Республики Беларусь «24»

Вид материала

Пояснительная записка

Содержание В.П. Мельников Пояснительная записка Содержание дисциплины Тема 1. Проводники и проводниковые материалы Тема 2. Физические процессы в диэлектриках Тема 3. Диэлектрические материалы Тема 4. Полупроводники и полупроводниковые материалы Тема 5. Магнетизм и свойства магнетиков Тема 6. Магнитные материалы Тема 7. Введение в микроэлектронику Тема 8. Методы получения топологии ИМС Тема 9. Методы получения элементов и слоев пленочных ИМС Тема 10. Технологические основы оздания Примерный перечень лабораторных работ Основы компъютерного проектирования Учебная программа для высших учебных заведений И.И. Астровский Пояснительная записка Содержание дисциплины Тема 2. Уровни и типы процессов проектирования ... Полное содержание

Подобный материал:

• В перечень банков Республики Беларусь, имеющих право обязываться по векселю, утверждаемый, 419.3kb.
• Республики Беларусь 15 августа 2006, 202.35kb.
• Одобрен Советом Республики 8 февраля 1999 года общая часть глава 1 общие положения, 799.65kb.
• Об утверждении Инструкции о порядке взаимодействия государственных органов, ответственных, 157.85kb.
• Республики Беларусь «Об органах внутренних дел Республики Беларусь», 9.85kb.
• Конституции Республики Беларусь Совет Республики Национального собрания Республики, 11.32kb.
• Конституции Республики Беларусь Совет Республики Национального собрания Республики, 11.74kb.
• Совета Министров Республики Беларусь от 31 октября 2001 г. N 1592 "Вопросы Министерства, 1509.5kb.
• Постановление государственного комитета по авиации республики беларусь, 78.75kb.
• Конституции Республики Беларусь Совет Республики Национального собрания Республики, 13.86kb.

Утверждена

Министерством образования

Республики Беларусь

« 24 » июня 2001 г.

Регистрационный № ТД -160 / тип

РАДИОМАТЕРИАЛЫ И ОСНОВЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ

Учебная программа для ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ

ПО специальности т.09.01.00 «РАДИОТЕХНИка»


Составитель:

А.П. Казанцев - доцент кафедры микроэлектроники Белорусского государственного университета информатики и радиоэлектроники, кандидат технических наук.

Под общей редакцией: Б.С. Колосницына, С.Н. Кураевой.

Рецензенты:

В.М. Хасин - директор Высшего профессионального училища электроники;

В.П. Мельников--заведующий лабораторией Института электроники Национальной академии наук Республики Беларусь, кандидат технических наук.


Рекомендована к утверждению в качестве типовой:

Кафедрой радиотехнических устройств Белорусского государственного университета информатики и радиоэлектроники (протокол № 5 от 30 октября 2000 г.);

Советом Белорусского государственного университета информатики и радиоэлектроники (протокол № 4 от 23 ноября 2000 г.).


Согласована с:

Учебно- методическим объединением вузов Республики Беларусь по бразованию в области электрорадиотехники и информатики;

Главным управлением высшего и среднего специального образования;

Центром методического обеспечения учебно-воспитательного процесса Республиканского института высшей школы БГУ.

ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА

Типовая программа «Радиоматериалы и основы микроэлектроники» разработана для студентов специальности «Радиотехника». Целью дисциплины является изучение свойств основных классов радиотехнических материалов и их применения для изготовления деталей и устройств радиоэлектронной аппаратуры, а также изучение основ микроэлектроники как современного этапа развития электроники и использование микроэлектронных устройств в радиотехнических изделиях.

Радиоинженер должен отчетливо понимать процессы, происходящие в материалах во время их работы в электромагнитном поле, уметь исследовать влияние на материал различных факторов, чтобы в каждом отдельном случае правильно выбрать материал.

Программа составлена в соответствии с требованиями образовательного стандарта и рассчитана на объем 50 учебных часов. Примерное распределение учебных часов по видам занятий: лекций – 17 час, лабораторных работ – 33 час.

В результате освоения курса «Радиоматериалы и основы микроэлектроники» студент должен:

- грамотно и свободно ориентироваться в радиотехнических материалах и их свойствах;

- знать численные значения пределов изменения этих свойств;

- уметь выбирать материалы для конкретных устройств;

- знать современную элементную базу радиоэлектронной аппаратуры.


СОДЕРЖАНИЕ ДИСЦИПЛИНЫ


Введение

Предмет и задачи дисциплины и ее значение в плане подготовки радиоинженера. Классификация радиотехнических материалов по отношению к электромагнитному полю: проводники, диэлектрики, полупроводники, магнетики. Определение материалов по ГОСТу.


Тема 1. Проводники и проводниковые материалы

Классификация проводниковых материалов. Материалы высокой проводимос-ти: медь, алюминий. Благородные материалы и их применение в микроэлектронике. Сплавы высокого удельного сопротивления и области их применения. Основные количественные параметры проводников. Особенности свойств металлов в тонких пленках и слоях.


Тема 2. Физические процессы в диэлектриках

Поляризация диэлектриков, механизмы поляризации. Диэлектрическая проницаемость, ее физический смысл и численное значение для диэлектриков различных областей применения. Электропроводность диэлектриков. Объемное и поверхностное сопротивление твердых диэлектриков. Потери в диэлектриках. Тангенс угла диэлектрических потерь. Виды диэлектрических потерь. Пробой диэлектриков, виды и механизмы пробоя.


Тема 3. Диэлектрические материалы

Классификация диэлектрических материалов. Полимерные материалы, фторсодержащие и кремнийорганические соединения, пластмассы, эластомеры, пропиточные материалы, лаки, клей, компаунды, слоистые пластики.

Неорганические диэлектрические материалы: слюда, стекла, ситаллы, керамика. Назначения и области применения диэлектрических материалов.


Тема 4. Полупроводники и полупроводниковые материалы

Электропроводность полупроводников. Примесные полупроводники, концентрации и виды носителей заряда. Подвижность носителей заряда. Температурная зависимость удельной проводимости. Фотопроводимость. Методы получения монокристаллических

полупроводников. Легирование полупроводников. Свойства и области применения простых полупроводников и полупроводниковых химических соединений.


Тема 5. Магнетизм и свойства магнетиков

Деление веществ по магнитным свойствам. Ферромагнетизм, антиферромагне-тизм, ферримагнетизм. Процесс намагничивания. Кривая намагничивания. Магнитная проницаемость. Гистерезис. Предельная петля гистеpезиса. Магнитное насыщение. Остаточная индукция и коэрцетивная сила. Потери на гистерезисе и вихревые токи. Зависимость потерь от частоты.


Тема 6. Магнитные материалы

Общая классификация магнитных материалов. Магнитомягкие материалы и требования к ним. Низкочастотные и высокочастотные магнитомягкие материалы. Основные характеристики и области их применения. Магнитодиэлектрики, требования к ним и области применения. Ферриты низкочастотные и высокочастотные. Технология изготовления и области применения. Ферриты с прямоугольной петлей гистерезиса. Магнитотвердые материалы. Назначение, области применения.


Тема 7. Введение в микроэлектронику

Основные термины и определения микроэлектроники. Интегральные микросхемы (ИМС), степень интеграции и деление микросхем по степени интеграции. Плотность упаковки как показатель технологической сложности создания ИМС. Классификация микросхем по конструктивно-технологическим и функциональным признакам. Типовые структуры пленочных гибридных и полупроводниковых микросхем и их сравнительные характеристики. Подложки ИМС и требования к ним.


Тема 8. Методы получения топологии ИМС

Методы получения рисунка пленочных структур: трафареты, маски. Фотолитография. Фоторезисты. Фотошаблоны. Методы получения фотошаблонов. Перспективные методы литографии.


Тема 9. Методы получения элементов и слоев пленочных ИМС

Испарение и конденсация материалов на подложке. Термическое испарение. Электронно-лучевое напыление. Катодное распыление. Типовой процесс производства пленочных и гибридных ИМС.


Тема 10. Технологические основы оздания

полупроводниковых ИМС

Основные этапы процесса изготовления полупроводниковых ИС на биполярных и МДП-транзисторах. Диффузия, методы диффузии, диффузанты. Профиль распределения примеси. Особенности легированных слоев. Ионная имплантация, методика проведения легирования, достоинства и недостатки ионной имплантации.

Окисление. Травление. Ионное распыление. Плазмохимическое травление. Анодирование и оксидирование.


ПРИМЕРНЫЙ ПЕРЕЧЕНЬ ЛАБОРАТОРНЫХ РАБОТ


1. Изучение электропроводности диэлектриков и измерение удельного поверхностного и удельного объемного сопротивления диэлектрических материалов.

2. Определение ширины запрещенной зоны и энергии активации примесных полупроводников термическим методом.

3. Исследование свойств магнитомягких материалов на промышленной частоте.

4. Исследование электрофизических параметров проводниковых материалов.

5. Элементы гибридных интегральных схем.

6. Исследование элементов полупроводниковых ИС.

7. Исследование параметров биполярных логических ИС.

8. Измерение параметров операционного усилителя.

ЛИТЕРАТУРА

ОСНОВНАЯ

1. Пасынков В.В., Сорокин В.С. Материалы электронной техники.- М.:Высш.шк., 1986, 1980.
   
2. Горелик С.С., Дашевский М.Я. Материаловедение полупроводников и диэлектриков.- М.: Металлургия, 1988.
   
3. Богородицкий Н.П., Пасынков В.В., Тареев Б.М. Электротехнические материалы.- Л.: Энергоатомиздат, 1985.
   
4. Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Технология полупроводниковых и диэлектри-ческих материалов.- М.: Высш.шк.,1990,1982.
   
5. Пасынков В.В. Материалы электронной техники.- М.: Высш.шк., 1980.
   
6. Казанцев А.П. Радиотехнические материалы. Метод. пособие, ротапринт.-Мн.: БГУИР, 1993.
   
7. Авдеев Н.А., Наумов Ю.Е., Фролкин В.Т. Основы микроэлектроники.- М.: Радио и связь, 1991.
   
8. Игумнов Д.В., Королев Г.В., Громов И.С. Основы микроэлектроники.-
   

М. :Высш.шк., 1991.

9. Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.М. Микроэлектроника.- М. :
   

Высш.шк., 1986.

9. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники.- М.: Сов. радио, 1980.
   

ДОПОЛНИТЕЛЬНАЯ

1. Богородицкий Н.П., Пасынков В.В. Материалы радиоэлектронной техники.- М.: Высш.шк.,1969.
   
2. Проводниковые материалы/ Под ред. Л.М. Казарновского – М.: Энергия, 1970.
   
3. Преображенский А.А. Магнитные материалы и элементы.- М.: Высш.шк., 1976.
   
4. Рычина Т.А. Электрорадиоэлементы.- М. : Сов.радио, 1976
   
5. Росадо Л. Физическая электроника и микроэлектроника.- М.:Выс.шк., 1991.
   
6. Пичугин И.Г., Таиров Ю.М. Технология полупроводниковых приборов.- М.: Высш.шк., 1984.
   
7. Агаханян Т.М., Интегральные микросхемы.- М.: Энергоатомиздат, 1983.
   
8. Березин А.С., Мочалкина О.Р., Технология и конструирование интегральных микросхем.- М.: Радио и связь,1983.
   
9. Готра З.Ю. Технология микроэлектронных средств. –М. :Радио и связь, 1991.
   

Утверждена

Министерством образования

Республики Беларусь

« 24 » июня 2001 г.

Регистрационный № ТД - 161 / тип


Основы компъютерного проектирования