Проект базового блока радиотелефона
Дипломная работа - Компьютеры, программирование
Другие дипломы по предмету Компьютеры, программирование
14) определяем параметры транзистора:
,
,
,
,
,
,
.
По формуле (4.15) вычислим
.
Исходя из (4.16), принимаем . Имеющиеся в литературе рекомендации указывают весьма широкие пределы для выбора ; выбираем . Тогда по формулам (4.17),(4.18)
,
,
.
По этой величине определяются , , /8/. По формулам (4.19)-(4.22) находим
,
,
,
.
Так как фаза крутизны значительна, следует ввести в схему фазирующую емкость. По формулам (4.23)-(4.25)
,
,
.
Требуемая нагрузка
.
На этом раiет режима транзистора можно iитать законченным.
Раiет колебательной системы зависит от выбранной принципиальной схемы ЧМАГ. Наиболее распространены автогенераторы, построенные по емкостной трехточечной схеме. В них КС с подключенными паразитными емкостями транзистора является одноконтурнй, что исключает возможность возникновения колебаний на частотах паразитных контуров /7/.
Схема такой колебательной системы приведена на рисунке 4.9. Точки К, Э, Б соединяются (по высокой частоте) соответственно с коллектором, эмиттером и базой транзистора.
Рисунок 4.9 - Схема колебательной системы частотно-модулированного автогенератора
Используя методику, изложенную в /3/, можно провести раiет такого ЧМАГ в следующем порядке:
1. Емкости делителя определяются по результатам раiета режима транзистора. В нем не учитывались проводимости транзистора в предположении, что они значительно меньше проводимостей соответствующих ветвей колебательной системы. Для емкости , включенной между эмиттером и базой, это предположение можно записать следующим образом:
. (4.26)
Тогда емкость между эмиттером и коллектором
. (4.27)
. Далее, согласно /3/, следует выбрать варикап. Критерии выбора следующие:
- высокая добротность варикапа;
большое допустимое обратное напряжение ;
паспортная емкость варикапа должна быть такого же порядка, как .
. После выбора варикапа становятся известными его параметры:
емкость, имеющая разброс , измеренная при напряжении (обычно 4 В);
добротность , измеренная на частоте ; на рабочую частоту она переiитывается по формуле
; (4.28)
ток (или сопротивление) утечки .
4. Исходными данными для дальнейшего раiета являются:
максимальная девиация частоты ;
диапазон модулирующих частот ;
допустимые коэффициент гармоник и сдвиг центральной частоты .
5. После выбора варикапа вычисляют величину смещения на нем в телефонной точке (режим молчания)
, (4.29)
и его емкость
. (4.30)
В формулу (4.30) и далее подставляются абсолютные величины напряжений ,, а показатель зависит от типа варикапа, чаще всего . Контактную разность потенциалов можно принять равной 0,7 В.
- Для уточнения требований к линейности модуляционной
характеристики определяют сдвиг центральной частоты
. (4.31)
Если не выполняется условие
, (4.32)
то нужно вычислить новое значение из равенства (4.31).
. Нормированная амплитуда модулирующего сигнала
. (4.33)
Во втором сомножителе знак + соответствует , а знак - - Амплитуда модулирующего напряжения
. (4.34)
. Интегральная помех а создается в основном пульсациями напряжения смещения. Допустимая их величина определяется неравенством
, (4.35)
Где Аип - защищенность от интегральной помехи.
В наших раiетах мы не будем использовать это выражение.
. Раiет колебательной системы завершается с помощью коэффициентов:
- включения варикапа
; (4.36)
схемы , который рекомендуется выбирать в пределах 0,7тАж0,9 для нашей схемы;
- управления
. (4.37)
Расiитав и выбрав , можно найти
, ,(4.38)
и коэффициент
. (4.39)
Тогда
. (4.40)
. Коэффициент паразитной амплитудной модуляции
, (4.41)
где нагруженная добротность
, . (4.42)
11. Амплитуда колебаний на варикапе
.(4.43)
. Индуктивность контура
, . (4.44)
Произведем раiет применительно к нашей схеме. В качестве исходных возьмем следующие технические данные:
, , , ,
.
По формулам (4.26)-(4.27)
,
.
Выбираем варикап КВ-110А, у которого
при , при
, , ,
При рабочей частоте его добротность
.
Выбираем
.
Тогда
.
По формулам (4.31)-(4.32)
.
Согласно (4.33)-(4.35)
,
.
Принимаем и по формулам (4.37)-(4.40) расiитываем
,
,
,
,
.
Очевидно, что такой маленькой емкости в схеме не должно быть, поэтому примем ее для начала равной . При проведении эксперимента мы сможем убедиться: является ли это значение верным или придется изменить емкость .
Согласно (4.42)
,
.
Амплитуда высокочастотного напряжения на варикапе
,
.
Эквивалентная емкость контура
,
а его индуктивность
.
Раiет автогенератора можно iитать законченным только после того, как мы произведем раiет цепей питания транзистора и в
Copyright © 2008-2014 geum.ru рубрикатор по предметам рубрикатор по типам работ пользовательское соглашение