Реферат по предмету Радиоэлектроника

301. Технологическое оборудование для перерабатывающих отраслей АПК
Рефераты Радиоэлектроника
302. Технологическое проектирование АТП
Рефераты Радиоэлектроника
303. Технология композиционных материалов
Рефераты Радиоэлектроника
304. Технология производства полимерных материалов
Рефераты Радиоэлектроника
305. Технология производства сливочного масла
Рефераты Радиоэлектроника
306. Тиристорный преобразователь переменного напряжения в постоянное напряжение
Рефераты Радиоэлектроника
307. Тиристоры. Регуляторы мощности и управляемые выпрямители на тиристорах
Рефераты Радиоэлектроника

Если увеличивать напряжение источника питания, ток тиристора увеличивается незначительно, пока это напряжение не приблизится к некоторому критическому значению, равному напряжению включения Uвкл. При напряжении Uвкл в динисторе создаются условия для лавинного размножения носителей заряда в области коллекторного перехода. Происходит обратимый электрический пробой коллекторного перехода (участок 2 на рис. 1.2.3). В n-области коллекторного перехода образуется избыточная концентрация электронов, а в p-области - избыточная концентрация дырок. С увеличением этих концентраций снижаются потенциальные барьеры всех переходов динистора. Возрастает инжекция носителей через эмиттерные переходы. Процесс носит лавинообразный характер и сопровождается переключением коллекторного перехода в открытое состояние. Рост тока происходит одновременно с уменьшением сопротивлений всех областей прибора. Поэтому увеличение тока через прибор сопровождается уменьшением напряжения между анодом и катодом. На ВАХ этот участок обозначен цифрой 3. Здесь прибор обладает отрицательным дифференциальным сопротивлением. Напряжение на резисторе возрастает и происходит переключение динистора.
308. ТО и ремонт газобаллонных автомобилей
Рефераты Радиоэлектроника
309. Трансмиссия и ходовая часть МТЗ-80
Рефераты Радиоэлектроника
310. Трассировка печатной платы
Рефераты Радиоэлектроника

Язык программирования Pascal был разработан в 19681971 гг. Никлаусом Виртом в Цюрихском Институте информатики (Швейцария). Первоначальная цель разработки языка диктовалась необходимостью инструмента "для обучения программированию как систематической дисциплине". Однако очень скоро обнаружилась чрезвычайная эффективность языка Pascal в самых разнообразных приложениях, от решения небольших задач численного характера до разработки сложных программных систем компиляторов, баз данных, операционных систем и т.п. К настоящему времени Pascal принадлежит к группе наиболее распространенных и популярных в мире языков программирования. Существуют многочисленные реализации языка практически для всех машинных архитектур; разработаны десятки диалектов и проблемно-ориентированных расширений языка Pascal; обучение программированию и научно-технические публикации в значительной степени базируются на этом языке.
311. Туннелирование в микроэлектронике
Рефераты Радиоэлектроника

Из рисунка видно, что большой пространственный заряд может сильно ограничивать туннельный ток сквозь слой диэлектрика. Большое количество экспериментальных работ было выполнено по изучению туннельного прохождения электронов сквозь тонкие диэлектрические слои. Плёнки диэлектриков обычно создавались либо термическим окислением металлов, либо распылением в вакууме. Исследованию были подвергнуты плёнки Al2O3, Ta2O5, TiO2, Сu2O, Сu2S, SiO, GeO2, и других соединений. Практически во всех системах наблюдалось качественное совпадение экспериментальных вольт-амперных характеристик с расчётными. В начале имеет место линейное возрастание тока с ростом напряжения, затем оно переходит в экспоненциальное с последующим замедлением роста тока. Последнее обстоятельство, как и предполагалось при теоретическом расчёте, вызвано ловушками в диэлектрических слоях. При соответствующем подборе высоты контактного барьера, эффективной площади структуры, эффективной массы электрона в диэлектрике и других параметров наблюдается количественное совпадение. На рис. 2.2.2 приведена вольт-амперная характеристика туннельного тока сквозь слой А12О3 толщиной d=2,3 нм. Точками показаны экспериментальные результаты, сплошной линией расчётные. Наблюдаемые в отдельных случаях количественные расхождения в теоритических и экспериментальных результах вызваны, по-видимому, несовершенством структуры и геометрии плёнок.
312. Тяговый расчет локомотива ВЛ-80Р
Рефераты Радиоэлектроника
313. Универсальный блок питания
Рефераты Радиоэлектроника

В случае потребителей постоянного тока с самым разным напряжением питания: 4,5; 9; 12В. И каждый раз нужно было приобретать соответствующее число батареек или элементов. Но не всегда в продаже есть нужные источники питания, да и срок службы их ограничен. Универсальный источник работает от сети переменного тока и обеспечивает постоянное напряжение от 0,5 до 15В. В то время как величина тока, потребляемого от блока, может достигать 0,3А, выходное напряжение остается стабильным. И еще одно достоинство блока он не боится коротких замыканий.
314. Управление ДПЛА через ретранслятор
Рефераты Радиоэлектроника

RQ-4 выполнен по нормальной аэродинамической схеме с низкорасположенным крылом большого удлинения. Крыло, производства концерна Boeing, полностью изготовлено из композиционного материала на основе углеволокна. Это позволило создать тонкое крыло с относительным удлинением 25. На крыле имеются, как минимум две, точки внешней подвески, рассчитанные на груз массой до 450 кг каждая. Шасси трехточечное с носовым колесом. На носовой стойке шасси имеется одно колесо, на подкрыльевых стойках - по два колеса. Фюзеляж типа полумонокок изготавливается фирмой Teledyne Ryan из алюминиевых сплавов. Он состоит из трех основных частей. Спереди расположен приборный отсек. Там, под большим радиопрозрачным обтекателем расположена параболическая антенна спутниковой связи диаметром 1.22 метра. В этом же отсеке размещена вся разведывательная аппаратура. В средней части находится большой топливный бак и в хвостовой части расположен реактивный турбовентиляторный двигатель Allison AE 3007H. Двигатель позаимствован, почти без изменений, у самолетов бизнес - класса Citation-X и EMB-145. После внесения небольших изменений в систему управления двигатель устойчиво работает на высотах до 21 300 метров.
315. Управление цикловой автоматикой
Рефераты Радиоэлектроника

Напишите УП для манипулятора, который работает по следующему циклу: подача заготовок с рабочего места `А` на рабочее место `Б` и назад готовых деталей. На месте `А` манипулятор должен простоять 1 сек., пока его разгрузят и загрузят, на месте `Б` 4 сек., пока будет обработана заготовка. Включается манипулятор и выключается одной кнопкой с фиксацией. Манипулятор узнает о том, что он дошел до места `А` или `Б` по двум конечникам, которые имитируются кнопками с фиксацией. Четыре светодиода должны отображать состояние манипулятора: нахождение на месте `А`, `Б`, движение от `А` к `Б` и от `Б` к `А`. Один светодиод индицирует включение манипулятора.
316. Управляемый микроконтроллером выпрямитель
Рефераты Радиоэлектроника
Для решения этой задачи наиболее подходящим является микроконтроллер PIC16F873 фирмы Microchip со следующими параметрами:
- 35 команд;
- все команды выполняются за 1 цикл (20 нс при 20 Мгц), кроме команд перехода, выполняющихся за 2 цикла
- тактовая частота 0 ... 20 МГц, цикл команды от 20 нс;
- Флеш память программ 4х14 Кбайта
- аппаратные прерывания от 13 источников;
- 8-уровневый аппаратный стек;
- прямой, непосредственный, косвенный и относительный режимы адресации
- 3 таймер/счётчик с предварительным делителем.
- Встроенное электрически перепрограммируемое ПЗУ данных 128 бит типовое число циклов перезаписи 1000000
- Схема запуска по включению питания
- Таймер запуска генератора
- Сторожевой таймер с отдельным встроенным RC-генератором
- Бит защиты считывания памяти программ
- Режим пониженного энергопотребления
- Программируемый выбор генератора
- Внутрисхемное программирование через 2 вывода
- Микропотребляющая высокоскоростная КМОП технология
- Полностью статическое устройство
- Широкий диапазон питания: 2.0...6.0 В
- Высокотоковые входы-выходы 25 мА
- Низкое энергопотребление: <2 мА (5 В, 4 МГц), 15 мкА типовой (2 В, 32 кГц), < мкА типовой в режиме пониженного энергопотребления при 2 В
- Модуль компаратора/накопителя/ШИМ
- Последовательные порты SPI / I2C / USART
- A/D преобразователь (10 разрядов) 5 каналов
317. Усиление входного аналогового сигнала до заданного уровня и преобразовывание его в цифровой
Рефераты Радиоэлектроника

Выполнил: студент
318. Усилитель вертикального отклонения
Рефераты Радиоэлектроника

íà ñõåìåÍàèìåíîâàíèåÊîëÏðèìå÷àíèåÊîíäåíñàòîðûÑ1KT4-21á - 4/20 ïÔ ±10%1Ïîäñòðîå÷íûéÑ2Ê10-47à-Í30-10 íÔ±20%1Ñ3KT4-21á - 4/20 ïÔ ±10%1Ïîäñòðîå÷íûéÑ4Ê10-47à-Í30-1,2 íÔ±20%1Ñ5KT4-21á - 4/20 ïÔ ±10%1Ïîäñòðîå÷íûéÑ6Ê15-5-Í20-82ïÔ±20%1Ñ7Ê10-47à-Í30-10 íÔ±20%1Ñ8,Ñ9Ê50-24-50Â-2,2 ìêÔ2Ýëåêòðîëèò.Ñ10, Ñ11Ê10-47à-Í30-10 íÔ±20%2Ñ12, Ñ13Ê50-24-50Â-2,2 ìêÔ2Ýëåêòðîëèò.Ñ14, Ñ15Ê10-47à-Í30-10 íÔ±20%2Ñ16, Ñ17Ê50-24-50Â-2,2 ìêÔ2Ýëåêòðîëèò.Ñ18, Ñ19Ê10-47à-Í30-10 íÔ±20%2Ñ20, Ñ21Ê50-24-50Â-2,2 ìêÔ2Ýëåêòðîëèò.Ñ22, Ñ23Ê10-47à-Í30-10 íÔ±20%2Ñ24, Ñ25Ê50-24-50Â-2,2 ìêÔ2Ýëåêòðîëèò.Ñ26Ê10-47à-Í30-10 íÔ±20%1Ñ27Ê15-5-Í70-470 ïÔ±10%1Ñ28KT4-25á - 8/40 ïÔ ±10%1Ïîäñòðîå÷íûéÌèêðîñõåìû àíàëîãîâûåDA1AD843K1DA2 - DA6LM7171B 5ÐåçèñòîðûR1Ñ2-33Í-0,125-1000êÎì±1%1R2Ñ2-33Í-0,125-1,02êÎì±1%1R3Ñ2-33Í-0,125-1000êÎì±1%1R4Ñ2-33Í-0,125-10,2êÎì±1%1R5Ñ2-33Í-0,125-909êÎì±1%1R6Ñ2-33Í-0,125-102êÎì±1%1R7Ñ2-33Í-0,125-1000êÎì±1%1Ôò438140306 620000 005 ÏÝ3ÏîäïèñüÄàòàËèò.ËèñòËèñòîâÐàçðàáîò.Ãðèöåíêî Ñ.Ê.ÏÅÐÅ×ÅÍÜ ÝËÅÌÅÍÒÎÂÏÊ13Ðóêîâîä.Øêîëà Í.Ô.Óñèëèòåëü âåðòèêàëüíîãîÓÃÒÓÍ. Êîíòð.Íîâèêîâ Å.Ã.îòêëîíåíèÿÊàôåäðàÇàâ. Êàô.Êðóæàëîâ À. Â.Ýêñïåðèìåíòàëüíîé ôèçèêèÎáîçíà÷åíèå
319. Усилитель вертикального отклонения осциллографа
Рефераты Радиоэлектроника
Стр.
1. Введение3
2. Техническое задание3
3. Справочные данные на элементы4
4. Структурная схема усилителя5
5. Расчёт входного делителя6
6. Расчёт предусилителя 7
7. Расчёт фазоинвертора9
8. Расчёт оконечного каскада11
9. Расчёт граничных частот15
10. Заключение16
11. Библиографический список17
12. Приложения18
320. Усилитель генератора с емкостным выходом
Рефераты Радиоэлектроника

RгМЛТ 0.25 100 Ом ± 5%1R1МЛТ 0.25 120 Ом ± 5%1R2МЛТ 0.25 6.8 КОм ± 5%1R3МЛТ 0.25 91 КОм ± 5%1R4МЛТ 0.25 8.2 КОм ± 5%1R5МЛТ 0.25 11 КОм ± 5%1R6МЛТ 0.25 39 Ом ± 5%1R7МЛТ 0.25 33 Ом ± 5%1R8МЛТ 0.25 680 Ом ± 5%1R9МЛТ 0.25 30 КОм ± 5%1R10МЛТ 0.25 2.7 КОм ± 5%1R11МЛТ 0.25 3.3 КОм ± 5%1R12МЛТ 0.25 12 Ом ± 5%1R13МЛТ 0.25 33 Ом ± 5%1R14МЛТ 0.25 1.2 КОм ± 5%1R15МЛТ 0.25 5.1 КОм ± 5%1R16МЛТ 0.25 1 КОм ± 5%1R17МЛТ 0.25 1.1 КОм ± 5%1R18МЛТ 0.25 3.9 Ом ± 5%1ТранзисторыV1,V3,V5КТ 316 А СБ.0336049М3V2,V4,V62Т 916 А аАО. 339136 ТУ3

Blog

Реферат по предмету Радиоэлектроника