Проект базового блока радиотелефона

Дипломная работа - Компьютеры, программирование

Другие дипломы по предмету Компьютеры, программирование



14) определяем параметры транзистора:

,

,

,

,

,

,

.

По формуле (4.15) вычислим

.

Исходя из (4.16), принимаем . Имеющиеся в литературе рекомендации указывают весьма широкие пределы для выбора ; выбираем . Тогда по формулам (4.17),(4.18)

,

,

.

По этой величине определяются , , /8/. По формулам (4.19)-(4.22) находим

,

,

,

.

Так как фаза крутизны значительна, следует ввести в схему фазирующую емкость. По формулам (4.23)-(4.25)

,

,

.

Требуемая нагрузка

.

На этом раiет режима транзистора можно iитать законченным.

Раiет колебательной системы зависит от выбранной принципиальной схемы ЧМАГ. Наиболее распространены автогенераторы, построенные по емкостной трехточечной схеме. В них КС с подключенными паразитными емкостями транзистора является одноконтурнй, что исключает возможность возникновения колебаний на частотах паразитных контуров /7/.

Схема такой колебательной системы приведена на рисунке 4.9. Точки К, Э, Б соединяются (по высокой частоте) соответственно с коллектором, эмиттером и базой транзистора.

Рисунок 4.9 - Схема колебательной системы частотно-модулированного автогенератора

Используя методику, изложенную в /3/, можно провести раiет такого ЧМАГ в следующем порядке:

1. Емкости делителя определяются по результатам раiета режима транзистора. В нем не учитывались проводимости транзистора в предположении, что они значительно меньше проводимостей соответствующих ветвей колебательной системы. Для емкости , включенной между эмиттером и базой, это предположение можно записать следующим образом:

. (4.26)

Тогда емкость между эмиттером и коллектором

. (4.27)

. Далее, согласно /3/, следует выбрать варикап. Критерии выбора следующие:

  • высокая добротность варикапа;

большое допустимое обратное напряжение ;

паспортная емкость варикапа должна быть такого же порядка, как .

. После выбора варикапа становятся известными его параметры:

емкость, имеющая разброс , измеренная при напряжении (обычно 4 В);

добротность , измеренная на частоте ; на рабочую частоту она переiитывается по формуле

; (4.28)

ток (или сопротивление) утечки .

4. Исходными данными для дальнейшего раiета являются:

максимальная девиация частоты ;

диапазон модулирующих частот ;

допустимые коэффициент гармоник и сдвиг центральной частоты .

5. После выбора варикапа вычисляют величину смещения на нем в телефонной точке (режим молчания)

, (4.29)

и его емкость

. (4.30)

В формулу (4.30) и далее подставляются абсолютные величины напряжений ,, а показатель зависит от типа варикапа, чаще всего . Контактную разность потенциалов можно принять равной 0,7 В.

  1. Для уточнения требований к линейности модуляционной

характеристики определяют сдвиг центральной частоты

. (4.31)

Если не выполняется условие

, (4.32)

то нужно вычислить новое значение из равенства (4.31).

. Нормированная амплитуда модулирующего сигнала

. (4.33)

Во втором сомножителе знак + соответствует , а знак - - Амплитуда модулирующего напряжения

. (4.34)

. Интегральная помех а создается в основном пульсациями напряжения смещения. Допустимая их величина определяется неравенством

, (4.35)

Где Аип - защищенность от интегральной помехи.

В наших раiетах мы не будем использовать это выражение.

. Раiет колебательной системы завершается с помощью коэффициентов:

  • включения варикапа

; (4.36)

схемы , который рекомендуется выбирать в пределах 0,7тАж0,9 для нашей схемы;

  • управления

. (4.37)

Расiитав и выбрав , можно найти

, ,(4.38)

и коэффициент

. (4.39)

Тогда

. (4.40)

. Коэффициент паразитной амплитудной модуляции

, (4.41)

где нагруженная добротность

, . (4.42)

11. Амплитуда колебаний на варикапе

.(4.43)

. Индуктивность контура

, . (4.44)

Произведем раiет применительно к нашей схеме. В качестве исходных возьмем следующие технические данные:

, , , ,

.

По формулам (4.26)-(4.27)

,

.

Выбираем варикап КВ-110А, у которого

при , при

, , ,

При рабочей частоте его добротность

.

Выбираем

.

Тогда

.

По формулам (4.31)-(4.32)

.

Согласно (4.33)-(4.35)

,

.

Принимаем и по формулам (4.37)-(4.40) расiитываем

,

,

,

,

.

Очевидно, что такой маленькой емкости в схеме не должно быть, поэтому примем ее для начала равной . При проведении эксперимента мы сможем убедиться: является ли это значение верным или придется изменить емкость .

Согласно (4.42)

,

.

Амплитуда высокочастотного напряжения на варикапе

,

.

Эквивалентная емкость контура

,

а его индуктивность

.

Раiет автогенератора можно iитать законченным только после того, как мы произведем раiет цепей питания транзистора и в

Copyright © 2008-2014 geum.ru   рубрикатор по предметам  рубрикатор по типам работ  пользовательское соглашение