Радиоэлектроника

681. Ремонт и наладка силового электрооборудования токарно-винторезного станка 163 модели
Информация пополнение в коллекции 12.01.2009

Раздел 1. Графическая часть Принципиальная электрическая схема токарно-винторезного станка 163 модели.Раздел 2. Пояснительная запискаЗадание. І Введение. 1. История и перспективы развития электроприборостроения. ІІ Основная часть. 1. Назначение и краткая характеристика электрооборудования станка. 2. Принципиальная схема станка и порядок ее работы. 3. Назначение и устройство силового электрооборудования станка. 4. Основные неисправности, обслуживание и ремонт силового элек-трооборудования станка. ІІІ Расчетная часть. 1. Расчет двигателя. 2. Расчет трансформатора. IV Специальная часть. 1. Комбинированный прибор 43208-У.V Заключительная часть. 1. Охрана труда и техника безопасности. VI Список используемой литературы. VII Спецификация.
682. Ремонт и обслуживание СВЧ печей
Реферат пополнение в коллекции 09.12.2008
При необходимости замены полупроводниковых проборов и микросхем нужно придерживаться следующих правил:
1. Установка и крепление ПП должны производиться с сохранением герметичности корпуса прибора. Чтобы предотвратить появление в них трещин, изгиб выводов рекомендуется производить на расстоянии не менее 10 мм от корпуса прибора. Для этого необходимо плоскогубцами жестко фиксировать выводы между местом изгиба и стеклянным изолятором.
2. Замена ПП приборов, микросхем и микросборок производится только при отключенном питании проигрывателя. При демонтаже транзисторов из схемы сначала выпаивается коллекторная цепь. Базовые выводы транзистора необходимо подключать первыми и отключать последними. Нельзя подавать напряжение на транзистор, базовый вывод которого отключен.
3. Пайка выводов ПП приборов производится на расстоянии не менее 10 мм от корпуса прибора. Между корпусом и местом пайки следует применять теплоотвод.
4. Паяльник должен быть небольшого размера, мощностью не более 40 Вт, с питанием от источника напряжения 12-42 В. Температура жала паяльника не должна превышать 190º C. В качестве припоя необходимо применять сплав с низкой температурой плавления (ПОСК-50-18, ПОСВ-33). Время пайки каждого вывода не более 3 с. Интервал между пайками соседних выводов микросхем не менее 10 с. Жало паяльника необходимо заземлить.
5. При установке транзисторов и микросхем на радиаторы контактные поверхности должны быть чистыми, без шероховатостей, мешающих их плотному прилеганию. Контактные поверхности необходимо смазать теплопроводящей пастой КПТ-8.
6. При эксплуатации микросхем и транзисторов необходимо строго соблюдать полярности питающих напряжений.
683. Ремонт и регулировка TV
Информация пополнение в коллекции 12.01.2009

Чтобы труд стал высокопроизводительным, малоутомительным, необходимо, чтобы техника и окружающая обстановка удовлетворяли эстетическим вкусам работающих. При внедрении требований эстетики в производство приходится проводить реконструкцию машин, инструмента, оснастки рабочего места, связанную с совершенствованием отдельных их элементов. Многое можно сделать с помощью такого доступного средства как цвет. Установлено, что цвета могут воздействовать на человека по разному, один успокаивает, а другой раздражает. Из практики известно, что наиболее благоприятный цветовой климат создается при окраске металорежущих станков в светло-зеленый цвет, термического оборудования в светло-серый, гальванического оборудования в зелено-голубой и т.д. На создаваемом предприятии система отопления будет выкрашена в светло-зеленый цвет, стены в светлые тона. Не менее важный показатель производственной среды-нормальный психологический климат в коллективах, от которого зависит эмоциональное состояние работающих, что является одним из важных факторов оптимальных условий труда, а следовательно, и условий для повышения его производительности. Все эти показатели влияют на количество произведенной продукции ее качество и здоровье рабочих. Рабочее место должно обеспечивать возможность удобного выполнения работ в положении сидя или стоя или в положениях сидя, и стоя и соответствовать требованиям ГОСТ 12.2.032-78 при работе сидя и ГОСТ 12.2.033-78 при работе стоя. При выборе положения работающего необходимо учитывать физическую тяжесть работ, размеры рабочей зоны и необходимость передвижения в ней работающего в процессе выполнения работ. Для создания комфортных и высокопроизводительных условий труда на рабочем месте имеет большое значение и вспомогательное оборудование, организационно-техническая оснастка, поэтому они будут соответствовать эргономическим требованиям. Важным моментом в организации рабочего места является также определение занимаемой им производственной площади. Необходимость в этом диктуется тем, чтобы, во-первых, эта площадь позволяла удобно с наименьшей затратой энергии, безопасно и производительно вести трудовой процесс, т.е. соответсвовала нормам технологического проектирования, и, во-вторых, чтобы эта площадь по величине была не менее 4,5 м2 на одного работающего. Не менее важным вопросом в организации рабочего места является вопрос организации его обслуживания, так как от этого зависит не только производительность труда, но и режим труда и отдыха работающих, ритмичность производства.
684. Ремонт и регулировка разверток телевизора Sony
Дипломная работа пополнение в коллекции 05.09.2010
685. Ремонт и регулировка СМРК-2
Реферат пополнение в коллекции 09.12.2008

НеисправностьДополнительный признакВозможная причинаСпособ отыскания неисправностиНет изображения и звука на всех тв каналахШумы на экране и треск в динамической головке при касании отверткой входа ПЧ контакта 20 соединителя Х1 (А1.3) не появляютсяНеисправен субмодуля радиоканала СМРК-2Проверить неисправность цепи ПЧ сигнала от контактов 20 соединителя Х1 (А1) до выводов 1 и 16 ИС D2 (А1.3). Проверить режимы и исправность транзисторов VT1-VT3, исправность конденсаторов С1,С3-С5, С7,С8,С11 субмодуля СМРК-2, а также исправность фильтра D1 и ИС D2Нет изображения, растр и звук имеютсяПри касании металлической отверткой контакта 1 соединителя Х6 (А2) наблюдаются помехи на растреНеисправен РЭ между выводами 12 ИС D2(А1.3) и контактом 1 соединителя Х6 (А2)Проверить исправность резистора R33, дросселя L3, транзистора VT4, переменного резистора R41 и контактов соединителя Х1 (А1.1) и перемычки Х2N1Есть изобра-жение, нет звукаПри касании лезвием металлической отвертки контакта 3 соединителя Х9 (А9) слышен фонНеисправна микросборка D3 или РЭ в субмодуле СМРК-2 (А1.3), неисп-равен регуля-тор громкост.Проверить цепи регулировки громкости по изменению постоянного напряжения на выводе 7 микросборки D3 (А1.3) при перемещении движка регулятора громкости в БУ. Проверить исправность микросборки D3, после чего решить вопрос о ее заменеЧеткость изображения при выклю-чении системы АПЧГ более высокая, чем в режиме авто-подстройкиРасстроен контур системы АПЧГ в субмодуле радиоканала СМРК (А1.3)Осторожным поворотом сердечника опорного контура системы АПЧГ (L2C25) в СМРК-2 установить сердечник в положении соответствующее отсутствию искажений и наибольшей четкости по изображению УЭИТ или ТИТ-0249
686. Ремонт обуви
Информация пополнение в коллекции 12.07.2010
687. Ремонт, наладка, защитной аппаратуры токарно-винторезного станка 163 модели
Информация пополнение в коллекции 12.01.2009

Розділ 1. Графічна частинаПринципова електрична схема токарно-гвинторізноговерстата 163 моделі.Розділ 2. Пояснююча запискаЗавдання. І Вступ. 1. Історія та перспективи розвит-ку електроенергетики на Україні. 2. Призначення та коротка характеристика елек-трообладнання станка. ІІ Основна частина. 1. Принципова електросхема верста- та та її робота. 2. Призначення, будова, можливі несправності та ремонт апара-тури керування та захисту. 3. Періодичність та обєм, технічні огляди, ремонт електрообладнання. ІІІ Розрахункова частина. 1. Розрахунок проводів, підводя-ться до електрообладнання по допустимому струму та падінню напруги. 2. Вибірапаратури керування та захисту. 3. Розрахунок котушки контактору. V Заключна частина. 1. Основні правила техніки безпеки при обслуговуванні електрооблад-нання верстата. 2. Список використаної літератури. VI Специфікація.
688. Репрограммируемые ПЗУ
Информация пополнение в коллекции 09.12.2008

В этом состоянии передаточная характеристика МНОП-транзистора занимает положение с более высоким порогом отпирания. Процесс программирования микросхем ЭСППЗУ происходит в два этапа. На первом этапе стирают информацию во всех МНОП - элементах памяти. Для этого импульсом напряжения отрицательной полярности, прикладываемым на затвор относительно подложки, с амплитудой 30 ... 40 В электроны вытесняются из подзатворного диэлектрика в подложку. Следовательно, при стирании информации элемент памяти получает состояние лог. 0. На втором этапе производят выборочную запись в нужные ЭП лог. 1 импульсом напряжения положительной полярности, подаваемым на затвор относительно подложки. На практике режимы стирания и записи осуществляют напряжением одной полярности: отрицательной для рМНОП - элементов и положительной для nМНОП - элементов памяти. Эта возможность основана на использовании явления лавинной инжекции электронов под затвор, которая происходит при соединении затвора с подложкой и подаче на сток и исток импульса напряжения относительно подложки и затвора такой полярности, чтобы переходы между подложкой и стоком, истоком оказались под обратным смещением. Амплитуда импульса должна быть достаточной для возникновения в переходах электрического пробоя. Типичные значения напряжения программирования лежат в пределах 20... 30 В. В результате электрического пробоя переходов в них происходит лавинное размножение носителей заряда и инжекция части этих носителей, обладающих достаточной кинетической энергией, на границу между слоями подзатворного диэлектрика. При считывании на затвор подают напряжение Uсч, значение которого лежит между двумя пороговыми уровнями. Если в МНОП-транзистор записана единица, то он откроется, а при нуле останется в закрытом состоянии. В зависимости от этого, как видно из рис. 2, г, в разрядной шине либо будет протекать ток на выход, либо нет. Усилитель считывания трансформирует состояние шины в сигнал с уровнем лог. 0 или лог. 1 на выходе микросхемы. Микросхемы с элементами памяти на рМНОП-транзисторах имеют сравнительно низкое быстродействие, высокое напряжение программирования 30 ... ... 40 В и требуют двух источников питания. Для улучшения характеристик микросхем ЭСППЗУ широко применяют технологию n-канальных МНОП-структур. Такие элементы памяти устроены аналогично рассмотренным, но имеют обратный тип проводимости подложки, стока и истока. Микросхемы на nМНОП-транзисторах обладают втрое превосходящим быстродействием, сниженным до 21 ...25 В напряжением программирования и работают от одного источника питания. Элемент памяти на транзисторе ЛИЗМОП с двойным затвором показан на рис. 2. Он представляет собой n - канальный МОП-транзистор, у которого в подзатворном однородном диэлектрике окисла кремния сформирована изолированная проводящая область из металла или поликрнсталлического кремния. Этот затвор получил название «плавающий», поскольку при наведении на нем электрического заряда его потенциал может изменяться в широких пределах, т. е. быть «плавающим». В режиме программирования на управляющий затвор, исток и сток подают импульс напряжения программирования положительной полярности с амплитудой 21 ...25 В. В обратносмещенных переходах стокподложка и исток подложка возникает процесс лавинного размножения носителей заряда и часть электронов инжектирует на плавающий затвор. В результате накопления на нем отрицательного заряда передаточная характеристика транзистора смещается вправо, т. е. в область более высокого порогового напряжения, что соответствует записи в элемент памяти лог. 0. Стирание записанной информации осуществляют вытеснением заряда с плавающего затвора. Эту процедуру выполняют дзумя способами; в микросхемах ЭСППЗУ импульсом напряжения на управляющем затворе положительной полярности, а в микросхемах СППЗУ с помощью УФ излучения, под воздействием которого в результате усиления теплового движения электроны рассасываются с плавающего затвора, перемещаясь в подложку. Состояние ЛИЗМОП-элемента памяти без заряда на плавающем затворе соответствует лог. 1.
689. Риформинг как способ получения бензинов с улучшенными характеристиками
Информация пополнение в коллекции 07.09.2010
690. Рождение телевидения
Информация пополнение в коллекции 09.12.2008
1. Резников М.Р. Радио и телевидение вчера, сегодня, завтра.- М.:Связь,1977.-95с.
2. Джигит И.С. История развития и достижения советского телевидения.// Радиотехника.- 1947.- №9.- С.39-43.
3. Шамшин В.А. Телевидение.// Электросвязь.- 1975. - №9.- С.1.
4. Талызин Н.В. Связь, телевидение, радиовещание.// Радио.- 1976.- №3.- С.1-3.
5. Горохов П.К. Б.Л.Розинг - основоположник электронного телевидения.- М.:Наука,1964.- 120с.
6. Бурлянд В.А., Володарская В.Е., Яроцкий А.В. Советская радиотехника и электросвязь в датах.- М.:Связь, 1975.- 191с.
7. Добровольский Е.Е. Основные направления научно-технического прогресса радиосвязи, радиовещания и телевидения.- М.:Связь, 1974.- 56с.
691. Розрахунки й оптимізація характеристик систем електрозв’язку. (Расчёты и оптимизация характеристик с...
Реферат пополнение в коллекции 09.12.2008

З малюнка 8 видно , що ефективність реальних систем істотно нище границі Шеннона. Характер обміну між та залежить від виду модуляції (сигналу) та коду. Завадостійкість АМ відносно низька і ймовірність передачі може бути підвищена лише підвищенням потужності сигналу. Межа завадостійкості виражена слабо. В системах ЧМ висока завадостійкість може бути досягнута збільшенням ширини спектру сигналу, тобто за рахунок частотного залишку. В системі ЧМ різко виражений поріг завадостійкості. Поріг в системі ЧМ при звичайному способі прийому наступає приблизно при рівності пікових значень сигналу та завади, що значно вище теоретичного. Це означає, що при великому рівні завад реальна завадостійкість одержувача ЧМ значно нище потенційної. Відповідно зявляється можливість вдосконалення схеми одержувача знизити поріг завадостійкості і тим самим збільшити дальність звязку при тій самій потужності передавача. Ця задача особливо актуальна для супутникових та космічних систем звязку. Для зниження порогу при ЧМ використовують різні схеми слідкуючих демодуляторів в тому числі схему зі зворотнім звязком по частоті, синхронно-фазовий демодулятор та демодулятор із слідкуючим фільтром. Мінімальний (допустимий) поріг завадостійкості досягається в схемі оптимального демодулятора. Ефективність системи ЧМ значно підвищується за рахунок коректуючих кодів. Використання коректуючих кодів дає можливість підвищення вірності передачі повідомлення або при заданій вірності підвищити енергетичну ефективність системи. При досконалій елементній базі затрати на реалізації кодуючи та декодуючих пристроїв значно скоротилися, тим часом коли вартість енергетики каналу практично не змінилась. Таким чином “ціна” енергетичного виграшу за рахунок кодування може бути значно менше “ціни” того ж виграшу, отриманого за рахунок збільшення енергетики каналу (потужності сигналу або розмірів антен).
692. Розрахунки й оптимізація характеристик систем електрозв’язку. (Расчёты и оптимизация характеристик систем электросвязи)
Информация пополнение в коллекции 12.01.2009

З малюнка 8 видно , що ефективність реальних систем істотно нище границі Шеннона. Характер обміну між та залежить від виду модуляції (сигналу) та коду. Завадостійкість АМ відносно низька і ймовірність передачі може бути підвищена лише підвищенням потужності сигналу. Межа завадостійкості виражена слабо. В системах ЧМ висока завадостійкість може бути досягнута збільшенням ширини спектру сигналу, тобто за рахунок частотного залишку. В системі ЧМ різко виражений поріг завадостійкості. Поріг в системі ЧМ при звичайному способі прийому наступає приблизно при рівності пікових значень сигналу та завади, що значно вище теоретичного. Це означає, що при великому рівні завад реальна завадостійкість одержувача ЧМ значно нище потенційної. Відповідно зявляється можливість вдосконалення схеми одержувача знизити поріг завадостійкості і тим самим збільшити дальність звязку при тій самій потужності передавача. Ця задача особливо актуальна для супутникових та космічних систем звязку. Для зниження порогу при ЧМ використовують різні схеми слідкуючих демодуляторів в тому числі схему зі зворотнім звязком по частоті, синхронно-фазовий демодулятор та демодулятор із слідкуючим фільтром. Мінімальний (допустимий) поріг завадостійкості досягається в схемі оптимального демодулятора. Ефективність системи ЧМ значно підвищується за рахунок коректуючих кодів. Використання коректуючих кодів дає можливість підвищення вірності передачі повідомлення або при заданій вірності підвищити енергетичну ефективність системи. При досконалій елементній базі затрати на реалізації кодуючи та декодуючих пристроїв значно скоротилися, тим часом коли вартість енергетики каналу практично не змінилась. Таким чином “ціна” енергетичного виграшу за рахунок кодування може бути значно менше “ціни” того ж виграшу, отриманого за рахунок збільшення енергетики каналу (потужності сигналу або розмірів антен).
693. Розрахунок вихідного двотактного трансформаторного підсилювача потужності в режимі роботи класу А аб...
Реферат пополнение в коллекции 09.12.2008
1. Вибір типу транзисторів та схеми їх включення.
2. Визначення найбільшої потужності, яка виділяється в транзисторі.
3. Розрахунок режимів роботи транзисторів по постійному і змінному струму.
4. Визначення напруги джерела живлення підсилювача
5. 5.Визначення потужності сигналу, яка віддається транзисторами у вибраному режимі їх роботи.
6. Визначення коефіцієнта підсилення плеча каскаду по напрузі і потужності.
7. Розрахунок коефіцієнта нелінійних спотворень вхідного сигналу.
8. Визначення номінальних значень елементів схеми підсилювача і вибір 'їх типу.
9. Електричний розрахунок трансформатора у вихідному колі підсилювача.
694. Розробка мікропроцесорного пристрою системи автоматичного регулювання
Информация пополнение в коллекции 12.01.2009
695. Розробка підсилювача
Информация пополнение в коллекции 12.01.2009

По типу підсилювальних елементів підсилювачі діляться на транзисторні, лампові, параметричні, магнітні, квантові та інші. Найбільш універсальними і широко використовуваними є транзисторні підсилювачі. По потужності підсилювальних сигналів розрізняють каскади підсилювання слабких і сильних коливань. В підсилювачах слабких сигналів амплітуда коливань займає малу ділянку вольт-амперної характеристики підсилювального елементу. Тому такі підсилювачі є лінійними. В підсилювачах сильних сигналів використовуєтся більша частина характеристики підсилювального елементу, часто з відсічкою струму. Потужність в такому режимі близька до максимальної, і тому такі підсилювачі називаються підсилювачами потужності.
696. Розробка управляючого і операційног вузлів ЕОМ
Информация пополнение в коллекции 12.01.2009
697. Рубиновый оптический квантовый генератор
Информация пополнение в коллекции 09.12.2008

На угловую расходимость и деформацию волнового фронта наибольшее влияние оказывают механические напряжения и неравномерность концентрации хрома по сечению. Существующая в настоящее время технология выращивания рубинов не обеспечивает равномерное распределение хрома в поперечном сечении образца. Центральная часть образца имеет меньшую концентрацию хрома и, следовательно, меньший, чем на периферии образца, коэффициент преломления п. Кроме того, может иметь место скачкообразное изменение показателя преломления на границах некоторых участков кристалла. В результате роста в кристалле возникают и внутренние деформации. Все это приводит к тому, что образец со взаимно параллельными торцами в оптическом отношении эквивалентен рассеивающей линзе. Плоская волна, проходя через активную среду, из-за радиального изменения показателя преломления, вызываемого деформациями и неоднородностью концентраций хрома, в значительной степени искажается. Это приводит к повышенной расходимости лазерного луча и неоднородному распределению энергии в нем. В результате исследований показано, в частности, что внутренние механические деформации образца оказывают наиболее сильное влияние на угловую расходимость луча, распределение интенсивности излучения и селекцию мод. Распределение и величина напряжений в кристаллах определяются измерением положений интерференционных полос в картинах двойного лучепреломления, которые определяются изменением оптической длины пути для обыкновенного и необыкновенного пучков зависимостью:
698. Самолётная радиолокационная станция ЦД-ЗОТ
Информация пополнение в коллекции 09.12.2008

Усиленные опорные напряжения отрицательной полярности подаются на катоды каскадов совпадения 36П2, 36П4, 36П10, 36Ш2 (правые половины), открывая их. На управляющие сетки ламп каскадов совпадения подаются импульсы частоты повторения. Первый из прошедших через каскады совпадения импульс производит запуск мультивибраторов 36ЛЗ, 36П5, 36Л11, 36Л13. Импульсы положительной, полярности и длительностью 700 мксек с анодов мультивибраторов подаются на управляющие сетки вторых каскадов совпадения 36Л6, 36Л14 (обе сетки), на эти же лампы с линии задержки 36ЛЗ-1 подаются импульсы, задержанные относительно импульсов частоты повторения на 2,3,4 и 5мксек. При совпадении импульсов, поступающих с линии задержки с импульсами мультивибраторов, происходит запуск блокинг-генератора 36Л7 (левая половина). С третьей обмотки импульсного Трансформатора импульсы положительной полярности поступают на управляющую сетку смесителя, на другую управляющую сетку поступают не задержанные импульсы частоты повторения.
699. Сборка полупроводниковых приборов и интегральных микросхем
Реферат пополнение в коллекции 09.12.2008

На линии сборки используют трансферные ленты. Сборка и транспортировка осуществляются на коваровой ленте, которую на участках Л и Б подвергают фотолитографии для получения выводов 2 (рис. 10, а). На участках В, Г и Д на базе ленты с выводными рамками изготавливают корпуса приборов с золочеными выводами. Отрезки ленты с корпусами поступают на сборку. Лента 2, сматываясь с катушки 1, подвергается промывке и обезжириванию в ванне 3 и нанесению фоторезиста в ванне 4, экспонированию в установке 5 с помощью ультрафиолетовой лампы 7. Роль маски в установке выполняет непрерывно движущаяся синхронно с лентой 2 лента 6. Затем ленты промывают в ваннах 8 и 9. Выводы рамки 2 (рис. 10, а) и перфорационные отверстия вытравливают в ванне 10. Слой фоторезиста удаляют в ванне 11, и на выходе ленту сушат. Полученные перфорационные отверстия используют для натяжения и перемещения ленты с помощью звездочки 12. В установке 13 на коваровую ленту с выводами приклеивают с двух сторон трансферную ленту со слоем припоечного стекла. Полученная система обжигается, адгезивный слой выгорает, а стекло спаивается с металлом основной ленты (рис. 10, б). Охлаждение до комнатной температуры производят в камере 14. С помощью устройства 15 на стеклянные слои приклеивают маскирующие ленты с окнами, через которые в ванне 16 осуществляют вытравливание полостей до обнаружения внутренних выводов (рис. 10, е).
700. Сверхбольшие интегральные схемы
Реферат пополнение в коллекции 09.12.2008

Отечественным производителям электронной техники трудно конкурировать с зарубежными фирмами в области массового производства товаров широкого потребления. Однако в области разработки и создания сложной наукоемкой продукции в России сохранились условия, кадры, научный потенциал. Большое число предприятий и учреждений способно разрабатывать уникальные электронные устройства. Высокотехнологичным "сырьем" для таких разработок в области цифровой электроники служат легко доступные на отечественном рынке электронные компоненты: микропроцессоры, контроллеры, СБИС памяти и др. - все, что позволяет решать задачи специальной обработки сигналов и вычислений программным путем (со свойственными программной реализации достоинствами и недостатками). Микропроцессорная техника давно и прочно укоренилась в отечественных разработках. Однако в последние годы появилась новая элементная база - СБИС программируемой логики (programmable logic device - PLD), которая, удачно дополняя и заменяя микропроцессорные средства, в ближайшие годы станет "настольным материалом" для разработчиков. СБИС ПЛ оказываются вне конкуренции в областях, где требуется создание высокопроизводительных специализированных устройств, ориентированных на аппаратную реализацию. Аппаратное решение задач обеспечивает распараллеливание процесса обработки и увеличивает производительность в десятки раз по сравнению с программным решением, а использование СБИС ПЛ, в отличие от специализированных СБИС, обеспечивает такую же гибкость реализации, как у любых программных решений. В последние годы динамика развития и производства СБИС ПЛ. уступает только микросхемам памяти и превышает 50% в год.

Blog

Радиоэлектроника