Проектирование комбинационной схемы проверки четности 2-х байтовой посылки
Дипломная работа - Компьютеры, программирование
Другие дипломы по предмету Компьютеры, программирование
ем для такой геометрии сопротивления :
где L - расстояние от края контакта до эмиттера (из КТО)
(42)
Результаты раiета:
RB,ОмRBM,Ом22020
И окончательно:
Сопротивления транзистора
Сопротивление эмиттера (RE), ОмСопротивление базы (RB), ОмМинимальное сопротивление базы (RBM), ОмСопротивление коллектора (RC), Ом0.2422020201
В нашем случае ?=0.164< 1, следовательно, нужно учитывать эффект оттеснения эмиттерного тока. Данный эффект учитывается введением параметра IRB, при котором сопротивление базы уменьшается на 50% от полного перепада между RB и RBM.
(43)После раiёта имеем значение тока:
IRB= 0.431?10^-3A.
4.4 - TCad
- - TCad . , . .. , n(x,y) p(x,y) (, - , ), - . , - . :
- ;
- - , .. n=Tp=TL. , ( ) , 105/;
, ( , ) - 0.1 , (.. ).
:
- --, ;
- &#
Copyright © 2008-2014 studsell.com рубрикатор по предметам рубрикатор по типам работ пользовательское соглашение