Программа конференции, доклады. 13. 10. 2011
| Вид материала | Программа |
- Программа конференции будет включать приглашенные доклады отечественных и иностранных, 25.03kb.
- Научная программа конференции включает научные доклады, пленарные доклады, стендовые, 62.76kb.
- Программа конференции будет включать устные и стендовые доклады, а также доклады-презентации, 20.41kb.
- Научная программа конференции : Устные доклады Стендовые доклады, 32.76kb.
- Программа X украинской конференции по птицеводству с международным участием, 134.57kb.
- Научная программа включает лекции, сателлитные симпозиумы, доклады. (Формы участия:, 36.7kb.
- Программа международной научно-практической конференции 3-4 февраля 2011 Пленарные, 43.25kb.
- Программа международной научно-практической конференции 3-4 февраля 2011 Пленарные, 59.28kb.
- Программа XII украинской конференции по птицеводству с международным участием, 137.28kb.
- Научная программа конференции включает: • Пленарные заседания, стендовые доклады, 71.77kb.
2-Я МЕЖДУНАРОДНАЯ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ
«ТЕХНОЛОГИИ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ
В МИКРО- И НАНОСИСТЕМНОЙ ТЕХНИКЕ»
13-14 октября 2011 года
Программа конференции, доклады.
13.10.2011
| № | Время | Тема доклада | Докладчик |
| | 9-00 – 10-00 | Регистрация участников (Проходная МИЭТ) Регистрация участников (Фойе 1 этаж 3 корпус) | |
| | 10-00 | Открытие конференции | Сауров А.Н. (д.т.н., проф., чл.-корр. РАН, директор НПК «Технологичечкий центр») |
| | | Радиоэлектронные методы медицинской диагностики | Гуляев Ю.В. (д.ф.-м.н., проф., академик РАН, директор ИРЭ РАН) |
| | | Исследования и разработки МИЭТ в области нанотехнологий, нано- и микросистемной техники | Гаврилов С.А. (д.т.н., проректор по научной работе МИЭТ) |
| | | Организация конференции в рамках программы, публикации | Вернер В.Д. (д.ф.-м.н., проф., председатель НТС НПК «Технологический центр») |
| | 11-30 - 12-00 Café-break | ||
| | | Перенос носителей заряда в углеродных нанотрубках | Булярский С. В. (профессор, д.ф.м.н., УлГУ) |
| | | Спиновые состояния нанокластеров силицидов переходных металлов | Сигов А. С., (д.ф-м.н., профессор, член-корр. РАН, МГТУ МИРЭА) |
| | | Энергетическая модель перспективной элементной базы наноэлектроники | Лосев В.В.(к.т.н, МИЭТ, доцент каф. ИЭМС) |
| | | Внутренняя квантовая эффективность светоизлучающих структур на основе квантовых ям InGaN/GaN | Кульчицкий Н.А. ( д.т.н., профессор, МИРЭА) |
| | | Исследование электрофизических характеристик структур на основе топологических массивов углеродных нанотрубок | Павлов А.А. (к.т.н. НПК «Технологический центр») |
| | | Перспективы применения химических наносенсоров для космической техники | Малиновская О.С. (к.ф.-м.н., ГНЦ ФГУП «Центр Келдыша») |
| | | Осцилляции ширины запрещенной зоны одностенных углеродных нанотрубок в области сверхмалых диаметров | Ганин А.А. (Магистр физики, аспирант Воронежского государственного университета) |
| | | Измерение и моделирование температурных зависимостей диэлектрических параметров сегнетоэлектриков | Печерская Е.А. (д.т.н., Пензенский государственный университет) |
| | 14-00 – 15-00 Обед | ||
| | | От микро- к наноэлектронике | Лабунов В.А. (академик Национальной Академии Наук Белоруссии, главный научный сотрудник Белорусского государственного университета информатики и радиоэлектроники) |
| | | МЭМС/НЭМС производственные линии и фаундри-услуги компании ULVAC | Atsushi Kira (ULVAC Inc / Research & Development Division) |
| | | Интегрированная наноэлектромеханическая система параметров движения | Амеличев В.В (к.т.н., Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН) |
| | | Фотостимулированная десорбция ПАВ как метод формирования тонких плёнок наночастиц | Заседателев А.В. (научный сотрудник В/ч 35533) |
| | | Работка модулей для исследования оптически стимулированной люминесценции в наноструктурированных и пористых материалах | Вохминцев А.С. (к.ф.-м.н., Уральский Федеральный Университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина) |
| | | Определение степени пористости пленочных покрытий методом резерфордовского обратного рассеяния ионов гелия | Егоров В.К. (к.ф.м.н., Институт Проблем Технологии Микроэлектроники РАН) |
| | | Диагностика пористых материалов на основе оксидов металлов методами фотолюминесценции и атомно-силовой микроскопии | Тарасов С.А. (к.ф.-м.н., доцент, СПбГЭТУ "ЛЭТИ") |
| | | Интегральные биохимические системы в концепции «лаборатория на чипе» | Кузнецов А.Е. (НПК «Технологический центр») |
| | | Исследование кремниевых наноструктур в качестве PH-чувствительных элементов | Чуйко О.В. (НПК «Технологический центр») |
| | | Изготовление МДМ – катодов с наноострийным нижним электродом | Троян П. Е. (д.т.н., профессор, зав. каф., Томский университет систем управления и радиэлектроники) |
Окончание докладов - 17-30
14.10.2011
| № | Время | Тема доклада | Докладчик |
| | 09-30 | Итоги и перспективы развития отечественных технологий СБИС с проектными нормами 0,25 – 0,065 мкм | Шелепин Н.А. (д.т. н., профессор ОАО "НИИМЭ и завод "Микрон") |
| | | Возможности разработки и изготовления новейших МЭМС\НЭМС с использованием кластерного оборудования | Быков В.А. (д.ф-м.н., ЗАО «НТ-МДТ») |
| | | Наномейкер-электронная литография предельного разрешения для проектирования, оптимизации и производства систем наноэлементов | Зайцев С.И. (д.ф-м.н. Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН) |
| | | Принципы конструирования биполярных СВЧ структур с предельно узкими эмиттерными областями | Луканов Н.М. (д.т.н., НПК «Технологический центр») |
| | | Интегрированные антенны на наногетероструктурах арсенида галлия | Матвеенко О.С. (к.т.н., Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН) |
| | | Визуализация слоев металлизации современных интегральных схем с помощью физического ионного распыления | Вяткин А.Ф. (д.ф-м.н., профессор, Институт Проблем Технологии Микроэлектроники РАН) |
| | | Использование метаморфной технологии для получения НЕМТ наногетероструктур InAlAs/InGaAs на подложках GaAs и InP с различным содержанием InAs в активной области | Пушкарев С.С. (Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН, инженер-исследователь) |
| | | Разномасштабное моделирование термического наноимпринтинга для аттестации и оптимизации структуры штампов | Сироткин В.В.(к.ф-м.н., Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН) |
| | 11-30 - 12-00 Café-break | ||
| | | Инерциальные микроэлектромеханические преобразователи угловой скорости, линейного ускорения и системы на их основе | Тимошенков С.П., (проф. д.т.н., МИЭТ) |
| | | Моделирование влияния технологических факторов на характеристики кремниевого резонансного сенсора давления | Гридчин В.А. (д.т.н., профессор, ООО «СибИС», научный консультант) |
| | | Наноэлектромеханические системы в квантовой информатике | Цуканов А.В. (к.ф.-м.н., Физико-технологический институт РАН) |
| | | Современные малогабаритные инерциальные системы на основе микроэлектромеханических сенсоров (акселерометров, гироскопов, инклинометров) | Урманов Д.М. (к.т.н., исполнительный директор «Русская Ассоциация МЭМС») |
| | | Датчики на основе чувствительных элементов из Al2O3 и БИС преобразователя емкость - напряжение | Коннов Е.В. (ведущий конструктор НТЦ «Белмикросистемы») |
| | | Исследование резонансных характеристик металлических микро- и нанобалок | Уваров И.В. (Ярославский филиал Учреждения Российской академии наук Физико-технологического института РАН) |
| | | Тактильные механорецепторы на основе тензорезистивных МЭМС структур | Буданов В.М. (к.ф.-м.н., МГУ) |
| | | Сверхострые иглы для измерения и контроля наноструктур | Соколов И.В. (ГНЦ ФГУП «Центр Келдыша») |
| | | Магнитные поля многослойных пленок, измеренные с помощью наноразмерного ферромагнитного датчика Холла | Матвеев В.Н. (Институт Проблем Технологии Микроэлектроники РАН) |
| | | Научно-технические проблемы использования нанотехнологий в спецтехнике | Мальцев П.П. (Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН) |
| | 14-30 – 15-30 Обед | ||
15-30 - 17-30
| № | Время | Тема доклада | Докладчик |
| | 15-30 | Next Generation Lithography - мифы и реальность | Зайцев С.И. (д.ф-м.н. Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН) |
| | | Технология получения и морфология 3D самоорганизованных наноструктур антимонида галлия | Куцелык Т.В. (студентка 1 курса магистратуры ВГУ) |
| | | Исследование влияния импульсного токового воздействия на процессы дефектообразования в системах металл-диэлектрик | Скворцов А.А (МГТУ "МАМИ") |
| | | Моделирование зонной диаграммы и расчет эффективной массы электронов в составных квантовых ямах InGaAs с нановставками InAs и GaAs | Пономарев Д.С. (НИЯУ МИФИ, аспирант) |
| | | Исследование влияния механических деформаций на электрические свойства массивов углеродных нанотрубок | Шаман Ю.П. (НПК «Технологический центр») |
| | | Влияние окисления катализатора на рост углеродных нанотрубок | Шаманаев А.А. (НПК «Технологический центр») |
| | | Формирование углеродных наноструктур с развитой поверхностью для конденсатора с высокой емкостью | Дубков С.В. (НИУ МИЭТ, магистрант) |
| | | Деградационные процессы в системах металл-диэлектрик | Скворцов А.А (МГТУ "МАМИ") |
| | | Подвижность электронов в ступенчатой квантовой яме AlGaAs/GaAs/InGaAs/GaAs/AlGaAs в случае многоподзонной проводимости: моделирование и эксперимент | Хабибуллин Р.А. (НИЯУ МИФИ аспирант) |
| | | Измерение электрического сопротивления металлических слоёв в микроэлектромеханической мультиэлектродной биоматрице методом относительной двухволновой рентгеновской рефлектометрии | Карташов Д.А (ОАО «НИИМЭ и Микрон») |
| | | Вольт-амперные характеристики системы нанонитей из атомов олова, встроенных в кристалл арсенида галлия | Ячменев А.Э. (Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН) |
| | | Влияние дислокаций на внутреннюю квантовую эффективность светоизлучающих структур на основе квантовых ям InGaN/GaN | Кульчицкий Н.А. ( д.т.н., профессор, МИРЭА) |
15-30 - 17-30
| № | Время | Тема | Докладчик |
| | 15-30 | БИС преобразователя емкость - напряжение для электронной схемы микромеханического сенсора общего назначения | Коннов Е.В. (ведущий конструктор НТЦ «Белмикросистемы») |
| | | Формирование наноразмерных монокремниевых структур на КНИ пластинах | Рыбачек Е.Н. (к.т.н., НПК «Технологический центр») |
| | | Динамические характеристики чувствительного элемента микроакселерометра с повышенным фактором демпфирования | Уваров И.В. (Ярославский филиал Физико-технологического института РАН) |
| | | Создание селективных сенсорных структур на основе смеси углеродных нанотрубок и нановолокон оксида цинка | Комаров И.А. (МИЭТ, «НОЦ ЗМНТ») |
| | | Микросистема контроля двух компонент вектора магнитной индукции на основе наноразмерных магниторезистивных структур | Касаткин С.И. (д.т.н., НПК «Технологический центр») |
| | | Конструктивные и схемотехнические способы повышения чувствительности биполярных магнитотранзисторов для прецизионного контроля перемещений микромеханических элементов | Козлов А.В. (НПК «Технологический центр») |
| | | Моделирование наноалмазных частиц | Солнцев А.В. (аспирант ИИФиРЭ СФУ) |
| | | Оптимизация конструкции миниатюрного тензорезистивного преобразователя давления с помощью конечно-элементного моделирования | Годовицин И.В. (к.т.н. НПК «Технологический центр») |
| | | Исследование технологии формирования пленок ZnO:Ga для создания преобразователей акустического давления | Поломошнов С.А. (к.т.н., НПК «Технологический центр») |
| | | Быстродействующий преобразователь электрического тока | Платонов В.В. (к.т.н., НПК «Технологический центр») |
| | | Разработка технологии изготовления полупроводниковых преобразователей радиоактивных излучений | Генералов С.С. (НПК «Технологический центр») |
| | | Исследование динамики микромеханических устройств с нанесенной металлизацией | Козин И.А. (Ярославский филиал Физико-технологического института РАН) |
| | | Разработка акустического МЭМС преобразователя | Никифоров С.В. (НПК «Технологический центр») |
| | | ZnO-пьезоэлектрический харвестер с подвижным электродом | Козьмин А. (МИЭТ) |
| | | Исследование технологии изготовления матриц магниторезистивной памяти на основе спин-туннельного эффекта | Костюк Д.В. (НПК «Технологический центр») |
| | | Профилированный магниторезистивный микрочип биосенсорного устройства регистрации магнитных меток | Гаврилов Р.О. (НПК «Технологический центр») |
17-30 - 18-00 - закрытие конференции.