Метрологическая аттестация образцовой установки по измерению удельного электрического сопротивления полупроводниковых материалов (кремния монокристаллического) четырехзондовым методом
Дипломная работа - Физика
Другие дипломы по предмету Физика
>Уральский научно-исследовательский институт метрологии СВИДЕТЕЛЬСТВО № от июня 1995 г. о государственной метрологической аттестации
Установка по измерению удельного электрического сопротивления полупроводниковых материалов (кремния монокристаллического) четырехзондовым методом
Установка предназначена для аттестации стандартных образцов кремния монокристаллического, аттестации рабочих средств измерений и исследования электрических свойств материалов.
Условия эксплуатации:
температура окружающего воздуха, 0С 232
относительная влажность воздуха, 20
атмосферное давление, кПа 1004
Наименование физической величины - удельное электрическое сопротивление, Ом . см.
Результаты аттестации представлены в таблице.
По результатам метрологической аттестации установка по измерению удельного электрического сопротивления полупроводниковых материалов четырехзондовым методом признана соответствующей предъявляемым к ней требованиям и может быть рекомендована к применению в качестве образцового средства измерения после замены четырехзондовой головки.
Зам. директора
по научной работе И.Е. Добровинский
Таблица. Результаты аттестации
Наименование метрологических характеристикПолученное значение метрологических характеристикТип, разряд СИ, применяемых при определении МХДиапазон измерений10-3 - 105 Ом . смОбразцы кремния монокристаллическогоОтносительное среднее квадратическое отклонение случайной составляющей погрешности0.3%Предельное значение систематической составляющей погрешности средства измерений1.0%Образцовые катушки сопротивления типа Р 321, микроскоп металлографический Предельное значение относительной погрешности средства измерений1.2%То же