Реферат Научная работа включает: 33 страниц, 18 иллюстраций и 3 использованных литературных источников
| Вид материала | Реферат |
- Настоящие рекомендации следует рассматривать как потенциальную модель, ориентированную, 726.01kb.
- Реферат выпускная квалификационная работа содержит страниц машинописного текста, иллюстраций,, 20.33kb.
- Курс 3 Группа 306 Семестр 6 задание на курсовую роботу студентки кравцовой Виктории, 195.83kb.
- Реферат Перечень сокращений, условных обозначений, 101.56kb.
- Реферат Дипломная работа содержит страниц, 10 рисунков, 12 таблиц, 102 использованных, 1024.66kb.
- Реферат должен содержать сведения об объеме пояснительной записки, количестве иллюстраций,, 15.56kb.
- И дипломных работ, 105.91kb.
- Реферат дипломный проект содержит 125 страниц, 22 рисунка, 28 таблиц, 17 литературных, 92.85kb.
- Реферат дипломная работа содержит 126 страниц, 4 рисунка, 28 таблиц, 30 источников,, 65.11kb.
- Калиев Дархан Болатович Сельская потребительская кооперация рк: проблемы и перспективы, 118.81kb.
Реферат
Научная работа включает: 33 страниц, 18 иллюстраций и 3 использованных литературных источников.
Объектами данной работы является полупроводники. Цель работы: анализ применения полупроводников в науке и технике. В основной части работы даны методы исследования физики полупроводников, полученные результаты, основные конструктивные, технологические и технико-эксплуатационные характеристики. На основе них сделаны соответствующие выводы. Представлена к рассмотрению программа нахождения параметров диодов и транзисторов. Анализ возможностей использования полупроводников показал, что полупроводники могут широко использоваться в различных электронных устройствах.
Содержание:
Введение…………………………………………………………………………………..3
1. Физика полупроводников…………………………………….......................................4
1.1 Зонная структура полупроводников…………………………. …………...4
1.2 Терминология и основные понятия………………………….. …………..5
1.3 Статистика электронов и дырок в полупроводниках…………………..6
1.4 Кон-ция Эл-в и дырок в примесном полупроводнике……………….....11
1.5 Определение положения уровня Ферми…………………………………12
1.6 Проводимость полупроводников………………………..............................13
1.7 Токи в полупроводниках………………………………………………….14
1.8 Неравновесные носители………………………………………………….15
1.9 Уравнение непрерывности………………………………………………..17
2. Полупроводниковые диоды…………………………………………………………….18
2.1. Характеристики идеального диода на основе p-n перехода……………..18
2.2. Выпрямление в диоде…………………………………………………………19
2.3. Характеристическое сопротивление………………………………………..19
2.4. Влияние температуры на характеристики диодов………………………..20
3.Транзисторы……………………………………………………………………………..21
3.1. Принцип работы транзистора…………………………………………………22
3.2.Параметры транзистора как элемента цепи…………………………………23
3.3.Типы транзисторов………………………………………………………………25
3.4.Технологические разновидности биполярных транзисторов……………...26
4.Программа расчета параметров диода и транзистора……………………………..27
Заключение………………………………………………………………………………...32
Список использованной литературы…………………………………………………..33
Введение
Электроника представляет собой бурно развивающуюся отрасль науки и техники. Она изучает физические основы и практическое применение различных электронных приборов. К физической электронике относят: электронные и ионные процессы в газах и проводниках. На поверхности раздела между вакуумом и газом, твердыми и жидкими телами. К технической электронике относят изучение устройства электронных приборов и их применение. Область, посвященная применению электронных приборов в промышленности, называется Промышленной Электроникой. Одним из фундаментальных понятий электроники и радиотехники вообще является понятие “полупроводник”. Поэтому в данной работе мы будем рассматривать именно сферу этого понятия.
ПОЛУПРОВОДНИКИ, вещества, электропроводность которых при комнатной температуре имеет промежуточное значение между электропроводностью металлов (106-104 Ом-1 см-1) и диэлектриков (10-8-10-12 Ом-1). Характерная особенность полупроводников - возрастание электропроводности с ростом температуры; при низких температурах электропроводность полупроводников мала; на нее влияют свет, сильное электрическое поле, потоки быстрых частиц и т.д. Высокая чувствительность электропроводности к содержанию примесей и дефектов в кристаллах также характерна для полупроводников. К полупроводникам относится большая группа веществ (Ge, Si и др.). Носителями заряда в полупроводниках являются электроны проводимости и дырки. В идеальных кристаллах они появляются всегда парами, так что их концентрации равны. В реальных кристаллах, содержащих примеси и дефекты структуры, равенство концентраций электронов и дырок может нарушаться и проводимость осуществляется практически только одним типом носителей (смотри также Зонная теория, Твердое тело). Особенности полупроводников определяют их применение (смотри Полупроводниковые приборы).Все эти свойства позволили проводникам стать одними из самых важных материалов в радиотехнике.
1. Физика полупроводников
1.1. Зонная структура полупроводников
Согласно постулатам Бора энергетические уровни для электронов в изолированном атоме имеют дискретные значения. Твердое тело представляет собой ансамбль отдельных атомов, химическая связь между которыми объединяет их в кристаллическую решетку. Если твердое тело состоит из N атомов, то энергетические уровни оказываются N-кратно вырожденными. Электрическое поле ядер, или остовов атомов, выступает как возмущение, снимающее это вырождение. Дискретные моноэнергетические уровни атомов, составляющие твердое тело, расщепляются в энергетические зоны. Решение квантовых уравнений в приближении сильной или слабой связи дает качественно одну и ту же картину для структуры энергетических зон твердых тел. В обоих случаях разрешенные и запрещенные состояния для электронов чередуются и число состояний для электронов в разрешенных зонах равно числу атомов, что позволяет говорить о квазинепрерывном р-пределении энергетических уровней внутри разрешенных зон.
Наибольшее значение для электронных свойств твердых тел играют верхняя и следующая за ней разрешенные зоны энергий. В том случае, если между ними нет энергетического зазора, то твердое тело с такой зонной структурой является металлом. Если величина энергетической щели между этими зонами (обычно называемой запрещенной зоной) больше 3 эВ, то твердое тело является диэлектриком. И, наконец, если ширина запрещенной зоны Eg лежит в диапазоне (0,1 - 3,0) эВ, то твердое тело принадлежит к классу полупроводников. В зависимости от сорта атомов, составляющих твердое тело, и конфигурации орбит валентных электронов реализуется тот или иной тип кристаллической решетки, а, следовательно, и структура энергетических зон. На рисунке 1.1 приведена структура энергетических уровней в изолированном атоме кремния, а также схематическая структура энергетических зон, возникающих при сближении этих атомов и образовании монокристаллического кремния с решеткой так называемого алмазоподобного типа.
Верхняя, не полностью заполненная, энергетическая зона в полупроводниках получила название зоны проводимости. Следующая за ней энергетическая зона получила название валентной зоны. Энергетическая щель запрещенных состояний между этими зонами называется запрещенной зоной. На зонных диаграммах положение дна зоны проводимости обозначают значком EC, положение вершины валентной зоны - EV, а ширину запрещенной зоны - Eg.
Поскольку в полупроводниках ширина запрещенной зоны меняется в широком диапазоне, то вследствие этого в значительной мере меняется их удельная проводимость. По этой причине полупроводники классифицируют как вещества, имеющие при комнатной температуре удельную электрическую проводимость σ от 10-8 до 106 Ом⋅см, которая зависит в сильной степени от вида и количества примесей, структуры вещества и внешних условий: температуры, освещения (радиации), электрических и магнитных полей и т.д.
Для диэлектриков ширина запрещенной зоны Еg > 3 эВ, величина удельной проводимости σ < 10-8 Ом⋅см, удельное сопротивление ρ = 1/σ > 108 Ом⋅см. Для металлов величина удельной проводимости σ > 106 Ом⋅см.
