуют Парето-эффективному размещению ресурсов в сферу наукоемких технологий исключительно в рамках рыночной системы. Поэтому содействие развитию инновационных процессов, оказывающих прямое влияние на общую социально-экономическую ситуацию, входит сегодня в число приоритетов государственной политики развитых стран.

На микроэкономическом уровне инновации выступают в качестве материальной основы повышения эффективности производства, конкурентоспособности выпускаемой продукции. На макроэкономическом уровне распространение нововведений способствует переходу страны от ресурсодобывающего типа экономики к инновационному, отличительными особенностями которого является развитый рынок интелектуальной собственности, преобладание высоких производственных и информационных технологий, компьютеризированных систем.

Основой преодоления современного структурного кризиса в России, являющегося прямым следствием неадекватных процессов рыночной трансформации, может стать изменение организационно-экономического механизма хозяйствования, качественное преобразование производственного потенциала страны, базисом которого служит широкое внедрение и распространение научно-технических достижений при условии проведения целенаправленного государственного регулирования этих процессов. Переориентация государственной инновационной политики на новые модели, отвечающие рыночным условиям хозяйствования, требует глубокого изучения и систематизации опыта, накопленного в данной области развитыми зарубежными странами. Формирование рациональной стратегии развития дожно основываться на оценке эффективности предлагаемых мер с учетом не только существующей международной практики, но и российской специфики.

Указанные обстоятельства послужили основанием для выбора темы диссертационной работы. Наибольшее внимание в рамках настоящего исследования уделено комплексной системе мер прямого и косвенного государственного регулирования микроэлектронной промышленности - отрасли, являющейся базовой платформой развития информационных технологий и вычислительной техники и выступающей, по мнению автора, катализатором научно-технического процесса.

Цели и задачи исследования . Целью диссертационного исследования является обоснование методов и принципов реализации государственной инновационной политики как механизма повышения конкурентоспособности экономики России в общемировом экономическом пространстве. Для достижения указанной цели в диссер-

тационной работе поставлены и решены следую

1. исследование опыта осуществления государственной инновационной политики, накопленного развитыми странами смешанной экономики, и оценка возможности использования лучшей зарубежной практики в специфических условиях Российской Федерации;

2. комплексный анализ методов реализации государственной инновационной политики;

3. сравнительная оценка и систематизация методологических подходов к оценке эффективности инновационной политики;

4. выявление существующих направлений государственной поддержки инновационных процессов в России и разработка рекомендаций по их совершенствованию;

5. на основе анализа развития микроэлектронной промышленности России выявлены возможные причины технологического отставания страны в данной области и приведена оценка вариантов развития отрасли на среднесрочную перспективу при условии осуществления государством комплекса регулирующих мер, направленных на повышение эффективности функционирования хозяйствующих субъектов.

Предметом исследований в данной работе является государственная инновационная политика как механизм, обеспечивающий генерирование, востребованность и распространение инноваций в российской экономике. В качестве объекта исследований выбрана микроэлектронная промышленность, являющаяся одним из основополагающих компонентом становления новой экономики в России.

Теоретической и методологической основой в диссертационном исследовании послужили работы зарубежных и российских авторов в области исследования инноваций как формы материализации потенциального научно-технического прогресса, принципов инновационной политики и методов государственного воздействия на инновационные процессы, опыта практического применения методов регулирования инновационной деятельности. Автором широко использованы результаты исследований по оценке эффективности государственной инновационной политики, проводимые Мировым Банком и Комиссией Европейских Сообществ, материалы отечественной и зарубежной периодической печати.

Информационная база. В процессе исследования были использованы законодательные акты Европейского Союза, отдельных стран-членов ЕС, Японии, США и Российской Федерации, регулирующие правоотношения между государственным и частным секторами экономики в процессе реализации совместных проектов НИОКР, создание инфраструктуры инновационной деятельности хозяйствующих субъектов, налогообложение, защиту прав на интелектуальную собственность; официальные статистические данные Евростата, государственной статистики отдельных европейских стран и Центра исследований и статистики науки (ЦИСН); материалы Организации Экономического Сотрудничества и Развития (ОЭСР), Мирового Банка, Организации по статистике мирового рынка полупроводников (World Semiconductor Trade Statistics), Ассоциации производителей полупроводников (Semiconductor Industry Association); а также публикации по результатам исследований, проведенных экспертами научно-исследовательских организаций и специализированных средств массовой информации как в России, так и за рубежом.

Научная новизна диссертационной работы состоит в следующем:

1. Систематизирован опыт государственного регулирования инновационной деятельности развитых стран; выявлены важнейшие факторы, определяющие специфику инновационной политики различных стран (включая уровень децентрализации государственной инновационной политики, степень участия государства в финансировании НИОКР, роль университетов в проведении научных исследований, уровень инвестиций в венчурные компании и т.д.); определены направления использования зарубежного опыта регулирования инновационной деятельности в специфических условиях современной России.

2. Разработан комплексный подход к оценке эффективности государственного регулирования инновационной деятельности на основе сравнительного анализа существующих в международной практике методик оценки. Предлагаемый подход основан на матричной форме представления оцениваемых критериев, позволяющей отразить их взаимосвязь и, тем самым, более адекватно идентифицировать проблемы разработки и внедрения государственной политики в сфере инноваций.

3. На основе выявления объективных причин технологического отставания России в области микроэлектронной промышленности (поной изолированности промышленности от создаваемых новейших технологий в период существования СССР, ограниченности финансовых возможностей, неразвитой инновационной инфраструктуры и законодательного обеспечения) проведена оценка современного состояния отрасли с учетом мировых тенденций научно-технического развития. Сформулированы предложения по совершенствованию законодательства, регулирующего электронную промышленность России, в том числе в сфере налогового регулирования и защиты прав на объекты интелектуальной собственности в области интегральной электроники.

4. Произведена оценка вариантов развития микроэлектронной промышленности России на среднесрочную перспективу на основе двух базовых сценариев - развитие современных полупроводниковых производств и создание сети дизайн-центров - при условии осуществления государством комплекса мер стимулирующего характера. На основе результатов комплексного исследования обоснован вывод в пользу приоритетного развития в России дизайн-центров.

Практическая значимость результатов диссертационного исследования заключается в разработке возможных путей совершенствования инновационной политики государства как эффективного механизма повышения конкурентоспособности национальной экономики, создания условий для востребованности массового внедрения достижений научно-технического прогресса. Предложенные в диссертации рекомендации в области совершенствования законодательного обеспечения деятельности микроэлектронной промышленности, а также оценка вариантов развития отрасли могут послужить основой для выработки инструментария макроэкономического регулирования отечественной микроэлектроники, разработки государственных целевых программ на средне- и догосрочную перспективу в этой области. Материалы диссертации могут оказать помощь в подготовке специалистов в области макроэкономического регулирования и государственного управления.

Апробация работы. Результаты исследования представлены автором на Международной научной конференции Ломоносовские чтения - 2003 (Москва, апрель 2003 г.), Международной научно-практической конференции Экономика, организация и управление инновационными и инвестиционными процессами на предприятиях и в регионе (Новочеркасск, апрель 2005 г.), Международной научной конференции Ломоносов - 2005 (Москва, апрель 2005 г.). Отдельные положения диссертации опубликованы в 4 работах общим объемом 1 усл. печ. лист.

Логика и структура работы. В соответствии с целью и задачами диссертационной работы была принята следующая логика исследования. На первом этапе проанализированы теоретические подходы к вопросу определения сущности инноваций, выявлены основные методы регулирующего воздействия государства на субъекты инновационных процессов. Изучение опыта реализации государством инновационной политики в развитых странах, проведенное на втором этапе, позволило систематизировать и классифицировать основные принципы, выявить структурные факторы реализации эффективной государственной инновационной политики. Логическим завершением первых двух этапов является выработка рекомендаций по стимулированию инновационной деятельности российских предприятий микроэлектронной промышленности.

Логика диссертационного исследования определила следующую структуру работы: Введение.

Глава 1. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ГОСУДАРСТВЕННОГО РЕГУЛИРОВАНИЯ ИННОВАЦИОННОЙ ДЕЯТЕЛЬНОСТИ.

1.1. Экономическая сущность инноваций.

1.2. Особенности инновационного процесса.

1.3. Инновационная система: структура и основные элементы.

1.4. Методы государственного регулирования инновационной деятельности.

Глава 2. ИННОВАЦИОННАЯ ПОЛИТИКА В РАЗВИТЫХ СТРАНАХ.

2.1 Инновационная политика США, Японии, Германии и Франции.

2.2 Критерии оценки эффективности инновационной политики.

Глава 3. ГОСУДАРСТВЕННОЕ РЕГУЛИРОВАНИЕ ИННОВАЦИОННОЙ ДЕЯТЕЛЬНОСТИ В СФЕРЕ МИКРОЭЛЕКТРОННОЙ ПРОМЫШЛЕННОСТИ.

3.1. Микроэлектронная промышленность: исторический ракурс и современная действительность.

3.2. Положение России на мировом рынке электронных компонентов.

3.3. Прямые методы регулирования инновационной деятельности в России.

3.4. Косвенные методы регулирования инновационной деятельности в России.

3.5. Варианты развития микроэлектронной промышленности в России.

Заключение. Литература.

ОСНОВНЫЕ ПОЛОЖЕНИЯ ДИССЕРТАЦИИ

1. Систематизация опыта государственного регулирования инновационной деятельности: факторы и основные направления

На основании проведенного исследования в работе обоснованы предпосыки изменения характера инновационного процесса в XX веке. На современном этапе мирового экономического развития конкретные потребности рынка заменили необходимость применения полученных достижений науки в качестве основного двигателя инновационного творчества, обусловив переход от традиционной линейной концепции инновационного процесса: наука - технология - новый товар, к интерактивной, базирующей на предпосыке о связи инновационных возможностей экономики с изменениями конъюнктуры рынка.

Автор диссертации исходит из того, что вектор научно-технических знаний, представленный в виде движения технологической информации, находится в функциональной зависимости от институционального окружения субъектов инновациоп-ной деятельности, регулируемого государством. Посредством осуществления комплекса мер государство стимулирует инновационные процессы в экономике, оказывающие прямое влияние на общее социально-экономическое развитие страны. Реализация инновационной политики на государственном уровне осуществляется по трем направлениям:

планирование - выбор стратегических целей на основе приоритетов инновационного развития;

программирование - разработка и реализация государственных научно-технических и инновационных программ;

государственное регулирование с помощью прямых и косвенных методов.

Государственная инновационная политика выступает органическим элементом

общей социально-экономической политики государства и направлена на осуществление следующих функций:

формирующей, которая заключается в становлении и развитии инновационной модели экономики, основанной на приоритетном использовании наукоемких и информационных технологий при максимально эффективном использовании человеческого фактора;

инициирующей, посредством использования механизмов бюджетно-налоговой политики государство стимулирует хозяйствующих субъектов на осуществление инновационного процесса;

организационной, подразумевающей проведение действий государства, направленных на создание инфраструктуры инновационного процесса.

В ходе диссертационного исследования опыта государственного регулирования инновационной деятельности в США, Японии, Германии и Франции были выявлены следующие принципы государственной инновационной политики:

законодательное обеспечение прав на объекты интелектуальной собственности;

концентрация ресурсов на приоритетных направлениях научных исследований;

" свобода научно-технического творчества;

комплексный и взаимосвязанный характер сочетания прямых и косвенных мер государственного регулирования;

субсидиарный принцип финансирования субъектами инновационной деятельности (государственными органами управления и частными структурами) проектов, имеющих наиболее важное экономическое и социальное значение для страны;

" согласованность инновационной политики с общей социально-экономической политикой;

защита национальных интересов и стимулирование международной инновационной интеграции.

В работе показано, что выбор приоритетов государственной инновационной политики осуществляется с позиции обеспечения устойчивого экономического роста, повышения конкурентоспособности отечественных товаропроизводителей на внутреннем и внешнем рынках на основе анализа существующих и прогнозируемых ресурсных (научных, технических, трудовых), инфраструктурных и иных ограничений развития.

Значительное внимание в исследовании уделено рассмотрению вопросов стимулирования инновационной активности в выбранных странах и использованию положительного опыта в условиях специфики России. Для оценки развития страны в догосрочной перспективе с точки зрения эффективного использования научно-технического и интелектуального потенциала Организация Экономического Сотрудничества и Развития (ОЭСР) использует показатель лобъем инвестиций в знания (investment in knowledge), рассчитываемый как сумма трех факторов: уровень финансирования НИОКР в % от ВВП, уровень финансирования высшего образования в % от ВВП и объем средств, направляемых на развитие информационного обеспечения {software) страны в % от ВВП. Среди четырех исследуемых стран наибольшее значение данного показателя в США - 6,8'% (см. диаграмму № 1), для Германии - 4,9%, Франции и Японии - 4,6% и 4,7%, соответственно.

Диаграмма Ml

Показатели инвестиций страны в лэкономику знаний

Программное обеспечение

Высшее образование

012345678

1 Science and Technology Statistical Compendium 2004 - http./Avww oecd org 6

Автором подчеркнуто, что во всех перечисленных странах государство активно

использует косвенные методы стимулирования инновационных процессов, включающие элементы:

1. налогового регулирования посредством:

предоставления инвестиционной налоговой скидки (Япония - 7% от стоимости внедряемой техники);

предоставления приростной и объемной скидок при списании расходов на НИОКР (США: в случае увеличения компанией затрат на научные исследования в течение 3-х лет более чем на 5%, она получает право трехкратного уменьшения величины налогооблагаемой прибыли на сумму произведенных затрат, приростная скидка на затраты НИОКР - 20%. Во Франции приростная налоговая скидка находится на уровне 50%, в Японии это наименьшее значение между 15% налоговым кредитом и 12% уменьшением совокупного налогового бремени. В Германии вопрос о предоставлении данного рода льгот находится в ведении Федеральных земель);

использования ускоренной амортизации (США - 5 лет для оборудования и приборов, используемых при проведении НИОКР со сроком службы от 4-х до 10 лет Япония - предприятиям разрешено списывать 50% стоимости машин и оборудования и 15% стоимости сооружений в первый год эксплуатации);

2. создания инновационной инфраструктуры (США - формирование и укрепление промышленно-инновационных кластеров. Япония - строительство городов-технополисов и промышленных кластеров. Германия - создание института инновационных посредников {Projekttrager), электронной базы Ассоциации ШБП-ЫеЬногк, содержащей информацию по всем запатентованным вузами продуктам и технологиям. Франция - организация центров по вопросам коммерческой реализации научных исследований (5А1С));

3. правового регулирования инновационной активности (США - закон Бай-Доула, предоставивший университетам и некоммерческим организациям права на изобретения, созданные в процессе исследований при финансовый поддержке государства, закон о технологических инновациях Стивенсона-Уайдлера, закон о трансфере федеральных технологий. Япония - закон о технологических трансфертах, защите прав на интелектуальную собственность, закон о стимулировании промышленных разработок и др. Франция - закон об инновациях и научных исследованиях и создание Института по вопросам защиты прав на интелектуальную собственность);

4. стимулирования венчурного инвестирования;

5. поддержки высокотехнологичных предприятий малого и среднего бизнеса (США - Программа инновационных исследований малого бизнеса (ЖГД), Программа передачи технологий малому бизнесу (БТТК) и Расширенная технологическая программа (АТК). Япония - предоставление 50% скидки при получении банковских кредитов. Германия - федеральная программа Венчурный капитал для малых технологичных фирм);

6. научно-технического прогнозирования (США - Отчет о критических технологиях Управления по науке и технологической политики, публикуемый один раз в два года. Япония - 5-летние планы развития НИОКР Управления экономическо-

го планирования. Германия - проект Министерства науки и образования Технологии в начале XXI века. Франция - исследование Министерства экономики, финансов и промышленности Сто ключевых технологий); 7. создания системы национальных стандартов качества и управления на основе стандартов International Organization for Standardization (ISO). В ходе диссертационного исследования автором выявлены основные факторы инновационной политики, представленные в сводной таблице.

Таблица № 1

Факторы инновационной политики

Факторы США Япония Германия Франция

Уровень децентрализации государственной инновационной политики высокий низкий высокий высокий

Участие государства в финансировании НИОКР2 существенное (около 40%) низкое (около 20%) среднее (30%) существенное (>40%)

Роль университетов в проведении НИОКР высокая высокая высокая низкая

Уровень инвестиций в венчурные компании высокий низкий достаточно высокий средний

Мобильность персонала, занятого в НИОКР высокая низкая средняя средняя

Уровень коммерциализации НИОКР3 высокий высокий средний средний

2. Критерии оценки эффективности государственной инновационной политики

Центральное место в диссертационном исследовании уделено вопросам критериев оценки эффективности государственной инновационной политики. Для привлечения к инновационному процессу всех заинтересованных групп (представителей крупного, среднего и малого бизнеса, государственных структур, общественных организаций и т.п.), а также для оценки эффективности проводимой инновационной политики, ее соответствия планируемому вектору развития страны, необходима разработка комплексной системы научно-инновационного развития с определением основных трендов. Данные показатели обусловливаются совокупностью учитываемых при

2 Влияние фактора оценено с помощью показателя - удельный вес государственного финансирования в обшем объеме расходов страны на НИОКР

3 Влияние фактора оценено с помощью показателя - количество выданных патентов.

анализе результатов и затрат в ходе формирования, развития и поддержания инновационной политики.

На взгляд автора, при оценке эффективности необходимо различать макро и микро уровни участия государства в инновационной деятельности. На макроуровне государство создает экономические, правовые и организационные условия для инновационной деятельности, на микро - действует как собственник, равноправный субъект рынка. При проведении сравнительного анализа критериев успешной политики в области НИОКР автор исследования предлагает учитывать следующие аспекты:

не существует унифицированных линейных критериев оценки научной политики. Каждый из выделенных факторов динамики инновационного развития имеет многомерные связи с другими показателями, которые необходимо рассматривать в контексте существующей национальной инновационной системы (НИС)4 с учетом культурных особенностей страны;

способность НИС к реализации инноваций зависит как от уровня развития науки, технологий и качества рабочей силы, так и от возможности осуществления инвестиций государственным и частным секторами экономики;

расходы частных компаний не приводят к максимизации национальной производительности без активной государственной политики посредством сочетания прямых и косвенных методов регулирования экономики на фоне политический стабильности;

проведение современных научных исследований требует существенных финансовых вложений в технологическую базу. Это обусловливает особое внимание правительств стран к вопросам коммерциализации научно-исследовательских разработок, что приводит к кооперации высших учебных заведений с частными предприятиями и созданию технологических инкубаторов на фоне детально проработанного законодательства в области защиты прав на интелектуальную собственность и доступности свободного для инвестиций капитала на рынке.

Наиболее известными общественными институтами, занимающимися вопросами оценки инновационной политики являются Организация Экономического Сотрудничества и Развития (ОЭСР) и Мировой Банк. Методика ОЭСР основана на группировке 28 критериев эффективности инновационной политики по 4-м группам (кадровый потенциал, уровень коммерциализации технологий, степень распространения информационных технологий и структура финансирования). Каждый критерий (показатель) оценивается на базе статистической информации, собираемой Еиго81а1 и ОЭСР. Сводный индекс эффективности инновационной политики рассчитывается по формуле:

где /' Ч сводный показатель эффективности инновационной политики для страны г в период г;

4 Под НИС автор рассматривает совокупность субъектов инновационной деятельности, взаимодействующих в процессе создания и диффузии инноваций в рамках определенной системы социально-экономических отношения

qj - удельный вес данной переменной (от 0,5 до 1);

^-показатель, с помощью которого создается сравнительная шкала по всем странам для исчисления сводного инновационного индекса.

' Х>ГШП(Х) Уу Мах(х')-Мт(х\)

Ху - значение показателя j для страны i в период t;

Мировой Банк в качестве критериев оценки использует 80 показателей5, сгруппированных также по 4-м группам (экономический режим, человеческий потенциал, степень распространения инноваций и информационная инфраструктура). Экспертами вводятся новые переменные с размахом вариации от 0 до 10, соответствующие каждому исходному параметру (0 - минимальное значение параметра, 10 - максимальное). Для каждой группы считается собственный показатель, а композитный индекс лэкономики знаний (knowledge economy index) представляет собой среднее арифметическое из вышеупомянутых четырех групповых параметров.

В исследовании подчеркнуто, что страны, имеющие максимальный индекс инновационной активности, рассчитанный по методике ОЭСР, попали в первые 15 стран, ранжированных по индексу лэкономики знаний Мирового Банка. Данный факт свидетельствует о правильности выбранных исходных параметров для оценки и группировки данных показателей в определенные группы. Однако, на взгляд автора исследования, методика Мирового Банка отличается большей долей субъективизма вследствие ряда причин:

часть показателей, входящих в группу лэкономического режима (уровень правовой культуры, политическая стабильность, свобода прессы, уровень коррупции) основана только на экспертных оценках. К примеру, по индексу линновационной активности Япония находится на 2-м месте, тогда как по индексу лэкономики знаний на 14-м, при этом показатель линдекса экономического режима весьма низкий - 7,42;

большое количество используемых показателей снижает статистическую надежность рассчитываемого параметра вследствие наличия объективных барьеров для сбора корректной исходной статистической информации.

По мнению автора, значимость определения эффекта от реализации инновационной политики возрастает в условиях рыночной экономики. Предпосыками допонения и конкретизации уже существующих критериев оценки эффективноеЩ инновационной политики могут послужить такие направления, как:

Х качественно новый уровень ресурсосбережения, рост производительности труда, фондоотдачи, снижение материалоемкости, энергоемкости, капиталоемкости продукции, достижение ее высокой конкурентоспособности и, как следствие, коренное преобразование структуры народного хозяйства и внешней торговли в сторону разгрузки сырьевого сектора экономики и увеличение вклада обрабатывающих отраслей;

5 Knowledge Assessment Methodology (КАМ) - http/Hnfo worUbank.org/ettols/kam200S/. 10

преодоление технологического отставания страны (для стран, в которых данная проблема является актуальной);

достижение высокого уровня социальной направленности НТП за счет широкого распространения новых технологических систем, обеспечивающих экологическую чистоту и безопасность промышленного производства;

качественно новый уровень жизни населения в результате совершенствования бытовой среды для городского и сельского населения.

В диссертационном исследовании автор предлагает применить методику ОЭСР, существенно расширив количество используемых критериев оценки, ввести отдельно фактор времени и допонить показателями второго уровня, которые могут определить направление исследования результативности проводимой инновационной политики. Таким образом, можно перейти от перечня направлений анализа эффективности реализации инновационной политики к трехмерной оценке данных критериев в общем виде (схема № 1).

Схема №1

Критерии оценки эффективности инновационной политики

Х структура финансирования,

кадровый потенциал;

уровень коммерциализации технологий;

степень распространения информационных технологий

целостность и системность экономического процесса; соответствие адаптивных ожиданий экономических субъектов изменяющимся рамочным условиям хозяйствования, структурные изменения в иерархии отношений собственности, изменение динамики экономического прогресса; переход на новый технологический уклад;

Данное взаимодействие критериев оценки эффективности инновационной политики способствует выявлению происхождения проблем, связанных с развитием, внедрением и использованием мероприятий государственной политики в сфере инноваций. Это обусловлено тем, что происходит рефлексия фактов экономической жизни страны или региона как минимум по двум критериям, что способствует повышению качества оценки проводимых мероприятий и дает возможность корректировать развитие инновационной деятельности, сообразуясь с ее воздействием на другие элементы экономики.

На микро уровне государство функционирует как субъект рынка, осуществляющий инновационную деятельность в виде проведения программы НИОКР с последующей реализацией инновационного проекта. На основе комплексного исследования организации, включающего анализ технического состояния основных производственных фондов, финансовое положение хозяйствующего субъекта, его конкурентных преимуществ, формируется портфель инноваций, представляющий собой перечень новшеств (как собственных, так и приобретенных разработок), подлежащих внедрению в организации.

Основными параметрами эффективности инновационного проекта являются оценка технико-экономической реализуемости с точки зрения хозяйствующего субъекта, определение и оценка влияния проекта и альтернативных вариантов на регион, его экономику, на окружающую среду и т.п. Основополагающими критериями эффективности реализации проекта (внедрение новой или усовершенствование существующей технологии) выступают экономические показатели: ШУ (Чистый дисконтированный доход), 1Ш (внутренняя норма доходности), срок окупаемости, индекс прибыльности, отношение выгоды/затраты и т.д.; научно-технические (повышение автоматизации производства, увеличение удельного веса информационных и прогрессивных технологий). Помимо этого, принимаются во внимание социальные (увеличение рабочих мест, улучшение условий труда, повышение квалификации работников, повышение степени безопасности, прирост дохода работников) и экологические (улучшение экологичности выпускаемых товаров, повышение эргономичности производства, снижение отходов, уменьшение выбросов в окружающую среду).

3. Оценка современного состояния микроэлектронной отрасли в России с учетом мировых тенденций научно-технического развития

Автор диссертационного исследования рассматривает микроэлектронную промышленность как базис развития информационных технологий и вычислительной техники. Бурное развитие отрасли, возникшей во второй половине XX века, привело к изменению социальной структуры общества в странах золотого милиарда, экономическое благосостояние которых базируется на наукоемких технологиях, среди которых ведущая роль принадлежит информационным технологиям и микроэлектронике.

Продукцией отрасли являются микропроцессоры, транзисторы, светодиоды, фоторезисторы, компьютерная память, полупроводниковые фотоэлементы для сонечных батарей, сенсоры, оптоэлектронные компоненты, цифровая логика и т.п. В 2004 г. объем продаж полупроводниковых изделий в мире составил 214 мрд. $.

В работе отмечено, что характерными особенностями отрасли являются быстрая смена технологий6, значительные объемы инвестиций на научные исследования и разработки, существенная экономия на издержках при расширении производства. Скорость замещения производимых изделий очень высока, поэтому одним из условий существования фирмы на данном рынке является стратегия внедрения новых продуктов. Микроэлектроника отличается высоким уровнем добавленной стоимости, что требует, как правило, большей степени межфирменных поставок или непосредственных межфирменных коммуникаций (в виде совместного развитая, обмена техноло-* гиями, лицензирования, совместного производства и т.п.), чем для видов деятельности с меньшей добавленной стоимостью.

В исследовании показано, что положение в микроэлектронной промышленности отличается цикличностью - периоды бурного роста чередуются с серьезными спадами. Догосрочные и краткосрочные тенденции разительно отличаются друг от друга. В догосрочном периоде рынок полупроводниковых компонентов растет на 17% в год, что обусловливает его инвестиционную привлекательность, однако динамика краткосрочных тенденций, напротив, делает вложения высокорискованными с позиции возврата коротких денег.

Циклические колебания объемов продаж отрасли, на взгляд автора, связаны с зависимостью производителей от конечных потребителей продукции (см. диаграмму № 27).

Диаграмма № 2

Потребители продукции микроэлектронной промышленности в 2004 г.

Потребители продукции отрасли в 2004 г.

РС (персональные компьютеры)

беспроводные коммуникации

мобильная электроника и средства связи

бытовая электроника

промышленная электроника

О автомобильная промышленность

оборонная промышленность

За исключением технологий роста оксидных и полупроводниковых монокристалов ввиду их сложности и наукоемкоеЩ. ' По данным Semiconductor Industry Assoslatton.

Поскольку микросхемы являются товаром промежуточного потребления, приобретаемым в составе различного рода электронных устройств (компьютеров, процессоров, телекоммуникационных систем), краткосрочные конъюнктурные колебания спроса на конечный товар напрямую влияют на объемы продаж в краткосрочном периоде. Догосрочная восходящая линия тренда обусловлена существованием общества потребителей (перманентным стремлением людей к покупке новых высокотехнологичных товаров под давлением рекламных компаний производителей) и постоянным совершенствованием технологий вследствие научно-технического прогресса.

Полувековая история существования микроэлектроники подтвердила справедливость следующих законов:

1. Закон Мура

количество транзисторов на одной интегральной схеме удваивается каждые 1,5-2 года;

количество милионов итераций в секунду (частота MHz), являющееся характеристикой логических интегральных схем, используемых в компьютерах, также удваивается каждые 1,5-2 года.

2. Увеличение объема выпуска в 2 раза приводит к снижению себестоимости на 30%, вследствие:

уменьшения размеров чипов на одной пластине;

увеличения размеров монокристалической кремниевой подложки (основы, на которой располагаются чипы);

сокращения издержек производства пластин (использование мощностей EMS производителей);

увеличения производительности оборудования и, как следствие, уменьшение капитальных затрат.

Показатели развития отрасли и постоянно улучшаемые технические характеристики продукции подтверждают справедливость закона Мура на практике и приводят к логическому заключению о существовании определенных технологических границ развития в обозримом будущем (10-15 лет). В будущем топологические размеры микросхем могут приблизиться к размеру атома кремния, что является на сегодняшний день одним из естественных барьеров дальнейшей миниатюризации продукта.

Еще одна серьезная проблема заключается в том, что с увеличением числа элементов в одной микросхеме неимоверно возрастает сложность системы металических межсоединений, связывающих эти элементы, и рост их сопротивления за счет сильного уменьшения сечения этих металических проводников. В настоящий момент длина металических соединительных проводников в интегральной схеме составляет 5км/см2 при площади микросхемы порядка 4,5 см2 и они организованы в 6 слоев, тогда как в течение ближайших 10 лет их длина увеличится до 20 км/см2 при площади 8 см2 (т.е. общая длина проводников в системе увеличится до 160 км) и они будут организованы более чем в 12 слоев. Помимо возрастания сопротивления этих проводов, растет и емкость между ними, что, в итоге, приведет к ограничению скорости передачи сигналов между элементами внутри микросхемы.

Автор отмечает существование такой преграды, как показатель температуры плавления кремния. Миниатюризация продукта, приводящая к размещению все большего числа транзисторов на единице площади, ведет к росту тепловыделения при прохождении тока. В данный момент специалисты уже предвидят пределы максимального количества транзисторов, размещенных на одной интегральной схеме, при которых выделяющееся тепло может расплавить кремний.

На взгляд автора исследования, восходящая линия тренда мировых объемов продаж изделий микроэлектроники будет иметь место в течение нескольких десятилетий вследствие следующих предпосылок:

возможность производства современных изделий определяются литографией. Перманентное совершенствование технологического оборудования, масок и фоторезисторов позволяет отрасли постепенно разрушать существующие технические барьеры. Например, Intel ведет разработки двуядерного процессора и многоядерных чипов. Интеграция нескольких процессорных ядер на одном 1фистале дожна обеспечить дальнейшее повышение производительности и решить проблемы избыточного энергопотребления и выделения тепла;

степень интеграции компонентов, увеличивающаяся в геометрической прогрессии, расширяет функциональные возможности интегральных схем (ИС), и, как следствие, ведет к увеличению их спектра использования. На данный момент удельный вес интегральных схем в готовой продукции микроэлектронной промышленности составляет порядка 25Ч30%, в перспективе данный показатель может достигнуть 80%;

увеличение сфер применения микроэлектронных изделий, перераспределения рынка радиоэлектроники и приборостроения, основанных на устаревшей элементной базе, в пользу микроэлектроники. Микроэлектронные компоненты будут находить все большее применение практически во всех изделиях (от автомобилей до чайников), придавая им новые потребительские качества, а также приводить к постоянному созданию и выходу на рынок принципиально новых устройств и изделий;

в последние 10 лет активно развиваются нанотехнологии, которые наряду с компьютерно-информационными технологиями и биотехнологиями, считают фундаментом научно-технической революции XXI века. Использование нано-технологических методов расширит возможности дальнейшей миниатюризации устройств и повысит производительность кристалов. К примеру, IBM разрабатывает технологию молекулярной самосборки (molecular self assembly), совместимую с существующими технологиями изготовления микросхем.

В работе показано, что в процессе развития отрасль претерпела структурные изменения. Если в период становления на рынке доминировали небольшие вертикально-интегрированные компании (см. схему № 2), обеспечивающие весь производственный процесс (от производства компонентов до систем высокого уровня), то в настоящее время усиление конкуренции привело к сегментированию рынка и более узкой специализации производителей.

Схема г2

Характеристика отрасли Начальный этап Современные этап

размер компании небольшая фирма крупная корпорация

отношение к риску принятие риска избежание риска

инфраструктура минимальная комплексная, высоко развитая

интеграция вертикальная горизонтальная

географическое расположение доминирование США индустриально развитые страны

основные конечные потребители военная электроника РС и потребительская электроника

В то время как ведущие экономически развитые страны осуществляют фундаментальные разработки в рамках 6-го технологического уклада, отличительной особенностью которого будет скоординированное внедрение компьютерных технологий во все стадии воспроизводственного процесса, широкое практическое применение открытий в области биотехнологии и генной инженерии, большая часть наукоемких отраслей России находится между 3-ми 4-м технологическими укладами.

Автор исследования считает, что слабая конкурентная позиция Россией на мировом рынке наукоемкой продукции является прямым следствием поной изолированности российской промышленности от создаваемых новейших технологий в период существования СССР и ограниченности инвестиционных возможностей предприятий, неразвитой инновационной инфраструктуры и законодательного обеспечения, остаточного принципа финансирования ведущих исследовательских институтов и конструкторских бюро за последний 10-летний период новейшей истории. Производство электронной техники на душу населения в 2003г. в России составило 14 $ (для срав- ) нения в США - 1260$).

Развитие микроэлектронной промышленности, на взгляд автора, может изменить существующее положение дел и повысить конкурентоспособность отечественной промышленности вследствие нижеперечисленных отличительных особенностей электронной промышленности в целом, и микроэлектроники в частности:

высокая наукоемкость работ (в разработке изделий микроэлектроники используются результаты исследований ядерной физики и физической электроники, материаловедения и биотехнологии и т.п.);

широта спектра применяемых технологий;

диверсификация производимой продукции (дизайнерские разработки, производство оборудования, материалов и электронных компонентов, постановка технологий);

обеспечение национальной безопасности страны посредством участия в создании и эксплуатации уникальных систем и комплексов;

относительно высокий экспортный потенциал (в сравнении с другими отраслями промышленности);

высокий уровень инновационной активности предприятий (от 26% на предприятиях, производящих электронное и оптическое оборудование, до 46% в структурах, специализирующихся на исследованиях и разработках новых материалов. По промышленности в целом данный показатель в 2003 г. составил 10,3%)8.

4. Прямые и косвенные методы регулирования микроэлектронной промышленности в России

Центральное место в диссертационном исследовании посвящено комплексной система мер стимулирования инновационной активности в микроэлекгронной промышленности России. Автор отмечает, что финансовые механизмы прямого участия государства в создании благоприятного инновационного климата и стимулировании научно-технической активности предприятий заключаются в финансировании государственных научно-технических программ различного уровня посредством распределения ресурсов через специально созданные фонды.

Затраты страны на исследования и разработки в 2003г. составили 1,28'% от ВВП (4,02% расходной части государственного бюджета). При низком общем показателе (в развитых странах объем затрат на научно-исследовательскую деятельность составляет около 3%) относительно высока доля государственного финансирования -58,4%. В работе подчеркнуто, что данный показатель характеризует, с одной стороны, ведущую роль государства в осуществлении научно-технической деятельности, а с другой - ограниченные возможности частного сектора в проведении научно-исследовательских и опытно-конструкторских разработок, отсутствие эффективных механизмом коммерциализации результатов научных исследований и, следовательно, низкую заинтересованность предприятий частного сектора в проведение НИОКР, требующих существенных финансовых вложений. Финансирование осповной части исследований из средств государственного бюджета приводит к возникновению следующих рисков:

отсутствие положительного экономического эффекта НИОКР вследствие невостребованности разработок к сроку окончания благодаря изменению конъюнктуры рынка. Поскольку основная масса российских компаний находится за пределами глобального высокотехнологичного рынка, существует достаточно высокая вероятность создания слабоконкурентного продукта;

снижение бюджетного финансирования, обусловленное неблагоприятной экономической конъюнктурой;

завершение разработок на уровне выпуска промышленного образца вследствие слабо развитого механизма коммерциализации результатов научных исследований.

8 Наука в цифрах 2004 . - М : ЦИСН, 2004. ' Наука в цифрах 2004 . - М.: ЦИСН, 2004.

В федеральном бюджете на 2005г. по разделу НИОКР в целевых программах, предусмотренных к финансированию, планируется выделение средств в размере 28 805,96 мн.руб. (в ценах 2005 г.), по разделу государственные капитальные вложения - 141 193,45 мн. руб. Наиболее значимыми, с позиции развития микроэлектронной отрасли, являются 3 целевые программы: Программа Национальная технологическая база на 2002-2006 гг.; Научно-техническая программа Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития науки и техники на 2002-2006 гг.; Программа Электронная Россия (2002-2010 гг.). Механизмами реализации Программ являются проведение открытых конкурсов при распределении бюджетного финансирования и прямое участие государства в финансировании инвестиционных проектов.

Основными финансовыми институтами, созданными с участием государства с целью стимулирования инновационной активности предприятий, осуществляющих НИОКР, являются Российский Фонд Технологического Развития (РФТР), Фонд содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере (Фонд содействия), Венчурный инновационный фонд (ВИФ). В исследовании подчеркнуто, что общий бюджет вышеназванных структуру не превышает 6% общих расходов государственного бюджета на гражданскую науку, что не дает возможности осуществлять комплексную поддержку инновационным предприятиям.

Косвенные методы регулирования направлены на создание благоприятного общехозяйственного и социально-политического климата для новаторской деятельности, способствующего стимулированию инновационных процессов. Они включают фискальные методы, нормативно-правовое регулирование в области создания, передачи и использования прав на интелектуальную собственность, формирование инновационной инфраструктуры.

Для стимулирования инновационной деятельности в микроэлектронной промышленности России необходимо, на взгляд автора исследования, предпринять ряд следующих мероприятий (рекомендации даны с точки зрения предприятия, рассматривающего собственные средства в качестве основного источника финансирования при условии жесткого лимита финансовых возможностей государства): 1. максимально снизить налоговое бремя для предприятий, осуществляющих исследования и разработки в области интегральной электроники: " предоставить льготу по НДС на ввоз оборудования и приборов, используемых для научно-исследовательских целей, и товаров, ввозимых по договору с иностранными компаниями для проведения научных работ; освободить от НДС деятельность инновационных высокотехнологичных фирм по внедрению резулыатов НИОКР. Действующее налоговое законодательство (Глава 21, статья 149. Налог на добавленную стоимость) освобождает от уплаты НДС выпонение научно-исследовательских и опьгтно-конструкторских работ за счет средств бюджетов, а также средств РФФИ, РФТИ и образуемых для этих целей внебюджетных фондов министерств, ведомств и ассоциаций.. Однако деятельность по внедрению результатов исследований подлежит налогообложению (предоставление патентных лицензий третьим лицам);

восстановить инвестиционную льготу по прибыли (возможность уменьшения налогооблагаемой базы на сумму средств, направленных на финансирование капитальных вложений производственного назначения, а также затрат, связанных с погашением кредитов банков, выданных под инвестиционные проекты);

предоставить льготы испонителям научно-производственных работ (подрядчикам и субподрядчикам) при осуществлении данными субъектами хозяйственной деятельности в рамках НИОКР (в соответствии с пунктом 4 статьи 262 Налогового кодекса расходы на научные исследования и опытно-конструкторские разработки в организациях-испонителях признаются в качестве расходов, направленных на получение прибыли, следовательно, данные издержки не могут уменьшать налогооблагаемую базу налога на прибыль);

снизить ставку ЕСН для вновь создаваемых компаний на пятилетний период (расходы на оплату труда составляют около 40% внутренних затрат компаний на НИОКР, а средний срок окупаемости проектов по строительству предприятий микроэлектронной отрасли составляет 5 лет);

исключить из налогооблагаемой базы налога на имущество стоимость машин и оборудования, передаваемых безвозмездно для проведения испытаний и экспериментов научной организации в соответствии с условиями договора на создание научно-технической продукции.

2. для банков, страховых компаний, венчурных и инвестиционных фондов, предоставить льготу по уменьшению налогооблагаемой базы при финансирование проектов НИОКР в размере не менее 150% от фактически понесенных затрат. Сущность данного предложения заключается в предоставлении льготы непосредственно инвесторам, способным аккумулировать значительные денежные средства для целевого назначения. Данная мера позволит привлечь инвестиции в научные проекты, отличающиеся высоким риском и неопределенностью результатов. К примеру, по оценке американских экономистов, только 30% рисковых фирм приносят минимальную прибыль, еще 30% - высокую, позволяющую многократно покрыть затраты, в остальных 40% случаев авансированный капитал приносит прямые убытки;

3. освободить от НДС и таможенных платежей импортируемое оборудования, составляющее основные производственные фонды в отрасли. В настоящий период времени уровень таможенной ставки оборудования для проектирования и производства электронных компонентов находится на уровне 10% (серия ТНВЭД 8456), с учетом высокой стоимости данного вида товаров, отсутствия льготы по НДС, высоких процентных ставок по 1федитам обновление основных средств российских предприятий происходит замедленными темпами (затраты на приобретение оборудования в 2003 г. составили только 5,3% всех внутренних затрат хозяйствующих субъектов на исследования и разработки);

4. уменьшить бюрократические барьеры для осуществления внешнеэкономических сделок. К примеру, ввести в практику предоставление контракта и оформление паспорта сдеки на трансакции, сумма которых превышает 60 тыс. $ При этом данная льгота может бьгть предоставлена научным организациям - при условии получения предприятием государственной аккредитации, коммерческим пред-

приятиям - при предоставлении устава организации, где в качестве основного вида деятельности указано создание/разработка топологии интегральной схемы и/или производство/разработка оборудования для производства микроэлектронных изделий Данная мера позволит существенно снизить время и издержки покупателя, осуществляющего ввоз на территорию РФ опытных дорогостоящих образцов высокотехнологичных товаров или производственного оборудования. В исследовании подчеркнуто, что одним из главных принципов стимулирования частного сектора к участию в процессах коммерциализации результатов НИОКР является четкая спецификация прав собственности в отношении интелектуальной собственности. По мнению автора, в договоре на создание электронной компонентной базы необходимо указывать, что права могут в равной мере принадлежать как государственному заказчику, так и компании-разработчику. Поскольку исследования в области микроэлектроники отличаются особой капиталоемкостью, государству не имеет смысла, с экономической точки зрения, создавать паралельную структура для реализации своих прав.

Формирование инновационной инфраструктуры, представляющей комплекс организационно-экономических институтов, обеспечивающих условия реализации инновационных процессов хозяйствующими субъектами, является необходимым условием реализации инновационной стратегии в России. В работе автор рассматривает следующие элементы инновационной инфраструктуры:

производственно-технологическая (технопарки, инновационно-технологические центры, инновационно-промышленные комплексы, наукограды, особые экономические зоны);

финансовая (венчурные фонды);

экспертно-консатинговая (институт инновационных посредников).

В диссертационном исследовании автор делает акцент на положении, что ограниченность бюджетный средств, направляемых на НИОКР, повышает актуальность использования косвенных методов регулирования инновационной деятельности предприятий, а формирование инновационной инфрастукгуры является одним из принципов реализации стратегии инновационного развития в стране.

5. Варианты развития микроэлектронной промышленности в России на среднесрочную перспективу

При выборе стратегического направления развития на макроуровне необходимо проанализировать факторы, определяющие выбор стратегии на уровне отдельных компаний, т.е. на микроуровне. К числу ключевых факторов автор относит следующие:

характеристика продукта на выходе, с точки зрения наукоемкости;

размер потенциального рынка, ценовая эластичность спроса на продукт;

показатель конкуренции на мировом рынке;

промышленный, финансовый, научно-технический и кадровый потенциал локальных производителей;

Х доступность финансовых и людских ресурсов, необходимых для организации производства, в сравнении с другими странами.

При выборе стратегии на макроуровне автор считает необходимым допонительно учитывать фактор обеспечения экономического роста посредством анализа конечного спроса отраслей. Государство проводит политику, ориентируясь либо на создание общества массового потребления (США, Европа), либо на аккумулирование финансовых, кадровых и научных ресурсов в военно-промышленном секторе экономики (СССР).

В 2004г. идея строительства современной фабрики по производству микроэлектронных изделий активно обсуждалась в средствах массовой информации. Местом осуществления проекта называли петербургский академгородок - Шувалов. В диссертационном исследовании рассмотрена расчетная стоимость строительства средней по мощности современной фабрики, использующей отработанную технологию производства. Структура затрат 300 мм полупроводниковой фабрики представлена в Таблице № 2. Расчеты приведены для среднестатистического предприятия, расположенного на территории США.

Таблицам 2

Структура затрат фабрики по выпуску микроэлектронных изделий на основе 300 мм кремниевых пластин

Затраты Годовая сумма, мн. $

Амортизация оборудования, здание, коммуникации и чистые зоны. Срок амортизации - 10 лет. 40

Технологическое оборудование, амортизация 5 лет 420

Содержание здания, 4% стоимости (400 мн.) 16

Пластины (300мм, 35 000 в месяц, 420 000 в год) из расчета 300$ в месяц /1 пластина 126

Газы, реактивы, материалы, вода, электроэнергия и т.п., из расчета 100$ в месяц / 1 пластину 42

Зарплата персонала, 60 тыс. $ в год, 1000 чел. 60

Тестирование, сборка и корпусирование (из расчета 5% общепроизводственных затрат) 35,2

Затраты на исследования и разработку технологии (из расчета 20% общепроизводственных затрат) 147,8

Административные расходы, 10% всех затрат 88,7

Итого: (40+420+16+126+42+60+35,2+147,84+88,704) / (35 000 х 12) 976 мн. $ или 2323 $ на 1 пластину

Источник: расчеты автора на основе данных

National Technology Roadmap for Semiconductors (2002) / Semiconductor Industry Association. -http //www sia-onlme org.

Х Буравлев А Сколько стоит полупроводниковое производство // Живая Электроника России - 2002 - т 1

Суммарные затраты фабрики (прямые материальные, трудовые и общепроизводственные) находятся на уровне 2,7 мн. $ /1 день, что означает жесткие требования к слаженной работе всех звеньев производственной цепочки. Для поддержания конкурентоспособности необходимы ежегодные инвестиции в производство в размере, соответствующем средней скорости роста объемов продаж отрасли -12,510% в год.

В качестве минимального коэффициента прибыльности автор использует показатель 12% (среднегодовая доходность банковских вкладов на сегодняшний день находится в районе 9-11%). Произведенный расчет (976 мн. $ х 1,125 х 1,12) показывает минимально необходимый объем продаж данного хозяйствующего субъекта 1230 мн. $ или 2928 $ /1 пластину. В работе отмечено, что при проведении калькуляции налоги на зарплату основного персонала, занятого производством, не учитывались.

В случае строительства завода на территории России автор считает целесообразным учитывать ряд факторов:

1. Россия имеет два преимущества в производственных издержках по сравнению с США, Японией и странами Западной Европы - дешевая рабочая сила и низкая цена на электроэнергию, - однако проигрывает по данным показателям странам Юго-Восточной Азии. Следует отметить, что для современной фабрики с позиции себестоимости производства вышеупомянутые преимущества несущественны, т.к. в сумме не превышают 15% общих затрат;

2. по сравнению со странами Юго-Восточной Азии, где иностранные компании активно инвестируют в микроэлектронную промышленность, в России более суровые климатические условия, следствием чего являются существенные энергозатраты;

3. поскольку основной статьей затрат является приобретение высокотехнологического оборудования, более существенным по сравнению с затратами на рабочую силу являются уровень ввозных таможенных пошлин;

4. в случае строительства современного завода на территории России можно стокнуться с проблемой сбыта. Минимальный расчетный объем производства конкурентоспособной фабрики, производящей современную полупроводниковую продукцию, 1230 мн. $ в год. Продать в России хотя бы половину произведенной полупроводниковой продукции одной фирмы, то есть на 600-615 мн., невозможно вследствие ограниченности внутреннего рынка (весь российский рынок электронных компонентов по разным оценкам равен 2 мрд. $);

5 вследствие разрушенной инфраструктуры микроэлектронной промышленности в случае возникновения современной фабрики на территории России данный хозяйствующий субъект будет импортировать продукцию химической промышленности, кремний, газы, фоторезисторы, что, безусловно, вносит допонительные риски в бизнес-процесс, компенсация которых дожна быть заложена в цену продукта на выходе.

10 Рассчитано на основе данных World Semiconductor Trade Statistics за период с 1982 г по 2004 г 22

На основании сделанного оценочного расчета автор приходит к выводу, что организация современного полупроводникового производства в России возможна только в случае значительного увеличения производства электронной техники в стране.

Одним из возможных вариантов развития отрасли, по мнению автора исследования, является создание сети дизайн-центров при ведущих НИИ или в соответствующих отделах ведущих предприятий отрасли, где можно проектировать интегральные схемы (ИС), осуществлять выпуск меко- и среднесерийной продукции для государственных нужд и экспорта на имеющихся производственных мощностях, а крупное серийное производства перенести в трудоизбыточные страны Юго-Восточной Азии.

Современные средства проектирования и создания микросхем позволяют относительно быстро осуществлять перенос производства с одних производственных мощностей на другие. В России, на взгляд автора, можно успешно разрабатывать архитектуры микросхемы и программного обеспечения, патентовать продукт, а осуществлять массовое серийное производство за пределами страны.

Для проектирования конкурентоспособной полупроводниковой продукции необходимы существенные инвестиционные затраты на приобретение мощных рабочих станций, современных САПР (система автоматизированного проектирования, охватывающих весь диапазон проектирования - от высокоуровневого описания схемы до предоставления ее на топологическом уровне) стоимостью в несколько милионов доларов, информационного обеспечения, организацию маркетинговых исследований потенциального рынка сбыта, проведения патентных работ, однако суммарные вышеупомянутые издержки несравнимо ниже по сравнению со стоимостью строительства современного полупроводникового завода.

Автор считает, что в задачи государства при реализации концепции развития дизайн-центров входит формирование единой информационной базы, единых отечественных правил проектирования перспективной электронной компонентной базы. Создание открытой информационно-аналитической и справочной информации по вопросам разработки, производства и развития перспективной электронной компонентной базы, включающей анализ современных технологических маршрутов иностранных и отечественных производителей ЭКБ (электронной компонентной базы) и библиотеку сложных функциональных блоков (СФ-блоков), встроенных в системы проектирования ЭКБ, позволит с минимальными затратами решить проблему воспроизводства электронных компонентов.

В заключении диссертации обобщены основные результаты произведенного исследования, сформулированы выводы и положения, направленные на совершенствование использования прямых и косвенных методов регулирования инновационной деятельности российских предприятий микроэлектронной отрасли промышленности.

Основные положения диссертационного исследования представлены в следующих работах:

1. Аганина Л.С. Методы реализации государственной инновационной политики. // Международная научная конференции студентов и аспирантов Ломоносовские чтения - 2003. Сборник тезисов. - М., ТЕИС, 2003.-0,15 пл.;

2. Аганина Л.С. Критерии оценки эффективности инновационной полигаки. // Международная научная конференции студентов и аспирантов Ломоносов -2005. Сборник тезисов. - М., Издательство МГУ, 2005. - 0,15 п.л.;

3. Аганина Л.С. Инновационная система: структура и основные элементы. // IV Международная научно-практической конференции Экономика, организация и управление инновационными и инвестиционными процессами на предприятиях и в регионе. Сборник тезисов. - Новочеркасск: ЮР1ТУ, 2005. -0,4 п.л.

4. Аганина Л.С. Динамика развития микроэлектронной промышленности. // Экономический альманах. - 2005. - № 2. - 0,3 п.л.

Напечатано с готового оригинал-макета

Издательство ООО "МАКС Пресс" Лицензия ИД N 00510 от 01.12.99 г. Подписано к печати 10.01.2006 г. Форма:! 60x90 1/16. Усл.печл. 1,5. Тираж 120 экз. Заказ 935. Тел. 939-3890. Тел./факс 939-3891. 119992, ГСП-2, Москва, Ленинские горы, МГУ им. М.В. Ломоносова, 2-й учебный корпус, 627 к.

Диссертация: содержание автор диссертационного исследования: кандидат экономических наук , Аганина, Людмила Сергеевна

Введение.

Глава 1. Теоретические основы государственного регулирования инновационной деятельности.

1.1. Экономическая сущность инноваций.

1.2. Особенности инновационного процесса.

1.3. Инновационная система: структура и основные элементы.

1.4. Методы государственного регулирования инновационной деятельности.

Глава 2. Инновационная политика в развитых странах.

2.1. Инновационная политика США, Японии, Германии и Франции.

2.1.1 Инновационная политики в США.

2.1.2 Инновационная политика в Японии.

2.1.3. Инновационная политика в Германии.

2.1.4. Инновационная политика во Франции.

2.1.5. Общие принципы реализации инновационной политики в странах смешанной экономики.

2.2 Критерии оценки эффективности инновационной политики.

Глава 3. Государственное регулирование инновационной деятельности в сфере микроэлектронной промышленности.

3.1. Микроэлектронная промышленность: исторический ракурс и современная действительность.

3.2. Положение России на мировом рынке электронных компонентов.

3.3. Прямые методы регулирования инновационной деятельности в России.

3.4. Косвенные методы регулирования инновационной деятельности в России.

3.4.1 Налоговое стимулирование.

3.4.2. Регулирование прав на интелектуальную собственность.

3.4.3. Формирование инновационной инфраструктуры.

3.5. Варианты развития микроэлектронной промышленности в России.

3.5.1. Строительство современного завода.

3.5.2. Создание сети дизайн-центров.

Диссертация: введение по экономике, на тему "Методы разработки и реализации эффективной государственной инновационной политики"

Актуальность темы исследования. Уровень научно-технического развития страны в современных условиях является одним из важнейших факторов международной экономической и политической конкуренции. Неопределенность и рискованность вложений в НИОКР, с одной стороны, и высокая общественная значимость продукта, с другой, не способствуют Парето-эффективному размещению ресурсов в сферу наукоемких технологий исключительно в рамках рыночной системы. Поэтому содействие развитию инновационных процессов, оказывающих прямое влияние на общую социально-экономическую ситуацию, входит сегодня в число приоритетов государственной политики развитых стран.

На микроэкономическом уровне инновации выступают в качестве материальной основы повышения эффективности производства, конкурентоспособности выпускаемой продукции. На макроэкономическом уровне распространение нововведений способствует переходу страны от мобилизационного (ресурсного) типа экономики к инновационному, отличительными особенностями которого является преобладание информационных технологий, компьютеризированных систем, высоких производственных технологий и развитый рынок интелектуальной собственности.

Основой преодоления современного структурного кризиса в России, являющегося прямым следствием процессов рыночной трансформации, может стать изменение организационно-экономического механизма хозяйствования, качественное преобразование производственного потенциала страны, базисом которого служит широкое внедрение и распространение научно-технических достижений при условии проведения целенаправленного государственного регулирования. Переориентация государственной инновационной политики на новые модели, отвечающие рыночным условиям хозяйствования, требует глубокого изучения и систематизации опыта, накопленного в данной области развитыми зарубежными странами. Формирование рациональной стратегии развития дожно основываться на оценке эффективности предлагаемых мер с учетом не только существующей международной практики, но и российской специфики.

Указанные обстоятельства послужили основанием для выбора темы диссертационной работы. Наибольшее внимание в рамках настоящего исследования уделено комплексной системе мер прямого и косвенного государственного регулирования микроэлектронной промышленности - отрасли, являющейся базовой платформой развития информационных технологий и вычислительной техники и выступающей, по нашему мнению, катализатором научно-технического процесса.

Цели и задачи исследования. Целью диссертационного исследования является обоснование принципов реализации государственной инновационной политики как механизма повышения конкурентоспособности страны в общемировом экономическом пространстве. Для достижения указанной цели в диссертационной работе поставлены и решены следующие задачи:

1. исследование опыта осуществления государственной инновационной политики, накопленного развитыми странами смешанной экономики, и оценка возможности использования лучшей зарубежной практики в специфических условиях Российской Федерации;

2. сравнительная оценка и систематизация методологических подходов к оценке эффективности инновационной политики;

3. выявление существующих направлений государственной поддержки инновационных процессов в России и разработка рекомендаций по их совершенствованию;

4. на основе анализа развития микроэлектронной промышленности России выявлены возможные причины технологического отставания страны в данной области и приведена оценка вариантов развития отрасли на среднесрочную перспективу при условии осуществления государством комплекса регулирующих мер, направленных на повышение эффективности функционирования хозяйствующих субъектов.

Предметом исследований в данной работе является государственная инновационная политика как механизм, обеспечивающий генерирование, востребованность и распространение инноваций в российской экономике. В качестве объекта исследовании выбрана микроэлектронная промышленность, являющаяся одним из сновополагающих компонентом становления "новой экономики" в России.

Теоретической и методологической основой диссертации послужили работы зарубежных и российских авторов в области исследования инноваций как формы материализации потенциального научно-технического прогресса, принципов инновационной политики и методов государственного воздействия на инновационные процессы, опыта практического применения методов регулирования инновационной деятельности в развитых странах смешанной экономики и России. Автором широко использованы результаты исследований по оценке эффективности государственной инновационной политики, проводимые Мировым Банком и Комиссией Европейских Сообществ, материалы отечественной и зарубежной периодической печати.

Информационная база. В процессе исследования были использованы законодательные акты Европейского Союза, отдельных стран-членов ЕС, Японии, США и Российской Федерации, регулирующие правоотношения между государственным и частным секторами экономики в процессе реализации совместных проектов НИОКР, создание инфраструктуры инновационной деятельности хозяйствующих субъектов, налогообложение, защиту прав на интелектуальную собственность; официальные статистические данные Евростата, государственной статистики отдельных европейских стран и Центра исследований и статистики науки (ЦИСН); материалы Организации Экономического Сотрудничества и Развития (ОЭСР), Мирового Байка, Организации по статистике мирового рынка полупроводников (World Semiconductor Trade Statistics), Ассоциации производителей полупроводников (Semiconductor Industry Association); a также публикации по результатам исследований, проведенных экспертами научно-исследовательских организаций и специализированных средств массовой информации как в России, так и за рубежом.

Научная новизна диссертационной работы состоит в следующем:

1. систематизирован опыт государственного регулирования инновационной деятельности развитых стран ; выявлены важнейшие структурные факторы определяющие специфику инновационной политики различных стран (включая уровень децкнтрализации государственной инновационной политиуи, степень участия государства в финансировании НИОКР, роль университетов в проведении научных исследований, уровень инвестиций в венчурные компании и т.д); определены направления использования зарубежного опыта регулирования инновационной деятельности в специфических условиях современной России;

2. разработан комплексный подход к оценке эффективности государственного регулирования инновационной деятельности на основе сравнительного анализа существующих в международной практике методик оценки. Предлагаемый подход основан на матричной форме представления оцениваемых критериев, позволяющей отразить их взаимосвязь и, тем самым, более адекватно идентифицировать проблемы разработки и внедрения государственной политики в сфере инноваций;

3. на основе выявления объективных причины технологического отставания России в области микроэлектронной промышленности (поной изолированности промышленности от создаваемых новейших технологий в период существования СССР, ограниченности финансовых возможностей, неразвитой инновационной инфраструктуры и законодательного обеспечения) проведена оценка современного состояния отрасли с учетом мировых тенденций научно-технического развития. Сформулированы предложения по совершенствованию законодательства, регулирующего электронную промышленность России, в том числе в области налогового регулирования и защиты прав на объекты интелектуальной собственности в области интегральной электроники;

4. произведена оценка вариантов развития микроэлектронной промышленности России на среднесрочную перспективу на основе двух базовых сценариев - развитие современных полупроводниковых производств и создание сети дизайн-центров - при условии осуществления государством комплекса мер стимулирующего характера. На основе результатов комплексного исследования обоснован вывод в пользу приоритетного развития в России дизайн-центров.

Практическая значимость результатов диссертационного исследования заключается в разработке возможных путей совершенствования инновационной политики государства как эффективного механизма повышения конкурентоспособности национальной экономики, залогом которого является массовое внедрение достижений научно-технического прогресса. Предложенные в диссертации рекомендации в области совершенствования законодательного обеспечения деятельности микроэлектронной промышленности, а также оценка вариантов развития отрасли могут послужить основой для выработки инструментария макроэкономического регулирования отечественной микроэлектроники, разработки государственных целевых программ на средне- и догосрочную перспективу в этой области. Материалы диссертации могут оказать помощь в подготовке специалистов в области макроэкономического регулирования и государственного управления.

Апробация работы. Результаты исследования представлены автором на Международной научной конференции "Ломоносовские чтения - 2003" (Москва, апрель 2003 г.), Международной научно-практической конференции "Экономика, организация и управление инновационными и инвестиционными процессами на предприятиях и в регионе" (Новочеркасск, апрель 2005 г.), Международной научной конференции "Ломоносов - 2005" (Москва, апрель 2005 г.). Положения диссертации опубликованы в 4 работах общим объемом 1 усл. печ. лист.

Логика и структура работы. В соответствии с целью и задачами диссертационной работы была принята следующая логика исследования. На первом этапе проанализированы теоретические подходы к вопросу определения сущности инноваций, выявлены основные методы регулирующего воздействия государства на субъекты инновационных процессов. Изучение опыта реализации государством инновационной политики в странах смешанной экономики, проведенное на втором этапе, позволило систематизировать и классифицировать основные принципы, выявить структурные факторы реализации эффективной государственной инновационной политики. Логическим завершением первых двух этапов послужила выработка рекомендаций по стимулированию инновационной деятельности российских предприятий микроэлектронной промышленности.

Диссертация: заключение по теме "Экономика и управление народным хозяйством: теория управления экономическими системами; макроэкономика; экономика, организация и управление предприятиями, отраслями, комплексами; управление инновациями; региональная экономика; логистика; экономика труда", Аганина, Людмила Сергеевна

Заключение.

Опыт развития стран, составляющих технологическое ядро мировой экономики: США, Японии, Германии и Франции, - свидетельствует о важной роли научно-технического прогресса как детерминанты, определяющей положение страны в мировом экономическом пространстве. Государственная инновационная политика направлена на создание предпосылок для создания и потребления инноваций, являющихся материализованной формой научно-технических достижений. В XX веке традиционная линейная концепция инновационного процесса: наука - технология - новый товар, утратила свою актуальность.

Конкретные потребности рынка заменили необходимость применения полученных достижений науки в качестве основного двигателя инновационного творчества. Инновационный процесс объективно становится сетевым, требующим концентрации человеческих и финансовых ресурсов.

Общественная потребность в инновациях опосредуется экономическим законом стоимости, предполагающим сопоставление экономическими агентами размера используемых ресурсов на инновации с их оценочными результатами коммерциализации, овеществленными в материальном производстве. Неопределенность и риск вложений в НИОКР на фоне высокой общественной значимости продукта обусловливают существенную роль государства в инновационных процессах.

Реализация инновационной политики на государственном уровне осуществляется по трем направлениям: государственное регулирование, планирование и программирование. Государственное регулирование инновационной деятельности реализуется посредством целенаправленного воздействия органов государственного управления на экономические интересы институтов инновационной системы. Основными формами реализации инновационной политика являются: стратегия активного вмешательства (Япония, Франция), децентрализованного регулирования (США, Германия) и смешанная стратегия (Швеция). Методы государственного регулирования подразделяются на прямые и косвенные.

К прямым методам, как правило, относятся государственное инвестирование в виде финансирования (целевого, проблемно-направленного, предметно-ориентированного), кредитования, лизинга, государственное страхование венчурного предпринимательства, которое позволяет создать необходимую инвестиционную базу для поддержки малого и среднего инновационного бизнеса; государственное предпринимательство -непосредственное воздействие на управление предприятиями и их объединениями, когда государство выступает в качестве собственника имущества или пакета акций акционерных обществ. Особое место в системе прямых экономических мер воздействия государства на инновационные процессы занимают меры, стимулирующие кооперацию промышленных корпораций в области научных исследований, кооперацию университетов с промышленностью, взаимодействие государственного и частного секторов экономики, а также межгосударственное научно-техническое сотрудничество.

Косвенные методы регулирования инновационной деятельности направлены, с одной стороны - на стимулирование инновационных процессов, а с другой - на создание благоприятного общехозяйственного и социально-политического климата для новаторской деятельности. Среди данных методов выделяют налоговое регулирование, политика протекционизма в виде торгово-валютного регулирования, направленного на защиту и реализацию новшеств внутри страны; формирование законодательной базы, обеспечивающей защиту прав участников инновационной деятельности (создание государственной патентно-лицензионной системы); создание единой информационной системы, обеспечивающей связывающую роль информации в процессе реализации инновационного цикла;развитие инновационной инфраструктуры.

Залогом успешного стратегического развития России в XXI веке, своевременного вхождения страны в новую цивилизационную парадигму с учетом международного разделения труда является успешная реализация научно-технической политики, ее превращение из комплекса мер по управлению наукой и технологиям как отдельно взятым объектом в один из ключевых элементов всей системы государственного регулирования.

В экономической литературе выделяют три сценария развития науки и инноваций в России на среднесрочный период125:

1. Сценарий инерционного развития. Основными особенностями являются низкий уровень производства, концентрация доходов в сырьевом секторе, вывоз доходов за рубеж, продожающая деградация обрабатывающей промышленности, обострение социальных противоречий внутри страны. Данный вариант имеет крайне негативные последствия для НИОКР, фактически означая окончательное отставание Росси от стран-мировых лидеров.

2. Сценарий экспортно-ориентированного развития. Данный вариант подразумевает усиление роли экспортных секторов экономики (ТЭК, металургия, химическая промышленность). Предполагается, что налоговые поступления от данных экспортно-ориентированные отраслей экономики будут обеспечивать доходную часть бюджета. Потенциал некапиталоемкого развития данные сфер экономики фактически исчерпан, перспективы дальнейшего развития связаны с крупными инвестициями в разведку и освоение новых месторождений, замену и модернизацию производственных мощностей. Данный вариант означает сильную зависимость налоговых поступлений в бюджет от колебаний цен на внешнем рынке минеральных ресурсов.

3. Инвестиционно - активный сценарий. Данный вариант может быть осуществлен только в случае продуманной промышленной, научно-технической и инновационной политик государства. Основным отличием от 2-х предыдущих вариантов является увеличение инвестиций, благодаря: 1) росту капиталовложений (по некоторым оценкам, финансовый потенциал российской экономики дает возможность удвоить данный показатель); 2) снижению производственных издержек в результате эффективности использования факторов производства; 3) стабилизации реальных доходов населения, реформированию банковской системы, которые могут послужить реальным источников инвестиций; 4) использованию высокотехнологического машиностроительного потенциала, аккумулированного в отраслях оборонного комплекса.

В настоящее время ведущие экономически развитые страны осуществляют фундаментальные разработки в рамках 6-го технологического уклада, отличительной особенностью которого будет скоординированное внедрение компьютерных технологий во все стадии воспроизводственного процесса, широкое практическое применение открытий в области биотехнологии и генной инженерии. Большая часть наукоемких отраслей России находится между 3-м и 4-м технологическими укладами.

125 Наука и технологии в Росси. Прогноз до 2010 г. - М: ЦИСН, 2000. - С.47.

Слабая конкурентная позиция Россией на мировом рынке наукоемкой продукции является прямым следствием поной изолированности российской промышленности от создаваемых новейших технологий в период существования СССР и ограниченности инвестиционных возможностей предприятий, неразвитой инновационной инфраструктуры и законодательного обеспечения, остаточного принципа финансирования ведущих исследовательских институтов и конструкторских бюро за последний 10-летний период новейшей истории. Развитие микроэлектронной отрасли, способной повысить конкурентоспособность отечественной промышленности, является залогом реализации инвестиционно-активного сценария развития науки и инноваций.

Микроэлектроника является базовой платформой развития информационных технологий и вычислительной техники, ее считают катализатором научно-технического процесса. Бурное развитие отрасли, возникшей во второй половине XX века, привело к изменению социальной структуры общества в странах "золотого милиарда", экономическое благосостояние которых базируется на наукоемких технологиях, среди которых ведущая роль принадлежит информационным технологиях и микроэлектронике. Отличительными особенностями отрасли являются: высокая наукоемкость работ (в разработке изделий микроэлектроники используются результаты исследований ядерной физики и физической электроники, материаловедения и биотехнологии, и т.п); широта спектра применяемых технологий; диверсификация производимой продукции (дизайнерские разработки, производство оборудования, материалов и электронных компонентов, постановка технологий); обеспечение национальной безопасности страны посредством участия в создании и эксплуатации уникальных систем и комплексов; относительно высокий экспортный потенциал (в сравнении с другими отраслями промышленности); высокий уровень инновационной активности предприятий.

Для реализации стратегии импортозамещения на микроэлектронном сегменте рынка необходима продуманная государственная политика, направленная на стимулирование инновационных процессов на предприятиях отрасли. Вследствие ограниченности бюджетных средств наибольшую целесообразность принимают косвенные методы регулирования в области: налогового законодательства - путем предоставления ряда льгот; внешнеторгового - изменение ввозных таможенных пошлин на высокотехнологичное оборудование и материалы, необходимые при производстве изделий интегральной электроники; законодательного обеспечения прав собственности на объекты, созданные при поном государственном или совместном финансировании; формирования инновационной инфраструктуры.

Одновременно экономически целесообразным является создание центров проектирования современной электронной компонентной базы. В задачи государства при реализации данной концепции развития входит формирование единой информационной системы, единых отечественных правил проектирования перспективной электронной компонентной базы, что позволит с минимальными затратами решить проблему воспроизводства электронных компонентов.

Диссертация: библиография по экономике, кандидат экономических наук , Аганина, Людмила Сергеевна, Москва

1. Аверьянова А.Н., Бердашкевич А.П. Информационно-аналитический материал: Об инновационной деятельности в различных странах под ред.//Аналитический вестник Федерального собрания. 05.04.2002.

2. Аферов Ж. И. Полупроводниковая Электроника в России: состояние и перспективы // Электроника: Наука, Технология, Бизнес. 2004, № 5.

3. Афимов М.В. Цель реформы новые взаимоотношения ученых и государства. // Поиск. - 1997, №42.- С.З.

4. Анчишкин А.И. Наука,Техника,Экономика.- М: Экономика 1986.

5. Арзамасцев Николай. Механизмы государственного содействия при коммерциализации технологий // Технологический бизнес в России, www.techbusiness.ru.

6. Багров Н. Условия технологического развития.// Экономист. 1998, №1. - с.62-66.

7. Бакош Г., Технологическая политика в Японии: уроки для стран Восточной Европы // Вопросы экономики. -1997, №9.

8. Бортник И. 10 лет развития инновационного предпринимательства в России.// Инновации. 2004, №1.

9. Бугаков С. Н. Философия хозяйствования.- М.: Наука, 1990.

10. Буравлев А. Сколько стоит современное полупроводниковое производство.// Живая электроника России. 2001, т.1.

11. Васин В. А., Миндели JI. Э. Национальная инновационная система: предпосыки и механизмы функционирования. М.: ЦИСН, 2002.

12. Век интелекта и инноваций, беседа с депутатом Государственной Думы РФ М.В. Баржановой, автором Концепции государственной инновационной политики // Экология и жизнь. 2002, № 4.

13. Вольский А. Инновационный фактор обеспечения устойчивого экономического развития.// Вопросы экономики. 1999, № 1. - с.5.

14. Гапоненко Н. Инновации и инновационная политика на этапе перехода к новому технологическому порядку // Вопросы экономики.- 1997, №9.

15. Горнев В. Как нам обустроить свой микроэлектронный мир. // Электроника: Наука,Технология,Бизес. 2004, № 7.

16. Дагаев A.A. Передача технологий из государственного сектора в промышленность как инструмент государственной инновационной политики // Проблемы теории и практики управления. 1999, № 5.

17. Дагаев A.A. Рычаги инновационного роста // Проблемы теории и практики управления. 2000, № 5.

18. Дагаев A.A. Фактор НТП в современной рыночной экономике. М.: Наука, 1994.

19. Дежина И.Г., Сатыков Б.Г. Механизмы стимулирования коммерциализации исследований и разработок. М.:ИЭПП, 2004.

20. Денисов Г.А. Механизм государственного стимулирования научно-технического прогресса в развитых странах // Промышленное строительство. 1990, № 4.

21. Денисов Ю.Д., Соколов A.B. Технологическое прогнозирование и научно-технические приоритеты в индустриально развитых странах. М:ЦИСН, 1998.

22. Догопаев А. "От "шарашек" до Силиконовой Долины" // Известия. 01.02.2005.

23. Дынкин А., Иванова Н. Наука и технологии: мировые тенденции // Общество и экономика.-1999, №3-4.- с.292-304.

24. Дьяков Ю.Н. Проблемы развития микроэлектроники в России ключевой технологии двойного применения (Тезисы) // Технологическое оборудование и материалы. - 1997,№8-9.

25. Емельянов Сергей. Партнерство американского государства, местных властей и частного сектора в реализации научно-технических достижений // Проблемы теории и практики управления. 2002, № 3.

26. Емельянов Сергей. Стратегия развития науки и технологии в США в XXI веке // Проблемы теории и практики управления. 2001, № 1.

27. Заварухин Владимир. Управление научно-технологическим развитием в США // Проблемы теории и практики управления. 2000, № 5.

28. Захарченко В.И. Конкурентоспособность экономики страны. // Маркетинг в России и за рубежом. -1999, № 4.

29. Иванов В.В. Актуальные проблемы формирования Российской инновационной системы. М.Научно-организационное Управление РАН, 2002.

30. Иванов В.В. Инновации в плановой и рыночной экономике: методологический аспект //Инновации,- 1999,№ 1-2.

31. Иванов В.В., Кодаева Н.Т. Российская инновационная система: территориальный подход. // Инновации. 2000, № 9-10.

32. Иванов В.В., Кодаева Н.Т. Российская инновационная система: территориальный подход. // Инновации. 2000. № 9-10.

33. Иванова Н. И.,к.э.н. ИМЭМО РАН. Инновационная система России в глобальной экономике // Инновации (Санкт-Петербург). 24.06.2002. 004. - с. 19-20.

34. Иванова Н.И. Национальные инновационные системы // Вопросы экономики. 2001, № 7. - с.61.

35. Иванова Н., Инновационная сфера: контуры будущего // Мировая экономика и международные отношения. 2000, №8.

36. Иванова Наталья. Финансовые механизмы научно-технической политики (опыт стран Запада) // Проблемы теории и практики управления. 1997, № 5.

37. Инновационный менеджмент.С. Д. Ильенкова, JI. М. Гохберг, С. Ю. Ягудин и др., Под ред. С. Д. Ильенковой. М.: ЮНИТИ, 2000. - с. 9 -11.

38. Имамутдинов Ирик, Медовников Дан. Гадкие лебеди. // Эксперт, Наука и технологии, Полупроводники, №7 (314) от 18 февраля 2002 .

39. Инновационный менежмент. В.Г.Медынский. М.: Инфра-М, 2002. - с. 6-7.

40. Инновационная экономика. Под ред. A.A. Дынкина, Н.И. Ивановой // М.: Наука, 2001.

41. Интервью министра промышленности науки и технологий РФ КЛЕБАНОВа Илья. Государство дожно помогать развитию инновационной экономики // БОСС .2002. № 10.

42. Информационно-аналитический материал: Об инновационной деятельности в различных странах под ред. Аверьянова А.Н., Бердашкевич А.П / / Аналитический вестник Федерального собрания. 05.04.2002.

43. Кел Г. Новые имена на карте мира электроники // Электронные компоненты. 1999, №5.

44. Кондратьев Н.Д. Большие циклы конъюнктуры//Вопросы конъюнктуры. 1925, № 1. Вып. 1.

45. Конкурин Д.И. Инновационная деятельность. М.: Экзамен, 2001.

46. Коно Т. Стратегия и структура японских предприятий. М.: Прогресс, 1987.

47. Концепция инновационной политики Российской Федерации на 1998-2000 года // Одобрена Постановлением Правительства от 24 июля 1998 г. № 832.

48. Концепция инновационной политики Российской Федерации на 2002-2004 года // Проект.

49. Концепция межгосударственной инновационной политики Содружества независимых Государств на период до 2005г. Утверждена решением Экономического совета Содружества Независимых Государств от 22 июня 2001 г.

50. Кузин Д.В. Конкурентоспособность национальной экономики/Юбщество и экономика.- 1992, №3-4.-с. 121-131.

51. Кулагин Андрей. Леонтьев Леопольд. Чтобы льгота работала // Поиск еженедельная интернет-газета научного сообщества, опубликовано: 14.02.2002, Ссыка на домен более не работает

52. Курляндский А., Орлов С. Вторая вона цифровой революции. // Живая электроника России. 2001. т.1

53. Лахтин Г. А., Миндели Л. Э. Наука в обновленной стране // Вестник ВЕСТНИК РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК том 71. № 11. с. 980-987 (2001).

54. Леоньтев Л.И. академик, директор института металургии УрО РАН Доклад "О формах и методах стимулирования инновационной деятельности" // Научно-технический журнал "Наука Москвы и регионов". 2002, №1.

55. Маком Пенн. Опыт электронной индустрии мира в кризисной ситуации // Живая электроника России. -1999, т.1.

56. Медовников Дан. Инновационная революция // Эксперт. 2002. № 12 (319).

57. Медовников Дан. Стратегическое сырье // Эксперт. 2000. № 16 (227).

58. Миндели Л., Васин В. Проблемы выбора и реализации приоритетов в научно-технической сфере // Общество и экономика. -1999, №9.

59. Мурин Дмитрий. Бизнес "больших диаметров" // Computerworld . 2002, № 45.

60. Налоговый кодекс РФ. М.: ИКЦ Маркетинг, 2005.

61. Наука и технологии в России: прогноз до 2010 года Под ред. Л.М. Гохберга, Л.Э. Миндели.// М.: Центр исследований и статистики науки, 2000.

62. Наука в цифрах 2004 . М.: ЦИСН, 2004.

63. Научно-технический прогресс и инвестиционная политика (зарубежный опыт)// Сб. обзоров РАН ИНИОН, МД 1995.

64. Нижегородцев Роберт. Регулирование инновационного процесса в условиях кризиса // Проблемы теории и практики управления. 2001, № 3.

65. Новицкий Н., д.э.н. Инновационный путь развития экономики // Экономист. 2000, №Х6. - с.34-39.

66. Новосельский В.И. Развитие экономики с учетом влияния глобализации и научно-технического прогресса. // Промышленность России. 2000, №9.

67. Осипов Юрий, президент РАН, Сергей РОГОВ, директор Института США и Канады.Лицом к науке.// Известия, приложение Наука. 12 октября. 2001 г.

68. Основы инновационного менеджмента: Теория и практика: Учеб. пособие под ред. П.Н. Завлина, А.К. Казанцева, Л.Э. Миндели. М. ОАО "НПО "Издательство "Экономика", 2000.

69. Основы политики Российской Федерации в области развития науки и технологий на период до 2010 года и дальнейшую перспективу // Одобрены Президентом РФ 30 марта 2002 г. Пр-576.

70. От знаний к благосостоянию: Преобразование Российской Науки и технологии с целью создания современной экономики, основанной на знаниях // Доклад МБРР, апрель 2002, www.worldbank.com

71. Первушин Владимир, вице-президент ЗАО "Техноконсат", к.т.н. Российские технологии и мировой уровень // Технологический бизнес в России, www.techbusiness.ru.

72. Портер М. Международная конкуренция. Пер. с англ. Ред. В.И. Щетинина. М.: Межд.отн., 1993.

73. Проект закона РФ "Об инновационной деятельности и государственной инновационной политике", Ссыка на домен более не работаетtemat/prom/docs/projectl .htm Министерство промышленности, науки и технологий РФ.

74. Пространственные структуры мирового хозяйства. Сб. статей под ред. Н.С.Мироненко. М., Пресс-Соло, 1999.

75. Рождественская A.B. Роль государственной власти в развитии инновационной деятельности // Проблемы и опыт. 2002, № 9.

76. Рождественская A.B. Роль государственной власти в развитии инновационной деятельности // Проблемы и опыт. 2002, № 9.

77. Рудяк Б. Электроника "Made in Russia". // Живая электроника России.- 2001, т. 1.

78. Симонов В. Состояние и перспективы развития электронной техники России. // Живая электроника России. 2001, т.1

79. Сироткин О.С. Технологический облик России // Науковедение. 1999. № 4.

80. Соколов A.B., Денисов Ю. Д. Научно-технический прогноз как ориентир для предпринимателя (опыт развитых стран) // Проблемы теории и практики управления. 1998, №3.

81. Соколов Б.И. Лин A.A., Экономика зарубежных стран // Вестник Санкт-Петербургского университета. -1998, №19.

82. Соснов Аркадий. Путь инноваций: без оваций // Поиск еженедельная интернет-газета научного сообщества, опубликовано:05.12.2002, Ссыка на домен более не работаетp>

83. Степаненко И.П. Основы Микроэлектроники .- М: Лаборатория базовых знаний, 2004. -с. 21.

84. Супян Виктор. Роль государства в экономике: американский опыт // Проблемы теории и практики управления. 2002, № 4.

85. США:государственная политика стабилизирования инновационной конкурентоспособности американских производителей. // Менеджмент в России и за рубежом. 2002, №3.

86. Твисс Б. Управление научно-техническими нововведениями. Сокр. пер. с англ. М.: Экономика, 1989.

87. Управление наукой в странах ЕС. М.: Наука, 1999. Т. 1-4.

88. Фатхутдинов Р. А. Инновационный менеджмент. М.: ЗАО "Бизнес-школа" "Интел-Синтез". 2000.

89. Федосов Е.А. "Перспективы участия России в международном рынке наукоемкой продукции" // Ссыка на домен более не работаетp>

90. Фридлянов В., Остаток С., Некрасов Р. Принципы формирования государственной инновационной политики. // ИТО. 2000. № 1.

91. Чумаченко Борис, Лавров Константин. Стратегическое управление научно-технологическим развитием: опыт США // Проблемы теории и практики управления. 2000, №2.

92. Adair J. Effective innovation: How to stay ahead of the competition L.: PAN books, 1996, 292p.

93. Dr Sunil Mani. Government, Innovation and Technology Policy, An International Comparative Analysis, report // United Nations University -Institute for New Technologies. The Netherlands, 2001.

94. European Trend Chart of Innovation / Luxembourg: Office for Official Publications of the European Communities, 2003.

95. Hagerdoorn J.,A.N.Link, and N.S.Vonortas.2000. Research partnerships. Research policy 29: 567-586.

96. George Gilder Computer Industry // www.econlib.org/librarv/Enc/Computerlndustrv.html

97. Government Research and Innovation Policies in Japan / Lennart Stenberg, ITPS Science and Technology Office -A2004:001.

98. Guellec abd van Pottelsberghe. 2001 R&D and Productivity Growth: A Panel Data Analysis of 16 OECD Economies, STI Working Paper, OECD, cited in OECD STI2001 Drivers.

99. Comparison of innovation Policy and Transfer of Technology from Public Institutions in Japan, France, Germany and the United Kingdom / Henri Angelino, Nigel Collier N11 Jornal # 8 -2004.

100. Jeffrey James Microelectronics and the Third World, INTECH (Institute of New Technologies) // UNU/INTECH, 1991, June.

101. Kessler Erich. H., Chakrabari Alok K. Innovation Speed: A Conceptual Model of Context. Antecedents. And Outcomes. // The Academy of Management Review. Vol.21. # 4 (Oct.,1996). 1143-1191.

102. MEXT, Kagaku gijutsu yoran (Indicators of Science and Technology), 2002.

103. National Science Foundation, Division of Science Resources Statistics / № 04-337 -September 2004.

104. New Foundations for Growh: The U.S, Innovation System Today and Tomorrow. / National Science Technology Council 2002.

105. Philip Auerswald, Stuart Kauffman, Jos Lobo, and K. Shell. The production recipes approach to modeling technological innovation: An application to learning by doing. Journal of Economic Dynamics and Control, 24:389-450,2000.

106. Philippe Aghion and Jean Tirole. The management of innovation. Quarterly Journal of Economics, 109(4): 1185-1209,1994.

107. Rapport d'activit 2003-2004 Panorama de la recherche en France. Ministre de l'Education Nationale, de la Recherche et de la Technologie.

108. Scherer F.M. Industry structure, strategy and public policy (ch 6). USA, 1996.

109. Science, Technology and Innovation. 1999. - N 2. - P. 6

110. Science & Engineering Indications 2004 // www.nsf.gov/statistics/

111. Statistics on Science and Technology in Europe date 1991-2002. Luxemburg: Office for Officiai Publications of the European Communities, 2004.

Похожие диссертации

• Концептуальные основы формирования государственной инновационной политики
• Государственная экономическая политика в условиях "новой экономики"
• Институциональные основы формирования государственной инновационной политики
• Развитие государственной инновационной политики