Geum.ru

Реферат по предмету Радиоэлектроника

  • 41. Детектор излучения сотового телефона
    Рефераты Радиоэлектроника

    РазработалЯковенко М.В.ККЭП 2201 028 000 ПЗ ЛистПроверилДегтярева Н.Е.измлист № докумПодписьДатаЭто является источником огромных диапазонов и скоростей изменения разнообразных возмущающих воздействий, одновременно влияющих на различные составляющие части единой работающей в это время РТС. При этом зачастую аппаратура одной и той же РТС, выполняющей ответственные функции, расположена на различных типах объектов: стационарных пунктах и подвижных наземных, надводных и подводных объектах, атмосферных, космических, инопланетных и даже межгалактических летательных аппаратах; обслуживаемых и необслуживаемых объектах, носимой аппаратуре и др. Для разных типов объектов существуют различные требования на условия размещения аппаратуры, весьма различны комплексы возмущающих воздействий, их сочетания, диапазоны изменения и т. п. Всевозможные комбинации электромагнитных, тепловых, радиационных, виброакустических и других воздействий на аппаратуру должны быть обязательно приняты во внимание при проектировании и оптимизации технологических процессов (ТП) ее изготовления. При этом необходимо указать, что, поскольку возможности и ограничения различных технологических систем (ТС) изготовления аппаратуры в сильной степени определяют особенности ее функционирования в условиях различных комплексов возмущающих воздействий, перед конструктором и технологом ставится задача активно участвовать во всех этапах проектирования и создания РТК и РТС.

  • 42. Диоды
    Рефераты Радиоэлектроника

    Микрочипы, или как их ещё называют "микросхемы", представляют из себя обыкновенную пластмассовую пластинку толщиной около 0,5 см, в которой собраны вместе радиодетали. Микрочипы-это сложнейшие приборы, которые состоят из множества компонентов,таких как: транзисторы, резисторы, конденсаторы, диоды, семисторы, термисторы, динисторы, тринисторы и так далее. Во времена СССР, в стране очень хорошо было налажено производство радиодеталей. Всё началось с обычных электронных ламп, но из за того, что они были очень громоздкими, люди придумали более меньшие по размерам аналоги электронным лампам-транзисторы, а уже в дальнейшем научились изготавливать и аналоговые микросхемы, которые считались на мировом рынке одними из лучших. Выпускались три вида микросхем:МИС (малые интегральные схемы), БИС (большие интегральные схемы) и СБИС (сверхбольшие интегральные схемы).МИС умещали в себя 10-100 радиодеталей, БИС 100-1000 радиодеталей, СБИС 1000-10000 радиодеталей. Это было в 70-е года, но теперь, когда прогресс достиг невероятных размеров, плотность микрочипов увеличилась и теперь микрочипы состоят из порядка около нескольких миллионов радиодеталей (компьютерные микропроцессоры). Как возможно уместить такое количество в микрочипе размером около 25 см2? Всё очень просто. Производят их с помощью технологии напыления. Все что нужно напыляется различными веществами, имеющие различные свойства. В результате получаются микротранзисторы, микрорезисторы, микродиоды, микроконденсаторы и др, размеры которых несколько микронов (для сравнения один транзистор имеет размер примерно 0,5 х 0,5 см.

  • 43. Дифференциальный усилитель
    Рефераты Радиоэлектроника

     

    1. Техническое задание...............................................3
    2. Анализ технического задания................................6
    3. Выбор материалов, расчет элементов..................6
    4. Выбор подложки......................................................8
    5. Технологический маршрут.....................................8
    6. Выбор корпуса ГИС................................................8
    7. Оценка надежности.................................................9
    8. Список литературы.................................................11
  • 44. Диффузионные процессы в тонких слоях пленок при изготовление БИС методом толстопленочной технологии ...
    Рефераты Радиоэлектроника
  • 45. Дуговая печь
    Рефераты Радиоэлектроника
  • 46. Затухание ЭМВ при распространении в средах с конечной проводимостью
    Рефераты Радиоэлектроника

     

    1. Семенов А.А. Теория электромагнитных волн.-М.: Изд-во МГУ,1968.
    2. Вайнштейн Л.А. Электромагнитные волны.-М.:Сов.Радио, 1957.
    3. Баскаков С.И. Электродинамика и распространение волн.-М.: Высш.шк., 1992.
    4. Бреховских Л.М. Волны в слоистых средах.-М.: Наука ,1973.
    5. Тамм И.Е. Основы теории электричества.-М.: Наука, 1989.
  • 47. ИДИР. Прибор для измерения количества и длительности импульса на координатных АТС )
    Рефераты Радиоэлектроника

    9.Список литературы.

    1. «Интегральные микросхемы» Справочник. Москва, издательство «Радио и связь».
    2. «Справочник радиолюбителя». Киев, издательство «Технiка».
    3. Основы цифровой техники. Л.А.Мальцева Э.М.Фромберг В.С.Ямпольский «Радио и связь» 1986.
    4. Предлагают практики «Измеритель длительности импульсов» Статья С.А.Мюганен.
    5. Конспект по предмету: «Цифровая электроника» Настас.В
    6. Интернет. http://vvk2.mpei.ac.ru/KAT/Dig_Cir/17.html
    7. ОСТ 11073.915-80. Микросхемы интегральные. Классификация и система условных обозначений.
    8. ГОСТ 17467-88 (СТ СЭВ 5761-86). Микросхемы интегральные. Основные размеры.
    9. В.М.Строев, Г.Н.Нурутдинов, Л.В.Лагода. Микросхемы и их применение. Тамбов, 1987 г.
    10. С.В.Якубовский, Л.И.Нельсон. Цифровые и аналоговые микросхемы. -М. Радио и связь, 1989 г.
    11. Б.В.Тарабрин, Л.Ф.Лунин. Интегральные микросхемы. -М. Радио и связь, 1984 г.
    12. И.И.Петровский, А.В.Прибыльский. Логические ИС КР1533б КР1554. ТТО @БИНОМ@, 1993 г
    13. Г.Р.Аванесян, В.П.Левшин. Интегральные микросхемы ТТЛ, ТТЛШ. -М. Машиностроение, 1993 г.
    14. Триполитов, А.В. Ермаков. Микросхемы, диоды, транзисторы. Справочник. - М. Машиностроение, 1994. - 319 с., ил.
    15. Справочник по микроэлектронной импульсной технике .В.Н. Яков лев, В.В. Воскресенский, С.И. Мирошниченко и др. Под ред. В.Н. Мищенко С.В., Муромцев Ю.Л., Цветков Э.И., Чернышов В.Н. Анализ и синтез измерительных систем. - Тамбов. Тамб. гос. техн. ун-т, 1995. - 234 с.
    16. Яковлева. - Киев, Тех. школа, 1983. - 359 с., ил.
    17. Мелен Р., Гарланд Г. Интегральные микросхемы с КМДП структурами. Пер. с англ. - М. Энергия, 1979. - 160с., ил.
    18. Тули М.Справочное пособие по цифровой электронике. Пер. с англ. - М. Энергоатомиздат, 1990. - 176с.
    19. Зотов А.А.., Муромцев Ю.Л. Основы схемотехники радиоэлектронных средств. Учебное пособие Тамбов. Тамб.гос. техн. ун-т. 1995. - 273 с.
  • 48. Изучение и исследование интегрированных RS-триггеров, а также триггеров серии К155
    Рефераты Радиоэлектроника

    Цель работы: Изучение и исследование интегральных RS-триггеров, а также триггеров серии К155. В процессе выполнения работы изучить схемы наиболее распространенных триггеров RS-, D-, T-, JK-типов, особенности работы асинхронных, синхронных и двухтактных триггеров. На элементах «И-НЕ» реализовать указанные триггеры и исследовать их работу в различных режимах.

  • 49. Импульсный усилитель
    Рефераты Радиоэлектроника

     

    1. Тема проекта Импульсный усилитель
    2. Сопротивление генератора Rг = 75 Ом.
    3. Коэффициент усиления K = 25 дБ.
    4. Длительность импульса 0,5 мкс.
    5. Полярность "положительная".
    6. Скважность 2.
    7. Время установления 25 нс.
    8. Выброс 5%.
    9. Искажения плоской вершины импульса 5%.
    10. Амплитуда 4В.
    11. Полярность "отрицательная".
    12. Сопротивление нагрузки Rн = 75 Ом.
    13. Условия эксплуатации и требования к стабильности показателей усилителя 20 - 45 °С.
    14. Срок сдачи проекта на кафедру РЗИ 10.05.2003.
    15. Дата выдачи Задания 22.02.2003.
  • 50. Интегральная микросхема КР1533ТВ6
    Рефераты Радиоэлектроника

    Микросхема ТВ6 (рис. 16) - сдвоенный JK-триггер. Каждый триггер имеет вход для подачи тактовых импульсов С, входы для подачи информации J и К, вход сброса R. Приоритетом пользуется вход R -при подаче на него лог. 0 триггер устанавливается в нулевое состояние, при котором на прямом выходе триггера - лог. 0, на инверсном -лог. 1. При лог. 1 на входе R возможна запись информации со входов J и К. Переключение триггера происходит по спаду импульсов положительной полярности на входе С. Если перед спадом сигнала на входе С на входе J лог. 1, на входе К лог. 0, триггер установится в единичное состояние, если на входе J лог. 0, на входе К лог. 1 - в нулевое. Если на входах J и К лог. 0, переключение по спаду импульса на входе С не произойдет; если на обоих входах лог. 1, триггер по спаду на входе С переключится в противоположное состояние. Для переключения триггера важна информация на входах J и К непосредственно перед переходом на входе С уровня лог. 1 в лог. 0, поэтому информация на входах J и К может меняться как при лог. 0, так и при лог. 1 на входе С. Предельная частота работы триггеров микросхем К555ТВ6 и КР1533ТВ6 - 30 МГц.

  • 51. Исследование ARC-фильтров второго порядка
    Рефераты Радиоэлектроника
  • 52. Исследование атмосферы планеты Венера
    Рефераты Радиоэлектроника

    Венера подходит к Земле ближе, чем какая-либо другая планета. Но плотная, облачная атмосфера не позволяет непосредственно видеть ее поверхность. Снимки, сделанные с помощью радара, демонстрируют очень большое разнообразие кратеров, вулканов и гор. Температура поверхности достаточно высока, чтобы расплавить свинец, а когда-то на этой планете, возможно, имелись обширные океаны. Венера имеет почти круговую орбиту, которую она обходит за 225 земных суток на расстоянии 108,2 млн. км от Солнца. Поворот вокруг оси Венера совершает за 243 земных дня - максимальное время среди всех планет. Вокруг своей оси Венера вращается в обратную сторону, то есть в направлении, противоположном движению по орбите. Такое медленное, и притом обратное, вращение означает, что, если смотреть с Венеры, Солнце восходит и заходит всего лишь два раза за год, поскольку венерианские сутки равны 117 нашим. Венера подходит к Земле на расстояние 45 млн. км - ближе, чем любая другая планета. По своим размерам Венера лишь немного меньше Земли, и масса у нее почти такая же. По этим причинам Венеру иногда называют близнецом или сестрой Земли. Однако поверхность и атмосфера этих двух планет совершенно различны. На Земле есть реки, озера, океаны и атмосфера, которой мы дышим. Венера - обжигающе горячая планета с плотной атмосферой, которая была бы губительной для человека.

  • 53. Исследование взаимосвязи электрофизических параметров кремния полученного методом карботермического ...
    Рефераты Радиоэлектроника

    В общем случае g различно в разных точках полупроводника (неоднородная генерация). Изменение проводимости полупроводника обусловлено тем, что при освещении изменяется как концентрация электронов и дырок, так и их подвижность. Однако относительное влияние обоих этих причин может быть весьма различным. Действительно, возникающая в результате поглощения пара электрон-дырка получает некий квазиимпульс и энергию (h-Eg).Пусть, для простоты, энергия передается только одному из фотоносителей, скажем электрону (что имеет место при сильном различии масс Mn и Mp). Эта избыточная энергия затем растрачивается вследствие взаимодействия фотоэлектрона с решеткой, и через некоторое время, порядка времени релаксации энергии е, средняя энергия фотоэлектрона принимает значение, соответствующее температуре решетки. Аналогично, равновесное распределение квазиимпульса фотоэлектронов устанавливается за время порядка времени релаксации импульса р. Если еTn, где Tn-время существования фотоэлектрона в зоне, то фотоэлектроны успевают “термализоваться”, т.е. приобрести такое же распределение по энергиям и квазиимпульсам, как и равновесные электроны. В этом случае подвижности не изменяются, а фотопроводимость обусловлена только изменением концентрации электронов и дырок и равна

  • 54. Исследование искажений сигналов на выходе фильтра нижних частот
    Рефераты Радиоэлектроника

     

    1. Бычков Ю.А., Золотницкий В.М., Чернышев Э.П. Основы теории электрических цепей: Учебник для вузов. СПб.: Издательство «Лань», 2002. 464 с.
    2. Бычков Ю.А., Золотницкий В.М., Чернышев Э.П. и др. Сборник задач и практикум по основам теории электрических цепей. СПб.: Питер, 2005. 304 с.:ил. (Серия «Учебное пособие»).
    3. Бычков Ю.А., Золотницкий В.М., Чернышев Э.П. и др. Курсовое проектирование по теории электрических цепей. СПб.: Издательство СПб ГЭТУ «ЛЭТИ», 1996. 136 с.:ил.
    4. МатхановП.Н. Основы анализа электрических цепей. Линейные цепи. М.:Высш.шк.,1990.
    5. Кудрявцев Е.М. Mathcad 11: полное руководство по русской версии. М.: ДМК Пресс, 2005. 592 с., ил.
    6. Конспект лекций по Основам теории электрических цепей. Лектор: доцент кафедры ТОЭ СПб ГЭТУ «ЛЭТИ», к.т.н. Соколов Валентин Николаевич.
    7. Конспект лекций по Теории функций комплексного переменного. Лектор: доцент кафедры Высшей математики 2 СПб ГЭТУ «ЛЭТИ», к.т.н Дюмин Виктор Георгиевич.
  • 55. Исследование помехоустойчивого канала передачи данных методом имитационного моделирования на ЭВМ
    Рефераты Радиоэлектроника

    Параметр источникаРегистровый способСпособ ГСЧВероятностные характеристики КСП без учета зависимости между символами :вероятность единицы0.500000.50586вероятность нуля0.500000.49414энтропия источника H, бит/символ1.000000.99990Вероятностные характеристики с учетом зависимости между символами :условные вероятности единицы : p(1/1)0.500000.49421p(1/0)0.500000.51779условные вероятности нуля : p(0/1)0.500000.50579p(0/0)0.500000.48221финальная вероятность единицы: 0.500000.50586финальная вероятность нуля:0.500000.49414условная энтропия "1" H1, бит/символ1.000000.99990условная энтропия "0" H0, бит/символ1.000000.99909энтропия источника H, бит/символ1.000000.99950Характеристики корреляционной функции :значение КФ от нуля равно0.250000.24997эквивалентный интервал корреляции2.000004.00000среди боковых лепестков наибольший с номером612его величина составляет % от главного4.2128615.28238

  • 56. Исследование работы реверсивных счетчиков
    Рефераты Радиоэлектроника

    3.2. Функцию двоичного счетчика выполняет микросхема К155ИЕ7. Данная микросхема представляет собой реверсивный четырехразрядный счетчик - регистр, в котором кроме двух счетных входов ( суммирующего "+1" и вычитающего "-1" ) и входа сброса Р имеется четыре информационных входа DОDЗ и вход С , разрешающий запись информации в счетчик. Кроме того, для наращивания разрядности счета в микросхеме предусмотрены выходы "15" и " < 0", на которых при достижении счетчиком указанных чисел появляются сигналы логического "0". Выход "15" в этом случае следует соединять с входом "+1", выход "< 0" - с входом "-1" аналогичной микросхемы.

  • 57. Исследование работы РПЗУ
    Рефераты Радиоэлектроника

    3.3. Данные для записи в РПЗУ формируются с помощью генератора пачки импульсов и счетчика СТ ( ДД1 ). Число импульсов задается с помощью четырех кнопок с фиксацией на блоке К32 под надписью "Программатор СИ". Генератор запускается путем нажатия поочередно кнопок "Устан.О" и “Пуск". Число импульсов подсчитывается счетчиком, собранном на микросхеме типа К155ИЕ5, и в двоичном коде через шинный формирователь ВД подается на вход данных РПЗУ. При необходимости счетчик СТ может быть обнулен с помощью кнопки SA6.

  • 58. Исследование работы триггеров в интегральном исполнении
    Рефераты Радиоэлектроника

    Как следует из рис.3, запись информации на триггер с потенциальным входом происходит при наличии на входе С уровня логической “1”. При этом изменение состояния триггера связано с поступлением сигналов на вход D. В динамическом триггере (рис.2) запись информации происходит по положительному фронту сигнала на входе С (переход из состояния “0” в состояние “1”). Существует тип триггеров, у которых запись информации осуществляется по отрицательному фронту сигнала на входе С (переход из состояния “1” в состояние “0”).

  • 59. Исследование сорбции дрожжевых клеток на углеродном волокне и разработка технологии сбраживания гидролизного сусла
    Рефераты Радиоэлектроника
  • 60. Исследование функций преобразования и метрологических характеристик бесконтактных волоконно-оптическ...
    Рефераты Радиоэлектроника