Программа "Национальная технологическая база" на 2007 2011 годы (утв постановлением Правительства РФ от 29 января 2007 г. N 54) (с изменениями от 26 ноября 2007 г.
| Вид материала | Программа |
- Федеральная целевая программа "национальная технологическая база" на 2007 2011 годы, 3594.41kb.
- Федеральная целевая программа "национальная технологическая база" на 2007 2011 годы, 3467.76kb.
- Федеральная целевая программа "национальная технологическая база" на 2007 2011 годы, 3650.19kb.
- Федеральная целевая программа «Национальная технологическая база» на 2007 2011 годы, 816.3kb.
- Федеральная целевая программа "национальная технологическая база" на 2007 2011 годы, 4193.39kb.
- Федеральная целевая программа "национальная технологическая база" на 2007 2011 годы, 4200.13kb.
- Федеральная целевая программа "национальная технологическая база" на 2007 2011 годы, 4193.34kb.
- Правительства Российской Федерации от 21 ноября 2005 года №1993-р о плане мероприятий, 137.39kb.
- Паспор т подпрограммы "Развитие отечественного станкостроения и инструментальной промышленности", 1861.22kb.
- Правительства Российской Федерации от 26 ноября 2007 г. №809 связано с корректировкой, 1210.52kb.
├────┬─────────────────────────┬─────────┬───────┬───────┬───────┬───────┬───────┬────────────────────────────┤
│80. │Разработка технологии│ 57 │ 24 │ 18 │ 15 │ - │ - │разработка расширенного ряда│
│ │выпуска прецизионных│ ------- │-------│-------│-------│ │ │резонаторов с повышенной│
│ │температуростабильных │ 38 │ 16 │ 12 │ 10 │ │ │кратковременной и│
│ │высокочастотных до 1,5 -│ │ │ │ │ │ │долговременной стабильностью│
│ │2 ГГц резонаторов на│ │ │ │ │ │ │для создания контрольной и│
│ │поверхностно акустических│ │ │ │ │ │ │связной аппаратуры двойного│
│ │волнах до 1,5 ГГц с│ │ │ │ │ │ │назначения │
│ │полосой до 70 процентов и│ │ │ │ │ │ │ │
│ │длительностью сжатого│ │ │ │ │ │ │ │
│ │сигнала до 2 - 5 нс │ │ │ │ │ │ │ │
├────┼─────────────────────────┼─────────┼───────┼───────┼───────┼───────┼───────┼────────────────────────────┤
│81. │Разработка в│ 120 │ - │ - │ 21 │ 48 │ 51 │создание технологии и│
│ │лицензируемых и│ ------- │ │ │-------│-------│-------│конструкции │
│ │нелицензируемых │ 80 │ │ │ 14 │ 32 │ 34 │акустоэлектронных пассивных│
│ │международных частотных│ │ │ │ │ │ │и активных меток-│
│ │диапазонах 860 МГц и 2,45│ │ │ │ │ │ │транспондеров для применения│
│ │ГТц ряда радиочастотных│ │ │ │ │ │ │в логистических приложениях│
│ │пассивных и активных│ │ │ │ │ │ │на транспорте, в торговле и│
│ │акустоэлектронных │ │ │ │ │ │ │промышленности │
│ │меток-транспондеров, в│ │ │ │ │ │ │ │
│ │том числе работающих в│ │ │ │ │ │ │ │
│ │реальной помеховой│ │ │ │ │ │ │ │
│ │обстановке, для систем│ │ │ │ │ │ │ │
│ │радиочастотной │ │ │ │ │ │ │ │
│ │идентификации и систем│ │ │ │ │ │ │ │
│ │управления доступом │ │ │ │ │ │ │ │
├────┼─────────────────────────┼─────────┼───────┼───────┼───────┼───────┼───────┼────────────────────────────┤
│82. │Разработка базовой│ 56 │ 24 │ 17 │ 15 │ - │ - │создание технологии│
│ │конструкции и│ ------- │-------│-------│-------│ │ │проектирования и базовых│
│ │промышленной технологии│ 37 │ 16 │ 11 │ 10 │ │ │конструкций │
│ │производства │ │ │ │ │ │ │пьезоэлектрических фильтров│
│ │пьезокерамических │ │ │ │ │ │ │в малогабаритных корпусах│
│ │фильтров в корпусах для│ │ │ │ │ │ │для поверхностного монтажа│
│ │поверхностного монтажа │ │ │ │ │ │ │при изготовлении связной│
│ │ │ │ │ │ │ │ │аппаратуры массового│
│ │ │ │ │ │ │ │ │применения │
├────┼─────────────────────────┼─────────┼───────┼───────┼───────┼───────┼───────┼────────────────────────────┤
│83. │Разработка технологии│ 125 │ 86 │ 39 │ - │ - │ - │создание базовой технологии│
│ │проектирования, базовой│ ------- │-------│-------│ │ │ │акустоэлектронных приборов│
│ │технологии производства и│ 83 │ 57 │ 26 │ │ │ │для перспективных систем│
│ │конструирования │ │ │ │ │ │ │связи, измерительной и│
│ │акустоэлектронных │ │ │ │ │ │ │навигационной аппаратуры│
│ │устройств нового│ │ │ │ │ │ │нового поколения -│
│ │поколения и фильтров│ │ │ │ │ │ │подвижных, спутниковых,│
│ │промежуточной частоты с│ │ │ │ │ │ │тропосферных и радиорелейных│
│ │высокими характеристиками│ │ │ │ │ │ │линий связи, цифрового│
│ │для современных систем│ │ │ │ │ │ │интерактивного телевидения,│
│ │связи, включая│ │ │ │ │ │ │радиоизмерительной │
│ │высокоизбирательные │ │ │ │ │ │ │аппаратуры, радиолокационных│
│ │высокочастотные │ │ │ │ │ │ │станций, спутниковых│
│ │устройства частотной│ │ │ │ │ │ │навигационных систем │
│ │селекции на поверхностных│ │ │ │ │ │ │ │
│ │и приповерхностных волнах│ │ │ │ │ │ │ │
│ │и волнах│ │ │ │ │ │ │ │
│ │Гуляева-Блюштейна с│ │ │ │ │ │ │ │
│ │предельно низким уровнем│ │ │ │ │ │ │ │
│ │вносимого затухания для│ │ │ │ │ │ │ │
│ │частотного диапазона до│ │ │ │ │ │ │ │
│ │5 ГГц │ │ │ │ │ │ │ │
├────┼─────────────────────────┼─────────┼───────┼───────┼───────┼───────┼───────┼────────────────────────────┤
│84. │Разработка технологии│ 96 │ - │ - │ 33 │ 63 │ - │создание технологии│
│ │проектирования и базовой│ ------- │ │ │-------│-------│ │производства │
│ │технологии производства│ 64 │ │ │ 22 │ 42 │ │высокоинтегрированной │
│ │функциональных │ │ │ │ │ │ │электронной компонентной│
│ │законченных устройств│ │ │ │ │ │ │базы типа "система в│
│ │стабилизации, селекции│ │ │ │ │ │ │корпусе" для вновь│
│ │частоты и обработки│ │ │ │ │ │ │разрабатываемых и│
│ │сигналов типа "система в│ │ │ │ │ │ │модернизируемых сложных│
│ │корпусе" │ │ │ │ │ │ │радиоэлектронных систем и│
│ │ │ │ │ │ │ │ │комплексов │
├────┼─────────────────────────┼─────────┼───────┼───────┼───────┼───────┼───────┼────────────────────────────┤
│85. │Разработка базовой│ 69 │ - │ - │ - │ 48 │ 21 │создание базовой технологии│
│ │конструкции и технологии│ ------- │ │ │ │-------│-------│(2010 г.) и базовой│
│ │изготовления │ 46 │ │ │ │ 32 │ 14 │конструкции микроминиатюрных│
│ │высокочастотных │ │ │ │ │ │ │высокодобротных фильтров для│
│ │резонаторов и фильтров на│ │ │ │ │ │ │малогабаритной и носимой│
│ │объемных акустических│ │ │ │ │ │ │аппаратуры навигации и связи│
│ │волнах для│ │ │ │ │ │ │ │
│ │телекоммуникационных и│ │ │ │ │ │ │ │
│ │навигационных систем │ │ │ │ │ │ │ │
├────┼─────────────────────────┼─────────┼───────┼───────┼───────┼───────┼───────┼────────────────────────────┤
│86. │Разработка технологии и│ 80 │ 50 │ 30 │ - │ - │ - │создание нового поколения│
│ │базовой конструкции│ ------- │-------│-------│ │ │ │оптоэлектронных приборов для│
│ │фоточувствительных │ 53 │ 33 │ 20 │ │ │ │обеспечения задач│
│ │приборов с матричными│ │ │ │ │ │ │предотвращения аварий и│
│ │приемниками высокого│ │ │ │ │ │ │контроля │
│ │разрешения для видимого и│ │ │ │ │ │ │ │
│ │ближнего инфракрасного│ │ │ │ │ │ │ │
│ │диапазона для аппаратуры│ │ │ │ │ │ │ │
│ │контроля изображений │ │ │ │ │ │ │ │
├────┼─────────────────────────┼─────────┼───────┼───────┼───────┼───────┼───────┼────────────────────────────┤
│87. │Разработка базовой│ 50 │ 13 │ 16 │ 21 │ - │ - │создание базовой технологии│
│ │технологии │ ------- │-------│-------│-------│ │ │нового поколения приборов│
│ │унифицированных │ 33 │ 9 │ 10 │ 14 │ │ │контроля тепловых полей для│
│ │электронно-оптических │ │ │ │ │ │ │задач теплоэнергетики,│
│ │преобразователей, │ │ │ │ │ │ │медицины, поисковой и│
│ │микроканальных пластин,│ │ │ │ │ │ │контрольной аппаратуры на│
│ │пироэлектрических матриц│ │ │ │ │ │ │транспорте, продуктопроводах│
│ │и камер на их основе с│ │ │ │ │ │ │и в охранных системах │
│ │чувствительностью до 0,1│ │ │ │ │ │ │ │
│ │К и широкого│ │ │ │ │ │ │ │
│ │инфракрасного диапазона │ │ │ │ │ │ │ │
├────┼─────────────────────────┼─────────┼───────┼───────┼───────┼───────┼───────┼────────────────────────────┤
│88. │Разработка базовой│ 129 │ 45 │ 45 │ 39 │ - │ - │создание базовой технологии│
│ │технологии создания│ ------- │-------│-------│-------│ │ │(2008 г.) и конструкции│
│ │интегрированных гибридных│ 85 │ 30 │ 30 │ 25 │ │ │новых типов приборов,│
│ │фотоэлектронных │ │ │ │ │ │ │сочетающих фотоэлектронные и│
│ │высокочувствительных и│ │ │ │ │ │ │твердотельные технологии, с│
│ │высокоразрешающих │ │ │ │ │ │ │целью получения экстремально│
│ │приборов и усилителей для│ │ │ │ │ │ │достижимых характеристик для│
│ │задач космического│ │ │ │ │ │ │задач контроля и наблюдения│
│ │мониторинга и специальных│ │ │ │ │ │ │в системах двойного│
│ │систем наблюдения,│ │ │ │ │ │ │назначения │
│ │научной и метрологической│ │ │ │ │ │ │ │
│ │аппаратуры │ │ │ │ │ │ │ │
├────┼─────────────────────────┼─────────┼───────┼───────┼───────┼───────┼───────┼────────────────────────────┤
│89. │Разработка базовых│ 159 │ 63 │ 45 │ 51 │ - │ - │создание базовой технологии│
│ │технологий мощных│ ------- │-------│-------│-------│ │ │(2008 г.) и конструкций│
│ │полупроводниковых │ 106 │ 42 │ 30 │ 34 │ │ │принципиально новых мощных│
│ │лазерных диодов│ │ │ │ │ │ │диодных лазеров,│
│ │(непрерывного и│ │ │ │ │ │ │предназначенных для широкого│
│ │импульсного излучения)│ │ │ │ │ │ │применения в изделиях│
│ │специализированных │ │ │ │ │ │ │двойного назначения,│
│ │лазерных │ │ │ │ │ │ │медицины, полиграфического│
│ │полупроводниковых диодов,│ │ │ │ │ │ │оборудования и системах│
│ │фотодиодов и лазерных│ │ │ │ │ │ │открытой оптической связи │
│ │волоконно-оптических │ │ │ │ │ │ │ │
│ │модулей для создания│ │ │ │ │ │ │ │
│ │аппаратуры и систем│ │ │ │ │ │ │ │
│ │нового поколения │ │ │ │ │ │ │ │
├────┼─────────────────────────┼─────────┼───────┼───────┼───────┼───────┼───────┼────────────────────────────┤
│90. │Разработка и освоение│ 98 │ - │ - │ 15 │ 60 │ 23 │разработка базового│
│ │базовых технологий для│ ------- │ │ │-------│-------│-------│комплекта основных│
│ │лазерных навигационных│ 65 │ │ │ 10 │ 40 │ 15 │оптоэлектронных компонентов│
│ │приборов, включая│ │ │ │ │ │ │для лазерных гироскопов│
│ │интегральный оптический│ │ │ │ │ │ │широкого применения│
│ │модуль лазерного│ │ │ │ │ │ │(2010 г.), создание│
│ │гироскопа на базе│ │ │ │ │ │ │комплекса технологий│
│ │сверхмалогабаритных │ │ │ │ │ │ │обработки и формирования│
│ │кольцевых │ │ │ │ │ │ │структурных и приборных│
│ │полупроводниковых лазеров│ │ │ │ │ │ │элементов, оборудования│
│ │инфракрасного диапазона,│ │ │ │ │ │ │контроля и аттестации,│
│ │оптоэлектронные │ │ │ │ │ │ │обеспечивающих новый уровень│
│ │компоненты для широкого│ │ │ │ │ │ │технико-экономических │
│ │класса инерциальных│ │ │ │ │ │ │показателей производства │
│ │лазерных систем│ │ │ │ │ │ │ │
│ │управления движением│ │ │ │ │ │ │ │
│ │гражданских и специальных│ │ │ │ │ │ │ │
│ │средств транспорта │ │ │ │ │ │ │ │
├────┼─────────────────────────┼─────────┼───────┼───────┼───────┼───────┼───────┼────────────────────────────┤
│91. │Разработка базовых│ 74 │ 27 │ 22 │ 25 │ - │ - │создание базовой технологии│
│ │конструкций и технологий│ ------- │-------│-------│-------│ │ │твердотельных чип-лазеров │
│ │создания │ 50 │ 18 │ 15 │ 17 │ │ │для лазерных дальномеров,│
│ │квантово-электронных │ │ │ │ │ │ │твердотельных лазеров с│
│ │приемо-передающих модулей│ │ │ │ │ │ │пикосекундными │
│ │для малогабаритных│ │ │ │ │ │ │длительностями импульсов для│
│ │лазерных дальномеров│ │ │ │ │ │ │установок по прецизионной│
│ │нового поколения на│ │ │ │ │ │ │обработке композитных│
│ │основе твердотельных│ │ │ │ │ │ │материалов, для создания│
│ │чип-лазеров с│ │ │ │ │ │ │элементов и изделий│
│ │полупроводниковой │ │ │ │ │ │ │микромашиностроения и в│
│ │накачкой, технологических│ │ │ │ │ │ │производстве электронной│
│ │лазерных установок│ │ │ │ │ │ │компонентной базы нового│
│ │широкого спектрального│ │ │ │ │ │ │поколения, мощных лазеров│
│ │диапазона │ │ │ │ │ │ │для применения в│
│ │ │ │ │ │ │ │ │машиностроении, │
│ │ │ │ │ │ │ │ │авиастроении, │
│ │ │ │ │ │ │ │ │автомобилестроении, │
│ │ │ │ │ │ │ │ │судостроении, в составе│
│ │ │ │ │ │ │ │ │промышленных технологических│
│ │ │ │ │ │ │ │ │установок обработки и│
│ │ │ │ │ │ │ │ │сборки, систем│
│ │ │ │ │ │ │ │ │экологического мониторинга│
│ │ │ │ │ │ │ │ │окружающей среды, контроля│
│ │ │ │ │ │ │ │ │выбросов патогенных веществ,│
│ │ │ │ │ │ │ │ │контроля утечек в│
│ │ │ │ │ │ │ │ │продуктопроводах │
├────┼─────────────────────────┼─────────┼───────┼───────┼───────┼───────┼───────┼────────────────────────────┤
│92. │Разработка базовых│ 127 │ 60 │ 55 │ 12 │ - │ - │создание технологии│
│ │технологий формирования│ ------- │-------│-------│-------│ │ │получения широкоапертурных│
│ │конструктивных узлов и│ 85 │ 40 │ 37 │ 8 │ │ │элементов на основе│
│ │блоков для лазеров нового│ │ │ │ │ │ │алюмоиттриевой легированной│
│ │поколения и технологии│ │ │ │ │ │ │керамики композитных│
│ │создания полного│ │ │ │ │ │ │составов для лазеров с│
│ │комплекта электронной│ │ │ │ │ │ │диодной накачкой (2008 г.),│
│ │компонентной базы для│ │ │ │ │ │ │высокоэффективных │
│ │производства лазерного│ │ │ │ │ │ │преобразователей частоты│
│ │устройства определения│ │ │ │ │ │ │лазерного излучения,│
│ │наличия опасных,│ │ │ │ │ │ │организация промышленного│
│ │взрывчатых, отравляющих и│ │ │ │ │ │ │выпуска оптических изделий и│
│ │наркотических веществ в│ │ │ │ │ │ │лазерных элементов широкой│
│ │контролируемом │ │ │ │ │ │ │номенклатуры │
│ │пространстве │ │ │ │ │ │ │ │
├────┼─────────────────────────┼─────────┼───────┼───────┼───────┼───────┼───────┼────────────────────────────┤
│93. │Разработка базовых│ 82 │ 30 │ 25 │ 27 │ - │ - │разработка расширенной серии│
│ │технологий, базовой│ ------- │-------│-------│-------│ │ │низковольтных │
│ │конструкции и организация│ 55 │ 20 │ 17 │ 18 │ │ │катодолюминесцентных и│
│ │производства │ │ │ │ │ │ │других дисплеев с широким│
│ │интегрированных │ │ │ │ │ │ │диапазоном эргономических│
│ │катодолюминесцентных и│ │ │ │ │ │ │характеристик и свойств по│
│ │других дисплеев двойного│ │ │ │ │ │ │условиям применения для│
│ │назначения со встроенным│ │ │ │ │ │ │информационных и контрольных│
│ │микроэлектронным │ │ │ │ │ │ │систем │
│ │управлением │ │ │ │ │ │ │ │
├────┼─────────────────────────┼─────────┼───────┼───────┼───────┼───────┼───────┼────────────────────────────┤
│94. │Разработка технологии и│ 72 │ 27 │ 24 │ 21 │ - │ - │создание ряда принципиально│
│ │базовых конструкций│ ------- │-------│-------│-------│ │ │новых светоизлучающих│
│ │высокояркостных │ 48 │ 18 │ 16 │ 14 │ │ │приборов с минимальными│
│ │светодиодов и индикаторов│ │ │ │ │ │ │геометрическими размерами,│
│ │основных цветов свечения│ │ │ │ │ │ │высокой надежностью и│
│ │для систем подсветки в│ │ │ │ │ │ │устойчивостью к механическим│
│ │приборах нового поколения│ │ │ │ │ │ │и климатическим│
│ │ │ │ │ │ │ │ │воздействиям, обеспечивающих│
│ │ │ │ │ │ │ │ │энергосбережение за счет│
│ │ │ │ │ │ │ │ │замены ламп накаливания в│
│ │ │ │ │ │ │ │ │системах подсветки│
│ │ │ │ │ │ │ │ │аппаратуры и освещения │
├────┼─────────────────────────┼─────────┼───────┼───────┼───────┼───────┼───────┼────────────────────────────┤
│95. │Разработка базовой│ 90 │ - │ - │ 15 │ 57 │ 18 │создание базовой технологии│
│ │технологии и конструкции│ ------- │ │ │-------│-------│-------│производства нового│
│ │оптоэлектронных приборов│ 60 │ │ │ 10 │ 38 │ 12 │поколения оптоэлектронной│
│ │(оптроны, оптореле,│ │ │ │ │ │ │высокоэффективной и надежной│
│ │светодиоды) в миниатюрных│ │ │ │ │ │ │электронной компонентной│
│ │корпусах для│ │ │ │ │ │ │базы для промышленного│
│ │поверхностного монтажа │ │ │ │ │ │ │оборудования и систем связи │
├────┼─────────────────────────┼─────────┼───────┼───────┼───────┼───────┼───────┼────────────────────────────┤
│96. │Разработка │ 81 │ 30 │ 24 │ 27 │ - │ - │создание технологии новых│
│ │схемотехнических решений│ ------- │-------│-------│-------│ │ │классов носимой и│
│ │и унифицированных базовых│ 54 │ 20 │ 16 │ 18 │ │ │стационарной аппаратуры,│
│ │конструкций и технологий│ │ │ │ │ │ │экранов отображения│
│ │формирования │ │ │ │ │ │ │информации коллективного│
│ │твердотельных │ │ │ │ │ │ │пользования повышенных│
│ │видеомодулей на│ │ │ │ │ │ │емкости и формата │
│ │полупроводниковых │ │ │ │ │ │ │ │
│ │светоизлучающих │ │ │ │ │ │ │ │
│ │структурах для носимой│ │ │ │ │ │ │ │
│ │аппаратуры, экранов│ │ │ │ │ │ │ │
│ │индивидуального и│ │ │ │ │ │ │ │
│ │коллективного пользования│ │ │ │ │ │ │ │
│ │с бесшовной стыковкой │ │ │ │ │ │ │ │
├────┼─────────────────────────┼─────────┼───────┼───────┼───────┼───────┼───────┼────────────────────────────┤
│97. │Разработка базовой│ 93 │ 33 │ 30 │ 30 │ - │ - │создание технологии│
│ │технологии изготовления│ ------- │-------│-------│-------│ │ │массового производства│
│ │высокоэффективных │ 62 │ 22 │ 20 │ 20 │ │ │солнечных элементов для│
│ │солнечных элементов на│ │ │ │ │ │ │индивидуального и│
│ │базе использования│ │ │ │ │ │ │коллективного использования│
│ │кремния, полученного по│ │ │ │ │ │ │в труднодоступных районах,│
│ │"бесхлоридной" технологии│ │ │ │ │ │ │развития солнечной│
│ │и технологии "литого"│ │ │ │ │ │ │энергетики в│
│ │кремния прямоугольного│ │ │ │ │ │ │жилищно-коммунальном │
│ │сечения │ │ │ │ │ │ │хозяйстве в обеспечение│
│ │ │ │ │ │ │ │ │задач энергосбережения │
├────┼─────────────────────────┼─────────┼───────┼───────┼───────┼───────┼───────┼────────────────────────────┤
│98. │Разработка базовой│ 59 │ 21 │ 18 │ 20 │ - │ - │создание технологии│
│ │технологии и освоение│ ------- │-------│-------│-------│ │ │массового производства│
│ │производства │ 39 │ 14 │ 12 │ 13 │ │ │нового класса│
│ │оптоэлектронных реле с│ │ │ │ │ │ │оптоэлектронных приборов для│
│ │повышенными техническими│ │ │ │ │ │ │широкого применения в│
│ │характеристиками для│ │ │ │ │ │ │радиоэлектронной аппаратуре │
│ │поверхностного монтажа │ │ │ │ │ │ │ │
├────┼─────────────────────────┼─────────┼───────┼───────┼───────┼───────┼───────┼────────────────────────────┤
│99. │Комплексное исследование│ 162 │ - │ - │ 33 │ 99 │ 30 │создание базовой технологии│
│ │и разработка технологий│ ------- │ │ │-------│-------│-------│массового производства│
│ │получения новых классов│ 108 │ │ │ 22 │ 66 │ 20 │экранов с предельно низкой│
│ │органических (полимерных)│ │ │ │ │ │ │удельной стоимостью для│
│ │люминофоров, пленочных│ │ │ │ │ │ │информационных и обучающих│
│ │транзисторов на основе│ │ │ │ │ │ │систем │
│ │"прозрачных" материалов,│ │ │ │ │ │ │ │
│ │полимерной пленочной│ │ │ │ │ │ │ │
│ │основы и технологий│ │ │ │ │ │ │ │
│ │изготовления │ │ │ │ │ │ │ │
│ │крупноформатных гибких и│ │ │ │ │ │ │ │
│ │особо плоских экранов, в│ │ │ │ │ │ │ │
│ │том числе на базе│ │ │ │ │ │ │ │
│ │высокоразрешающих │ │ │ │ │ │ │ │
│ │процессов струйной печати│ │ │ │ │ │ │ │
│ │и непрерывного процесса│ │ │ │ │ │ │ │
│ │изготовления типа "с│ │ │ │ │ │ │ │
│ │катушки на катушку" │ │ │ │ │ │ │ │
├────┼─────────────────────────┼─────────┼───────┼───────┼───────┼───────┼───────┼────────────────────────────┤
│100.│Разработка базовых│ 183 │ - │ 45 │ 33 │ 105 │ - │создание технологии и│
│ │конструкций и технологии│ ------- │ │-------│-------│-------│ │конструкции │
│ │активных матриц и│ 122 │ │ 30 │ 22 │ 70 │ │активно-матричных │
│ │драйверов плоских экранов│ │ │ │ │ │ │органических │
│ │на основе аморфных,│ │ │ │ │ │ │электролюминесцентных, │
│ │поликристаллических и│ │ │ │ │ │ │жидкокристаллических и│
│ │кристаллических │ │ │ │ │ │ │катодолюминесцентных │
│ │кремниевых интегральных│ │ │ │ │ │ │дисплеев, стойких к внешним│
│ │структур на различных│ │ │ │ │ │ │специальным и климатическим│
│ │подложках и создание на│ │ │ │ │ │ │воздействиям │
│ │их основе перспективных│ │ │ │ │ │ │ │
│ │видеомодулей, включая│ │ │ │ │ │ │ │
│ │органические │ │ │ │ │ │ │ │
│ │электролюминесцентные, │ │ │ │ │ │ │ │
│ │жидкокристаллические и│ │ │ │ │ │ │ │
│ │катодолюминесцентные, │ │ │ │ │ │ │ │
│ │создание базовой│ │ │ │ │ │ │ │
│ │технологии серийного│ │ │ │ │ │ │ │
│ │производства монолитных│ │ │ │ │ │ │ │
│ │модулей двойного│ │ │ │ │ │ │ │
│ │назначения │ │ │ │ │ │ │ │
├────┼─────────────────────────┼─────────┼───────┼───────┼───────┼───────┼───────┼────────────────────────────┤
│101.│Разработка базовой│ 162 │ - │ - │ 33 │ 99 │ 30 │создание технологии и│
│ │конструкции и технологии│ ------- │ │ │-------│-------│-------│базовых конструкций│
│ │крупноформатных │ 108 │ │ │ 22 │ 66 │ 20 │полноцветных газоразрядных│
│ │полноцветных │ │ │ │ │ │ │видеомодулей специального и│
│ │газоразрядных │ │ │ │ │ │ │двойного назначения для│
│ │видеомодулей │ │ │ │ │ │ │наборных экранов│
│ │ │ │ │ │ │ │ │коллективного пользования │
├────┼─────────────────────────┼─────────┼───────┼───────┼───────┼───────┼───────┼────────────────────────────┤
│102.│Разработка технологии│ 72 │ - │ 24 │ 18 │ 30 │ - │разработка расширенного ряда│
│ │сверхпрецизионных │ ------- │ │-------│-------│-------│ │сверхпрецизионных │
│ │резисторов и гибридных│ 48 │ │ 16 │ 12 │ 20 │ │резисторов, гибридных│
│ │интегральных схем│ │ │ │ │ │ │интегральных схем│
│ │цифро-аналоговых и│ │ │ │ │ │ │цифро-аналоговых и│
│ │аналого-цифровых │ │ │ │ │ │ │аналого-цифровых │
│ │преобразователей на их│ │ │ │ │ │ │преобразователей с│
│ │основе в│ │ │ │ │ │ │параметрами, превышающими│
│ │металлокерамических │ │ │ │ │ │ │уровень существующих│
│ │корпусах для аппаратуры│ │ │ │ │ │ │отечественных и зарубежных│
│ │двойного назначения │ │ │ │ │ │ │изделий для аппаратуры│
│ │ │ │ │ │ │ │ │связи, диагностического│
│ │ │ │ │ │ │ │ │контроля, медицинского│
│ │ │ │ │ │ │ │ │оборудования, авиастроения,│
│ │ │ │ │ │ │ │ │станкостроения, │
│ │ │ │ │ │ │ │ │измерительной техники │
├────┼─────────────────────────┼─────────┼───────┼───────┼───────┼───────┼───────┼────────────────────────────┤
│103.│Разработка базовой│ 105 │ - │ - │ - │ 45 │ 60 │разработка расширенного ряда│
│ │технологии особо│ ------- │ │ │ │-------│-------│сверхпрецизионных резисторов│
│ │стабильных и особо точных│ 70 │ │ │ │ 30 │ 40 │с повышенной удельной│
│ │резисторов широкого│ │ │ │ │ │ │мощностью рассеяния,│
│ │диапазона сопротивления,│ │ │ │ │ │ │высоковольтных высокоомных│
│ │прецизионных датчиков│ │ │ │ │ │ │резисторов для измерительной│
│ │тока для измерительной и│ │ │ │ │ │ │техники, приборов ночного│
│ │контрольной аппаратуры и│ │ │ │ │ │ │видения и аппаратуры│
│ │освоение их производства │ │ │ │ │ │ │контроля │
├────┼─────────────────────────┼─────────┼───────┼───────┼───────┼───────┼───────┼────────────────────────────┤
│104.│Разработка технологии и│ 192 │ - │ - │ 24 │ 78 │ 90 │создание базовой технологии│
│ │базовых конструкций│ ------- │ │ │-------│-------│-------│и конструкции резисторов с│
│ │резисторов и резистивных│ 128 │ │ │ 16 │ 52 │ 60 │повышенными значениями│
│ │структур нового поколения│ │ │ │ │ │ │стабильности, удельной│
│ │для поверхностного│ │ │ │ │ │ │мощности в чип-исполнении на│
│ │монтажа, в том числе:│ │ │ │ │ │ │основе многослойных│
│ │резисторов с повышенными│ │ │ │ │ │ │монолитных структур │
│ │характеристиками, │ │ │ │ │ │ │ │
│ │ультранизкоомных │ │ │ │ │ │ │ │
│ │резисторов, │ │ │ │ │ │ │ │
│ │малогабаритных │ │ │ │ │ │ │ │
│ │подстроечных резисторов,│ │ │ │ │ │ │ │
│ │интегральных сборок серии│ │ │ │ │ │ │ │
│ │нелинейных │ │ │ │ │ │ │ │
│ │полупроводниковых │ │ │ │ │ │ │ │
│ │резисторов в многослойном│ │ │ │ │ │ │ │
│ │исполнении │ │ │ │ │ │ │ │
│ │чип-конструкции │ │ │ │ │ │ │ │
├────┼─────────────────────────┼─────────┼───────┼───────┼───────┼───────┼───────┼────────────────────────────┤
│105.│Разработка технологий│ 90 │ 42 │ 36 │ 12 │ - │ - │создание базовой технологии│
│ │формирования │ ------- │-------│-------│-------│ │ │производства датчиков на│
│ │интегрированных │ 60 │ 28 │ 24 │ 8 │ │ │резистивной основе с│
│ │резистивных структур с│ │ │ │ │ │ │высокими техническими│
│ │повышенными │ │ │ │ │ │ │характеристиками и│
│ │технико-эксплуатационными│ │ │ │ │ │ │надежностью │
│ │характеристиками на│ │ │ │ │ │ │ │
│ │основе │ │ │ │ │ │ │ │
│ │микроструктурированных │ │ │ │ │ │ │ │
│ │материалов и методов│ │ │ │ │ │ │ │
│ │групповой сборки │ │ │ │ │ │ │ │
├────┼─────────────────────────┼─────────┼───────┼───────┼───────┼───────┼───────┼────────────────────────────┤
│106.│Создание групповой│ 105 │ 45 │ 30 │ 30 │ - │ - │создание технологии│
│ │технологии │ ------- │-------│-------│-------│ │ │автоматизированного │
│ │автоматизированного │ 70 │ 30 │ 20 │ 20 │ │ │производства чип- и│
│ │производства │ │ │ │ │ │ │микрочип- резисторов (в│
│ │толстопленочных чип- и│ │ │ │ │ │ │габаритах 0402, 0201 и│
│ │микрочип-резисторов │ │ │ │ │ │ │менее) для применения в│
│ │ │ │ │ │ │ │ │массовой аппаратуре │
├────┼─────────────────────────┼─────────┼───────┼───────┼───────┼───────┼───────┼────────────────────────────┤
│107.│Разработка новых базовых│ 129 │ - │ 24 │ 30 │ 75 │ - │создание базовой технологии│
│ │технологий и│ ------- │ │-------│-------│-------│ │производства конденсаторов с│
│ │конструктивных решений│ 86 │ │ 16 │ 20 │ 50 │ │качественно улучшенными│
│ │изготовления танталовых│ │ │ │ │ │ │характеристикам с│
│ │оксидно-полупроводниковых│ │ │ │ │ │ │электродами из неблагородных│
│ │и │ │ │ │ │ │ │металлов при сохранении│
│ │оксидно-электролитических│ │ │ │ │ │ │высокого уровня надежности │
│ │конденсаторов и│ │ │ │ │ │ │ │
│ │чип-конденсаторов и│ │ │ │ │ │ │ │
│ │организация производства│ │ │ │ │ │ │ │
│ │конденсаторов с│ │ │ │ │ │ │ │
│ │повышенным удельным│ │ │ │ │ │ │ │
│ │зарядом, сверхнизким│ │ │ │ │ │ │ │
│ │значением внутреннего│ │ │ │ │ │ │ │
│ │сопротивления и│ │ │ │ │ │ │ │
│ │улучшенными │ │ │ │ │ │ │ │
│ │потребительскими │ │ │ │ │ │ │ │
│ │характеристиками │ │ │ │ │ │ │ │
├────┼─────────────────────────┼─────────┼───────┼───────┼───────┼───────┼───────┼────────────────────────────┤
│108.│Разработка комплексной│ 65 │ 24 │ 20 │ 21 │ - │ - │создание базовых технологий│
│ │базовой технологии и│ ------- │-------│-------│-------│ │ │конденсаторов и ионисторов│
│ │организация производства│ 43 │ 16 │ 13 │ 14 │ │ │на основе полимерных│
│ │конденсаторов с│ │ │ │ │ │ │материалов с повышенным│
│ │органическим диэлектриком│ │ │ │ │ │ │удельным зарядом и│
│ │и повышенными удельными│ │ │ │ │ │ │энергоемких накопительных│
│ │характеристиками и│ │ │ │ │ │ │конденсаторов с повышенной│
│ │ионисторов с повышенным│ │ │ │ │ │ │удельной энергией │
│ │током разряда │ │ │ │ │ │ │ │
├────┼─────────────────────────┼─────────┼───────┼───────┼───────┼───────┼───────┼────────────────────────────┤
│109.│Разработка технологии,│ 115 │ - │ - │ 25 │ 60 │ 30 │создание технологии и│
│ │базовых конструкций│ ------- │ │ │-------│-------│-------│базовых конструкций нового│
│ │высоковольтных │ 77 │ │ │ 17 │ 40 │ 20 │поколения выключателей для│
│ │(быстродействующих, │ │ │ │ │ │ │радиоэлектронной аппаратуры│
│ │мощных) вакуумных│ │ │ │ │ │ │с повышенными│
│ │выключателей нового│ │ │ │ │ │ │тактико-техническими │
│ │поколения с предельными│ │ │ │ │ │ │характеристиками и│
│ │характеристиками для│ │ │ │ │ │ │надежностью │
│ │радиотехнической │ │ │ │ │ │ │ │
│ │аппаратуры с высокими│ │ │ │ │ │ │ │
│ │сроками службы │ │ │ │ │ │ │ │
├────┼─────────────────────────┼─────────┼───────┼───────┼───────┼───────┼───────┼────────────────────────────┤
│110.│Разработка технологий│ 74 │ 25 │ 24 │ 25 │ - │ - │создание технологии│
│ │создания газонаполненных│ ------- │-------│-------│-------│ │ │изготовления коммутирующих│
│ │высоковольтных │ 50 │ 17 │ 16 │ 17 │ │ │устройств для токовой│
│ │высокочастотных │ │ │ │ │ │ │коммутации цепей в широком│
│ │коммутирующих устройств│ │ │ │ │ │ │диапазоне напряжений и токов│
│ │для токовой коммутации│ │ │ │ │ │ │для радиоэлектронных и│
│ │цепей с повышенными│ │ │ │ │ │ │электротехнических систем │
│ │техническими │ │ │ │ │ │ │ │
│ │характеристиками │ │ │ │ │ │ │ │
├────┼─────────────────────────┼─────────┼───────┼───────┼───────┼───────┼───────┼────────────────────────────┤
│111.│Разработка полного│ 57 │ 30 │ 27 │ - │ - │ - │создание технологии выпуска│
│ │комплекта электронной│ ------- │-------│-------│ │ │ │устройств грозозащиты в│
│ │компонентной базы для│ 38 │ 20 │ 18 │ │ │ │индивидуальном, промышленном│
│ │создания модульного│ │ │ │ │ │ │и гражданском строительстве,│
│ │устройства грозозащиты│ │ │ │ │ │ │строительстве пожароопасных│
│ │зданий и сооружений с│ │ │ │ │ │ │объектов │
│ │обеспечением требований│ │ │ │ │ │ │ │
│ │по международным│ │ │ │ │ │ │ │
│ │стандартам │ │ │ │ │ │ │ │
├────┼─────────────────────────┼─────────┼───────┼───────┼───────┼───────┼───────┼────────────────────────────┤
│112.│Разработка базовых│ 151 │ 54 │ 46 │ 51 │ - │ - │создание базовой технологии│
│ │конструкций и технологий│ ------- │-------│-------│-------│ │ │формирования │
│ │изготовления │ 101 │ 36 │ 31 │ 34 │ │ │высококачественных │
│ │малогабаритных │ │ │ │ │ │ │гальванических покрытий,│
│ │переключателей с│ │ │ │ │ │ │технологии прецизионного│
│ │повышенными сроками│ │ │ │ │ │ │формирования изделий для│
│ │службы для печатного│ │ │ │ │ │ │автоматизированных систем│
│ │монтажа │ │ │ │ │ │ │изготовления коммутационных│
│ │ │ │ │ │ │ │ │устройств широкого│
│ │ │ │ │ │ │ │ │назначения │
├────┼─────────────────────────┼─────────┼───────┼───────┼───────┼───────┼───────┼────────────────────────────┤
│ │Всего по направлению 6 │ 3379 │ 753 │ 684 │ 722 │ 867 │ 353 │ │
│ │ │ ------- │-------│-------│-------│-------│-------│ │
│ │ │ 2252 │ 502 │ 456 │ 481 │ 578 │ 235 │ │
├────┴─────────────────────────┴─────────┴───────┴───────┴───────┴───────┴───────┴────────────────────────────┤
│