Проект базового блока радиотелефона
Дипломная работа - Компьютеры, программирование
Другие дипломы по предмету Компьютеры, программирование
ереход подают запирающее смещение, которое обеспечивается на сопротивлении автосмещения в цепи базы в схеме с ОЭ /2/. Роль этого сопротивления может выполнять добавочное сопротивление , которое определяется при раiете режима работы транзистора.
Тогда схема выходного каскада нашего передающего узла совместно с ВКС примет вид, как показано на рисунке 4.4.
Рисунок 4.4 - Схема выходного каскада и ВКС передающей части
Электрический раiет режима работы транзистора состоит из двух этапов: раiет коллекторной цепи и раiет входной цепи. Входная цепь (цепь возбуждения) строится таким образом, чтобы импульсы коллекторного тока были близки к отрезкам симметричной косинусоиды с углом отсечки , близким или равным 900. Раiет электронного режима коллекторной цепи будем производить в соответствии с методикой, описанной в /2,3/.
4.1.2 Раiет коллекторной цепи
Методика раiета коллекторной цепи состоит из следующих пунктов:
Амплитуда первой гармоники напряжения на коллекторе
, (4.1)
где - сопротивление насыщения транзистора;
- коэффициент разложения косинусоидального импульса;
- номинальная колебательная мощность на выходе транзистора;
- напряжение коллекторного питания.
Параметр выбирается из /2/, где приведен ряд параметров для выбранного нами транзистора в выходном каскаде 2Т920А, и он равен . Коэффициент разложения находим из приложения /4/ для . Напряжение выберем исходя из условия
,
где - напряжение коллекторного питания;
- допустимое напряжение коллекторного питания.
Из /2/ находим, что . Тогда . Величина равна . При подстановке этих значений в (4.1) получим, что амплитуда первой гармоники напряжения на коллекторе оценивается величиной в
.
- Максимальное напряжение на коллекторе
,
где коэффициент 1,2тАж1,3 учитывает увеличение при переходе в перенапряженный режим (ПР).
Вычисления показывают, что
.
- Амплитуда первой гармоники коллекторного тока
,
и равна
.
- Постоянная составляющая коллекторного тока
,
где - коэффициент разложения косинусоидального импульса ;
- допустимое значение постоянной составляющей коллекторного тока.
Последнее находится из /2/ и равно .
Вычисления дают
.
Видно, что .
- Максимальный коллекторный ток
,
- Максимальная мощность, потребляемая от источника
коллекторного питания
. (4.2)
Подставляя в (4.2) результаты
и получим, что
.
- КПД коллекторной цепи при номинальной нагрузке
,
и равно
.
- Номинальное сопротивление коллекторной нагрузки
.
Находим
.
4.1.3 Раiет входной цепи
Раiет входной цепи также будем производить по методике, описанной в /2/. Для начала определим сопротивление , стоящее между выводами базы и эмиттера транзистора (см. рисунок 4.4). Согласно /2/, можно найти по формуле
,
Где - статический коэффициент усиления тока в схеме с ОЭ;
- граничная частота коэффициента усиления по току в схеме с ОЭ;
- барьерная емкость эмиттерного перехода.
Выбирая эти параметры из /2/, находим :
.
Раiет ведется в такой последовательности:
- Амплитуда тока базы
,
где - рабочая частота;
- коэффициент разложения косинусоидального импульса;
- некий коэффициент, который расiитывается по формуле:
, (4.3)
Где - барьерная емкость коллекторного перехода;
- заданное нагрузочное сопротивление.
Подставляя из /2/ данные о и в формулу (4.3) получим, что
.
Тогда
.
- Максимальное обратное напряжение на эмиттерном переходе
,
Где - напряжение отсечки.
Для кремниевых транзисторов , а для германиевых . Тогда
Из /2/ находим, что . Однако исследования показывают, что современные генераторные транзисторы не боятся кратковременного пробоя эмиттерного перехода и поэтому можно допускать превышения в 1,2тАж1,5 раза:
.
Уменьшим до и получим, что
,
а вот теперь уже
.
. Постоянные составляющие базового и эмиттерного переходов находят по формулам:
,
.
Вычисления показывают, что
, а
.
. Напряжение смещения на эмиттерном переходе определим по формуле:
,
где - коэффициент разложения косинусоидального импульса;
- допустимое напряжение смещения на эмиттерном переходе.
Из /2/ получаем, что , . Тогда получим, что
. Значения ,, и в эквивалентной схеме входного сопротивления транзистора (см. рисунок 4.5) определяются как:
, (4.4)
где - индуктивность вывода базы;
- индуктивность вывода эмиттера;
- барьерная емкость активной части коллекторного перехода;
- сопротивление материала базы транзистора;
- стабилизирующее сопротивление в цепи эмиттера.
Рисунок 4.5 - Эквивалентная схема входного сопротивления транзистора
Из /3/ определяем, что , . Величины и имеют значения порядка . Тогда примем их дл
Copyright © 2008-2014 geum.ru рубрикатор по предметам рубрикатор по типам работ пользовательское соглашение