Geum.ru

Радиоэлектроника

  • 581. Разработка требований к материалам для швейного изделия определенного вида
    Реферат пополнение в коллекции 02.08.2010
  • 582. Разработка управления тюнером спутникового телевидения
    Дипломная работа пополнение в коллекции 09.12.2008

    В МП 1821МВ85 используется принцип «временного мультиплексирования» функций выводов, когда одни и те же выводы в разные моменты времени представляют разные функции. Это позволяет реализовать ряд дополнительных функций при тех же 40 выводах в корпусе МП. Восемь мультиплексированных выводов играют роль шины данных, либо младших разрядов адресной шины. Необходимо «фиксировать» логические состояния выводов AD0AD7 МП в моменты, когда они функционально представляют адресные разряды А0А7. Для этого необходимо точно знать, когда на этих выводах отображается адресная информация. В корпусе МП существует специальный вывод N 30, обозначенный ALE открытие фиксатора адреса, сигнал на котором в нормальном состоянии соответствует логическому «0». Если информация на выводах AD0AD7 (N 1219), является адресной А0А7, то ALE переводится в состояние логической «1». При перехода ALE из состояния логической «1» в состояние логического «0» информация на AD0AD7 должна быть зафиксирована. Отметим что для стробирования адресной информации от МП может быть использован любой фиксатор. Единственная предосторожность, которую необходимо соблюдать при использовании фиксаторов, заключается в согласовании нагрузки по току для выводов AD0AD7 МП 1821ВМ85 и входов фиксатора во избежание их перегрузки, т.е. необходимо убедиться, что ток на входе используемого фиксатора не является слишком большим для МП. В качестве фиксатора будем использовать регистр, тактируемый сигналом ALE от микропроцессора. Регистр это линейка из нескольких триггеров. Можно предусмотреть логическую схему параллельного отображения на выходах состояния каждого триггера. Тогда после заполнения регистра от параллельных выводов, по команде разрешения выхода, накопленное цифровое слово можно отобразить поразрядно сразу на всех параллельных выходах.

  • 583. Разработка фотоприемного устройства волоконно-оптической системы передачи информации (ВОСПИ)
    Дипломная работа пополнение в коллекции 09.12.2008

  • 584. Разработка цифрового таймера
    Реферат пополнение в коллекции 09.12.2008

    Вход S подключается схеме обнуления параллельно входу обнуления СН. На элементах DD1 DD5 собрано устройство контроля, управляющее нагрузкой. После включения устройства в сеть или нажатия на клавишу «Сброс» триггер DD5 устанавливается в нулевое состояние. На вход D при этом подается логическая единица. Эта единица также устанавливается и на одном из входов элемента DD2, выполняющего в данном случае электронного ключа. После разблокирования схемы блокировки первый перепад 01 появившийся на ее выходе, пройдет через элементы DD2, DD3 и диод VD2 на вход с триггера. Триггер переключится в единичное состояние и подаст логическую единицу на исполнительное устройство. Логический ноль с его инверсного выхода поступит на DD2 и запретит прохождение через него следующих импульсов. В этом состоянии устройство будет находится до окончания счета, либо до нажатия на клавишу “Сброс”. По окончании счета логический ноль с соответствующего выхода СВВ поступит на входы элемента DD4, играющего роль инвертора, и далее через VD1, на вход С триггера. Логический ноль со входа D перепишется на выход триггера и отключит исполнительное устройство. Элементы VD1, VD2 и R2 представляют собой простейший логический элемент ИЛИ. Их применение позволило отказаться от микросхемы с элементами ИЛИ и обойтись имеющимися лишними элементами микросхемы К555ЛАЗ. Сопротивление резистора R2 подобрано экспериментально и равняется 2,7 кОм.

  • 585. Разработка часов на микроконтроллере PIC16F84
    Информация пополнение в коллекции 12.01.2009
  • 586. Разработка эквалайзера
    Реферат пополнение в коллекции 09.12.2008

    Ïîñòðîèòü äåñÿòèïîëîñíûé ýêâàëàéçåð íà áàçå îáû÷íûõ íèçêîäîáðîòíûõ ïîëîñîâûõ ôèëüòðîâ ñëîæíî. Èç-çà ðàçáðîñà íîìèíàëîâ ðåçèñòîðîâ è êîíäåíñàòîðîâ ïîëó÷èòü òî÷íîå ñîîòâåòñâèå ðåàëüíûõ è ðàñ÷åòíûõ ïàðàìåòðîâ è À×Õ òàêèõ ôèëüòðîâ î÷åíü òðóäíî. Ïðè ýòîì, ÷òîáû íàñòðîèòü äåñÿòèïîëîñíûé ýêâàëàéçåð ñ òî÷íîñòüþ ±10% ïî âñåì êàíàëàì, íåîáõîäèì íå òîëüêî ïðåäâàðèòåëüíûé ïîäáîð íîìèíàëîâ ýëåìåíòîâ äî ñáîðêè, íî è äîïîëíèòåëüíàÿ èõ êîððåêöèÿ óæå â ãîòîâîì ôèëüòðå. Íà ïðàêòèêå êàæäûé ôèëüòð ïðèõîäèòñÿ íàñòðàèâàòü â ìàêåòíîì âàðèàíòå è òîëüêî ïîñëå ýòîãî óñòàíàâëèâàòü íà þáùóþ ìîíòàæíóþ ïëàòó. Òàêàÿ íàñòðîéêà îòíèìàåò ìíîãî âðåìåíè, òðåáóåò âûñîêîé êâàëèôèêàöèè, ñïåöèàëüíûõ ïðèáîðîâ è áîëüøîãî ÷èñëà èñïîëüçóåìûõ äëÿ ïîäáîðà ýëåìåíòîâ, ÷òî â èòîãå ïðèâîäèò ê óäîðîæàíèþ óñòðîéñòâà â ïðîöåññå ïðîèçâîäñòâà.

  • 587. Разработки функциональной схемы и определение ее быстродействия
    Реферат пополнение в коллекции 09.12.2008
  • 588. Распростарнение радиоволн
    Методическое пособие пополнение в коллекции 09.12.2008

    На трассах УКВ протяженностью примерно 100150 км, проходящих через горные кряжи высотой 10002000 м, наблюдается явление, называемое усиление препятствием. Это явление заключается в том, что интенсивность электромагнитного поля радиоволны при некотором удалении за препятствие оказывается больше, чем на том же расстоянии от передатчика на трассе без препятствий. Объяснить усиление препятствием можно тем, что вершина горы служит естественным пассивным ретранслятором (рис. 5.7). Поле, возбуждающее вершину горы, складывается из двух волн прямой АС и отраженной ADC. Волны дифрагируют на острой вершине горы, как на клиновидном препятствии, и распространяются в область за гору. При этом к месту расположения приемной антенны В придут два луча СЕВ и СВ. Следовательно, на участках трассы передатчик гора и гора приемник распространение идет в пределах прямой видимости. При отсутствии препятствия на расстоянии 100150 км, намного превышающих предел прямой видимости, к месту приема доходит только весьма слабое поле, обусловленное дифракцией на сферической поверхности Земли и рефракцией. Расчеты и эксперименты показывают, что такое препятствие ретранслятор может дать усиление напряженности электрического поля на 6080 дБ.

  • 589. Распространение радиоволн
    Контрольная работа пополнение в коллекции 09.12.2008

    1.11.Определим, на каком расстоянии амплитуды поля волн , находящихся в закритическом режиме, уменьшаются не менее чем в сто раз, если частота равна средней частоте диапазона.

  • 590. Расчет автокоореляционной функции и энергетического спектра кодового сигнала (Теория электрической с...
    Реферат пополнение в коллекции 09.12.2008
  • 591. Расчет апериодического каскада усилительного устройства
    Реферат пополнение в коллекции 09.12.2008

    Теперь рассчитаем элементы схемы. RC - фильтра в цепи питания позволит осуществить НЧ коррекцию. Эффективность НЧ коррекции тем выше, чем больше сопротивление Rф. Оно должно быть в несколько раз больше чем Rк. Обычно увеличение Rф ограничено допустимым на нем падением постоянного напряжения которое, в свою очередь зависит от Ек. Примем Rф=1.5Rк=705 Ом

  • 592. Расчет асинхронного двигателя с короткозамкнутым ротором
    Реферат пополнение в коллекции 03.05.2010
  • 593. Расчет барабанной сушилки для сушки песка
    Реферат пополнение в коллекции 17.07.2010
  • 594. Расчёт видео усилителя
    Реферат пополнение в коллекции 09.12.2008

    Для согласования со входом предающей трубкой нужно добавить эмиттерный повторитель. Обычно транзистор в промежуточном каскаде включают по схеме с общим эмиттером. Полоса пропускания каскада с ОЭ зависит от граничной частоты fh21б (граничная частота усиления потоку). В каскадах применяется эмиттерная высокочастотная коррекция, поэтому полоса пропускания будет также зависеть от наличия этой коррекции, от глубины отрицательной обратной связи и коэффициента коррекции. Отрицательная обратная связь расширяет полосу пропускания, но уменьшает коэффициент усиления по мощности предыдущего каскада. При использовании в предварительных каскадах транзисторов с низкой граничной частотой fh21б для получения требуемой полосы пропускания приходиться увеличивать число каскадов.

  • 595. Расчет времени откачки распределенных вакуумных систем
    Информация пополнение в коллекции 21.07.2010
  • 596. Расчет громкоговорителя
    Информация пополнение в коллекции 12.01.2009
  • 597. Расчет дифференциального каскада с транзисторным источником тока
    Информация пополнение в коллекции 12.01.2009

     

    1. Разработка и оформление конструкторской документации радиоэлектронной аппаратуры: Справочник / Под ред. Э. Т. Романычевой. 2-е изд., и доп. М.: Радио и связь, 1989 448с.
    2. Степаненко И. П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. 4-е изд. перераб. и доп. М.: Энергия, 1977 360с.
    3. Транзисторы для аппаратуры широкого применения: Справочник. М.: Радио и связь, 1989. 656с.
    4. Резисторы: Справочник / Под общ. ред. И. И. Четверткова и В. М. Терехова. М.: Радио и связь, 1987 352с.
    5. Остапенко Г. С. Усилительные устройства: Учеб. Пособие для вузов. М.: Радио и связь. 1989 400с.
    6. А. В. Некрасов. Методические указания к курсовой работе по курсу электроника.
  • 598. Расчет затрат и калькуляция себестоимости ТР карбюраторного участка
    Реферат пополнение в коллекции 19.07.2010
  • 599. Расчет и проектирование в тонкопленочном исполнении усилителя мощности
    Реферат пополнение в коллекции 09.12.2008

    Эта схема представляет собой усилитель мощности на биполярном транзисторе, включенном по схеме с ОЭ. Переходной конденсатор C1 пропускает во входную цепь переменную составляющую напряжения источника сигнала и не пропускает постоянную составляющую. Блокирующий конденсатор C2 шунтирует резистор R4 по переменному току, исключая тем самым отрицательную обратную связь по переменным составляющим. Отсутствие конденсатора C2 привело бы к уменьшению усиления каскада. В области низших частот на работу усилителя оказывают влияние переходной и блокирующий конденсаторы, в области высших частот частотная зависимость коэффициента тока базы, коллекторная емкость и емкость нагрузки.

  • 600. Расчёт и проектирование маломощных биполярных транзисторов
    Реферат пополнение в коллекции 09.12.2008

    На рис.2 приведены некоторые этапы получения сплавно-диффузионного транзистора. После получения исходной р- пластины Ge, протравливают в ней лунку, углубляясь в исходную р- пластину (рис.2.1). травление лунок осуществляется методом фотолитографии. На окислённую пластину наносят фоторезистивную плёнку, её освещают через маску ультрофиолетовым светом. Экспонированные места фоторезиста поляризуются. Незаполимеризованные части фоторезиста смывают так, что он остаётся только на облучённых местах. Затем производят травление. После получения лунки проводят щдиффузию донарной примеси (рис.2.2) затем необходимо отшлифовать поверхность исходной пластины, т.о., чтобы диффузионный слой остался лишь в лунке. Диффузия донорной примеси приводит к образованию базового n- слоя (рис.2.3). С помощью электрохимического метода через маску вводят навески вплавляемого материала 1 и 4 (рис.2.4). Навеска 1 является эмиттерной, содержащая спал Ni + Al + In, а навеска 2- базовой.