Программа конференции 07 октября 2008 г. (вторник) 30 -10. 30 регистрация участников конференции
| Вид материала | Программа |
- Программа конференции 21. 02. 2008 г. 09. 30 10. 00 Регистрация участников конференции., 60.72kb.
- Предварительная программа конференции 09. 00 10. 00 Регистрация участников конференции., 46.65kb.
- Предварительная программа конференции 09. 00 10. 00 Регистрация участников конференции., 47.16kb.
- Центр Международной Торговли 24 марта 2009г., вторник 00-10. 00 Регистрация участников, 96.03kb.
- Программа конференции 00 10. 00 Регистрация участников конференции (холл 7 этажа)., 63.96kb.
- Программа конференции по разгрузочно- диетической терапии (14 мая 2007 г. 00-10., 111.58kb.
- Программа конференции: 08. 30 00 Регистрация участников 09. 00 09. 55 Пленарное заседание, 83.7kb.
- Февраля выставление программы и регламента конференции; 1 марта регистрация участников, 15.69kb.
- Программа конференции: 9: 30 10: 00 регистрация участников конференции, 697.78kb.
- Программа седьмой международной востоковедной конференции торчиновские чтения метаморфозы, 466.23kb.
Программа конференции
07 октября 2008 г. (вторник)
9.30 -10.30 регистрация участников конференции
(в фойе большого конференц-зала)
10.30 - открытие конференции
10.30 - 13.00 - пленарное заседание
УТРЕННяя сессия, 10.30 – 13.00
Большой конференц-зал
10.30 – 10.45 ПРИВЕТСТВИЕ генерального директора ФГУП «НПП «Пульсар» А.Г Васильева
10.45 – 11.00 О регламенте
О конкурсе докладов молодых специалистов
О публикации материалов конференции
от организационного и программного комитетов
Ю. А. Кузнецов, В.Ф. Синкевич
Пленарное заседание
Председатель д.ф.-м.н., профессор А.Г. Васильев
11.00 – 11.15 Комплексное целевое планирование развития отечественной сверхвысокочастотной электроники
А.А. Борисов, В.А. Телец, ФГУП ЦНИИИ22 МО, г. Мытищи Московской обл.
11.15 – 11.30 Направления и перспективы научно-технического сотрудничества ОАО «КБ «Кунцево» и ФГУП «НПП «Пульсар» в интересах совершенствования РЭС
В.В. Бирюков, В.В. Валуев, И.П. Жиган, С.Н. Игнатьков, Р.С. Иргизов, В.Ф. Хрипченко, ОАО «КБ «Кунцево», г. Москва
11.30 – 11.45 Научные основы и технологии создания автоматизированных систем для контроля воздушного пространства
Г.П. Бендерский, ОАО «Конструкторское бюро «Лианозовские радары», г. Москва
11.45 – 12.00 Перспективы развития электронных компонентов на основе производства арсенидгаллиевых СВЧ полевых транзисторов
Г.В. Вахренев, В.С. Галушко, В.А. Дмитриев, А.М. Осипов, ЗАО «НПП «Планета-Аргалл», г. Великий Новгород, Россия.
12.00 – 12.15 Современное состояние и перспективы развития ИК фотоэлектроники
А.И. Дирочка, В.П. Пономаренко, А.М. Филачев, ФГУП «НПО «Орион»», г. Москва
12.15 – 12.30 Фотоэлектронные приборы в системах наблюдения - состояние и перспектива развития
В.Ф. Березанский, ЗАО « МНИТИ», г. Москва
12.30 – 12.45 Принципы формирования Госзаказа на примере направления «Силовая электроника»
Г.Б. Грихина, О.В Маклакова, М.М Крымко., Ю.А. Кузнецов, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва
12.45 – 13.00 Особенности, результаты и перспективы разработки ИМС при взаимодействии с зарубежными foundry-фабриками
Е.М. Савченко, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва
13.00 – 14.00 перерыв, посещение музея предприятия
Дневное заседание, 14.00 – 18.00
^
Параллельная работа 3-х секций: № 1, № 2, № 5
Секция № 1
«СВЧ полупроводниковые приборы»
Председатель д.ф.-м.н., профессор А.Г. Васильев
Малый конференц-зал
14.00 – 14.15 Исследование мощных СВЧ GaN полевых транзисторов в импульсном режиме
И.М. Аболдуев, А.Г. Васильев, А.А. Дорофеев, Ю.В. Колковский, В.М. Миннебаев, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва
14.15 – 14.30 Мощные полевые СВЧ транзисторы на основе многослойных гетероструктур AlGaN/GaN/AlGaN
А.Н. Алексеев, Д.М. Красовицкий, С.И. Петров, В.П. Чалый, ЗАО «Светлана-Рост», г. Санкт-Петербург
14.30 – 14.45 Резонансно-туннельные гетероструктуры: новый подход к созданию малошумящих полупроводниковых приборов
С.В. Аверин1, Н.В. Алкеев1, А.А. Дорофеев2, (1 - ФИРЭ РАН им. В.А. Котельникова, г. Фрязино Московской обл., ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва)
14.45 – 15.00 Исследование на ЭВМ влияния подложки на вольт-амперную характеристику резонансно-туннельного диода
В.Д. Красильников, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва
15.00 – 15.15 Исследование на ЭВМ связи пробивного напряжения HFET на основе GaAs с геометрическими параметрами их активной области
Г.З. Гарбер, А.М. Зубков, С.А. Малеев, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва
15.15 – 15.30 Низкоомный омический контакт к p-GaN
В.М. Вальд-Перлов, В.В. Вейц, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва
15.30 – 15.45 Модуляционные возможности мощного биполярного СВЧ транзистора
В.Л. Аронов, А.А. Евстигнеев, А.С. Евстигнеев, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва
15.45 – 16.00 Мощный транзистор S-диапазона с теплоотводом из поликристаллического алмаза
К.Б. Левицкий, В.А. Сидоров, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва
16.00 – 16.15 Мощные кремниевые ВЧ и СВЧ МДП–транзисторы: достижения, проблемы, перспективы развития
В.В. Бачурин, А.К. Бельков, С.С. Бычков, Ю.В. Журавлев, С.А. Ерохин, Т.Н. Пекарчук, О.В. Сопов, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва
16.30 – 16.45 Влияние конструктивно-технологических факторов на стабильность и воспроизводимость электрофизических параметров мощных СВЧ полевых транзисторов
В.В. Асессоров, И.И. Бородкин, В.А. Кожевников, Б.К. Петров
ФГУП «НИИЭТ», г. Воронеж
16.45 – 17.00 Количественная оценка распределенного сопротивления высоколегированного истокового p+–слоя подложки в мощных кремниевых ВЧ и СВЧ LDMOS–транзисторах
В.В. Бачурин, А.К. Бельков, С.С. Бычков, Ю.В. Журавлев, С.А. Ерохин, Т.Н. Пекарчук, О.В. Сопов, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва
17.00 – 17.15 Использование полиимида при создании мощных широкополосных СВЧ транзисторов с двухуровневой металлизацией
М.В Гладких, С.А. Кузнецов, И.И. Моин, А.Д. Першин, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва
17.15 – 17.30 Подведение итогов работы секции
^
Секция № 2
«Микроэлектроника и силовая электроника»
Председатель - к.т.н. М.М. Крымко
Кабинет Главного инженера
14.00 – 14.15 Новые технологии, новые приборы и проблемы развития
В.В. Бачурин, Н.С. Жукова, М.М. Крымко, О.В. Сопов, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва
14.15 – 14.30 Результаты оптимизации комплементарного биполярного технологического процесса изготовления ИМС с использованием САПР TCAD
Р.Н. Виноградов, Д.Г. Дроздов, С.В. Корнеев, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва
14.30 – 14.45 Разработка комплементарной биполярной технологии для реализации аналоговых ИМС высокого быстродействия
^ М.В. Хохлов1, А.А. Демин1, В.Ф. Морозов2, (1 - ОАО «Научно-исследовательский институт технологии и автоматизации производства», г. Москва, Зеленоград, 2 - ОАО «НИИМЭ и Микрон», г. Москва, Зеленоград)
14.45 – 15.00 Выбор оптимальных параметров температурного дрейфа источника опорного тока операционных усилителей с токовой обратной связью
Е.М. Савченко, С.В. Корнеев, А.С. Ширяева, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва
15.00 – 15.15 Основные направления в создании высоколинейных ИМС ВЧ и СВЧ смесителей
А.В. Вагин, Е.М. Савченко, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва
15.15 – 15.30 Анализ методов построения каскадируемых широкополосных СВЧ усилителей на основе схемы Дарлингтона
Е.М. Савченко, И.А. Завьялов, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва
15.30 – 15.45 Анализ методов создания умножителей частоты ВЧ и СВЧ диапазона частот.
Е.М. Савченко, А.В. Вагин, М.В. Кондратьев, А.Д. Кузьмин ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва
15.45 – 16.00 Проблемы разработки ИМС СВЧ логарифмических усилителей
Р.Н. Виноградов, С.В. Корнеев, Д.Л. Ксенофонтов, Е.М. Савченко, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва
16.00 – 16.15 Основные направления улучшения показателей качества СВЧ ИМС фазовых детекторов
Р.Н. Виноградов, С.В. Корнеев, Д.Л. Ксенофонтов, Е.М. Савченко, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва
16.15 – 16.30 Особенности построения выходных каскадов ИМС логарифмических усилителей
Р.Н. Виноградов, С.В. Корнеев, Д.Л. Ксенофонтов, Е.М. Савченко, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва
16.30 – 16.45 Результаты исследования экспериментальных образцов ИМС операционных усилителей, изготовленных при взаимодействии с зарубежной foundry-фабрикой
Е.М. Савченко, Р.Н. Виноградов, С.В. Корнеев, Д.Л. Ксенофонтов, И.С. Анохин, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва
16.45 – 17.00 Оптимизация схемно-топологического решения ряда ИМС СВЧ делителей частоты
А.С. Будяков1, Е.М. Савченко2, (1- Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса, г. Шахты, 2 - ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва)
17.00 – 17.15 Интегральные схемы управления коммутаторами СВЧ сигналов на p-i-n диодах
И.Н. Волков, П.А. Дик, В.Р. Кучерский, В.С. Машкова, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва
17.15 – 17.30 Особенности измерения параметров быстродействующих компараторов напряжения
И.Н. Волков, П.А. Дик, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва
17.30 – 17.45 Достижения, проблемы, перспективы разработки КМОП микросхем управления фоточувствительными приборами с зарядовой связью
В.А. Володин, П.В. Володин, И.В. Харченко, И.Е. Шумков, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва
17.45 – 18.00 Подведение итогов работы секции
Секция № 5
«САПР в разработках полупроводниковых ИЭТ и твердотельных блоков РЭА»
Председатель - д.т.н., профессор В.Л. Аронов
Кабинет заместителя генерального директора по научной работе
14.00 - 14.15 Особенности создания библиотеки интегральных элементов для САПР Cadence
Е.М. Савченко, И.Е. Свинцов, М.В. Кондратьев, Д.Г. Дроздов, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва
14.15 - 14.30 Особенности автоматизации расчёта параметров сверх быстродействующих операционных усилителей в САПР Cadence
Е.М. Савченко, А. С. Ширяева, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва
14.30 - 14.45 Основные подходы к учёту влияния параметров корпуса полупроводниковых ИЭТ с использованием современных САПР
^ А.С. Будяков1, А.А. Зайцев2, Е.М, Савченко2, (1- Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса, г. Шахты, 2 - ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва)
14.45 - 15.00 Анализ методов экстракции параметров биполярных транзисторных структур на основе программно-аппаратного комплекса компании Agilent
Д.Г. Дроздов, И.А. Завьялов, Е.М. Савченко, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва
15.00 - 15.15 Особенности автоматизированного проектирования индуктивных элементов в интегральном исполнении
^ А.С. Будяков1, Д.Н. Конев1, Н.Н. Прокопенко1, Е.М. Савченко2, (1- Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса, г. Шахты, 2 - ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва)
15.15 - 15.30 Выбор оптимального маршрута моделирования диффузионных процессов с использованием САПР TCAD
Р.Н. Виноградов, Д.Г. Дроздов, СВ. Корнеев, Е.М. Савченко, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва
15.30 - 15.45 Методы проектирования печатных плат с использованием САПР Altium Designer
А.А. Пронин, А.С Романов, Е.М. Савченко, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва
15.45 - 16.00 Унификация и функциональная избыточность топологии кристалла, как метод сокращения сроков разработки функционально близких имс
СВ. Корнеев, Е.М. Савченко, А.С Ширяева, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва
16.00 - 16.15 Система разработки, организации и учёта сложно-функциональных блоков систем различного уровня
Е.М. Савченко, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва
16.15 - 16.30 Моделирование схем и систем с переносом частоты в САПР Cadence
А.В. Вагин, Е.М. Савченко, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва
16.30 - 16.45 Использование возможностей программ инженерных и математических расчётов компании Mathworks при разработке ИЭТ
В.Л. Аронов, А.А. Евстигнеев, А.С. Романов, Е.М. Савченко, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва
16.45 - 17.00 Анализ возможностей различных программ математического моделирования тепловых полей применительно к разработке ИЭТ
Д.С. Левин, А.А. Пронин, В.Ф. Синкевич, П.В. Таран, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва
17.00 - 17.15 Инструменты объемного интегрирования электронной техники
В.Л. Аронов, Ю.П. Зайцев, А.А. Лапшин, Д.С. Левин, А.А. Подадаева, В.М. Сидоров, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва
17.15 – 17.30 Подведение итогов работы секции
17.30 – 18.00 Итоги 1-го дня работы конференции
08 октября 2008 г. (среда)
УТРЕННЕЕ заседание, 10.00 – 13.00
^
Параллельная работа 3-х секций: № 3, № 4, № 7
Секция № 3
«Фотоэлектроника и комплексированные изделия фотоэлектроники»
Сопредседатели: к.т.н. Ю.А. Кузнецов, к.т.н. А.С. Скрылев
^
Кабинет заместителя генерального директора по научной работе
10.00 – 10.15 Твёрдотельный фотоэлектронный умножитель на основе матрицы гейгеровских лавинных фотодиодов.
^ Е.А. Георгиевская1 , С.Н. Клёмин1, Е.В. Попова2, А.А. Русанов1, Л.А. Филатов1, М.П. Шумов1 (1 - ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва, 2 - МИФИ, г. Москва)
10.15 – 10.30 Фоточувствительные приборы с зарядовой связью, телевизионные модули и ФПУ на их основе
А.Г. Васильев, Е.В. Костюков, Ю.А. Кузнецов, А.Г. Мордовский, А.С. Скрылёв, В.В. Чернокожин, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва
10.30 – 10.45 Многоканальное фотоприемное устройство на базе матричного прибора с зарядовой связью в режиме ВЗН
В.И. Бачурин, А.А. Клинов, В.С. Жильцов, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва
10.45 – 11.00 Фоточувствительные приборы с зарядовой связью со сверхвысоким разрешением
Е.В. Костюков, A.M. Маклаков, Н.В. Федукова, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва
11.00 – 11.15 Гибридный фотоприёмник с режимом ВЗН на основе примесного кремния и функциональный ряд ИК модулей на его основе
Ю.И. Завадский, П.Б. Константинов, Б.М. Хотянов, В.В. Чернокожин, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва
11.15 – 11.30 Электронно-чувствительные матричные приборы с зарядовой связью, предназначенные для работы в составе ЭОП
И.С. Борисов, П.Б. Константинов, Ю.А. Концевой, Е.В. Костюков, A.M. Маклаков, А.С. Скрылёв, В.В. Чернокожин, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва
11.30 – 11.45 Матричные фотоприёмники на КМОП-структурах, обеспечивающие возможность произвольной выборки
Д.В. Бородин, Е.В. Костюков, Ю.В. Осипов, А.С. Скрылёв, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва
11.45 – 12.00 Российские ПЗС в системах ДЗЗ высокого разрешения
А.И. Бакланов, В.И. Карасёв, Филиал ФГУП «ГНПРКЦ «ЦСКБ-Прогресс» - «ОПТЭКС», г. Москва
12.00 – 12.15 Применение многоэлементных фотоприемников с зарядовой связью как качественный скачок в разработке аппаратуры дистанционного зондирования земли
Н.П. Акимов, Ю.М. Гектин, ФГУП «РНИИКП», г. Москва
12.15 – 12.30 Подведение итогов работы секции
^
Секция № 4
«Сложные функциональные блоки РЭА»
Сопредседатели: к.т.н. А.С. Евстигнеев, к.т.н. Ю.В. Колковский
Малый конференц-зал
10.00 – 10.15 200-ваттный импульсный усилитель мощности Х-диапазона с активными элементами на основе широкозонных материалов
^ И.М. Аболдуев1, А.Г. Васильев1, А.А. Глыбин1, А.М. Зайцев1, А.М. Зубков1, Ю.В. Колковский1, Д.С. Левин1, В.М. Миннебаев1, Ю.В. Пырсиков2,
(1 - ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва, 2 - ОАО «МНИИРЭ «Альтаир», г. Москва)
10.15 – 10.30 Расширение функциональных возможностей приемо-передающих модулей АФАР L-диапазона
В.Л. Аронов, А.А. Евстигнеев, А.А. Подадаева, С.А. Поляков, Ю.С. Сендерук, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва
10.30 – 10.45 Разработка МИС с использованием SiGe БиКМОП Л.П. Ионов 1, Ю.В. Колковский 2, И.В. Малышев 1, В.М. Миннебаев 2, И.И. Мухин 1, В.В. Репин 1, А.А. Суслов 1 ( 1 – ФГУП «НИИМА «Прогресс», Москва, 2 – ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва)
10.45 – 11.00 Четырехканальный приемник Х-диапазона для систем радиолокации
Ю.В. Колковский, В.М. Миннебаев, А.В. Перевезенцев, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва
11.00 – 11.15 Широкополосные малошумящие усилители мощности диапазона частот 1-9 ГГц
А.М. Осипов, С.В. Платонов, ЗАО «НПП «Планета – Аргал», г. Великий Новгород, Россия
11.15 – 11.30 Твердотельные формирователи сигналов для сверхширокополосных радиоэлектронных систем
Ю.В. Колковский, А.В. Перевезенцев, Р.А.Плетнев, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва
11.30 – 11.45 10-ваттный импульсный усилитель мощности С-диапазона со встроенным дискретным аттенюатором
И.М. Аболдуев, Б.М. Китаин, А.В. Тихомиров, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва
11.45 – 12.00 СВЧ ГИС десятиваттного семиступенчатого аттенюатора для выходного каскада усилителя мощности S-диапазона
И.М. Аболдуев, В.М. Вальд-Перлов, Г.З. Гарбер, А.М. Зубков,В.Д. Красильников, В.М. Миннебаев, С.А. Малеев, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва
12.00 – 12.15 Малогабаритные модули усилителей мощности для средств связи
В.В. Асессоров, С.В. Грищенко, В.А. Кожевников, И.В. Семейкин, ФГУП «НИИЭТ», г. Воронеж
12.15 – 12.30 Мощные усилительные паллеты для модулей АФАР
В.В. Асессоров, С.В. Грищенко, В.А. Кожевников, И.В. Семейкин, ФГУП «НИИЭТ», г. Воронеж
12.30 - 12.45 Анализ основных направлений построения интегральных СВЧ усилителей мощности L- и S- диапазонов частот с выходной мощностью до 2,5 Вт на основе кремниевых транзисторов
А.С. Будяков1, Е.М. Савченко2, (1- Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса, г. Шахты, 2 - ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва)
12.45 – 13.00 СВЧ арсенидгаллиевый пятиразрядный аттенюатор
^ А.М. Осипов 1, В.В. Радченко Л.М. 2, Семенова 1, ( 1 - ЗАО «НПП «Планета-Аргалл», г. Великий Новгород, 2 - ФГУП «ЦНИРТИ им. академика А.И. Берга», г. Москва
Перерыв 13.00 - 14.00
14.00 – 14.15 Многокристальные модули на кремниевых подложках – основа создания перспективной элементной базы РЭА
В.А. Бражник, М.В. Хохлов, ОАО «Научно-исследовательский институт технологии и автоматизации производства», г. Москва, Зеленоград
14.15 – 14.30 Малошумящий усилитель Х-диапазона с устройством защиты от несинхронных помех высокого уровня
С.А. Королев, В.М. Миннебаев, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва
14.30 – 14.45 Усилитель, ограничитель и транзистор на GaAs
в корпусах для поверхностного монтажа
А.П. Штейнгарт, ЗАО «НПП «Планета-Аргалл», г. Великий Новгород
14.45 – 15.00 Мощные СВЧ нагрузки на основе AlN
М.В. Гладких, И.И. Моин, А.Д. Першин, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва
15.00 - 15.15 Твердотельный двухдиапазонный формирователь опорных сигналов для вторичных РЛС УВД
Д.А. Базаров, Е.Г. Вишневский, Е.И. Пряников, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва
15.15 - 15.30 Использование перестройки несущей частоты сигнала при сопровождении целей над отражающей поверхностью для устранения срывов сопровождения
Е.А. Покровская, ОАО «МНИИРЭ «Альтаир», г. Москва
15.30 - 15.45 Построение многофункционального радиолокатора для корабля малого водоизмещения
В.В. Виноградов, ОАО «МНИИРЭ «Альтаир», г. Москва
15.45 – 16.00 Подведение итогов работы секции
^
Секция № 7
Технология, оборудование для разработки и производства полупроводниковых приборов и микроэлектронных систем»
Председатель - В.А. Курмачев
^
Кабинет Главного инженера
10.00 – 10.15 Вакуумное оборудование технологических линий твердо-тельной ЭКБ
А.Г. Филаретов, А.Н. Алексеев, Ю.В. Погорельский, С.Б. Александров, ЗАО «Научное и технологическое оборудование», г. Санкт-Петербург
10.115 – 10.30 Основные технологии развития методов микролитографии в производстве полупроводниковых приборов и устройств (по материалам отечественных и зарубежных публикаций)
И.Н. Рубцов, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва
10.30 – 10.45 Методология управления топологической точностью микро-литографии
Ю.Б. Цветков, МГТУ им. Н.Э. Баумана г. Москва
10.45 – 11.00 Анализ возможностей современных методов микро-литографии
А.А. Мельников, А.И. Сидоров, Ю.Б. Цветков, Якушев М.В. МГТУ им. Н.Э. Баумана г. Москва
11.00 – 11.15 Особенности кластерного подхода при создании современного полупроводникового производства
А.Р. Хохлун, ЗАО Предприятие «Остек», г. Москва
11.15 – 11.30 Технология и оборудование для контроля структурной целостности полупроводниковых приборов как средства обеспечения качества и надежности изделий электронной техники
А.Ю. Насонов, ЗАО Предприятие «Остек», г. Москва
11.30 – 11.45 Современные тенденции корпусирования полупроводнико-вых приборов
А.А. Чабанов, ЗАО Предприятие «Остек», г. Москва
11.45 – 12.00 Способы герметизации полупроводниковых приборов
В.Б. Есипова, СВ. Катаев, В.А. Сидоров, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва
12.00 – 12.15 Оптимизация конструкции кристаллодержателей из материалов с высокой теплопроводностью, альтернативных ВеО керамике, в корпусах мощных СВЧ транзисторов
В.А. Сидоров, П.В. Таран, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва
12.15 – 12.30 Возможности использования низкотемпературной керамики в СВЧ транзисторах и полупроводниковых многокристальных микромодулях
В.Г. Шилин, ОАО «НПП «Томилинский электронный завод», г. Томилино Московской обл.
12.30 – 12.45 Технология изготовления специальной фольги и её использование для межсоединений в СВЧ микросборках
Е.М. Апостолова, А.А. Зайцев, В.А. Сидоров, Л.В. Чумакова, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва
12.45 – 13.00 Термические процессы в производстве корпусов полупроводниковых приборов
В.А. Жамалетдинов, Б.И. Лапутин, В.А. Сидоров, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва
13.00 – 13.15 Подведение итогов работы секции
Перерыв 13.15 - 14.00
Дневное заседание, 14.00 – 17.00
^
Параллельная работа 2-х секций: № 6, № 8
Секция № 6
«Вопросы качества и надежности в научных разработках и производстве полупроводниковых ИЭТ и твердотельных блоков РЭА»
Председатель - д.т.н., профессор В.Ф. Синкевич
^
Кабинет заместителя генерального директора по научной работе
14.00 – 14.15 Механизм внезапных отказов мощных СВЧ транзисторов при работе в импульсных периодических режимах
М.Н. Гришаков, В.Ф. Синкевич, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва
14.15 – 14.30 Надёжность мощных СВЧ транзисторов с кристалло-держателями из высокотеплопроводных альтернативных ВеО керамике материалов
М.Н. Гришаков, В.А. Сидоров, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва
14.30 – 14.45 Анализ зависимости скорости развития отказов, вызванных усталостными явлениями в металлизации СВЧ транзисторов, от параметров термоциклов
М.Н. Гришаков, В.Ф. Синкевич, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва
14.45 – 15.00 Расчет параметров термоциклов в импульсных периодичес-ких режимах работы СВЧ транзисторов
М.Н. Гришаков, В.Ф. Синкевич, П.В. Таран, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва
15.00 – 15.15 Экспресс-метод измерения теплового сопротивления с помощью ИК пирометров
Н.Л. Евдокимова, С.В. Иванов, В.Ф. Минин, Б.Л. Перельман, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва
15.15 – 15.30 Современный программно-аппаратный комплекс для контроля теплофизических и электрических параметров ППП и их ОБР
В.В. Долгов, В.С. Ежов, А.Ю. Моторин, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва
15.30 – 15.45 Использование радионуклидных источников альфа-излучения в полупроводниковой технологии и при имитационных испытаниях изделий полупроводниковой электроники на стойкость к воздействию специальных факторов
Э.Т. Аврасин, Э.Н. Вологдин, И.Я. Гантман, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва
15.45 – 16.00 Общий подход к оценке импульсной электрической прочности изделий полупроводниковой электроники
Э.Т. Аврасин, Э.Н. Вологдин, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва
16.00 – 16.15 Подведение итогов работы секции
^
Секция № 8
«Полупроводниковые материалы и методы их исследования»
Сопредседатели: д.т.н., профессор Ю.А. Концевой,
д.т.н. К.Л. Енишерлова
^
Кабинет Главного инженера
14.00 – 14.15 Гетероэпитаксиальные структуры AlGaN/GaN на подложках карбида кремния для СВЧ полевых транзисторов
А.А. Арендаренко, И.Г. Ермошин, Ю.Н. Свешников, И.Н. Цыпленков, ЗАО «Элма-Малахит» - ДО ОАО «Концерн «Энергомера», г. Москва, Зеленоград
14.15 – 14.30 Особенности микроструктуры и электронных свойств гетероструктур AlGaN/GaN, выращенных методами MOCVD и MBE
Н.Б. Гладышева, В.Г. Горячев, И.Б. Гуляев, К.Л. Енишерлова, Э.М. Темпер, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва
14.30 – 14.45 Особенности аппаратно-программных решений при конструировании аппаратуры измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов
Б.Л. Гуськов, Ю.А. Концевой, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва
14.45 – 15.00 Электрические и оптические свойства нанопленок из линейно-цепочечного углерода
^ М.Б. Гусева1, Ю.И. Завадский2, П.Б. Константинов2, Ю.А. Концевой2, Н.Д. Новиков3, В.В. Хвостов1, В.В. Чернокожин2, (1 -МГУ им. М.В. Ломоносова, г. Москва, 2 - ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва, 3 - Чебоксарский госуниверситет, г. Чебоксары)
15.00 – 15.15 Роль первого высокотемпературного отжига в формировании внутреннего геттера
Е.В. Костюков, М.А. Поспелова, Т.Ф. Русак, ФГУП «НПП «Пульсар», г. Москва
15.15 – 15.30 Влияние состава нанокомпозитов на основе SnO2 на их структуру и газочувствительные свойства
Б.Л. Агапов, В.А. Буслов, С.И. Рембеза, Д.В. Русских, ФГУП «НИИЭТ», г. Воронеж
15.30 – 15.45 Электрические и фотоэлектрические свойства нанокомпозитов на основе SnO2
В.А. Буслов, Д.Ю. Куликов, С.И. Рембеза, Д.В. Русских, ФГУП «НИИЭТ», г. Воронеж
15.45 – 16.00 Подведение итогов работы секции
16.30 – 17.00 – подведение творческих итогов работы и закрытие конференции
Малый конференц-зал
Товарищеский кофе-коньяк – для председателей, членов комитетов, участников (ветеранов и молодых специалистов)