Физика полупроводниковых приборов

Вид материала

Документы

Содержание Раздел 2. ЗОННАЯ ТЕОРИЯ ТВЕРДЫХ ТЕЛ Потенциальном поле Твердых телах Тема 2.4. зонная структура конкретных твердых тел В запрещенной зоне Энергетического спектра электронов Носителей заряда Тема 4.2. КОНЦЕНТРАЦИЯ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В СОБСТВЕННЫХ И ПРИМЕСНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ Вырожденных полупроводниках Тема 5.2. КИНЕТИКА УСТАНОВЛЕНИЯ КВАЗИСТАЦИОНАРНЫХ СОСТОЯНИЙ Носителей заряда Тема 5.4. ДИФФУЗИОННЫЕ И ДРЕЙФОВЫЕ ТОКИ Носителей заряда в полупроводниках Одновременной реализации нескольких Тема 6.3. ПРОВОДИМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ Тема 7.2. МЕХАНИЗМЫ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ ДИЭЛЕКТРИКОВ Тема 7.3. ОБЩАЯ ТЕОРИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОТЕРЬ Тема 7.4. Сегнето- И ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСТВО Находящихся в вакууме Находящихся вне вакуума: состояние ... Полное содержание

Подобный материал:

• Рабочая программа дисциплины "Физические основы полупроводниковой микро- и оптоэлектроники, 119.56kb.
• Министерство образования и науки РФ московский энергетический институт (технический, 83.36kb.
• Учебно-методический комплекс для специальности, 359.2kb.
• Реферат по дисциплине " Технологические процессы микроэлектроники " на тему: Технологические, 1398.5kb.
• Программа курса лекций, 30.09kb.
• Разработка фоточувствительных полупроводниковых приборов с отрицательной дифференциальной, 398.26kb.
• Полупроводниковые приборы, 355.8kb.
• Методика анализа, прогнозирования и повышения надежности изделий микроэлектроники,, 21.62kb.
• Материалы микроэлектроники, 673.1kb.
• Годовой отчет ОАО «ниипп» за 2010 год, 374.58kb.

^

Раздел 2. ЗОННАЯ ТЕОРИЯ ТВЕРДЫХ ТЕЛ

Тема 2.1. ОСНОВНЫЕ СВЕДЕНИЯ О СТРОЕНИИ ТВЕРДЫХ

ТЕЛ: ИДЕАЛЬНЫЕ КРИСТАЛЛЫ

Положение элементов, обладающих полупроводниковыми свойствами, в периодической таблице элементов; неорганические и органические полупроводниковые соединения. Кристаллы, их симметрия. Решетка Бравэ; обратная решетка; индексы Миллера.


Тема 2.2. ЭЛЕКТРОНЫ В ПЕРИОДИЧЕСКОМ

^ ПОТЕНЦИАЛЬНОМ ПОЛЕ

Свободный электрон. Скорость, импульс, волновой вектор, длина волны и энергия электрона. Выражения, определяющие групповую скорость и массу электрона.

Движение электрона в кристалле. Волновые функции Блоха. Зоны Бриллюэна для различных кристаллов. Модельные представления периодического потенциального поля для расчета энергетического спектра и характеристик движения электрона в кристалле.


Тема 2.3. СВОЙСТВА ВАЛЕНТНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ В

^ ТВЕРДЫХ ТЕЛАХ

Модель Кронига-Пенни. Энергетический спектр электронов в периодическом потенциальном поле. Физический смысл понятия эффективной массы. Эффективная масса и скорость электрона. Зависимость величины эффективной массы и групповой скорости электрона от его волнового вектора. Квазиимпульс. Изоэнергетические поверхности. Различия эффективных масс дырок и электронов. Определение эффективных масс носителей заряда методом циклонного резонанса.


^ Тема 2.4. зонная структура конкретных твердых тел

Металлы, полупроводники и диэлектрики в зонной теории. Зонная структура основных полупроводниковых материалов. Зависимость ширины запрещенной зоны полупроводниковых материалов от температуры и давления.


Раздел 3. ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ УРОВНИ В ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЕ


Тема 3.1. СТРОЕНИЕ ТВЕРДЫХ ТЕЛ: РЕАЛЬНЫЕ КРИСТАЛЛЫ

Дефекты кристаллической решетки и их влияние на энергетический спектр электронов. Микроскопические и макроскопические дефекты. Границы зерен. Дефекты типа Френкеля и типа Шоттки. Отклонение от стехиометрического состава. Примеси.


Тема 3.2. ЛОКАЛЬНЫЕ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ УРОВНИ

^ В ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЕ

Донорные и акцепторные примеси. Образование примесной зоны. Многозарядные примесные центры. Экситоны Френкеля и Мотта. Поляроны. Поверхностные уровни Тамма.


Тема 3.3. МЕТОДЫ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОГО ОПРЕДЕЛЕНИЯ

^ ЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО СПЕКТРА ЭЛЕКТРОНОВ

В ТВЕРДЫХ ТЕЛАХ

Гальваномагнитные и магнитоакустические методы; метод циклотронного резонанса; методы оптического и термического возбуждения локальных энергетических уровней.


Раздел 4. СТАТИСТИКА РАВНОВЕСНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА


Тема 4.1. ОБЩИЕ ПРИНЦИПЫ РАСЧЕТА КОНЦЕНТРАЦИИ

^ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА

Распределение носителей заряда по зонам в диэлектриках, полупроводниках и металлах. Плотность разрешенных состояний. Уровень Ферми.


^ Тема 4.2. КОНЦЕНТРАЦИЯ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В СОБСТВЕННЫХ И ПРИМЕСНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ

Концентрация электронов и дырок в полупроводниках и их температурные зависимости в случаях собственной и примесной электропроводности. Закон действующих масс для носителей заряда в полупроводниках. Влияние температурной зависимости ширины запрещенной зоны на концентрацию носителей заряда. Температурная зависимость положения уровня Ферми в невырожденных полупроводниках. Компенсированные полупроводники.


Тема 4.3. КОНЦЕНТРАЦИЯ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В

^ ВЫРОЖДЕННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ

Вырожденные полупроводники. Низко- и высокотемпературное вырождение. Концентрация электронов и дырок в сильновырожденных полупроводниках. Концентрации электронов и дырок в слабовырожденных полупроводниках.


Раздел 5. НЕРАВНОВЕСНЫЕ ПРОЦЕССЫ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ


Тема 5.1. ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА НЕРАВНОВЕСНЫХ ПРОЦЕССОВ

Характеристики неравновесного состояния электронов и дырок в полупроводниках. Квазиуровни Ферми. Функция распределения неравновесных носителей заряда.


^ Тема 5.2. КИНЕТИКА УСТАНОВЛЕНИЯ КВАЗИСТАЦИОНАРНЫХ СОСТОЯНИЙ


Сечение рекомбинации. Уравнение непрерывности. Время жизни не- равновесных носителей заряда. Линейная и квадратичная рекомбинации. Максвелловское время релаксации.


Тема 5.3. МеханизмЫ РЕКОМБИНАЦИИ ИЗБЫТОЧНЫХ

^ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА

Межзонная рекомбинация. Время жизни носителей заряда при излучательной рекомбинации. Безызлучательная рекомбинация.

Рекомбинация через рекомбинационные уровни. Модель Холла –Шокли - Рида. Методы управления временем жизни носителей заряда и его зависимость от положения уровня Ферми. Температурная зависимость времени жизни при рекомбинации через локальные уровни. Определение энергетического положения рекомбинационных уровней. Методы контролируемого введения рекомбинационных уровней в микроэлектронике.


^ Тема 5.4. ДИФФУЗИОННЫЕ И ДРЕЙФОВЫЕ ТОКИ

Диффузионные и дрейфовые токи в полупроводниках. Соотношение Эйнштейна. Диффузия и дрейф избыточных носителей в полупроводниках. Диффузионная длина. Длина экранирования Дебая.


Раздел 6. МЕХАНИЗМЫ РАССЕЯНИЯ И ПОДВИЖНОСТЬ

^ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ


Тема 6.1. ОБЩИЕ ПОНЯТИЯ О МЕХАНИЗМАХ РАССЕЯНИЯ

И ПОДВИЖНОСТИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА

Движение электрона в кристалле в отсутствие рассеяния. Энергетический спектр полупроводника, помещенного в электрическое поле. Движение электронов и дырок в случае рассеяния. Среднее время и средняя длина свободного пробега и подвижности носителей заряда.


Тема 6.2. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ВЕЛИЧИНЫ ПОДВИЖНОСТИ ПРИ

^ ОДНОВРЕМЕННОЙ РЕАЛИЗАЦИИ НЕСКОЛЬКИХ

МЕХАНИЗМОВ РАССЕЯНИЯ

Механизмы рассеяния носителей заряда в полупроводниках. Рассеяние электронов на ионизованных примесях. Тепловые колебания кристаллической решетки. Энергетический спектр колебания решетки. Рассеяние носителей заряда на колебаниях решетки. Междолинное рассеяние. Рассеяние электронов на свободных носителях заряда, неионизованных примесях и дислокациях.

Температурная зависимость подвижности в случае одновременного действия нескольких механизмов рассеяния.


^ Тема 6.3. ПРОВОДИМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

Влияние сильных электрических полей на подвижность носителей заряда. Эффект Ганна. Проводимость полупроводников. Зависимость проводимости от концентрации примесей и температуры.


Раздел 7. ФИЗИКА ДИЭЛЕКТРИКОВ


Тема 7.1. МГНОВЕННЫЕ И РЕЛАКСАЦИОННЫЕ МЕХАНИЗМЫ ПОЛЯРИЗАЦИИ

ДИЭЛЕКТРИКОВ

Поляризованность диэлектриков. Мгновенная и релаксационная поляризации диэлектриков. Расчет диэлектрической проницаемости и температурного коэффициента диэлектрической проницаемости; частотная дисперсия.


^ Тема 7.2. МЕХАНИЗМЫ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ ДИЭЛЕКТРИКОВ

Электронная и ионная проводимости диэлектриков. Зависимость концентрации и подвижности носителей заряда от температуры. Прыжковая электропроводность диэлектриков. Токи, ограниченные объемным зарядом. Пробой диэлектриков.


^ Тема 7.3. ОБЩАЯ ТЕОРИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОТЕРЬ

Макроскопическое описание диэлектрических потерь. Комплексная диэлектрическая проницаемость. Тангенс угла диэлектрических потерь. Ток смещения. Активная составляющая тока смещения и определяемая ею мощность диэлектрических потерь.

Диэлектрические потери при релаксационной поляризации. Ионная поляризация в области резонанса; особенности спектра диэлектрической проницаемости. Область частот полного отражения. Инфракрасное поглощение.


^ Тема 7.4. Сегнето- И ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСТВО

Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики. Фазовые переходы и спонтанная поляризация. Симметрия кристаллов и пьезоэлектрические модули. Пьезоэффект в кварце. Электрострикция. Электрооптические свойства в кристаллах. Электреты.


Раздел 8. ОСНОВЫ ФИЗИКИ КОНТАКТНЫХ ЯВЛЕНИЙ


Тема 8.1. ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ ДИАГРАММЫ ТВЕРДЫХ ТЕЛ,

^ НАХОДЯЩИХСЯ В ВАКУУМЕ

Энергетические диаграммы полупроводников, металлов и диэлектриков. Работа выхода, энергия сродства, уровень Ферми. Внешняя и внутренняя работа выхода.


Тема 8.2. ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ ДИАГРАММЫ ТВЕРДЫХ ТЕЛ,

^ НАХОДЯЩИХСЯ ВНЕ ВАКУУМА: СОСТОЯНИЕ

РАВНОВЕСИЯ

Причина возникновения области пространственного заряда (ОПЗ) в приповерхностных слоях твердых тел. Оценка толщины ОПЗ. Обогащенная, обедненная и инверсная ОПЗ.

Общие принципы построения энергетических диаграмм контактирующих твердых тел. Изотипные и анизотипные контакты. Гетеропереходы. Влияние температуры на вид энергетических диаграмм контактирующих тел.


Тема 8.3. ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ ДИАГРАММЫ ТВЕРДЫХ ТЕЛ,

^ НАХОДЯЩИХСЯ ВНЕ ВАКУУМА: СОСТОЯНИЕ

НАРУШЕННОГО РАВНОВЕСИЯ

Энергетические диаграммы контактирующих тел в состоянии нарушенного термодинамического равновесия. Квазиуровни Ферми в пределах ОПЗ. Прямое и обратное включение контакта. Токи через границу раздела. Инжекция и экстракция основных и неосновных носителей заряда. Барьерная и диффузионная емкости контакта.


Раздел 9. ПЕРСПЕКТИВНЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ РАЗВИТИЯ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА


Тема 9.1. АКУСТОЭЛЕКТРОННЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

Упругие волны в пьезоэлектрических полупроводниках. Объемные и поверхностные волны. Взаимодействие упругих волн с носителями заряда в полупроводниках: усиление и поглощение упругих волн. Усиление поверхностных упругих волн при взаимодействии с электронами. Акусто-электрический эффект. Физические основы практического использования поверхностных акустических волн.


Тема 9.2. АМОРФНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ

Аморфные полупроводники. Электропроводность неупорядоченных структур и локализация электронных состояний.


Тема 9.3. РАЗМЕРНЫЕ ЭФФЕКТЫ В ТВЕРДЫХ ТЕЛАХ

Сверхтонкие материалы; размерные эффекты в твердых телах. Диэлектрическая проницаемость металлов. Металлооптика.


Раздел 10. ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТВЕРДЫХ ТЕЛ


Тема 10.1. ЗОННАЯ СТРУКТУРА ТВЕРДЫХ ТЕЛ В К-ПРОСТРАНСТВЕ

Прямозонные и непрямозонные твердые тела. Прямые и непрямые оптические переходы. Внутризонное и межзонное поглощение; частотная дисперсия.


Тема 10.2. ОСНОВЫ ТЕОРИИ ФОТОПРОВОДИМОСТИ

Собственная и примесная фотопроводимость. Эффекты очувствления, суперлинейности, температурного и ИК-гашения фотопроводимости.


Раздел 11. ФИЗИКА ТОНКИХ ПЛЕНОК


Тема 11.1. ОСОБЕННОСТИ МИКРОСТРУКТУРЫ ТОНКИХ ПЛЕНОК

Методы получения тонких пленок (общие сведения). Методы контроля и изучения строения тонких пленок. Эффекты электромиграции и массопереноса.


Тема 11.2. РАЗМЕРНЫЕ ЭФФЕКТЫ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНКАХ

Основные понятия. Размерные эффекты на длине остывания, на длине Дебая, на длине свободного пробега по импульсу. Размерные эффекты в многодолинных полупроводниках и квантовые размерные эффекты.


^ Тема 11.3. ОСОБЕННОСТИ ПОВЕДЕНИЯ ОСНОВНЫХ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ПЛЕНОК ПРИ УМЕНЬШЕНИИ ИХ ТОЛЩИНЫ

Влияние поверхностных состояний на основные электрофизические характеристики полупроводников и диэлектриков. Спектр разрешенных и запрещенных энергий в приповерхностных слоях. Электрическая прочность и механизмы электропроводности тонких диэлектрических пленок.


Раздел 12. МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ ТВЕРДЫХ ТЕЛ


Тема 12.1. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ


Тема 12.2. ОПТИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ


Тема 12.3. МЕТОДЫ ХИМИЧЕСКОГО И МИКРОХИМИЧЕСКОГО АНАЛИЗА


Тема 12.4. МЕТОДЫ, ИСПОЛЬЗУЮЩИЕ ПОТОКИ ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧНЫХ (ЭЛЕКТРОННЫХ, ИОННЫХ, ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ) ЧАСТИЦ


Раздел 13. ТЕОРИЯ МАГНЕТИЗМА


Тема 13.1. КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА И МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА ТВЕРДЫХ ТЕЛ

Энергия магнитного дипольного взаимодействия. Взаимодействие электронов и магнитная структура. Теория Кондо. Магнитное упорядочение.


Тема 13.2. ОСНОВЫ ТЕОРИИ ФЕРРОМАГНЕТИЗМА

Ферромагнетизм. Доменная структура. Физика полосковых и цилиндрических магнитных доменов.


Раздел 14. РАДИАЦИОННАЯ ФИЗИКА ТВЕРДЫХ ТЕЛ


Тема 14.1. МЕХАНИЗМЫ ОБРАЗОВАНИЯ ПЕРВИЧНЫХ

^ РАДИАЦИОННЫХ ПОВРЕЖДЕНИЙ ТВЕРДЫХ ТЕЛ

Взаимодействие электронных, нейтронных, протонных, ионных и

γ-потоков с твердыми телами; механизмы образования первичных радиационных дефектов.


^ Тема 14.2. МЕХАНИЗМЫ ОБРАЗОВАНИЯ И ПРИРОДА ВТОРИЧНЫХ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ

Подвижность и температурная устойчивость первичных и вторичных радиационных дефектов. Радиационное повреждение зонной структуры твердых тел.


^ Тема 14.3. РАДИАЦИОННАЯ ДЕГРАДАЦИЯ ОСНОВНЫХ СВОЙСТВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ

Радиационная деградация времени жизни носителей заряда, их концентрации и подвижности в полупроводниках; инверсия типа проводимости полупроводников. Накопление объемного заряда в диэлектриках под действием радиационных облучений.


^ ПЕРЕЧЕНЬ ТЕМ ЛАБОРАТОРНЫХ РАБОТ (34 ЧАСА)

1. Изучение свойств металлов методами статической электропроводности.
   
2. Изучение релаксационных механизмов поляризации диэлектриков.
   
3. Изучение прямого и обратного пьезоэффекта.
   
4. Изучение физических свойств полупроводников и диэлектриков в слабых электрических полях методом электрических контактных измерений.
   
5. Определение ширины запрещенной зоны полупроводников методом измерения дифференциального сопротивления контакта «полупроводник - полупроводник», методом измерения обратного тока контакта «металл - полупроводник».
   
6. Изучение высокотемпературной сверхпроводимости.
   
7. Изучение температурной зависимости подвижности носителей заряда при рассеянии на ионизованных примесях.
   
8. Изучение глубоких уровней в кремнии методом температурной зависимости эффекта Холла.
   
9. Изучение зонной структуры полупроводников методом оптической спектроскопии.
   
10. Изучение эффекта поля в полупроводниках методом С-У-характеристик.
    
11. Изучение диффузионной и дрейфовой скорости движения носителей заряда в полупроводниках.
    
12. Изучение типа проводимости твердых тел методом термозондирования.
    

^ ПРАКТИЧЕСКИЕ ЗАНЯТИЯ


Для обеспечения самостоятельной работы в течение всего семестра, темы практических занятий в основном развивают те вопросы, которые уже рассматривались на лекциях. При этом характер рассматриваемых вопросов требует от студента не только регулярного изучения конспекта лекций, но и самостоятельных усилий, синтеза новых положений на базе уже накопленных знаний, но не обобщенных в лекционном материале.

Предусматривается задание задач на дом, а также обязательная отчетность каждого студента по вопросам, изучаемым на практических занятиях.

Постоянный контроль, поэтапная сдача экзамена в течение семестра, десятибалльная система оценки знаний и система «штрафов» исключают недобросовестную работу каждого студента.


^ КУРСОВАЯ РАБОТА ПО ПРЕДМЕТУ ФТТ


Целью курсового проектирования является обучение навыкам самостоятельной разработки одного из вопросов теории твердого тела, включая самостоятельный поиск учебной и (или) научной литературы, а также изложение сути физических явлений в «пояснительной записке» и иллюстративном материале на плакатах. Одна из главных задач – это умение изложить изученный вопрос перед группой студентов в виде устного доклада и обсуждение доклада с участием всей группы под контролем и с помощью преподавателя.

Предусмотрена также фактическая исследовательская работа студентов в учебных и научных лабораториях кафедры микроэлектроники БГУИР под руководством преподавателя или научного сотрудника кафедры.


^ ПРИМЕРНЫЙ ПЕРЕЧЕНЬ ТЕМ КУРСОВЫХ РАБОТ


1. Пробой диэлектриков, обратимость и необратимость пробоя.

2. Макро- и микроскопическая теория диэлектриков; локальное поле и поле Лоренца в твердых телах.
   
3. Полная шкала электромагнитных волн. Комплексная диэлектрическая проницаемость, проводимость и магнитная проницаемость твердых тел.
   
4. Метод Коул-Коула при анализе механизмов поляризации твердых тел.
   
5. Радиационные эффекты в диэлектриках.
   
6. ИК-спектроскопический анализ твердых тел;
   
7. Пьезоэффект в кварце и титанате бария.
   
8. Комплексная проводимость металлов. Диэлектрическая проницаемость металлов.
   
9. Сопоставительный анализ моделей Друде и Зоммерфельда.
   
10. Ферми-поверхность в металлах.
    
11. Эффективная масса носителей заряда в полупроводниках: квантово-механическое обоснование.
    
12. Эффект Холла в металлах и полупроводниках.
    
13. Примесное поглощение света в полупроводниках.
    
14. Емкостная спектроскопия полупроводников.
    
15. Фотопроводимость полупроводников.
    
16. Эффекты очувствления и суперлинейности, инфракрасного и температурного гашения проводимости диэлектриков и полупроводников.
    
17. Отрицательный фотоэффект в полупроводниках, тушение проводимости полупроводников.
    
18. Эффект Ганна в полупроводниках.
    
19. Экситоны в полупроводниках.
    
20. Поляронные состояния в полупроводниках и диэлектриках.
    
21. Диэлектрическая проницаемость анизотропных диэлектриков.
    
22. Анализ релаксационных механизмов поляризации методом Коул-Коула.
    
23. Методы экспериментального анализа свойств поверхности твердых тел.
    
24. Эллипсометрический метод анализа свойств поверхности твердых тел.
    
25. Электрические методы анализа свойств твердых тел.
    
26. Радиационные эффекты в полупроводниках.
    
27. Радиационные эффекты в двуокиси кремния и алюминия.
    
28. Инфракрасная спектрометрия твердых тел.
    
29. Радиационная деградация основных электрофизических параметров полупроводников: времени жизни, подвижности, удельного сопротивления.
    
30. Общефизические явления на границах раздела двух полупроводников. Специфические свойства гетеропереходов.
    
31. Контакт «металл-полупроводник». Барьеры Мотта и Шоттки.
    
32. Собственное поглощение света в полупроводниках и диэлектриках, форма края собственного поглощения и определение ширины запрещенной зоны.
    
33. Релаксационная поляризация диэлектриков; релаксационная диэлектрическая проницаемость (расчет); проводимость диэлектриков, содержащих релаксационные механизмы поляризации.
    
34. Модели и теоретическое описание свойств аморфных полупроводников.
    
35. Низкочастотные и высокочастотные вольт–фарадные характеристики полупроводников.
    
36. Явления электромиграции в тонких пленках.
    
37. Электроны и дырки в металлах.
    
38. Экспериментальное исследование релаксационных механизмов поляризации в органических диэлектриках.
    

ЛИТЕРАТУРА

1. Ашкрофт Б.Н., Мермин Н. Физика твердого тела. – Ч. 1,2 - М.: Мир, 1979.
   
2. Павлов П.В., Хохлов А.Ф. Физика твердого тела. – М.: Высш. шк., 1985.
   
3. Уэрт Ч., Томсон Р. Физика твердого тела. – М.: Мир, 1969.
   
4. Шалимова К.В. Физика полупроводников. – М.: Энергоатомиздат, 1985.
   
5. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. – М.: Наука, 1977.
   
6. Горбачев В.В., Спицина Л.Г. Физика полупроводников и металлов. - М.: Металлургия, 1982.
   
7. Киреев П.С. Физика полупроводников. – М.: Высш. шк., 1975.
   
8. Смит Р.А. Полупроводники. – М.: Мир, 1982.
   
9. Фистуль В.И. Введение в физику полупроводников. – М.: Высш. шк., 1984.
   
10. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела . – М.: Наука, 1978.
    
11. Слэтэр Дж. Диэлектрики, полупроводники, металлы. – М.: Мир, 1969.
    
12. Тареев Б.М. Физика диэлектрических материалов. – М.: Энергоиздат, 1982.
    
13. Хиппель А. Диэлектрики и волны. – М.: ИЛ. 1960.
    
14. Павлов П.В., Хохлов А.Ф. Физика твердого тела. – Нижний Новгород: НГУ, 1993.
    
15. Петрович В.А. Методические указания к лабораторным работам по курсу «Физика твердого тела» для студ. спец. «Автоматика и электроника». Ч. 1: Релаксационные механизмы поляризации диэлектриков. – Мн: МРТИ, 1988.
    
16. Петрович В.А. и др. Методические указания и лабораторные работы по курсу «Физика твердого тела» для студ. спец. «Электронные приборы и устройства». Ч. 2: Физика полупроводников. - Мн: МРТИ, 1989.
    
17. Петрович В.А. Методические указания и лабораторная работа по курсу «Физика твердого тела» для студ. спец. «Микроэлектроника и полупроводниковые приборы». Ч. 3: Физика металлов (модель Друде). – Мн: МРТИ, 1991.
    
18. Петрович В.А. Учебно-методическое пособие к лабораторной работе «Классическая модель металлов Друде» по курсу «Физика твердого тела» для студ. спец. «Микроэлектроника и полупроводниковые приборы». – Ч. 4 – Мн.: БГУИР, 1995.
    
19. Петрович В.А. Методическое пособие к лабораторным работам по курсу «Физика твердого тела» для студ. спец. «Микроэлектроника». – Мн.: БГУИР, 1997.
    

20. Петрович В.А. Методическое пособие к лабораторным работам по курсу «Физика твердого тела» для студ. спец. «Микроэлектроника». – Мн.: БГУИР, 2000.
    
21. Петрович В.А. Методическое пособие по курсу «Физика твердого тела» для студ. спец. «Микроэлектроника». – Мн: БГУИР, 2001.
    
22. Петрович В.А., Волчек С.А. Физика диэлектриков: Метод. пособие по курсу «Физика твердого тела» для студ. спец. «Микроэлектроника» всех форм обуч. - Мн.: БГУИР, 2003.