Радиоэлектроника

801. Технические средства транспорта
Реферат пополнение в коллекции 22.06.2010
802. Техническое обслуживание и ремонт сушильного барабана в условиях литейного цеха ОАО "Запорожсталь"
Реферат пополнение в коллекции 05.06.2010
803. Техническое обслуживание и эксплуатация электрического и электромеханического оборудования
Реферат пополнение в коллекции 09.12.2008

При внешнем осмотре проверяют: завершение всех монтажных работ; соответствие установленных аппаратов и приборов току нагрузки защищаемого электроприемника и условиям его работы; соответствие напряжении обмоток реле и катушек аппаратов напряжению сети; исправность тепловых элементов реле и соответствие их току защищаемого двигателя; отсутствие вблизи реле теплового дополнительных источников нагрева; отсутствие механических повреждений; правильность установки аппаратов и надежность их крепления; состояние всех контактов аппаратов, отсутствие пыли, грязи, ржавчины, особенно в местах прилегания якоря и сердечника магнитопровода; целость заземляющей проводки от аппаратов до мест присоединения к общей сети заземления (зануления); отсутствие прокладок, подвязок, ограничивающих ход подвижных деталей аппаратов при транспортировке; отсутствие перекосов контактов и подвижных механических частей, их свободный ход; наличие и исправность возвратных пружин подвижных систем; наличие растворов и провалов у глазных контактов и блок-контактов (см. п. 2.9.9). Величины растворов и провалов должны соответствовать прикладываемой к аппарату инструкции.
804. Технологическая подготовка машиностроительного производства
Информация пополнение в коллекции 21.07.2010
805. Технологические измерения и приборы
Реферат пополнение в коллекции 13.09.2010
806. Технологические основы сварки плавлением и давлением
Реферат пополнение в коллекции 21.09.2010
807. Технологические процессы в машиностроении
Реферат пополнение в коллекции 02.08.2010
808. Технологический процесс изготовления микромодуля этажерочного типа применительно к серийному производству
Реферат пополнение в коллекции 23.08.2010
809. Технологический расчёт
Реферат пополнение в коллекции 14.05.2010
810. Технологическое оборудование для перерабатывающих отраслей АПК
Реферат пополнение в коллекции 25.07.2010
811. Технологическое проектирование АТП
Реферат пополнение в коллекции 18.04.2010
812. Технология аэродинамической трубы для болидов Формулы 1
Информация пополнение в коллекции 31.07.2010
813. Технология и автоматизация производства РЭА
Методическое пособие пополнение в коллекции 09.12.2008
814. Технология и эксплуатация САПР
Информация пополнение в коллекции 12.01.2009
1. Введение кpиволинейной системы кооpдинат.
  Основной и взаимный (неголономный) базисы.
2. Фундаментальные матpицы. Жонглиpование индексами.
3. Экстенсивы и алгебpаические действия с ними.
4. Символы Кpистоффеля пеpвого и втоpого pода.
5. Символы и тензоpы Леви Чивиты, их свойства.
6. Внешние фоpмы и внешнее диффеpенциpование.
  Фоpмула Стокса.
7. Фоpмула Гамильтона - Кели.
8. Тензоp втоpого pанга. Опеpатоp. Инваpианты.
  Повеpхность Коши.
9. Изотpопная тензоpная функция.
10. Подвижный pепеp. Скоpость, ускоpение.
11. Фоpмула Ривальса.
12. Повоpот твёpдого тела на конечный угол.
13. Углы Эйлеpа.
14. Гpуппа симметpии тензоpа.
15. Число независимых компонент тензоpа, инваpиантного относительно некотоpой конечной гpуппы.
16. Линейные тензоpные функции.
17. Нелинейные тензоpные функции.
18. Тpансвеpсально изотpопные тензоpные функции.
19. Физические компоненты.
20. Изотpопная тензоpная функция в R2.
21. Пpостpанство аффинной связности.
22. Риманово пpостpанство Vn.
23. Паpаллельное пеpенесение в Vn.
24. Тензоp кpивизны Римана.
815. Технология композиционных материалов
Реферат пополнение в коллекции 10.09.2010
816. Технология конструкционных материалов
Методическое пособие пополнение в коллекции 24.07.2010
817. Технология получения монокристаллического Si
Информация пополнение в коллекции 09.12.2008
Полупроводниковая технология3Кремний
- кристаллическая решетка кремния4
- дефекты реальных кристаллов кремния4Этапы производства кремния9Получение технического кремния10Получения трихлорсилана (ТХС)11Очистка ТХС13Другие методы получения газовых соединений Si15Восстановление очищенного трихлорсилана16Получение поликристаллических кремния из моносилана SiH418Производство монокристаллов кремния20
- Метод Чохральского20
- Бестигельной зонной плавки (БЗП)26Литература30Полупроводниковая технология начала свое становление с 1946 года, когда Бардин и Шокли изобрели биполярный транзистор. На первом этапе развития микроэлектронного производства в качестве исходного материала использовался германий. В настоящее время 98 % от общего числа интегральных схем изготавливаются на основе кремния.
- Si p-n переходы обладают низкими токами утечки, что определяет более высокие пробивные напряжения кремниевых выпрямителей;
- у кремния более высокая, чем у Ge область рабочих температур (до 150 и 70 градусов Цельсия соответственно);
- кремний является технологически удобным материалом: его легко обрабатывать, на нем легко получать диэлектрические пленки SiO2, которые затем успешно используются в технологических циклах;
- кремниевая технология является менее затратной. Получение химически чистого Si в 10 раз дешевле, чем Ge.
- большое содержание кремния в виде минералов в земной коре (25 % от ее массы);
- простота его добычи (содержится в обычном речном песке) и переработки;
- существование "родного" не растворимого в воде окисного слоя SiO2 хорошего качества;
- большая, чем у германия ширина запрещенной зоны (Eg = 1.12 эВ и Eg = 0.66 эВ соответственно).
Кремний
818. Технология производства полимерных материалов
Реферат пополнение в коллекции 23.04.2010
819. Технология производства сливочного масла
Реферат пополнение в коллекции 07.08.2010
820. Технология соединения деталей радиоэлектронной аппаратуры
Доклад пополнение в коллекции 09.12.2008

Blog

Радиоэлектроника