Реферат по предмету Радиоэлектроника
-
- 221.
Расчет основных элементов перегрузочного комплекса
Рефераты Радиоэлектроника
- 221.
Расчет основных элементов перегрузочного комплекса
-
- 222.
Расчёт параметров и характеристик полупроводникового диода и транзистора МДП – типа
Рефераты Радиоэлектроника Полупроводниковым диодом называют нелинейный электронный прибор с двумя выводами. В зависимости от внутренней структуры, типа, количества, уровня легирования внутренних элементов диода характеристики полупроводниковых диодов бывают различными. Основу выпрямительного диода составляет обычный электронно-дырочный переход (рис. 1.1). Вольт-амперная характеристика такого диода имеет ярко выраженную нелинейность. В прямом смещении ток диода инжекционный, большой по величине и представляет собой диффузионную компоненту тока основных носителей. При обратном смещении ток диода маленький по величине и представляет собой дрейфовую компоненту тока неосновных носителей. В состоянии равновесия суммарный ток, обусловленный диффузионными и дрейфовыми токами электронов и дырок, равен нулю.
- 222.
Расчёт параметров и характеристик полупроводникового диода и транзистора МДП – типа
-
- 223.
Расчет параметров ступенчатого p-n перехода
Рефераты Радиоэлектроника На оси ординат отложена энергия электрона Е. Энергия дырок на диаграмме возрастает в направлении - Е. Так как частицы стремятся занять состояние с минимальной энергией, электроны на диаграмме имеют тенденцию «утонуть», а дырки «всплыть». При отсутствии вырождения, общий для всей системы уровень Ферми расположен внутри запрещенной зоны, ширина которой не зависит от координаты. Уровень электростатической энергии F, показан на рис. 1.9. пунктиром, соответствует положению уровня Ферми в собственном полупроводнике и расположен вблизи середины запрещенной зоны. Энергетические уровни изображены горизонтальными прямыми. Это выражает тот факт, что энергия электрона, находящегося на данном уровне, например, на дне зоны проводимости, во всех точках полупроводника одинакова. После установления равновесия, образуется р-nпереход с потенциальным барьером для основных носителей равным 0= qVk. Электроны, переходящие из n- в робласть, преодолевая этот барьер, увеличивают свою потенциальную энергию на 0 = qVk. Поэтому все энергетические уровни полупроводника, искривляясь в область p-n-перехода, поднимаются вверх на Ек, как показано на рис. 1.9. При этом уровни Ферми F0 и F устанавливаются на данной высоте, как в случае двух металлов.
- 223.
Расчет параметров ступенчатого p-n перехода
-
- 224.
Расчет переходных процессов в линейных цепях с сосредоточенными параметрами
Рефераты Радиоэлектроника Определим постоянные интегрирования, для этого составим систему уравнений. Первое уравнение системы это уравнение искомой величины. Оно записывается в виде суммы принужденной и свободной составляющих. Принужденная составляющая найдена выше. Свободная составляющая записывается в соответствии с видом корней характеристического уравнения. При двух комплексных сопряженных корнях свободная составляющая представляет собой затухающую синусоиду, которая содержит две постоянных интегрирования А и . Для их определения необходимо второе уравнение. Его получают дифференцированием первого:
- 224.
Расчет переходных процессов в линейных цепях с сосредоточенными параметрами
-
- 225.
Расчет показателей эффективности радиосвязи
Рефераты Радиоэлектроника - Длинна радиотрассы - 500 км
- Время связи - год, соответствующий периоду средней солнечной активности (число Вольфа W=50)
- Сезон лето (июль)
- Время суток 14.00-16.00
- Мощность, подводимая к передающей антенне, РА=1 кВт
- Номиналы выделенных частот связи вблизи ОРЧ для заданных временных интервалов
- Вид сигнала F1-500
- Допустимая вероятность ошибки в приеме элемента сигнала Рощ доп=2*10-3
- Способ обработки сигналов одиночный некогерентный прием по огибающей, полоса пропускания при приеме сигналов ЧТ ?F=1,2 кГц
- 225.
Расчет показателей эффективности радиосвязи
-
- 226.
Расчёт радиопередатчика с АМ-модуляцией
Рефераты Радиоэлектроника Радиопередающими называют устройства, предназначенные для выполнения двух основных функций генерации электромагнитных колебаний высокой частоты или сверхвысокой частоты и их модуляции в соответствии с передаваемым сообщением. Радиопередающие устройства входят в состав радиокомплексов, содержащих, кроме того, антенны, радиоприёмные и различные вспомогательные устройства. При проектировании задают параметры, которым должен удовлетворять радиопередатчик. Основными из них являются выходная мощность на рабочей частоте или в диапазоне частот; относительная нестабильность частоты; вид и параметры модуляции.
- 226.
Расчёт радиопередатчика с АМ-модуляцией
-
- 227.
Расчет радиорелейной линии связи прямой видимости
Рефераты Радиоэлектроника Основной частотный план системы КУРС-2 позволяет работать как с использованием двухчастотного, так и использование четырехчастотного плана. При проектировании заданной трассы РРЛ было выполнено условие «зигзагообразности», поэтому в данном случае исключено влияние помех от станций расположенных через три-пять пролетов, что позволяет использовать двухчастотный план распределения частот. В соответствии с планом частот системы КУРС-2 (Л2 табл. 7.1), выберем частоты передачи и приема отдельно для телевизионного и телефонного стволов. Передача сигналов от ОРС1 до ОРС2 будет вестись при вертикальной поляризации радиоволн, в противоположном направлении - горизонтальной поляризации. Разработанный план частот представлен на рис.3.1
- 227.
Расчет радиорелейной линии связи прямой видимости
-
- 228.
Расчет радиочастотной части радиовещательного транзисторного приемника длинных волн и УРЧ радиовещат...
Рефераты Радиоэлектроника - Методические указания по предварительному расчету радиочастотной части радиовещательного транзисторного приемника ДВ, СВ и КВ. ЛРПТ, 1985.
- Методические указания по электрическому расчету УРЧ радиовещательных приемников. ЛРПТ, 1988.
- Резисторы, справочник. М: Энергоиздат, 1981.
- Справочник по электрическим конденсаторам. М: Радио и связь, 1983.
- 228.
Расчет радиочастотной части радиовещательного транзисторного приемника длинных волн и УРЧ радиовещат...
-
- 229.
Расчет разделения смеси диоксан-толуол в насадочной ректификационной колонне
Рефераты Радиоэлектроника
- 229.
Расчет разделения смеси диоксан-толуол в насадочной ректификационной колонне
-
- 230.
Расчет различных электрических цепей
Рефераты Радиоэлектроника Из ряда номинальных сопротивлений выбираем значение номинала резистора равное 200 Ом.Определим максимальную мощность рассеивания на резисторе:
- 230.
Расчет различных электрических цепей
-
- 231.
Расчет размерной цепи
Рефераты Радиоэлектроника Метод взаимозаменяемости применяют в том случае, когда на оборудовании механического цеха безусловно можно выдержать допуски составляющих звеньев, назначенных конструктором. Если это невыполнимо, пытаются применить метод неполной взаимозаменяемости. При этом значительно расширяются производственные допуски по сравнению с конструкторскими (в 1,5 ~ 2 раза), но у 0,27 размерных цепей (у трех из тысячи) предельные значения замыкающего звена (при нормальном законе распределения) могут быть не выдержаны. Если эти расширенные допуски трудновыполнимы, прибегают к использованию методов регулировки или пригонки (последний - в единичном или мелкосерийном производстве). В этом случае устанавливают на составляющие звенья легко выдерживаемые в данных производственных условиях допуски.
- 231.
Расчет размерной цепи
-
- 232.
Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании
Рефераты Радиоэлектроника На первом этапе процесса проводится кратковременная диффузия (при пониженных температурах) из постоянного источника, распределение примеси после которой описывается выражением (18). Значение No при этом велико и определяется либо пределом растворимости данной примеси в полупроводниковом материале, либо концентрацией примеси в стеклообразном слое на поверхности полупроводника. Этот этап часто называют загонкой. После окончания первого этапа пластины помещают в другую печь для последующей диффузии, обычно, при более высоких температурах. В этой печи нет источника примеси, а если он создается на первой стадии в виде стеклообразного слоя на поверхности пластин, его предварительно удаляют. Таким образом, тонкий слой, полученный на первом этапе, является источником перераспределяемой примеси при проведении второй стадии процесса. Для создания отражающей границы второй этап (часто называемый разгонкой) проводят в окислительной атмосфере. При этом на поверхности растет слой SiO2.
- 232.
Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании
-
- 233.
Расчет редуктора приборного типа
Рефераты Радиоэлектроника СБСборочный чертёжДетали
- РПТ.257.001.Нижняя плата1Сталь G3
- РПТ.257.002.Верхняя плата1Сталь G3
- РПТ.257.003.Вал 1Сталь 40Х
- РПТ.257.004.Вал 1Сталь 40Х
- РПТ.257.005.Вал 1Сталь 40Х
- РПТ.257.006.Вал 1Сталь 40ХА3
- РПТ.257.007.Вал 1Сталь 40Х
- РПТ.257.008.Вал1Сталь 40Х
- РПТ.257.009.Колесо зубчатое1Бр.ОЦ 4-3т
- РПТ.257.010.Колесо зубчатое1Бр.ОЦ 4-3тА3
- РПТ.257.011.Колесо зубчатое1Бр.ОЦ 4-3т
- РПТ.257.012.Колесо зубчатое1Бр.ОЦ 4-3тА3
- РПТ.257.013.Колесо зубчатое1Бр.ОЦ 4-3т
- РПТ.257.014.Шестерня1Сталь 40ХН
- РПТ.257.015.Шестерня1Сталь 40ХН
- РПТ.257.016.Шестерня1Сталь 40ХНА3
- РПТ.257.017.Шестерня1Сталь 40ХН
- РПТ.257.018.Шестерня1Сталь 40ХНА3
- РПТ.257.019.Шестерня1Сталь 40ХН
- РПТ.257.020.Крышка муфты1СЧ15-32
- РПТ.257.021.Диск фрикционный3СЧ15-32А3
- РПТ.257.022.Стакан1СЧ15-32
- РПТ.257.023.Диск фрикционный2СЧ15-32
- РПТ.257.024.Пружина140-13
- РПТ.257.025.Стойка3БрАЖ9-4Л
- РПТ.257.026.Крышка2СЧ15-32
- РПТ.257.027.Крышка2СЧ15-32
- РПТ.257.028.Крышка2СЧ15-32
- РПТ.257.029.Крышка2СЧ15-32
- РПТ.257.030.Крышка1СЧ15-3231.РПТ.257.031.Шпонка по Гост23360-78 1Сталь 4532.РПТ.257.032.Шпонка по Гост23360-78 1Сталь 4533.РПТ.257.033.Крышка1СЧ15-32Стандартные изделия34.РПТ.257.034.Подшипник качения 1000091 Гост3395-74235.РПТ.257.035.Подшипник качения 1000092 236.РПТ.257.036.Подшипник качения 1000093237.РПТ.257.037.Подшипник качения 1000094438.РПТ.257.038.Шайба 5.01.08.кн.016 Гост11371-78639.РПТ.257.039.Винт АМБ-69*12-1048 Гост14473-80640.РПТ.257.040.Винт АМБ-69*4-1048 Гост1476-752441.РПТ.257.041.Электродвигатель
ДПР-52-031
Список литературы:
- 233.
Расчет редуктора приборного типа
- Рощин Г.И. Несущие конструкции и механизмы РЭА. М: Высшая школа, 1981г., 374с.
- Никифоров В.В. проектирование редукторов приборного типа с мелкомодульными зубчатыми колёсами. М., 1992г., 16с.
- Анурьев В.И. Справочник конструктора машиностроителя. Т.2. М: Машиностроение, 1978г., 559с.
- Элементы приборных устройств. Курсовое проектирование. Под ред. Тищенко О.Ф. М: Высшая школа, 1978г., 326с.
- Селезнёв Б.И. Расчёт валов на прочность на персональных компьютерах. М., 1994г., 50с.
- Курсовое проектирование механизмов РЭС. Под ред. Рощина Г.И. М: Высшая школа, 1983г., 243с.
- Курсовое проектирование деталей машин. Под ред. Чернавского С.А. М: Машиностроение, 1988г., 416с.
-
- 234.
Расчет секционной печи скоростного нагрева труб
Рефераты Радиоэлектроника
- 234.
Расчет секционной печи скоростного нагрева труб
-
- 235.
Расчет системы общего освещения цеха
Рефераты Радиоэлектроника Кафедра «Электроснабжение промышленных предприятий»
- 235.
Расчет системы общего освещения цеха
-
- 236.
Расчет системы сбора и передачи данных )
Рефераты Радиоэлектроника
- 236.
Расчет системы сбора и передачи данных )
-
- 237.
Расчет супергетеродинного приемника
Рефераты Радиоэлектроника Диапазан принимаемых частот fmin - fmax (кГц) = 150-400.
- 237.
Расчет супергетеродинного приемника
-
- 238.
Расчёт супергетеродинного приёмника ДВ, СВ волн
Рефераты Радиоэлектроника В 1918 г. Армстронг получил патент на схему супергетеродинного приемника. В начале 30-х годов были созданы многосеточные лампы, в связи, с чем супергетеродинные схемы становятся основными для большинства выпускаемых радиоприемников. В 60-е годы началось освоение инфракрасного и оптического диапазонов волн. Развитие радиолокационной техники привело к разработке новых методов усиления слабых электрических колебаний. Были созданы малошумящие усилители СВЧ с использованием ламп бегущей волны, молекулярные и параметрические усилители, усилители на туннельных диодах. Развитие полупроводниковой электроники привело к новому направлению в разработке методов и устройств приема и обработки информации микроэлектронике. Успехи в развитии современной микроэлектроники позволяют значительно улучшить основные параметры радиоприемников. Замена целых функциональных узлов и блоков радиоприемника интегральными микросхемами, замена конденсаторов переменной емкости или варикапными матрицами позволяют использовать новые методы конструирования радиоприемников, как-то: синтез частот, бесшумная настройка, автоматическая регулировка полосы пропускания при изменении уровня входных сигналов, программное управление приемником и т.д.
- 238.
Расчёт супергетеродинного приёмника ДВ, СВ волн
-
- 239.
Расчет схемы методом контурных токов и проверка методом энергетического баланса
Рефераты Радиоэлектроника А тут-то что непонятного? Каждое сопротивление оно только потребляет энергию, а суммарно в силу закона сохранения энергии должно и получиться, что суммарная мощность источников равна суммарной потребляемой мощности, что и есть метод энергетического баланса. Вот мы отдельно посчитали одну величину, а затем другую. Они совпали, значит, мы все сосчитали правильно.
- 239.
Расчет схемы методом контурных токов и проверка методом энергетического баланса
-
- 240.
Расчет технико-экономических показателей энергохозяйства цеха
Рефераты Радиоэлектроника
- 240.
Расчет технико-экономических показателей энергохозяйства цеха