Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании
Реферат - Радиоэлектроника
Другие рефераты по предмету Радиоэлектроника
Государственный комитет РФ по высшему образованию
Новгородский Государственный университет
им. Ярослава Мудрого
Кафедра физики твердого тела и микроэлектроники
”РАСЧЕТ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПРИМЕСЕЙ
В КРЕМНИИ ПРИ КРИСТАЛЛИЗАЦИОНОЙ ОЧИСТКЕ
И ДИФФУЗИОННОМ ЛЕГИРОВАННИИ”
Пояснительная записка
к курсовой работе
по дисциплине
”Физико-химические основы технологии микроэлектроники”
Выполнил
Студент группы 7033у
Н.Е.Родин
Проверил
Преподаватель кафедры ФТТМ
Б.М.Шишлянников
1998
Техническое задание
на курсовую работу по дисциплине
Физико-химические основы технологии микроэлектроники
Студенту гр. 7033 Родину Н.Е.
1. Рассчитать распределение примесей вдоль слитка полупроводникового материала при очистке зонной плавкой (один проход расплавленной зоной).
материал кремний
примеси - Ga,P и Sb
исходное содержание примесей (каждой) 0,02% (массовых)
Для трех скоростей перемещения зоны Vкр =1,5 ; 5 и 15 мм/мин.
2. Проанализировать бинарную диаграмму состояния Si -Ga и представить графически область существования твердых растворов примеси, найти предельную твердую растворимость примеси и температуру предельной растворимости.
Рассчитать и построить распределение указанной выше примеси (Ga) в полупроводнике после диффузионного отжига при различных условия диффузии:
при условии бесконечного источника примеси на поверхности пластины и при температуре, соответствующей максимальной растворимости примеси в полупроводнике; время диффузии 30 мин.
при температуре 950 оС; время диффузии 30 мин.
после перераспределения примеси, накопленной в приповерхностном слое полупроводника при температуре 950 оС и времени диффузии 30 мин . Условия перераспределения - полностью отражающая граница, температура 1150 оС, время 2 часа.
Срок сдачи законченной работы руководителю - июнь 1998 г.
Преподаватель........................................Б.М. Шишлянников
Студент .....................................................Н.Е. Родин
Реферат.
В курсовом проекте производится расчет распределения примеси вдоль слитка кремния зонной плавкой. Расчет производится для трех примесей (Ga,P и Sb) для трех скоростей (Vкр =1,5 ; 5 и 15 мм/мин). Кроме того расчет распределения Ga в кремнии после диффузионного отжига при различных условиях диффузии.
Курсовая работа содержит графики распределения примеси как при зонной плавке, так и при диффузии.
Содержание.
Введение…………………………………………………………………51.Расчетная часть………………………………………………………..61.1Описание процесса зонной плавки и ее математическая модель……61.2Расчет распределения примеси вдоль слитка кремния после зонной плавки (один проход расплавленной зоной)………………………..
101.2.1Расчет распределения Si-Ga……………………………………………101.2.2Расчет распределения Si-P……………………………………………...131.2.3Расчет распределения Si-Sb…………………………………………….141.3Распределение примесей после диффузии…………………………….181.3.1Распределение примеси при диффузии из полубесконечного пространства (диффузия из концентрационного порога)………………..
211.3.2 Распределение примеси при диффузии из постоянного источника в полубесконечное тело…………………………………………………..
221.3.3Распределение примеси при диффузии из слоя конечной толщины (диффузия из ограниченного источника) в полубесконечное тело с отражающей границей………………………………………………….
241.3.4Распределение примеси при диффузии из бесконечно тонкого слоя в полубесконечное тело с отражающей границей……………………
251.4Расчет распределения примеси после диффузионного легирования.281.4.1Диффузия из бесконечного источника примеси на поверхности пластины и при температуре, соответствующей максимальной растворимости примеси в полупроводнике; время диффузии 30мин………
281.4.2Диффузия из бесконечного источника примеси на поверхности пластины при Т=9500 С, и времени диффузии 30 мин……………….
291.4.3Распределение примеси после перераспределения примеси накопленной в приповерхностном слое полупроводника при Т=950ОС и времени диффузии 30мин. Условие перераспределения полностью отражающая граница. Т=1150ОС, время 2 часа……………………….
30Заключение……………………………………………………………...32Литература……………………………………………………………....33
Введение.
Каждое ве?/p>