Радиоэлектроника

821. Типы современных ТЭС
Информация пополнение в коллекции 18.04.2010
822. Тиристорные устройства для питания автоматических телефонных станций
Информация пополнение в коллекции 12.01.2009

Если увеличивать напряжение источника питания, ток тиристора увеличивается незначительно, пока это напряжение не приблизится к некоторому критическому значению, равному напряжению 1 включения ивкл. При напряжении ивкл в динисторе создаются условия для лавинного размножения носителей заряда в области коллекторного перехода. Происходит обратимый электрический пробой коллекторного перехода (участок 2 на рис. 3.3,б). В n-области коллекторного перехода образуется избыточная концентрация электронов, а в p-области - избыточная концентрация дырок. С увеличением этих концентраций снижаются потенциальные барьеры всех переходов динистора. Возрастает инжекция носителей через эмиттерные переходы. Процесс носит лавинообразный характер и сопровождается переключением коллекторного перехода в открытое состояние. Рост тока происходит одновременно с уменьшением сопротивлений всех областей прибора. Поэтому увеличение тока через прибор сопровождается уменьшением напряжения между анодом и катодом. На ВАХ этот участок обозначен цифрой 3. Здесь прибор обладает отрицательным дифференциальным сопротивлением. Напряжение на резисторе возрастает и происходит переключение динистора.
823. Тиристорный преобразователь переменного напряжения в постоянное напряжение
Реферат пополнение в коллекции 30.09.2010
824. Тиристоры
Информация пополнение в коллекции 12.01.2009

Тринистор VS4 служит для того, чтобы исключить возможность открыть замок подбором кода. Контакты кнопок, не использованных в коде, соединены между собой и подключены к управляющему электроду тринистора VS4. Если при попытке подобрать код будет нажата любая из этих кнопок, то тринистор VS4 откроется и замкнет цепь управления тринисторов VS1-VS3, и тогда ни один из них уже невозможно будет включить. Сопротивление резистора R6 рассчитывается по формуле Uпит/R6>Iуд поэтому тринистор VS4 после отключения остается в проводящем состоянии. Такой же результат будет и при одновременном нажатии всех кнопок, так как тринистор VS4 откроется раньше, чем три последовательно соединенных тринистора VS1-VS3. Полезно обратить внимание на то, что этому обстоятельству способствует также и большее значение управляющего тока прибора VS4 по сравнению с тринисторами VS1-VS3. Чтобы устройство возвратить в исходное состояние после включения тринистора VS4, следует нажать кнопку S10 «Вызов», контакты которой разрывают цепь питания тринистора VS4, и последний закрывается. Одновременно замыкающие контакты этой кнопки включают звонок HA1 звуковой сигнализации. Кстати, этой кнопкой можно пользоваться просто как кнопкой звонка, если ход замка не известен.
825. Тиристоры и некоторые другие ключевые приборы
Информация пополнение в коллекции 09.12.2008

Тринистор. Снабдим одну из баз динистора, например п1, внешним выводом и используем этот третий электрод для задания дополнительного тока через переход p1-n1 (рис. 5) (Реальные четырехслойные структуры характерны различной толщиной баз. В качестве управляющей используется тонкая база, у которой коэффициент передачи a1 близок к единице.). Тогда получится прибор, обладающий свойствами тиратрона. Для такого прибора (тринистора) принята та же терминология, что и для обычного транзистора: выходной ток называется коллекторным, а управляющий базовым. Эмиттером считается слой, примыкающий к базе, хотя с физической точки зрения эмиттером является и второй внешний слой (в нашем случае п2). Условное обозначение тринистора вместе с семейством характеристик показано на рис. 6. Как видим, увеличение управляющего тока Iб приводит прежде всего к уменьшению напряжения прямого переключения. Кроме того, несколько возрастает ток прямого переключения, а ток обратного переключения уменьшается.В результате отдельные кривые с ростом тока Iб как бы «вписываются» друг в друга вплоть до полного исчезновения отрицательного участка (такую кривую называют спрямленной характеристикой).
826. Тиристоры. Регуляторы мощности и управляемые выпрямители на тиристорах
Реферат пополнение в коллекции 09.12.2008

Если увеличивать напряжение источника питания, ток тиристора увеличивается незначительно, пока это напряжение не приблизится к некоторому критическому значению, равному напряжению включения Uвкл. При напряжении Uвкл в динисторе создаются условия для лавинного размножения носителей заряда в области коллекторного перехода. Происходит обратимый электрический пробой коллекторного перехода (участок 2 на рис. 1.2.3). В n-области коллекторного перехода образуется избыточная концентрация электронов, а в p-области - избыточная концентрация дырок. С увеличением этих концентраций снижаются потенциальные барьеры всех переходов динистора. Возрастает инжекция носителей через эмиттерные переходы. Процесс носит лавинообразный характер и сопровождается переключением коллекторного перехода в открытое состояние. Рост тока происходит одновременно с уменьшением сопротивлений всех областей прибора. Поэтому увеличение тока через прибор сопровождается уменьшением напряжения между анодом и катодом. На ВАХ этот участок обозначен цифрой 3. Здесь прибор обладает отрицательным дифференциальным сопротивлением. Напряжение на резисторе возрастает и происходит переключение динистора.
827. ТО и ремонт газобаллонных автомобилей
Реферат пополнение в коллекции 08.09.2010
828. ТО2 автомобиля ВАЗ 2107
Информация пополнение в коллекции 15.07.2010
829. Тонкопленочные элементы интегральных схем
Информация пополнение в коллекции 12.01.2009

Свойства пленки факторы, влияющие на указанные свойстваРазмер зерен Материал подложки и пленки. Загрязнения подложки. Подвижность атомов осаждаемого материала на поверхности подложки (температура подложки, скорость осаждения). Структура поверхности подложки (степень шероховатости, наличие кристаллов)Расположение кристаллов Структура подложки ''(монокристаллическая, поликристаллическая или аморфная). Загрязнения подложки (нарушение структуры пленки). Температура подложки (обеспечение необходимой подвижности атомов осаждаемого материала)Адгезия между пленкой Материал подложки и пленки. Дополнительные процессы(например, образование промежуточного слоя окисламежду пленкой и подложкой). Загрязнение подложки. Подвижность атомов осаждаемого материалаЗагрязнение Чистота испаряемого материала. Материал испарителя. Загрязнение подложки. Степень разрежения и состав остаточной среды. Соотношение между давлением остаточных газов и скоростью осажденияОкисление Степень химического сродства осаждаемого материала к кислороду. Поглощение водяных паров подложкой. Температура подложки. Степень разрежения и состав остаточной среды. Соотношение между давлением остаточных газов и скоростью осажденияНапряжение Материал пленки и подложки. Температура подложки. Размер зерен, включения, кристаллографические дефекты в пленке. Отжиг. Угол между молекулярным пучком и подложкой
830. Топки и топочные устройства
Информация пополнение в коллекции 09.09.2010
831. Топливоподача на угольной ТЭС
Информация пополнение в коллекции 30.05.2010
832. ТОЭ контрольная №5
Информация пополнение в коллекции 12.01.2009

В существующее в воздухе ( r1 = 1 ) равномерное магнитное поле напряженностью Н0 = 20 А/см помещен длинный ферромагнитный цилиндр радиусом a = 4 см с магнитной проницаемостью r2 = 10. Ось цилиндра перпендикулярна полю. Использую аналогию между электрическим и скалярным магнитным потенциалом, составить выражения для определения скалярного магнитного потенциала в обеих средах.
833. Травление п/п ИМС
Доклад пополнение в коллекции 09.12.2008

Рис. 7 схема типичной конструкции ICP реактораСильное влияние на скорость травления оказывает правильный выбор реактивного газа или смеси газов. Однако подбор оптимальной газовой среды определяется не только производительностью процесса, но и достижением высокой селективности травления. В зависимости от конструкции микроструктуры и следовательно комбинации ее материалов скорости травления могут изменяться от 600 до 2000 A/мин.
Селективность. Селективность определяется через отношение скоростей травления различных пар материалов, входящих в состав микроструктуры. При проведении процесса травления ключевым моментом является оптимальная остановка процесса и отсутствие такого нежелательного явления как перетрав (overeth), заключающийся в травлении нижележащего слоя.. В идеале время травления можно рассчитать, зная толщину удаляемого слоя и скорость травления материала в заданных условиях. Однако на практике всегда присутствую такие негативные явления как неоднородность толщины и состава обрабатываемых слоев. Кроме того, при травлении сложных многоплановых структур проявляются эффекты различия скоростей травления для малых и больших площадей (microloading). Этот эффект присутствует, например при вскрытии контактных окон в сложных структурах. Кроме того, обрабатываемые слои на различных участках схемы могут иметь различные толщины, что так-же приводит к перетраву.
Вторым важным моментом при рассмотрении проблемы селективности есть оптимальное соотношение скорости травления удаляемого слоя и фоторезиста. Сухие плазменные процессы имеют достаточно высокие скорости травления резистов. Особенно сильно эта проблема проявляется при травлении с высоким разрешением, так как в этом случае толщина резиста не может превышать толщины линии, или при получении структур с высоким отношением высоты линии к ее ширине.
Для выбора оптимальной селективности процесса используют следующие приемы и методы
1. Выбор оптимального реактивного газа.
2. Выбор оптимальной скорости травления
3. Снижение концентрации реактивного газа при завершении процесса травления.
4. Введение в систему различных устройств определения окончания процесса (endpoint detector).
Возможность травления структур с высоким отношением высоты линии к ее ширине. Новые конфигурации транзисторных структур с вертикальным расположением активных областей (полевой транзистор с вертикальным каналом, туннельный резонансный транзистор и т.д.) предъявляют новые требования к технологии травления. В частности она должна обеспечивать травление линий, в которых высота в несколько раз превышает ширину линии (lines with high-aspect-ratio features). При этом возникает целый ряд специфичных проблем, главная из которых заключается в неоднородном заряжении микроструктур (aspect ra-tio charging or electron shadowing). Суть этого явления заключается в следующем: плазма обычно заряжена положительно по отношению к стенкам реактора и обрабатываемой по-верхности. Положительные ионы движутся из поля плазмы перпендикулярно к поверхности. Электроны в общем случае не попадают на поверхность пластин.
834. Транзисторы
Информация пополнение в коллекции 09.12.2008

Одна из областей тpиода, напpимеp левая, содеpжит обычно в сотни pаз большее количество пpимеси p-типа, чем количество n-пpимеси в n-области. Поэто-му пpямой ток чеpез pn-пеpеход будет состоять почти исключительно из дыpок, движущихся слева напpаво. Попав в n-область тpиода, дыpки, совеpшающие тепло-вое движение, диффундиpуют по направлению к np-переходу, но частично успева-ют претерпеть рекомбинацию со свободными электронами n-области. Но если n-об-ласть узка и свободных электронов в ней не слишком много (не ярко выраженный проводник n-типа), то большинство дырок достигнет второго перехода и, попав в не-го, переместится его полем в правую p-область. У хороших триодов поток дырок, проникающих в правую p-область, составляет 99% и более от потока, проникающего слева в n-область.
835. Трансмиссия и ходовая часть МТЗ-80
Реферат пополнение в коллекции 16.09.2010
836. Транспорт в Тверской области
Информация пополнение в коллекции 03.08.2010
837. Транспортное обеспечение коммерческой деятельности торгового предприятия
Дипломная работа пополнение в коллекции 14.07.2010
838. Транспортное обеспечение туризма (на примере воздушного транспорта Республики Казахстан)
Дипломная работа пополнение в коллекции 01.09.2010
839. Трансформатор напряжения
Информация пополнение в коллекции 09.12.2008
ЗАЩИТА ОТ РАЗРЫВА Оптимизированная, хорошо испытанная изоляция и соответствующие конструктивные характеристики сохраняют высококачественный диэлектрик более чем на 50 лет. Для защиты керамики от разрыва предприняты следующие дополнительные меры ( в случае повреждения внутренней изоляции, например, в случае удара молнии:
- До Um=300кВ узел первичной и вторичных обмоток находится под изолятором, в баке, сделанном из алюминия.
- Потенциальное соединение, устойчивое к току короткого замыкания, между зажимом первичной обмотки имежду заземлениямимагнитопровода у подножия трансформатора
- Селективный, плавкий предохранитель на каждую вторичную обмотку. Такой предохранитель реагирует в случае короткого замыкания между зажимами вторичных обмоток
- Разрывная диафрагма во фланце маслорасширителя
- При необходимости может быть установлен комбанарованный изолятор, состоящий из эпоксидной трубы с волокнистым наполнителем и силиконовых юбок, вместо керамического изолятора.
840. Трансформаторы
Информация пополнение в коллекции 09.12.2008
Каждый трансформатор снабжен щитком из материала, не подверженного атмосферным влияниям. Щиток прикреплен к баку трансформатора на видном месте и содержит его номинальные данные, которые нанесены травлением, гравировкой, выбиванием или другим способом, обеспечивающим долговечность знаков. На щитке трансформатора согласно ГОСТ 11677-65 указаны следующие данные:
1. Марка завода-изготовителя.
2. Год выпуска.
3. Заводской номер.
4. Обозначение типа.
5. Номер стандарта, которому соответствует изготовленный трансформатор.
6. Номинальная мощность. (Для трехобмоточных трансформаторов указывают мощность каждой обмотки).
7. Номинальные напряжения и напряжения ответвлений обмоток.
8. Номинальные токи каждой обмотки.
9. Число фаз.
10. Частота тока.
11. Схема и группа соединения обмоток трансформатора.
12. Напряжение короткого замыкания.
13. Род установки (внутренняя или наружная).
14. Способ охлаждения.
15. Полная масса трансформатора.
16. Масса масла.
17. Масса активной части.
18. Положения переключателя, обозначенные на его приводе.

Blog

Радиоэлектроника