Радиоэлектроника

901. Устройство цифровой записи речи (цифровой диктофон)
Реферат пополнение в коллекции 09.12.2008

Устройство состоит из следующих элементов: контроллер на базе микропроцессора, выполняющий функции управления устройством. В состав MC также входят АЦП и ЦАП, поэтому микроконтроллер также выполняет функции оцифровывания аналогового сигнала и преобразования цифровых кодов в аналоговый сигнал. Усилители U1 и U2 предназначены для усиления аналоговых сигналов и ограничения верхних граничных частот этих сигналов до 4 кГц. Микрофон и динамик предназначены соответственно для ввода и воспроизведения голосовой информации. Генератор опорного напряжения U3 формирует опорное напряжение для встроенного АЦП микроконтроллера MC. Тактовый генератор G предназначен для тактирования всех внутренних схем микроконтроллера. Энергонезависимая память RAM предназначена для хранения всей записываемой голосовой информации. Блок клавиатуры KBD предназначен для управления режимами устройства. Блок индикации LED предназначен для индикации режимов работы устройства.
902. Учебная практика по специальности "ТО и ремонт РЭА"
Контрольная работа пополнение в коллекции 09.12.2008
1. Введение…………………………………………………………………………………………….3 стр.
2. Проделанная работа на практике.
3. Рабочий инструмент………………………………………………………………………….. 3стр.
4. Элементарная база……………………………………………………………………………..3 стр.
5. Методы проверки элементов…………………………………………………………………..5 стр.
6. Разработка печатных плат……………………………………………………………………...9 стр.
7. Пайка..………………………………………………………………………………………….11 стр.
8. Краткое описание устройства.
9. Электрическая схема………………………………………………………………………….12 стр.
10. Спецификация…………………………………………………………………………………12 стр.
11. Печатная плата………………………………………………………………………………...12 стр.
12. Принцип действия……………………………………………………………………………..12 стр.
13. Заключение.
14. Полученные навыки…………………………………………………………………………..13 стр.
15. Назначение устройства………………………………………………………………………..13 стр.
16. Список литературы……………………………………………………………………………13 стр.
17. Приложение……………………………………………………………………………………13 стр.
903. Учебная практика по специальности ТО и ремонт РЭА
Информация пополнение в коллекции 12.01.2009
1. Введение…………………………………………………………………………………………….3 стр.
2. Проделанная работа на практике.
3. Рабочий инструмент………………………………………………………………………….. 3стр.
4. Элементарная база……………………………………………………………………………..3 стр.
5. Методы проверки элементов…………………………………………………………………..5 стр.
6. Разработка печатных плат……………………………………………………………………...9 стр.
7. Пайка..………………………………………………………………………………………….11 стр.
8. Краткое описание устройства.
9. Электрическая схема………………………………………………………………………….12 стр.
10. Спецификация…………………………………………………………………………………12 стр.
11. Печатная плата………………………………………………………………………………...12 стр.
12. Принцип действия……………………………………………………………………………..12 стр.
13. Заключение.
14. Полученные навыки…………………………………………………………………………..13 стр.
15. Назначение устройства………………………………………………………………………..13 стр.
16. Список литературы……………………………………………………………………………13 стр.
17. Приложение……………………………………………………………………………………13 стр.
904. Фазовый и частотный методы измерения дальности
Информация пополнение в коллекции 09.12.2008

Передающее устройство состоит из генератора высокой частоты, модулятора, изменяющего частоту генерируемых колебаний по пилообразному или синусоидальному закону, и передающей антенны А1. Первым каскадом приемника является смеситель, с которого начинается Корреляционно-фильтровая обработка: в смесителе перемножаются отраженный сигнал uотр(t), который подводится от приемной антенны А2, с опорным сигналом uпр(t), который подводится по короткому кабелю от передатчика; накопление энергии происходит в RC-фильтрах нижних частот, следующих за перемножителем. Как во всяком смесителе, перемножение происходит в нелинейном элементе и в результате образуются составляющие суммарной и разностной частот отраженного и опорного (прямого) сигналов. Сигнал с частотой биений пропускается к усилителю низкой частоты, а составляющие суммарных частот подавляются фильтрами нижних частот смесителя.
905. Физико-математические основа радиоэлектронных систем
Реферат пополнение в коллекции 09.12.2008

Номер12d1d2|R|21220.0060.00612320.0060.0060.5943310.0060.0060.2914410.0060.0060.13015410.0070.0050.1236510.0060.0060.0557610.0060.0060.040078610.0050.0060.02649610.0060.0050.0260710610.0070.0040.0299Номер12d1d2|R|211610.0110.0010.0973612610.0010.0110.1130713610.0030.0090.0371914610.0090.0030.0858115610.0070.0020.0614516610.0020.0070.1780317610.0080.0010.0590218610.0030.0010.6759119610.0050.0020.250420610.0020.0020.68209
906. Физико-топологическое моделирование структур элементов БИС
Информация пополнение в коллекции 09.12.2008

Сложившееся в практике проектирования разделение труда между разработчиками БИС, с одной стороны, и учет реальных возможностей современных ЭВМ -- с другой, диктуют иной метод моделирования. Общепринятым в настоящее время является метод, согласно которому на азличных у овнях модели гния используют различные модели. Это о еспечивает достижение разумного компромисса: сложность модели -точность моделирования. Кроме того, такой метод позволяет достаточно гибко и оперативно проводить сравнение результатов моделирования с экспериментальными данными и уточнять исходные значения, т. е. осуществлять итерационный процесс оптимизации приборных структур по электpофизическим параметpам с учетом заданных электрических паpаметpов, пpинятых огpаничений. Этот метод позволяет также соразмерять возможности численного моделирования по точности с точностью исходных данных. В условиях резкого увеличения размерности задач, характерного для этапа создания СБИС и УБИС, главной тенденцией развития методов моделирования стало совмстное пpименения моделей различных иерархических уровней. Идея многоуровневого моделирования структур элементов БИС подразумевает комплексное использование при проектировании различных моделей одного и того же объекта -полупроводникового прибора транзисторного типа. На этапе технологического молелирования применяют модели, имитирующие процессы ионного легирования диффузии, эпитаксиального (гомо, гетеpо, молекуляpного) наращивания и оксидиpования. Именно эти процессы в основном определяют распределение примесей в полупроводниковых структурах, глубины и конфигурации р-n-переходов. Кроме этих моделей используют модели процессов формирования поверхностных конфигураций (топологии). Такими моделями являются модели литогpафии, исключающие нанесение и тpавление пленок. Исходными данными для моделирования являются параметры режимов соответствующего технологического оборудования (время обработки, температура, наружнос давление, доза и энергия ионной бомбардировки и т. п. ) Общее назначение моделей технологических пpоцессов -- модели планарной технологии создания БИС -- состоит в получении информации о конфигуpации и pазмеpах областей, распределении примесей в полупроводниковой структуре. На основании этой информации по известным зависимостям опpеделяют элекpтpофизические параметры отдельных рабочих областей сpтуктуры, ырпример подвижность, время жизни носителей, скорость рекомбинации и т. п. Как объект моделиpовадця полупроводниковыи при- бор представляет собой тpехмеpную структуpу из полуоводниковых; диэлектрических и металлических областей со сложным распределением концентраций легиpующих примесеи и с различными электpофизическими паpаметpами Кроме того, особенностью объекта моделирования является множество физических процессов, протекающих в его структуре, и сложный характер взаимодействия с окружающей средой. Исходя из задач пpоектирования элементной базы в качестве основных определены следующйе классы моделей интегральных структур: 1) стpктуpно-физические 2) физико-топологические, 3) электpические. Совокупность моделей образует систему, взаимосвязи в которой определяются иерархическим принципом. Модели, используемые на каждом последующем более высоком уровне проектирования, отличаются большей степенью абстрагирования. Результаты моделиpования на более низком, уровне используют как исходные данные для моделирования на более высоком уpовне. Для каждого уровня характерны своя теоретическая основа и математический аппарат для синтеза и анализа моделей. На пеpвом уpовне моделиpование производят наиболее детально. Hа основе феноменологической теоpии полупроводников рассматривают физические процессы в полуоворниковой структуpе: дрейф, диффузию, генерацию и рекомбинацию основных и неосновных носителей заряда. Исходными данными являются структурно-технологические параметры (геометрия структуры и распределение концентрации примесей в ней). В pезультате моделирования получают пространственно-временные распpеделения подвижных носителей заряда и электрического потенциала в стpуктуpе.
907. Физические основы полупроводников
Методическое пособие пополнение в коллекции 30.07.2010
908. Физические основы проектирования оборудования микроэлектроники
Реферат пополнение в коллекции 09.12.2008
909. Физические основы электроники
Информация пополнение в коллекции 12.01.2009
1 Основы теории электропроводности полупроводников.......
1. Общие сведения о полупроводниках....................................
2. Полупроводники с собственной проводимостью..............
3. Полупроводники с электронной проводимостью.............
4. Полупроводники с дырочной проводимостью..................
5. Токи в полупроводниках ....................................................
6. Дрейфовый ток...................................................................
7. Диффузионный ток...........................................................
8. Контактные явления...........................................................
9. Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия
10. Прямое включение p-n перехода......................................
11. Обратное включение p-n перехода.................................
12. Теоретическая характеристика p-n перехода...........................
13. Реальная характеристика p-n перехода............................
14. Ёмкости p-n перехода......................................................
15. Разновидности p-n переходов..........................................
16. Гетеропереходы...........................................................
17. Контакт между полупроводниками одного типа проводимости
18. Контакт металла с полупроводником..........................................
19. Омические контакты...................................................................
20. Явления на поверхности полупроводника..............................
910. Формирование временных интервалов в генераторе секундных импульсов
Реферат пополнение в коллекции 09.12.2008

Сначала необходимо провести внешний осмотр ремонтируемого устройства, а затем в зависимости от результатов осмотра следует выполнить мероприятия для ликвидации неисправности, либо перейти к дальнейшему поиску неисправности с помощью измерительных приборов. Если в ходе внешнего осмотра был обнаружен обрыв дорожки на печатной плате, то следует удалить с поверхности дорожки лак, если он есть, а затем пропаять место разрыва, восстановив тем самым контакт. В случае если был найден сгоревший элемент, то его следует выпаять и попытаться установить причину сгорания этого элемента. Это можно сделать, проверив приходящие к элементу сигналы от элементов, через которые проходит сигнал, прежде чем достигнет неисправного элемента. Если сигнал отличается от нормального, то следует установить причину его изменения, проверив режимы работы транзисторов и микросхем, емкости конденсаторов, сопротивления резисторов, на предмет их отличия от номинальных. В случае установления неисправного элемента его следует заменить и если сигнал на выходе будет в норме то можно заменить сгоревший элемент и не беспокоиться о его повторном сгорании из-за той же самой неисправности, в противном случае поиск неисправного элемента необходимо продолжить. Но возможна такая ситуация, когда элемент сгорает из-за перегрузок в сети, повышенного напряжения, но остальные элементы остаются целы, в этом случае необходимо просто заменить сгоревший элемент.
911. Формирование электронных пучков. Магнитные фокусирующие линзы
Реферат пополнение в коллекции 09.12.2008

Электронный поток формируется только за счёт электронов, прошедших через диафрагму диаметром около 1 мм. Таким образом, электроны, вектор начальной скорости которых значительно отклоняется от нормали к поверхности катода, не проходят через диафрагму и в формировании электронного луча не участвуют. Предварительной фокусировке электронного потока способствует небольшой отрицательный потенциал, проводимый к управляющему электроду. Изменение этого потенциала приводит к изменению траектории электронов, и при более отрицательном потенциале электроны, ранее проходившие по периферии диафрагмы, отражаются, а плотность электронного потока уменьшается. Далее по оси трубки располагаются ещё два цилиндра первый и второй аноды. Первый анод А1, находясь под положительным потенциалом в несколько сотен вольт, ускоряет движущийся от катода поток электронов. Ко второму аноду А2 подводится напряжение, достигающее в некоторых электроннолучевых приборах десятков киловольт, и поток электронов покидает второй анод с достаточно высокой скоростью. Кроме ускорения электронов, назначение анодов заключается в формировании узкого электронного пучка фокусировании электронного потока. Вследствие различия потенциалов катода, модулятора, первого и второго анодов в пространстве между ними создаются неоднородные электрические поля - электронные линзы. Конфигурация электродов и их потенциалы подбираются таким образом, что вся система образует две электростатические линзы: первую между модулятором и ускоряющим электродом и вторую между ускоряющим электром и вторым анодом. Проходя через эти линзы, электроны образуют узкий сходящийся у экрана пучок электронный луч. Вся система электродов крепится на траверсах и образует единое устройство, называемое электронной пушкой. Выйдя из электронной пушки, электронный луч попадает в систему отклоняющих пластин, служащую для управления положением луча в пространстве: Х - пластины искривляют электронный луч в горизонтальной плоскости, У - пластины - в вертикальной. На внутреннюю стенку выпуклого торца трубки наносят люминофор- вещество, светящееся при бомбардировке электронами, которое совместно со стеклом купола образуют экран Э. С помощью отклоняющих пластин электронный луч может быть направлен в любую точку экрана. При этом, если положение луча зафисиксировано, с внешней стороны экрана через стекло просматривается светящееся пятно, которое имеет малые размеры и условно может считаться светящейся точкой. Чтобы под действием электронного луча экран не накапливал электростатических зарядов, коэффициент вторичной электронной эмиссии люминофора делают близким к единице ? =1 . Для удаления вторичных электронов на внутреннюю боковую поверхность баллона наносят токопроводящее графитовое покрытие, которое внутри баллона соединяют со вторым анодом.
912. Фотодиод в оптоэлектронике
Реферат пополнение в коллекции 09.12.2008

При экситонном поглощении света имеет место создание связанной пары электрон-дырка, которая является электрически нейтральным образованием. Поэтому поглощение света, связанное с образованием экситонов, первоначально не ведет к возникновению свободных носителей заряда. Однако в реальных кристаллических структурах экситоны имеют значительно большую вероятность диссоциировать безызлучательно (с образованием электронов и дырок), чем рекомбинировать с испусканием кванта света. Таким образом, образование экситонов в конечном итоге ведет к возникновению свободных носителей заряда, а следовательно, и фототока. Экситонное поглощение, характеризующееся узкими полосами поглощения, определяет и узкие полосы фототока. При этом спектр фототока в области экситонного поглощения будет зависеть от состояния поверхности. Состояние поверхности полупроводника можно легко изменить путем воздействия на нее (механическое, химическое и т.д.). Таким образом можно изменить характер наблюдаемого спектра фототока, обусловленного экситонным поглощением.
913. Фоторезисторы
Информация пополнение в коллекции 09.12.2008

ФОТОРЕЗИСТОР (от фото... и резистор), представляет собой непроволочный полупроводниковый резистор , омическое сопротивление которого определяется степенью освещенности . В основе принципа действия фоторезисторов лежит явление фотопроводимости полупроводников. Фотопроводимость- увеличение электрической проводимости полупроводника под действием света. Причина фотопроводимости увеличение концентрации носителей заряда электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне. Светочувствительный слой полупроводникового материала в таких сопротивлениях помещен между двумя токопроводящими электродами. Под воздействием светового потока электрическое сопротивление слоя меняется в несколько раз ( у некоторых типов фотосопротивлений оно уменьшается на два- три порядка ). В зависимости от применяемого слоя полупроводникового материала фотосопротивления подразделяются на сернистосвинцовые, сернистокадмиевые, сернисто-висмутовые и поликристаллические селено- кадмиевые. Фотосопротивления обладают высокой чувствительностью , стабильностью , экономичны и надежны в эксплуатации. В целом ряде случаев они с успехом заменяют вакуумные и газонаполненные фотоэлементы.
914. Фотоэлектрические преобразователи энергии
Информация пополнение в коллекции 09.12.2008

зависит от температуры Т, концентраций дырок или электронов в p- и n-областях заряда электрона е и постоянной Больцмана k. для неосновных носителей EK - движущее поле. Оно обусловливает перемещение дрейфующих электронов из области р в область п, а дырок - из области п в область р. Область п приобретает отрицательный заряд, а область р- положительный, что эквивалентно приложению к р-п переходу внешнего электрического поля с напряженностью EВШ, встречного с EK. Поле с напряженностью EВШ - запирающее для неосновных и движущее для основных носителей. Динамическое равновесие потока носителей через р-п переход переводит к установлению на электродах 1 и 4 разности потенциалов U0 - ЭДС холостого хода ФЭ. Эти явления могут происходить даже при отсутствии освещения р-п перехода. Пусть ФЭ облучается потоком световых квантов (фотонов), которые сталкиваются со связанными (валентными) электронами кристалла с энергетическими уровнями W. Если энергия фотона Wф=hv (v -частота волны света, h - постоянная Планка) больше W, электрон покидает уровень и порождает здесь дырку; р-п переход разделяет пары электрон - дырка, и ЭДС U0 увеличивается. Если подключить сопротивление нагрузки RН, по цепи пойдет ток I, направление которого встречно движению электронов. Перемещение дырок ограничено пределами полупроводников, во внешней цепи их нет. Ток I возрастает с повышением интенсивности светового потока Ф, но не превосходит предельного тока In ФЭ, который получается при переводе всех валентных электронов в свободное состояние: дальнейший рост числа неосновных носителей невозможен. В режиме К3 (RН=0, UН=IRН=0) напряженность поля Евш =0, р-п переход ( напряженность поля ЕК) наиболее интенсивно разделяет пары неосновных носителей и получается наибольший ток фотоэлемента IФ для заданного Ф. Но в режиме К3, как и при холостом ходе (I=0), полезная мощность P=UНI=0, а для 0<UН<U0 и 0<I<IФ будет Р>0.
915. Фотоэлектромагнитный эффект и его применение в устройствах функциональной электроники
Информация пополнение в коллекции 12.01.2009

Если полупроводник освещается излучением с энергией фотона, превышающей ширину запрещенной зоны, то под действием излучения электроны переходят из валентной зоны в зону проводимости, т. е. генерируются электроннодырочные пары. Генерация пар свободных носителей заряда путем внешнего воздействия на полупроводник называется биполярным возбуждением. При меньшей энергии фотона может наблюдаться генерация носителей одного знака как основных, так и неосновных, с примесных центров (монополярное возбуждение). Генерируемые светом избыточные носители вместе с равновесными участвуют в электропроводности, могут диффундировать от одной точки образца к другой. Встречаясь друг с другом или с примесными центрами, избыточные носители могут уничтожаться, рекомбинировать. Поведение избыточных носителей описывается такими параметрами, как время жизни, диффузионная длина, скорость поверхностной рекомбинации и т. д. Эти параметры существенным образом определяют работу таких широко распространенных полупроводниковых приборов, как транзистор, диод, фотоэлемент и др. При этом оказывается, что действие этих приборов обусловлено избыточными неосновными носителями заряда, поэтому измерение параметров неосновных носителей заряда является необходимым этапом в исследовании материалов, предназначенных для изготовления приборов, а также в контроле качества этих материалов в процессе производства. Решить эту важную задачу помогает фотоэлектромагнитный эффект.
916. Характеристика побочного молочного сырья. Способы производства и сущность технологии производства различных видов сметаны
Реферат пополнение в коллекции 07.08.2010
917. Хемотроника
Информация пополнение в коллекции 09.12.2008

Принцип работы электрохимического управляемого сопротивления (этот прибор иногда называют мимистором, рис. 1) основан на изменении сопротивления проводника в результате катодного осаждения на него металла или анодного растворения. Мимистор, работающий с использованием медного электролита, состоит из стеклянного корпуса 4, заполненного электролитом 1 (обычно CuSO4 + H2SO4 + этанол). На одной из стенок герметично закрытой ванны нанесена электропроводящая подложка 6, имеющая выводы 7 и 5, расположенные вне гальванической ванны. Электролит омывает электрод 2 с выводом 3. Входные сигналы подаются на электропроводящую подложку 6 и электрод 2. В зависимости от полярности входных сигналов на подложке 6 медь будет или гальванически осаждаться, или анодно растворяться. Тем самым будет изменяться электрическое сопротивление медной пленки, находящейся на подложке 6. Воспроизведение величины изменяющегося сопротивления обычно производят с помощью мостовых измерительных схем. Приборы подобного типа имеют диапазон изменения сопротивления 0...1000 Ом, диапазон токов управления 0,05...1 мА, потребляемую мощность управления 10-3...10-6 Вт, объем 0,2...0,4 см3, массу - несколько граммов. Они могут работать при температурах - 15...+ 100 С, устойчивы к ударным нагрузкам и вибрации. Все эти качества мимисторов делают их весьма перспективными приборами для использования в автоматике, вычислительной и измерительной технике. Они находят применение для создания реле времени, счетчиков импульсов, интегрирующих устройств, самонастраивающихся систем автоматики и т. п.
918. Химический состав и огнеупорность шамотных изделий
Информация пополнение в коллекции 28.06.2010
919. ЦАП и АЦП - цифро-аналоговые и аналогово-цифровые преобразователи
Методическое пособие пополнение в коллекции 09.12.2008
920. Цветная стереотелевизионная камера
Информация пополнение в коллекции 09.12.2008
1. Стереотелевидение (черно-белое и цветное). Под ред. П.В. Шмакова. М: Связь, 1968.
2. Колин К.Т., Аксентов Ю.В., Колпенская Е.Ю. Телевидение. Издание 2-е, дополненное и переработанное. М: Связь, 1972.
3. Домбругов Р.М. Телевидение. Киев: Высшая школа, 1988.
4. Г.Б. Богатов. Цветное телевидение. Л: Наука, 1978.
5. Копылов П.М., Тачков А.Н. Телевидение и голография. М: Связь, 1976.
6. Световой спектр и коррелятор структуры изображения. Быковский Ю., Любченко А., Макрилов А. и др. М: изд-во МИФИ, 1993.
7. Electronic Imaging //1992 август вып. 2 N3. (США).
8. Проблемы развития безотходных производств Б.Н.Ласкорин, Б.В.Громов, А.П. Цыганков, В.Н. Сенин. М.: Стройиздат 1985.
9. Кафаров В.В. Принципы создания безотходных химических производств М.: Химия 1984.
10. Логические ИС КР1533, КР1554. Справочник, ч.2. ТОО «Бином», 1993.
11. Альбац М.Е. Справочник по расчету фильтров и линий задержки. М.: государственное энергетическое издательство «Ленинград», 1963.
12. В.А. Федоренко, А.И. Шошин. Справочник по машиностроительному черчению. Л.: «Машиностроение», 1981.
13. В.Л. Шило. Популярные цифровые микросхемы. М.: «Радио и связь», 1987.
14. Аналоги отечественных и зарубежных транзисторов. Справочник. В.М. Петухов. М.: «Кубк-а», 1997.
15. Телевидение / Под ред. В.Е. Джаконии. М.: «Радио и связь», 1986.
16. Петропавловский В.А. и др. Телевизионные передающие камеры. М.: «Радио и связь», 1988.
17. Васильев А.В., Кноль А.И., Соколова Н.Д. Экономическое обоснование научно-технических проектов. Учебное пособие. СПб: ГЭТУ, 1995.
18. Харкевич А.А. Правила устройства электроустановок. М.: 1988.
19. Надежность технических систем. /Под ред. И.А. Ушакова. М.: «Радио и связь», 1985.
20. Методические указания по выполнению основных учебных документов. Учебное пособие в двух частях. /Под ред. В.И. Тимохина. Л.: ЛЭТИ, 1981.

Blog

Радиоэлектроника