Проектирование комбинационной схемы проверки четности 2-х байтовой посылки

Дипломная работа - Компьютеры, программирование

Другие дипломы по предмету Компьютеры, программирование

воспользовавшись эмпирическим выражением:

.(3.2)

Решая (3.1) и (3.2) совместно с помощью MathCAD получим:

Аналогично для эпитаксиального слоя:

(3.3)

3.6.2 Определение профилей распределения примеси в неоднородно легированных слоях

Легирование областей проходит в два этапа: загонка и разгонка.

При разгонке примеси под действием температуры происходит диффузия введенной при загонке примеси вглубь полупроводника. Профиль распределения примеси при загонке описывается дополнительной функцией ошибок:

)(3.4а)

где Ns - поверхностная концентрация, D - коэффициент диффузии, t - время диффузии

Профиль распределения примеси при загонке описывается распределение Гаусса:

(3.4б)

Толщина слоя может быть выражена следующим образом:

(3.5)

где N0 концентрации исходной примеси , Q - количество атомов примеси на единицу площади, L- характеристическая длина диффузии.

Зная толщину слоя и форму распределения примеси в нем найдем количество введенной примеси:

(3.6)

Решая совместно 3.4а , 3.5 , 3.6 определим параметры загонки примеси, позволяющие получить слои с заданными параметрами.

Найдем дозу введенной примеси.

(3.7)

.6.3 Окисление

Окисление проводится двумя способами: химическим осаждением кислорода из газовой фазы(в сухом кислороде или парах воды) и используя реакции пиролиза тетраэтаоксисилана Si(OC2H5)4.

Химическое осаждение проводится при температурах 900 - 1300 С, реакции пиролиза позволяют понизить температуру до температур, при которых диффузионные процессы в кремнии практически не происходят.

Зная маскирующую способность окисла, найдем его необходимую толщину для каждой операции.

эмиттер0.07база0.1коллектор0.08скрытый слой0.8

Выберем для всех операций одинаковый, равный 0.6

Толщина окисла, выращенного при "влажном окислении" равна:

(3.8)

Толщина окисла, выращенного при "сухом окислении" равна:

(3.8а)

3.6.4 Результаты раiета параметров высокотемпературных процессов

3.7 Профили распределения примеси

Полученные распределения примеси ( рис. 3.15, рис. 3.16, рис 3.17) соответствуют заданным параметрам КТВ( таблица 1.1).

Рис. 3.15 Распределение примеси в сечении эмиттера

Рис. 3.16 Распределение примеси в сечении базы

Рис. 3.17 Распределение примеси в сечении коллектора

Для построения профилей распределения примеси в сечении различных областей транзистора, мы расiитали следующие профили распределения примеси:

Эмиттер

Рис. 3.18 Профиль распределения примеси в эмиттере

Активная база

Рис. 3.19 Профиль распределения в базе

Глубокий коллектор

Рис. 3.20 Профиль распределения примеси в глубоком коллекторе

Скрытый слой

Рис. 3.21 Профиль распределения в скрытом слое

3.8 Раiет конструкционно-технологических ограничений

Технологическая норма - минимальный размер окна, который может быть реализован на фотошаблоне. Раiёт всех размеров исходит из технологической нормы.

Технологическая норма:

Толщина изолирующего окисла:

Толщина слоя металлизации:

Запас:

Систематические погрешности:

Увеличение размера проэкспонированной области при фотолитографии: .

Боковое травление удаляемого материала:

При жидкостном травлении: ;

При ионно-плазменном травлении:

Боковая диффузия: , где - толщина слоя.

Случайные погрешности:

Неточность изготовления фотошаблона:

Ошибка совмещения фотошаблонов: .

Погрешность при травлении:

При жидкостном травлении:

;

При ионно-плазменном травлении:

Погрешность боковой диффузии: .

Размер контактного окна в структуре:

С учётом случайной погрешности:

Размер металлизации контактных окон:

Размер на фотошаблоне:

Размер металлизации дорожки:

Расстояние между дорожками металлизации:

Размер эмиттера:

Размер активной базы:

Размер коллектора:

Разделительные области:

Расстояния до разделительных областей:

Поперечные размеры структуры:

Активная база:

Скрытый слой:

3.9 Фотошаблоны

4. МОДЕЛИРОВАНИЕ ИНТЕГРАЛЬНОГО БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА

Необходимо расiитать параметры математических моделей транзисторных структур проектируемой интегральной схемы и построить на основе этих параметров статические и динамические характеристики транзистора и зависимости параметров от режимов (в частности коэффициента передачи по току базы) для дальнейшего схемотехнического моделирования базовых ячеек проектируемой ИС. Определить оптимальный режим работы транзистора.

Раiет параметров модели транзистора на основании аналитических выражений, полученных из рассмотрения физических процессо

Blog

Проектирование комбинационной схемы проверки четности 2-х байтовой посылки

Дипломная работа - Компьютеры, программирование

Другие дипломы по предмету Компьютеры, программирование