Проектирование комбинационной схемы проверки четности 2-х байтовой посылки
Дипломная работа - Компьютеры, программирование
Другие дипломы по предмету Компьютеры, программирование
?сылки
На рис. 2.4 представлена осциллограмма, подтверждающая верную работу схемы. Моделируем 2-х байтовую посылку, подавая сигналы "0" и "1" на входы А(0-7) и В(0-7), на выходе F при четности посылки "0", при нечетности - "1".
Для отсутствия ошибок при передачи реализуем следующий метод. Передатчик проверяет на четность отправляемую посылку, отправляет посылку и отдельно результат проверки - "бит четности"."Бит четности" - это своего рода эквивалент той информации, которая передается по основной линии.
Приемник принимает посылку, проверяет ее на четность и смотрит совпадение с "битом четности", посланным передатчиком. В зависимости от результатов проверки посылка идет на запись либо нет.
Таблица № 2.3.
Рис.2.5 Схема приемника 2-х байтовой посылки
Структура схемы на рис. 2.5. "многоступенчатая". В первых у нас попарно сравниваются все биты посылки. Выходные сигналы проверки служат входными для следующих блоков, и далее до определения четности всей посылки. Полученный результат на последнем этапе сравнивается с "битом четности".
Рис.2.6. Общая блок-схема
На рис. 2.6 блок U2 передатчик информации, блоки U3,U5 приемник информации, U1 блок памяти.
Контролирующее устройство предназначено для защиты схемы от ложного срабатывания.
Переключатель управляет сигналом записи информации. На вход G мы подаем разрешающий импульс, означающий, что прошло время обработки схемой первоначального сигнала. До прихода на вход G разрешающего импульса запись не осуществляется.
Таблица № 2.4.
GFC000010100111
Память реализована на D-триггерах. Запись срабатывает при подтверждении правильности посылки.
Рис.2.7. Ячейка блока памяти - D- триггер.
Рис.2.8 Схема блока памяти, реализуемого на D-триггерах
Рис.2.9. Общая схема
3. РАЗРАБОТКА ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО МАРШРУТА И РЕЖИМОВ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ОПЕРАЦИЙ
Разработаем технологический маршрут для получения необходимой структуры, представленной далее на рис. 3.12. в соответствии с КТВ, указанными в таблице 1.1.
.1 Технологический маршрут
1.Резка исходного кристалла на пластины.
.Механическая обработка пластин:шлифовка, полировка.
.Химическая обработка пластины.
.Окисление поверхности кремния.
.Вскрытие окон под диффузию скрытого коллекторного слоя.
.Диффузия сурьмы для создания скрытого слоя. (Рис.3.1)
.Снятие окисла.
.Осаждение эпитаксиального слоя силановым методом. (Рис.3.2)
.Окисление поверхности эпитаксиального слоя.
.Фотолитография.
.Вскрытие окон под диффузию глубокого коллектора.
.Диффузия фосфора для создания области глубокого коллектора
.Снятие окисла.
.Окисление поверхности эпитаксиального слоя.
.Фотолитография.
.Вскрытие окон под диффузию активной базы.
.Диффузия бора для создания активной базы. (Рис. 3.4)
.Снятие окисла.
.Окисление поверхности эпитаксиального слоя.
.Фотолитография.
.Анизотропное травление кремния для формирования разделительных канавок. (Рис. 3.5)
.Снятие окисла.
.Осаждение трехслойного диэлектрика SiO2 - Si3N4 - SiO2.
.Фотолитография для удаления диэлектрика с поверхности (в канавках диэлектрик остается). (Рис.7)
.Окисление поверхности эпитаксиального слоя.
.Фотолитография.
.Вскрытие окон под диффузию эмиттера.
.Диффузия фосфора для создания эмиттера. (Рис. 3.8)
.Удаление окисла.
.Окисление поверхности эпитаксиального слоя. (Рис. 3.9)
.Фотолитография.
.Вскрытие окон под металлизацию.(Рис. 3.10)
.Нанесение алюминия. (Рис. 3.11)
.Фотолитография и травление алюминия для формирования разводки кристалла. (Рис. 3.12)
3.2 Графическое изображение стадий процесса
3.4 Выбор легирующей примеси
Выбор легирующих примесей, используемых при создании структуры транзистора, производится с учетом следующих критериев:
Тип проводимости примеси.
Предельная растворимость примеси в кремнии.
Коэффициенты диффузии примеси в кремнии и оксиде кремния.
Для создания области скрытого коллекторного слоя выберем сурьму, так как она обладает достаточно низким коэффициентом диффузии, что не позволяет ему сильно "разгоняться" во время проведения всех последующих термических операций. Для создания областей p типа используем бор, для областей n типа - фосфор. Эти примеси имеют коэффициент диффузии в кремнии больший, чем в оксиде кремния, что позволяет использовать последний в качестве диффузионной маски.
.5 Выращивание эпитаксиального слоя кремния
Для выращивания эпитаксиального слоя кремния используем метод, основанный на пиролитическом разложении силана:
При проведении эпитаксии нужно минимализировать температуру процесса, чтобы избежать размытия границы раздела подложка - эпитаксиальный слой вследствие диффузии. Выращивание эпитаксиального слоя силановым методом происходит при температуре около , скорость наращивания при данной температуре .
3.6 Раiет профилей распределения примеси и времени высокотемпературных процессов
3.6.1 Определение концентраций в подложке и эпитаксиальном слое
Для нахождения концентрации примеси в подложке воспользуемся известной формулой:
, (3.1)
где q - заряд электрона, mp - подвижность дырок при T = 300К
Подвижность дырок можно найти,
Copyright © 2008-2014 studsell.com рубрикатор по предметам рубрикатор по типам работ пользовательское соглашение